CN215175227U - 双控固态高能半导体点火装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了双控固态高能半导体点火装置，包括AC‑DC电源模块、MCU双控模块和高能充放电点火模块，AC220V交流电源接出一路经过防浪涌滤波器WT，再经过AC‑DC电源模块输出直流电源，通过直流电源给MCU双控模块供电，MCU双控模块用于高能充放电点火模块的控制、放电检测和故障报警指示，高能充放电点火模块包括可控硅SCR1、可控硅SCR2、升压变压器B1、高压桥式硅堆ZD1、限流电阻、蓄能电容C1、光电耦合器OP1、光电耦合器OP2、中压屏蔽电缆X1和半导体电嘴U1，使用高压大电流单向可控硅SCR2替代传统的玻璃惰性气体放电管作为脉冲放电开关，升压变压器初级端增加双向可控硅SCR1进行充电控制，并增加放电检测电路DsT，并用高性能的MCU双控模块进行充电、放电控制和放电检测。

Description

双控固态高能半导体点火装置

技术领域

本实用新型涉及石油化工技术领域，具体为双控固态高能半导体点火装置。

背景技术

放空火炬是石油化工系统的有毒有害尾气处理的最后一道安全装置，其点火成功率是火炬系统中极为重要的设备，放空火炬的点火装置一般采用高压电点火、高能半导体点火等点火方式；

根据这几种点火装置在数十年的应用过程中的统计分析，这几种点火装置都存在一定的技术缺陷，导致其应用范围都存在一定限制；

高压电点火装置：

高压电点火装置的原理是将直流低压电或交流电采用升压变压器、中高频逆变升压电路或二极管脉冲倍压电路升压至几KV甚至10KV以上的高压电在电极上放电、利用电弧的高温引燃点火燃烧器实现大流量放空尾气的点火，具有连续小电流放电、功耗低等优点，但也存在几千上万伏特高压电对高压输电电路绝缘要求极高的缺点，常因受潮湿环境、雨水、水蒸气冷凝、绝缘电缆老化等原因导致输电线路漏电、短路放电而电极不放电故障导致火炬点火失败、尾气污染环境。

常规高能半导体点火装置：

常规高能半导体点火装置的原理(见图1)是采用升压变压器将单相交流电升压至2.3KV左右、经过限流电阻、高压硅堆(高压二极管)整流再对蓄能电容充电，在蓄能电容充电至2KV左右时，放电管瞬间导通，高压电加载于半导体点火电嘴两极，半导体电嘴起弧放电，由于半导体电嘴的特性，蓄能电容的电量在电嘴表面在形成维持数十微秒至数毫秒的强烈放电脉冲电弧；根据蓄能电容容量大小，该脉冲电弧的放电能量约为1-20焦耳，脉冲电弧的瞬间温度高达两千℃以上，可直接将点火燃烧器喷出混合气点燃，燃烧器火焰再将火炬的放空气点燃。

由于高能半导体点火器的点火电压只有2K至3KV，对高压输电线路的绝缘要求较低，使用常规耐压数千伏特的普通中等绝缘电缆即可满足绝缘输电要求，同时因为半导体电嘴放电引起的极端时间脉冲电弧呈爆炸状态，会在电嘴表面形成极强的气动轰击，足以将燃料气或尾气形成的积碳、油污等炸掉，可以在各种恶劣气候、脏污环境中保持正常放电运行，故高能半导体点火器的点火成功率极高，配合合适的点火燃烧器，完全可以做到100％的点火成功率。

常规半导体点火装置的影响使用寿命及安全的缺陷：

1)点火放电管容易破损、漏气失效；

常用型号为R-12M或相近型号，其结构为外径20mm长度30mm左右的充装惰性气体的玻璃气体放电管，在其中的电极击穿放电电极极强(瞬时脉冲电流高达数十乃至数百安培)时会强烈发热，如果连续击穿放电的次数过多，产生的热量会将腔体中的惰性气体加热导致压力升高，在腔体内压力升高到一定值时会导致密封胶和玻璃壳体破裂，导致空气进入腔体内，使放电电极表面的特殊合金涂层氧化，导致放电管失效；

2)强电流脉冲浪涌干扰、冲击破坏；

常规高能半导体点火装置中，因其输出瞬时脉冲电流高达数十数百安培，其本质也是一极强的浪涌脉冲，虽有升压变压器起到一定的隔离和吸收作用，但在高压输出端屏蔽隔离不完全和高压输出的接地端靠近点火器防爆箱或火炬控制柜等电器时，仍旧会对输入电源或同一相用电仪器仪表造成尖峰脉冲浪涌冲击，导致电路元件击穿损坏，甚至引起某些器件起火烧毁；

3)常规高能半导体点火装置的点火电路中，在输出段都设有小阻值阻容匹配电阻R4(几百欧姆)；在输出电缆断线、电嘴烧毁开路、点火放电管U1正常时，R4会很快过热烧毁甚至出现电路板上起火燃烧；

4)无自体故障检测、报警、保护；

常规高能半导体点火装置的点火电路中，都不会设置电路故障和报警功能电路；主要原因是检测用的常规电子元器件在高能点火电源防爆箱内的极为恶劣电磁环境中极容易被电磁感应干扰或损坏！

这些电路上的缺陷直接导致高能点火装置每次点火运行只能运行数十秒、然后停止运行一会，再启动点火运行，否则会导致放电管损坏、变压器过热等故障。

基于此，本实用新型设计了双控固态高能半导体点火装置，以解决上述提到的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供双控固态高能半导体点火装置，以解决上述提到的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：双控固态高能半导体点火装置，包括AC-DC电源模块、MCU双控模块和高能充放电点火模块，单相AC220V交流电源接出一路经过防浪涌滤波器WT，再经过AC-DC电源模块输出直流电源，通过直流电源给MCU双控模块供电，所述MCU双控模块用于高能充放电点火模块的控制、放电检测和故障报警指示，所述高能充放电点火模块包括可控硅SCR1、可控硅SCR2、升压变压器B1、高压桥式硅堆ZD1、限流电阻、蓄能电容C1、光电耦合器OP1、光电耦合器OP2、中压屏蔽电缆X1和半导体电嘴U1，MCU双控模块发出SiA信号，保护继电器J1常开触点闭合，给高能充放电点火模块供电，光电耦合器OP1的输出端导通，可控硅SCR1导通，升压变压器B1初级接入AC220V，升压变压器B1次级输出2KV高压交流电，经高压桥式硅堆ZD1整流为高压直流电给蓄能电容C1充电，MCU双控模块延时后SiA信号置零，光电耦合器OP1过零切断可控硅SCR1，升压变压器B1初级失去AC220V电源，蓄能电容C1停止充电，停止充电后MCU双控模块延时后发出SiB信号，光电耦合器OP2的输出端导通，单向高压电流可控硅SCR2导通，蓄能电容C1的高压电通过限流保护电阻R1、限流保护电阻R2、中压屏蔽电缆X1并加载至半导体电嘴U1，半导体电嘴U1导通放电后，蓄能电容C1的电量泄放完毕，蓄能电容C1正负极间的电压、放电电流降低，从而导致单向高压电流可控硅SCR2的功率控制端A、K极间电压也降低，在放电电流I_A低于可控硅SCR2的A、K极间的导通保持电流I_H时，可控硅SCR2的A、K极进入极大阻值而断开，即使蓄能电容C1再次开始充电，MCU双控模块不发出SiB信号，可控硅SCR2也不会导通。

优选的，所述MCU双控模块与AC-DC电源模块均安装于电磁屏蔽盒内，屏蔽盒外壳接地。

优选的，所述MCU双控模块包括与可控硅SCR2连接的反向关断电路NcV，在放电后，MCU双控模块启动反向关断电路NcV，给可控硅SCR2的A、K极间施加一反向直流脉冲，使得可控硅SCR2彻底关断。

优选的，所述MCU双控模块包括放电检测电路DsT、放电传感器DtS、双色指示灯AlmP和故障信号输出端子Salm，放电传感器DtS为双模式传感器，用于检测限流保护电阻R5后接线端子处是否出现毫秒级高压电场，以及半导体电嘴U1安装位置处是否出现毫秒级的C波段紫外线光学脉冲，若两者都没有检测到，MCU双控模块判定故障，控制双色指示灯AlmP由绿色变为红色，以及控制故障信号输出端子Salm无源闭合，用户端RTU或火炬控制系统发出故障报警信号。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

与传统常规的高能半导体点火装置比较，双控固态高能半导体点火装置使用高压大电流单向可控硅SCR2替代了传统的玻璃惰性气体放电管作为脉冲放电开关，升压变压器初级端增加了双向可控硅SCR1进行充电控制，并增加了放电检测电路DsT，并用高性能的MCU双控模块进行充电、放电控制和放电检测；

使用高压大电流单向可控硅SCR2作为脉冲放电开关，完全避免了玻璃惰性气体放电管容易损坏、不能连续长时间放电的缺点；使用玻璃惰性气体放电管作为放电开关的常规高能半导体点火器一般只能连续放电点火运行几十秒至几分钟就必须停止一段时间，使气体放电管冷却下来，否则会导致放电管内部气体压力增大导致漏气损坏；使用高压大电流单向可控硅SCR2的双控固态高能半导体点火装置，虽然脉冲电流很大，但每个脉冲的高电平持续时间很短(数十微秒至1毫秒)，可控硅SCR2的平均电流很小，可控硅SCR2本身的功耗很低，再加上可控硅SCR2使用点火器防爆铝制壳体作为散热，连续运行的温升不高，在连续放电测试运行(12h)时温升不超过12℃(对比环境温度)，只要半导体电嘴不出故障就可以连续长时间的放电点火，这在点火可靠性要求极高的石油化工装置的放空火炬上具有很大优势；

其次，使用双向可控硅SCR1作为升压变压器B1的供电开关，蓄能电容C1对半导体电嘴U1进行脉冲放电时产生的尖峰脉冲和浪涌因可控硅SCR1关断后的极大电阻，不会通过升压变压器B1的初级反串回供电回路，减少了对电源和同一相供电的其他仪表和电器设备的浪涌干扰，这是常规高能点火器无法做到的；

再者双控固态高能半导体点火装置设置了放电检测电路DsT，检测脉冲放电的脉冲电场和半导体电嘴U1放电脉冲电弧的瞬间强烈脉冲状C波段UV紫外线，不受太阳光、火炬放空气火焰和点火燃烧器火焰的紫外线干扰；可有效检测到高能充放电电路和期间的故障、中压屏蔽电缆X1、半导体电嘴U1故障引起的不放电点火故障；而常规高能点火器是不配任何自身故障检测电路或器件；

双控固态高能半导体点火装置的高压输出端和输电线X1的屏蔽接地线(放电脉冲电输出的负极)强制要求设置在靠近半导体电嘴，一般设置在火炬的筒体、塔架或点火燃烧器的钢结构上，形成完整的闭合回路；有效屏蔽半导体电嘴放电时的高压脉冲电磁浪涌和电磁感应干扰，有效保护同一区域的其他仪表电器；

低压部分元器件、电路板采用全封闭屏蔽盒，与高压充放电器件的信号采用光电耦合器隔离，可有效防止高压充放电电路的尖峰浪涌电磁感应干扰。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型常规高能半导体点火装置原理图；

图2为本实用新型电路原理图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图2，本实用新型提供一种技术方案：双控固态高能半导体点火装置，包括AC-DC电源模块、MCU双控模块和高能充放电点火模块，单相AC220V交流电源接出一路经过防浪涌滤波器WT，再经过AC-DC电源模块输出直流电源，通过直流电源给MCU双控模块供电，所述MCU双控模块用于高能充放电点火模块的控制、放电检测和故障报警指示，所述高能充放电点火模块包括可控硅SCR1、可控硅SCR2、升压变压器B1、高压桥式硅堆ZD1、限流电阻、蓄能电容C1、光电耦合器OP1、光电耦合器OP2、中压屏蔽电缆X1和半导体电嘴U1，MCU双控模块发出SiA信号(高电平)，保护继电器J1常开触点闭合，给高能充放电点火模块供电，光电耦合器OP1的输出端导通，可控硅SCR1导通，升压变压器B1初级接入AC220V，升压变压器B1次级输出2KV高压交流电，经高压桥式硅堆ZD1整流为2300V左右的高压直流电给蓄能电容C1充电，MCU双控模块延时50至100毫秒后SiA信号置零(低电平)，光电耦合器OP1过零切断可控硅SCR1，升压变压器B1初级失去AC220V电源，蓄能电容C1停止充电，

停止充电后MCU双控模块延时15至20毫秒(至少一个交流的半波)后发出SiB信号(数毫秒的高电平脉冲)，光电耦合器OP2的输出端(双向二极管)导通，单向高压电流可控硅SCR2导通，蓄能电容C1的高压电通过限流保护电阻R1、限流保护电阻R2、中压屏蔽电缆X1并加载至半导体电嘴U1，半导体电嘴U1依靠其特性在表面瞬间导通形成表面电弧放电，蓄能电容C1的电量在数十微秒至数毫秒间泄放，击穿半导体电嘴U1电极表面的空气形成极高温的瞬间脉冲电弧(表观为爆发式或雷击式放电电弧)，极高温度脉冲电弧即可引燃半导体电嘴U1安装处的点火燃烧器或引火筒喷出的燃料气-空气混合气，燃烧产生的火焰即可点燃放空火炬的放空气体。

半导体电嘴U1导通放电后，蓄能电容C1的电量泄放完毕，蓄能电容C1的电量在数十微秒至数毫秒间泄放完毕，C1正负极间的电压也降至极低、放电电流也降低，导致单向高压大电流可控硅SCR2的功率控制端A、K极间电压V_AK降低，在放电电流I_A低于可控硅SCR2的A、K极间的导通保持电流I_H时，可控硅SCR2的A、K极进入极大阻值而断开，即可控硅SCR2断开了，即使蓄能电容C1再次开始充电，MCU双控模块不发出SiB信号，可控硅SCR2也不会导通。

为确保可控硅SCR2完全关断，所述MCU双控模块包括与可控硅SCR2连接的反向关断电路NcV，在放电后，MCU双控模块启动反向关断电路NcV，给可控硅SCR2的A、K极间施加一反向直流脉冲，使得可控硅SCR2彻底关断。

MCU双控模块发出SiB信号(数毫秒的高电平脉冲)、半导体电嘴U1放电结束、可控硅SCR2自动断开后，MCU双控模块再次发出后SiA信号，蓄能电容C1开始充电，充电结束后，MCU双控模块发出发出SiB信号(数毫秒的高电平脉冲)、可控硅SCR2导通，蓄能电容C1通过中压屏蔽电缆X1、半导体电嘴U1放电……这样MCU双控模块控制高能充放电电路进行重复的放电点火操作。

为了检测高能充放电、半导体电嘴是否正常运行，MCU双控模块中还配置放电检测电路DsT、放电传感器DtS、双色指示灯AlmP和故障信号输出端子Salm，放电传感器DtS为双模式传感器，脉冲电场传感器和毫秒级C波长段UV紫外线光学脉冲传感器，用于检测限流保护电阻R5后接线端子处是否出现毫秒级高压电场，以及半导体电嘴U1安装位置(点火燃烧器或引火筒)处是否出现毫秒级的C波段紫外线光学脉冲，如果这两者都没有检测到，说明高能点火充放电电路、半导体电嘴出现故障，MCU判定故障后，控制双色指示灯AlmP由绿色变为红色，以及控制故障信号输出端子Salm无源闭合，用户端RTU或火炬控制系统发出故障报警信号。提示对高能半导体点火装置进行维修、维护，同时保护继电器J1的触点断开，切断高能充放电点火模块的电源，防止高能充放电点火模块器件损坏。毫秒级C波长UV段紫外线光学脉冲传感器只对半导体电嘴U1发出的瞬时紫外线脉冲有效，而不会对燃烧器和放空气的连续紫外线或长脉冲敏感，就不会收到太阳光、火焰的UV紫外线干扰，可靠性极强。

其中，所述MCU双控模块与AC-DC电源模块均安装于电磁屏蔽盒内，屏蔽盒外壳接地，可有效防止高能充放电器件的强烈电磁感应干扰和浪涌信号干扰。

点火脉冲电弧延续时间说明：因保护限流电阻R5(小阻值)、中压屏蔽电缆X1的导线电阻Rx、中压屏蔽电缆X1屏蔽层与导线间的绝缘胶皮(聚四氟+有机硅橡胶)形成的分布电容Cx构成了RC阻容充电电路，(R5+Rx)与Cx将会导致一个很短的充电延时才会使半导体电嘴U1电极间的电压升值半导体电嘴U1的半导体击穿电压，另外，中压屏蔽电缆X1的导线电阻Rx也会导致半导体电嘴U1放电电流变小，这也就是所有高能半导体点火装置的放电能量随中压屏蔽电缆X1长度变长而衰减变化的原因之一：中压屏蔽电缆X1越长点火能量越小，故保护限流电阻R5的阻值选择很重要，既要保证在中压屏蔽电缆中压屏蔽电缆X1较短时放电电流I_A不超过单向高压大电流可控硅SCR2的ITSM(通态/正向浪涌电流)的25％(设计取值一般为300A-瞬时电流)，又要尽量确保点火脉冲电弧延续时间尽量短、不超过2毫秒(大电流可控硅的反向不重复峰值电压VRSM允许持续时间10ms)，以便起到保护可控硅SCR2又确保半导体电嘴U1的放电能量足够大(一般根据蓄能电容C1容量，在1-20J之间。

元件的参数选型计算

高能半导体点火装置的单脉冲能量一般在1-20J(不同型号规格)，单个脉冲持续时间极短(数十微秒至1毫秒)，单脉冲瞬时电流都非常大，电流根据下述计算：

1000WH＝1000VAH(伏特*安培*小时)

＝1000×3600VAS(伏特*安培*小时)

＝3.6×10^6J(焦耳)

1J＝1VAS(伏特*安培*秒)

简算：

20J＝20VAS＝2.0×10^7(V*A*μS)(伏特*安培*微秒)

Q＝U*I*T------脉冲能量计算公式

由上式可见，在放电能量(C1充电后蓄能)和放电电压(C1电压)固定时，半导体点火电嘴的放电脉冲电流I与脉冲持续时间T成反比；

放电脉冲的持续时间T又与保护限流电阻R5、中压屏蔽电缆X1的导线电阻Rx、半导体电嘴放电脉冲电弧通道的电阻Rz、可控硅SCR2的导通电阻Rs、X1导线的线电容Cx有关系。

T＝(R5+Rx+Rz+Rs)*Cx

由计算式可见，中压屏蔽电缆X1长度(确定线电阻Rx)、中压屏蔽电缆X1的绝缘层材质和厚度(决定电缆的线电容Cx)，以及保护限流电阻R5的阻值是决定放电电流、电弧温度的最主要因素；当然可控硅SCR2的导通电阻也是因素之一，但高压单向大电流可控硅SCR2的导通电阻Rs极小(一般为1毫欧左右，导通后极压降一般为2-3伏特)，可以忽略；

高压单向大电流可控硅SCR2选型

由上述计算可见，高能半导体点火装置的放电电流极大，可控硅SCR的选型是整个装置的重点之一；

根据上述计算，可控硅SCR2的参数选择如下：

IT(AV)导通状态额定电流：＞300A根据放电能量选择

VDRM关断状态额定耐压：＞3000V

ITSM通态/正向浪涌电流:＞4000A(持续时间不超过10ms)

双向可控硅SCR1选型

IT(AV)导通状态额定电流：＞60A根据放电能量选择

VDRM关断状态额定耐压：＞450V

配铝质散热片(或点火器防爆铝壳体替代)；

蓄能电容C1选型

额定耐压：＞3KV

容量：1-6μF；

油浸纸介电容；

中压屏蔽电缆X1选型

形式：单铜芯(多股)、聚四氟+有机硅绝缘层，屏蔽层覆盖率：＞90％；

铜芯芯线截面积：＞4mm2

半导体电嘴U1选型

结构材质：中心电极和外筒体电极：耐热耐腐蚀合金；

半导体涂层：氧化铜半导体釉料，浸涂、烘干、烧结；

接口尺寸：M14 M16×1 M18×1；

后导电杆：L＝1m至4m；

升压变压器B1选型

设计功率：200-350瓦；

初级电压：AC220V；

次级电压：AC2000V至2300V；

初级次级线包作真空树脂灌封，确保线包的层间绝缘、铁芯和线包的散热。

双控固态高能半导体点火装置主要用于石油化工工艺装置的放空火炬点火，一般选用点火能量6-20J的型号。

双控固态高能半导体点火装置的较小点火能量(1-5J)型号，其导电杆及半导体点火电嘴一般与点火长明灯燃烧器做成一体化，或再配上气动推进装置、电动推进装置，还用于各种油田加热炉、尾气焚烧炉、硫磺回收反应燃烧炉、各种废液废气焚烧处理炉等装置。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (4)

1.双控固态高能半导体点火装置，其特征在于：包括AC-DC电源模块、MCU双控模块和高能充放电点火模块，单相AC220V交流电源接出一路经过防浪涌滤波器WT，再经过AC-DC电源模块输出直流电源，通过直流电源给MCU双控模块供电，所述MCU双控模块用于高能充放电点火模块的控制、放电检测和故障报警指示，所述高能充放电点火模块包括可控硅SCR1、可控硅SCR2、升压变压器B1、高压桥式硅堆ZD1、限流电阻、蓄能电容C1、光电耦合器OP1、光电耦合器OP2、中压屏蔽电缆X1和半导体电嘴U1，MCU双控模块发出SiA信号，保护继电器J1常开触点闭合，给高能充放电点火模块供电，光电耦合器OP1的输出端导通，可控硅SCR1导通，升压变压器B1初级接入AC220V，升压变压器B1次级输出2KV高压交流电，经高压桥式硅堆ZD1整流为高压直流电给蓄能电容C1充电，MCU双控模块延时后SiA信号置零，光电耦合器OP1过零切断可控硅SCR1，升压变压器B1初级失去AC220V电源，蓄能电容C1停止充电，停止充电后MCU双控模块延时后发出SiB信号，光电耦合器OP2的输出端导通，单向高压电流可控硅SCR2导通，蓄能电容C1的高压电通过限流保护电阻R1、限流保护电阻R2、中压屏蔽电缆X1并加载至半导体电嘴U1，半导体电嘴U1导通放电后，蓄能电容C1的电量泄放完毕，蓄能电容C1正负极间的电压、放电电流降低，从而导致单向高压电流可控硅SCR2的功率控制端A、K极间电压也降低，在放电电流I_A低于可控硅SCR2的A、K极间的导通保持电流I_H时，可控硅SCR2的A、K极进入极大阻值而断开，即使蓄能电容C1再次开始充电，MCU双控模块不发出SiB信号，可控硅SCR2不会导通。

2.根据权利要求1所述的双控固态高能半导体点火装置，其特征在于：所述MCU双控模块与AC-DC电源模块均安装于电磁屏蔽盒内，屏蔽盒外壳接地。

3.根据权利要求1所述的双控固态高能半导体点火装置，其特征在于：所述MCU双控模块包括与可控硅SCR2连接的反向关断电路NcV，在放电后，MCU双控模块启动反向关断电路NcV，给可控硅SCR2的A、K极间施加一反向直流脉冲，使得可控硅SCR2彻底关断。

4.根据权利要求1所述的双控固态高能半导体点火装置，其特征在于：所述MCU双控模块包括放电检测电路DsT、放电传感器DtS、双色指示灯AlmP和故障信号输出端子Salm，放电传感器DtS为双模式传感器，用于检测限流保护电阻R5后接线端子处是否出现毫秒级高压电场，以及半导体电嘴U1安装位置处是否出现毫秒级的C波段紫外线光学脉冲，若两者都没有检测到，MCU双控模块判定故障，控制双色指示灯AlmP由绿色变为红色，以及控制故障信号输出端子Salm无源闭合，用户端RTU或火炬控制系统发出故障报警信号。

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