CN215344396U - 一种正激式开关电源电路 - Google Patents

一种正激式开关电源电路 Download PDF

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徐锦清
韦东
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Abstract

本实用新型实施例公开了一种正激式开关电源电路,所述正激式开关电源电路包括:驱动信号模块、电路导通控制模块、变压器模块和电源输出模块;其中:所述驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至所述电路导通控制模块;所述电路导通控制模块,用于在所述第二驱动信号的驱动下,控制所述变压器模块对所述变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;所述电源输出模块,用于对所述目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出所述稳压电压信号。

Description

一种正激式开关电源电路
技术领域
本实用新型涉及开关电源技术领域,尤其涉及一种正激式开关电源电路。
背景技术
目前,传统使用的正激式开关电源中,通常是通过电源芯片来提供开关驱动信号的,并通过闭环回路来调整电源芯片输出的开关驱动信号,以保证正激式开关电源输出的电源较为稳定。
但是,在针对小功率供电以及对电源稳定性要求较低的电路中,在这些电路中若采用上述正激式开关电源,闭环回路的存在将会增大这些电路的体积,并造成生产过程较为复杂。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例期望提供一种正激式开关电源电路,解决了目前正激式开关电源电路的体积较大的问题,有效减小了正激式开关电源电路在印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)中所占用的面积,降低了生产过程中的生产难易程度。
为达到上述目的,本实用新型实施例的技术方案是这样实现的:
一种正激式开关电源电路,所述正激式开关电源电路包括:驱动信号模块、电路导通控制模块、变压器模块和电源输出模块;其中:
所述驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至所述电路导通控制模块;
所述电路导通控制模块,用于在所述第二驱动信号的驱动下,控制所述变压器模块对所述变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;
所述电源输出模块,用于对所述目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出所述稳压电压信号。
本实用新型的实施例所提供的正激式开关电源电路,正激式开关电源电路包括驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至所述电路导通控制模块;电路导通控制模块,用于在所述第二驱动信号的驱动下,控制所述变压器模块对所述变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;所述电源输出模块,用于对所述目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出所述稳压电压信号。这样,通过驱动信号模块对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至所述电路导通控制模块后,电路导通控制模块在所述第二驱动信号的驱动下,控制所述变压器模块对所述变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号,并通过电源输出模块对所述目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出所述稳压电压信号,由于无需闭环回路来对输出电压信号进行稳压处理,解决了目前正激式开关电源电路的体积较大的问题,有效减小了正激式开关电源电路在PCB中所占用的面积,降低了生产过程中的生产难易程度。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种正激式开关电源电路的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种正激式开关电源电路的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的一种驱动信号模块的电路连接示意图;
图4为本申请实施例提供的一种电路导通控制模块的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的一种电路导通控制模块的电路连接示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种电路导通控制模块的电路连接示意图;
图7为本申请实施例提供的一种正激式开关电源电路的电路连接示意图;
图8为本申请实施例提供的另一种正激式开关电源电路的电路连接示意图;
图9为本申请实施例提供的一种正激式开关电源电路的应用场景示意图。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
在后续的描述中,使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本实用新型的说明,其本身没有特定的意义。因此,“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
本申请的实施例提供一种正激式开关电源电路,该正激式开关电源电路包括:驱动信号模块、电路导通控制模块、变压器模块和电源输出模块;其中:
驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至电路导通控制模块;
电路导通控制模块,用于在第二驱动信号的驱动下,控制变压器模块对变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;
电源输出模块,用于对目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出稳压电压信号。
在本申请实施例中,驱动信号模块能够生成特定频率和特定占空比的第一驱动信号,并需对第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,以便第二驱动信号能够对电路导通控制模块进行驱动处理,使电路导通控制模块在被第二驱动信号驱动后,能够将外部电源不停地输送至变压器模块处,使变压器模块对外部电源进行变压处理,得到期望输出的目标电压信号,并使电源输出模块对目标电压信号进行稳压处理,输出符合期望的稳压电压信号。
本申请实施例所提供的一种正激式开关电源电路,正激式开关电源电路包括驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至电路导通控制模块;电路导通控制模块,用于在第二驱动信号的驱动下,控制变压器模块对变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;电源输出模块,用于对目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出稳压电压信号。这样,通过驱动信号模块对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至电路导通控制模块后,电路导通控制模块在第二驱动信号的驱动下,控制变压器模块对变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号,并通过电源输出模块对目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出稳压电压信号,由于无需闭环回路来对输出电压信号进行稳压处理,解决了目前正激式开关电源电路的体积较大的问题,有效减小了正激式开关电源电路在PCB中所占用的面积,降低了生产过程中的生产难易程度。
基于前述实施例,本申请实施例提供一种正激式开关电源电路,参照图1所示,该正激式开关电源电路1包括:驱动信号模块11、电路导通控制模块12、变压器模块13和电源输出模块14;其中:
驱动信号模块11的输出端与电路导通控制模块12的输入端连接;其中,驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将第二驱动信号发送至电路导通控制模块。
电路导通控制模块12的第一输出端与变压器模块13的第一输入端连接,电路导通控制模块12的第二输出端与变压器模块13的第二输入端连接;其中,电路导通控制模块用于在第二驱动信号的驱动下,控制变压器模块对变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号。
变压器模块13的第二输入端还与外部电源2连接,变压器模块13的输出端与电源输出模块14的输入端连接;其中,电源输出模块,用于对目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出稳压电压信号。
在本申请实施例中,外部电源可以是外部直流电源。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图2所示,该正激式开关电源电路还包括:电路保护模块15;其中:
电路保护模块15的第一端与电路导通控制模块12的第一输出端连接,电路保护模块15的第二端与变压器模块13的第一输入端连接;其中,电路保护模块用于对正激式开关电源电路的负载进行电路保护。
在本申请实施例中,电路保护模块可以是过压或过流电路保护模块,通常可以采用保护电阻、保险丝等电流超过其所承受的最大电流就断开例如熔断的元器件。这样,一旦正激式开关电源电路出现过流故障或者正激式开关电源电路连接的负载出现短路等情况时,可以通过电路保护模块对正激式开关电源电路进行保护,以防止正激式开关电源电路所连接的负载中的元器件被损坏,有效提高了正激式开关电源电路的使用效率,降低了对正激式开关电源电路的维护成本。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图3所示,驱动信号模块11包括:微控制单元(Microcontroller Unit,MCU)111、第一电阻112和驱动芯片113;其中:
MCU 111的输出端与第一电阻112的输入端连接;其中,MCU用于生成目标频率和目标占比的第一驱动信号。
在本申请实施例中,第一驱动信号是从MCU的输入输出(Input/Output,IO)口输出的,第一驱动信号的目标频率和目标占比由正激式开关电源电路的输出电源的电压值以及输出电压的稳定性决定,第一驱动信号的目标频率和目标占比是根据大量实验得到的经验值。
第一电阻112的输出端与驱动芯片113的输入端连接;其中,第一电阻,用于对驱动信号模块中的电流进行限流。
在本申请实施例中,第一电阻对驱动信号模块中的电流进行限流,以防止电流太大,烧毁驱动芯片。
驱动芯片113的输出端是驱动信号模块11的输出端;其中,驱动芯片用于对MCU进行放大处理,得到第二驱动信号。
在本申请实施例中,采用MCU和驱动芯片来实现驱动信号模块,由于MCU和驱动芯片的生产成本较低,这样,能够有效地降低正激式开关电源电路的生产成本。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图4,电路导通控制模块12包括:开关元件121和钳位吸收电路122;其中:
开关元件121的输入端为电路导通控制模块12的输入端;其中,开关元件用于在第二驱动信号驱动的情况下,实现不停地导通与关断。
在本申请实施例中,开关元件可以是金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET),MOSFET的缩写可以也可以记为MOS管,还可以是绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)、三极管等一切可以控制电路导通关断的元器件。
开关元件121的输出端与钳位吸收电路122的输入端连接,开关元件121的输出端还为电路导通控制模块12的第一输出端;其中,钳位吸收电路用于防止由于开关元件不停地导通与关断导致开关元件损坏的情况。
钳位吸收电路122的输出端为电路导通控制模块12的第二输出端。
在本申请实施例中,钳位吸收电路用于防止开关元件例如MOS管在导通关断时产生高压而损坏MOS管。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图5所示,开关元件121包括晶体管1211,电路导通控制模块12还包括:第二电阻123和第三电阻124;其中:
第二电阻123的第一端与晶体管1211的基极连接,第二电阻123的第二端为开关元件121的输入端;
第三电阻124的第一端与晶体管1211的基极连接,第三电阻124的第二端与晶体管1211的集电极连接;
晶体管1211的集电极接地,晶体管1211的发射集为开关元件121的输出端。
在本申请实施例中,第二电阻为基极驱动电阻,第三电阻为偏置电阻,以晶体管为MOS管为例,第二电阻作为栅极电阻来驱动MOS管,第三电阻连接MOS管的栅极与源级,为MOS管的驱动提供开启电压。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图5所示,钳位吸收电路122包括:二极管1221、第四电阻1222和第一电容1223;其中:
二极管1221的正极为钳位吸收电路122的输入端,二极管1221的负极与第一电容1223的第一端连接;
第一电容1223与第四电阻1222并联连接,第一电容1223的第二端为钳位吸收电路122的输出端。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,参照图6所示,电路导通控制模块12还包括:稳压二极管125;其中:
稳压二极管125的负极与二极管1221的负极连接,稳压二极管125的正极接地。
在本申请实施例中,稳压二极管用于防止晶体管例如MOS管导通关断时产生高压损坏钳位吸收电路中的晶体管。在一些应用场景中,为了省成本,钳位吸收电路中的第一电容和第二电阻和稳压二极管可以选用低压元器件。稳压二极管的稳压值由第二电阻与第一电容的耐压值及降额要求决定。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,变压器模块包括:至少一个变压器;其中:
在变压器模块包括至少两个变压器时,至少两个变压器并联连接;
每一个变压器的初级绕组的第一端为变压器模块的第一输入端,每一变压器的初级绕组的第二端为变压器模块的第二输入端,变压器模块的输出端包括每一变压器的次级绕组的两个输出端。
在本申请实施例中,变压器模块包括至少两个变压器时,每一变压器为一个独立变压器,变压器模块包括的电压器的数量可以根据实际需要输出的电源来确定,此处不做任何限定。变压器模块中的至少两个变压器不共用磁芯,且各个变压器的输出不共地,这样,在各个变压器对应的负载基准电压相差较大时,其可以提供不同的电源,进一步的,由于各变压器的次级绕组不接触,使绝缘等级较高。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,电源输出模块包括:至少一组整流器件和至少一组稳压器件;其中:
每一组整流器件的输入端和每一组稳压器件的第一端为电源输出模块的输入端,每一组整流器件的输出端与一组稳压器件的第二端连接;其中,至少一组整流器件的第一组数、至少一组稳压器件的第二组数与变压器模块包括的至少一个变压器的个数相同;
每一组稳压器件的第一端和每一组稳压器件的第二端输出稳压电压信号。
基于前述实施例,在本申请其他实施例中,每一组稳压器件包括至少一个电容,每一组整流器件包括以下至少之一:整流二极管和整流桥。
基于前述实施例,本申请实施例提供一种正激式开关电源电路,可以参照图7或图8所示。其中,图7中不包括电路保护模块,图8中包括电路保护模块。
其中,图8所示的正激式开关电源电路包括:MCU、第一限流电阻R1、驱动芯片(不同于目前常用的电源芯片,驱动芯片用于将主控驱动能力增大,成本远低于电源芯片)、基极驱动电阻R2、偏置电阻R3、MOS管Q1、钳位二极管D1、稳压二极管DZ1、吸收电阻R7、吸收电容C1、外部电源E1、第一保护电阻R6、第二保护电阻R5、第三保护电阻R4、变压器T1、变压器T2、变压器T3、第一整流二极管D2、第二整流二极管D3、第三整流二极管D4、第一滤波电容C2、第二滤波电容C3和第三滤波电容C4。其中,MCU输出第一驱动信号即脉冲宽度调制(PulseWidth Modulation,PWM)信号通过第一限流电阻R1传给驱动芯片,PWM信号经由驱动芯片增强驱动能力后,通过栅极电阻R2驱动MOS管Q1,偏置电阻连接MOS管的栅极与源级,为MOS管的驱动提供开启电压。MOS管Q1的漏极与钳位二极管D1阳极相连,钳位吸收电路中的吸收电阻R7和吸收电容C1并联后与钳位二极管阴极串联组成电阻电容二极管(RCD)钳位吸收电路,用于防止MOS管在开通关断时产生高压损坏MOS管。稳压二极管DZ1一端接地,另一端连接RCD钳位吸收电路一端,防止MOS管开通关断时产生高压而损坏MOS管,为了节省成本,稳压二极管DZ1可选用低压元器件。RCD钳位吸收电路与过流保护电阻R4、R5、R6并联在各正激变压器初级绕组两端。外部电源E1可以是直流电源,连接各正激变压器T1、T2和T3的初级绕组,正激变压器T1次级绕组通过整流二极管D2整流,再通过电容C2给各负载供电,即通过电容C2的两端提供输出电源1,给对应的负载供电,正激变压器T2次级绕组通过整流二极管D3整流,再通过电容C3给各负载供电,即通过电容C3的两端提供输出电源2,给对应的负载供电,正激变压器T3次级绕组通过整流二极管D4整流,再通过电容C4给各负载供电,即通过电容C4的两端提供输出电源2,给对应的负载供电。
其中,MOS管Q1的驱动信号是主控芯片MCU的IO口输出得到的,驱动信号的频率和占空比由多次实验中电源输出的电压值和稳定性决定调试过程中参数可以变化,生产后占空比和频率固定。在一些应用场景中,驱动信号的频率和占空比可以只有电源输出的电压值来决定,例如要求输出电源最大值不损害负载、最小值大于负载开启电压,即对电源稳定性没要求。
稳压部分电容C2、C3、C4只用储能电容稳压,不用于闭环控制回路。
稳压二极管DZ1的稳压值由吸收电阻R7与吸收电容C1的耐压值及降额要求决定。
在一些应用场景中,稳压部分电容C2、C3、C4不限于单个滤波电容,可以是多个电容或一切可以替代的储能元件。
在一些应用场景中,MOS管还可以采用IGBT、三极管等一切可以控制电路导通关断的元器件来替换。
在一些应用场景中,保护电阻R4、R5、R6通常是小功率电阻,在其他一些应用场景中,保护电阻可以采用保险丝等超过其电流阈值就烧断的元器件来替换。其中,保护电阻的熔断阻值可以根据短路试验来选定,以保证在负载短路时使保护电阻熔断,来保护负载中成本较高的功率元器件不被损坏。保护电阻R4、R5、R6即构成前述电路保护模块。
在一些应用场景中,变压器的数量为至少1个,可以根据具体需要多组输出就多组输出。其中,在图8中变压器的数量为3个,变压器通常为不共用铁芯的独立变压器。
在一些应用场景中,整流二极管D2、D3、D4还可以采用整流桥等整流器件来替换,此处不做任何限定。
这样,保护电阻R4、R5、R6在电源负载发生短路等故障时能在负载损坏之前烧断,从而切断故障负载支路的电源输出,从而保护负载。通过正激式开关电源电路使用主控芯片IO口驱动MOS管,相比于传统正激式开关电源电路省去一个电源芯片,节省成本。正激式开关电源电路用于小功率负载,且对电源稳定性要求不高的场合,因较传统正激式开关电源电路省去闭环控制回路,节省物料成本的同时也节省PCB面积、节省工厂生产工时。正激式开关电源电路中的变压器不共用磁芯,变压器的各组输出不共地,在各个变压器的负载基准电压相差较大时电源优势明显,各变压器的输出绕组不接触,绝缘等级较高。
如图9所示是通过图8所示正激式开关电源电路的三个输出电源1、输出电源2和输出电源3为三电平电路中的三组IGBT的一种应用场景示意图,图8中的驱动芯片将PWM信号控制MOS管通断,从而使变压器初级绕组磁通量变化,将能量传递给变压器的次级绕组,变压器的次级绕组对能量进行整流滤波后为给图9中的三电平电路中的三组IGBT供电。其中,三电平电路中的三组IGBT的源级相差几百伏电压,因为三组IGBT的电压相差较大,所以图8中各变压器的次级绕组物理隔离增强绝缘等级更有优势。当三电平电路内部有短路时,变压器次级绕组电流升高,反映到变压器初级绕组电流也升高,这样,当变压器初级绕组上的电流超过初级绕组支路上设置的保护电阻或保险丝的电流阈值时,保护电阻或保险丝熔断,使正激式开关电源电路不再为三电平电路供电,从而保护了昂贵的三电平电路。需说明的是,仅在图9中示出了图8中的输出电源1、输出电源2和输出电源3。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种正激式开关电源电路,其特征在于,所述正激式开关电源电路包括:驱动信号模块、电路导通控制模块、变压器模块和电源输出模块;其中:
所述驱动信号模块,用于对生成的第一驱动信号进行放大处理得到第二驱动信号,并将所述第二驱动信号发送至所述电路导通控制模块;
所述电路导通控制模块,用于在所述第二驱动信号的驱动下,控制所述变压器模块对所述变压器模块连接的外部电源进行变压处理,得到目标电压信号;
所述电源输出模块,用于对所述目标电压信号进行稳压处理后,得到稳压电压信号,输出所述稳压电压信号。
2.根据权利要求1所述的正激式开关电源电路,其特征在于,
所述驱动信号模块的输出端与所述电路导通控制模块的输入端连接;
所述电路导通控制模块的第一输出端与所述变压器模块的第一输入端连接,所述电路导通控制模块的第二输出端与所述变压器模块的第二输入端连接;
所述变压器模块的第一输入端还与所述外部电源连接,所述变压器模块的输出端与所述电源输出模块的输入端连接。
3.根据权利要求2所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述正激式开关电源电路还包括:电路保护模块;其中:
所述电路保护模块的第一端与所述电路导通控制模块的第一输出端连接,所述电路保护模块的第二端与所述变压器模块的第一输入端连接;其中,所述电路保护模块用于对所述正激式开关电源电路的负载进行电路保护。
4.根据权利要求2或3所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述驱动信号模块包括:微控制单元MCU、第一电阻和驱动芯片;其中:
所述MCU的输出端与所述第一电阻的输入端连接;其中,所述MCU用于生成目标频率和目标占比的所述第一驱动信号;
所述第一电阻的输出端与所述驱动芯片的输入端连接;其中,所述第一电阻,用于对所述驱动信号模块中的电流进行限流;
所述驱动芯片的输出端是所述驱动信号模块的输出端;其中,所述驱动芯片用于对所述MCU进行放大处理,得到所述第二驱动信号。
5.根据权利要求2或3所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述电路导通控制模块包括:开关元件和钳位吸收电路;其中:
所述开关元件的输入端为所述电路导通控制模块的输入端;其中,所述开关元件用于在所述第二驱动信号驱动的情况下,实现不停地导通与关断;
所述开关元件的输出端与所述钳位吸收电路的输入端连接,所述开关元件的输出端还为所述电路导通控制模块的第一输出端;其中,所述钳位吸收电路用于防止由于所述开关元件不停地导通与关断导致所述开关元件损坏的情况;
所述钳位吸收电路的输出端为所述电路导通控制模块的第二输出端。
6.根据权利要求5所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述开关元件包括晶体管,所述电路导通控制模块还包括:第二电阻和第三电阻;其中:
所述第二电阻的第一端与所述晶体管的基极连接,所述第二电阻的第二端为所述开关元件的输入端;
所述第三电阻的第一端与所述晶体管的基极连接,所述第三电阻的第二端与所述晶体管的集电极连接;
所述晶体管的集电极接地,所述晶体管的发射集为所述开关元件的输出端。
7.根据权利要求6所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述钳位吸收电路包括:二极管、第四电阻和第一电容;其中:
所述二极管的正极为所述钳位吸收电路的输入端,所述二极管的负极与所述第一电容的第一端连接;
所述第一电容与所述第四电阻并联连接,所述第一电容的第二端为所述钳位吸收电路的输出端。
8.根据权利要求7所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述电路导通控制模块还包括:稳压二极管;其中:
所述稳压二极管的负极与所述二极管的负极连接,所述稳压二极管的正极接地。
9.根据权利要求2或3所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述变压器模块包括:至少一个变压器;其中:
在所述变压器模块包括至少两个变压器时,所述至少两个变压器并联连接;
每一个所述变压器的初级绕组的第一端为所述变压器模块的第一输入端,每一所述变压器的初级绕组的第二端为所述变压器模块的第二输入端,所述变压器模块的输出端包括每一所述变压器的次级绕组的两个输出端。
10.根据权利要求9所述的正激式开关电源电路,其特征在于,所述电源输出模块包括:至少一组整流器件和至少一组稳压器件;其中:
每一组所述整流器件的输入端和每一组所述稳压器件的第一端为所述电源输出模块的输入端,每一组所述整流器件的输出端与一组所述稳压器件的第二端连接;其中,至少一组所述整流器件的第一组数、至少一组所述稳压器件的第二组数与所述变压器模块包括的至少一个变压器的个数相同;
每一组所述稳压器件的第一端和每一组所述稳压器件的第二端输出所述稳压电压信号。
11.根据权利要求10所述的正激式开关电源电路,其特征在于,每一组所述稳压器件包括至少一个电容,每一组所述整流器件包括以下至少之一:整流二极管和整流桥。
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