CN215161274U - 一种自来水厂沉淀池 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种自来水厂沉淀池，包括：池体，设置在所述池体进水端的配水墙，设置在所述池体出水端的若干集水槽，以及设置在所述池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙；其特征在于，在相邻两所述导流墙之间设有至少一个导流矮墙，所述导流矮墙与所述导流墙平行设置，所述导流矮墙的高度介于所述导流墙高度的1/3‑1/5之间。本实用新型通过在相邻两导流墙之间增加特定高度的导流矮墙，使得弗劳德数Fr明显增大、雷诺数Re明显减少，有效提高整个沉淀池的沉淀效果，沉淀效果更好。

Description

一种自来水厂沉淀池

技术领域

本实用新型涉及水处理设备技术领域，尤其涉及一种自来水厂的沉淀池。

背景技术

目前，常见的自来水厂沉淀池都是利用接触絮凝沉淀原理来去除水中悬浮物，具体结构主要包括：池体，设置在池体进水端的配水墙，设置在池体出水端的集水槽，以及设置在池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙。但现有的导流墙其高度与池体高度接近，这也使得相邻两导流墙之间的间隔需要设计得相对较远(控制成本的需要)，沉淀效果不是十分理想。另外，现有技术中的集水槽长度也设计得较短，一般为池体总长度的十分之一左右，出水浊度相对较高。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种沉淀效果更好的自来水厂沉淀池。

为达到以上目的，本实用新型采用如下技术方案。

一种自来水厂沉淀池，包括：池体，设置在所述池体进水端的配水墙，设置在所述池体出水端的若干集水槽，以及设置在所述池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙；其特征在于，在相邻两所述导流墙之间设有至少一个导流矮墙，所述导流矮墙与所述导流墙平行设置，所述导流矮墙的高度介于所述导流墙高度的1/3-1/5之间。

更为优选的是，在相邻两所述导流墙的中间位置设有一个所述导流矮墙，且所述导流矮墙的高度为所述导流墙高度的1/4。

更为优选的是，所述配水墙为格栅配水墙，在所述格栅配水墙上开设有若干相互平行的条形孔，各所述条形孔的开孔面积之和不小于总面积的40％。

更为优选的是，所述集水槽的数量为所述导流墙和所述导流矮墙的数量之和，且与所述导流墙和所述导流矮墙一一对应。

更为优选的是，各所述集水槽的长度一致，且所述集水槽的长度为池体总长度的15-20％。

更为优选的是，所述集水槽为U形槽，在所述集水槽的壳壁上开有若干透水孔。

更为优选的是，对应所述集水槽设有相应的集水槽支撑柱；在所述池体的底部设有固定底梁，所述集水槽支撑柱的底部与所述固定底梁套接固定。

更为优选的是，在所述池体的底部设有与所述导流墙垂直的若干排泥沟，在各所述排泥沟内设有排泥管。

更为优选的是，所述排泥沟的横截面呈梯形，相邻两所述排泥沟之间的间隔不超过30m。

更为优选的是，所述排泥管为塑料管，在所述排泥管的侧壁开设有若干通孔。

本实用新型的有益效果是：通过在相邻两导流墙之间增加特定高度的导流矮墙，使得弗劳德数Fr明显增大、雷诺数Re明显减少，有效提高整个沉淀池的沉淀效果，沉淀效果更好。同时，通过将集水槽的长度限定在池体总长度的15-20％之间，可以有效防止反矾花现象，降低出水浊度。

附图说明

图1所示为本实用新型提供的自来水厂沉淀池的结构示意图。

图2所示为图1的A-A剖视图。

图3所示为图1的B-B剖视图。

图4所示为图1的C-C剖视图。

图5所示为图1的D-D剖面局部示意图。

附图标记说明：

1：池体，2：配水墙，2-1：条形孔，3：集水槽，4：导流墙，5：导流

矮墙，6：排泥沟，7：排泥管，8：集水槽支撑柱，9：固定底梁，10：排泥渠。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向”、“纵向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本实用新型的具体保护范围。

在本实用新型中，除另有明确规定和限定，如有术语“组装”、“相连”、“连接”术语应作广义去理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是机械连接；可以是直接相连，也可以是通过中间媒介相连，可以是两个元件内部相连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述的术语在本实用新型中的具体含义。

在实用新型中，除非另有规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“之下”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅是表示第一特征水平高度高于第二特征的高度。第一特征在第二特征“之上”、“之下”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度低于第二特征。

下面结合说明书的附图，对本实用新型的具体实施方式作进一步的描述，使本实用新型的技术方案及其有益效果更加清楚、明确。下面通过参考附图描述实施例是示例性的，旨在解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

如图1、图2所示，一种自来水厂沉淀池，包括：池体1，在所述池体1的进水端设有配水墙2，在所述池体1的出水端设有若干集水槽3，在所述池体1内设有若干导流墙4；各所述导流墙4相互平行并沿从进水端到出水端的方向走向；其特征在于，在相邻两所述导流墙4之间设有至少一个导流矮墙5，所述导流矮墙5与所述导流墙4平行设置，所述导流矮墙5的高度介于所述导流墙4高度的1/3-1/5之间。

本实施例中，优选在相邻两所述导流墙4的中间位置增加一个导流矮墙5，且所述导流矮墙5的高度为所述导流墙4高度的1/4。经实际试验，在相邻两导流墙4之间的间距为3.5m的情况下，保持其他参数不变，增加相应的导流矮墙5后，弗劳德数Fr增大15％以上、雷诺数Re减少20％以上，沉淀效果的改善极为明显。

结合图3所示，所述配水墙2为格栅配水墙，在所述格栅配水墙上开设有若干相互平行的条形孔2-1，各所述条形孔2-1的开孔面积之和不小于总面积的40％。在这里，配水墙采用格栅配水墙的好处是，可以有效降低进水流速，进而减少絮体破碎，利于絮体的沉淀。

结合图4所示，所述集水槽3的数量为所述导流墙4和所述导流矮墙5的数量之和，且与所述导流墙4和所述导流矮墙5一一对应。各所述集水槽3的长度一致，且所述集水槽3的长度为池体1总长度的15-20％。本实施例中，池体1的总长度为108.95m，相应的集水槽3的长度为16.5m。通过将集水槽3这样设置，可以有效防止反矾花现象，降低出水浊度。

本实施例中，优选所述集水槽3为U形槽，在所述集水槽3的壳壁上开有若干透水孔，以便于集水。特别地，为便于集水槽3的安装，对应所述集水槽3设有相应的集水槽支撑柱8；在池体1的底部设有固定底梁9，所述集水槽支撑柱8的底部与所述固定底梁9套接固定，安装拆卸极为方便，利于根据不同的集水槽长度需求安装不同长度的集水槽支撑柱。

结合图5所示，在所述池体1的底部还设有与所述导流墙4垂直的若干排泥沟6，在各所述排泥沟6内设有排泥管7。本实施例中，所述排泥沟6的横截面呈梯形，相邻两所述排泥沟6之间的间隔不超过30m，所述排泥管7为塑料管，在所述排泥管7的侧壁开设有若干通孔。通过设置排泥管6和排泥管7，实际应用时，排泥管7的端部与排泥渠10连接，通过在排泥管7上连接污泥抽吸设备并结合刮泥机即可十分方便地将池体1底部的污泥抽出，便于整个池体的清洗。

通过上述的结构和原理的描述，所属技术领域的技术人员应当理解，本实用新型不局限于上述的具体实施方式，在本实用新型基础上采用本领域公知技术的改进和替代均落在本实用新型的保护范围，本实用新型的保护范围应由各权利要求项及其等同物限定之。具体实施方式中未阐述的部分均为现有技术或公知常识。

Claims (10)

1.一种自来水厂沉淀池，包括：池体，设置在所述池体进水端的配水墙，设置在所述池体出水端的若干集水槽，以及设置在所述池体内沿进水端到出水端方向走向的若干导流墙；其特征在于，在相邻两所述导流墙之间设有至少一个导流矮墙，所述导流矮墙与所述导流墙平行设置，所述导流矮墙的高度介于所述导流墙高度的1/3-1/5之间。

2.根据权利要求1所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，在相邻两所述导流墙的中间位置设有一个所述导流矮墙，且所述导流矮墙的高度为所述导流墙高度的1/4。

3.根据权利要求1所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，所述配水墙为格栅配水墙，在所述格栅配水墙上开设有若干相互平行的条形孔，各所述条形孔的开孔面积之和不小于总面积的40％。

4.根据权利要求1所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，所述集水槽的数量为所述导流墙和所述导流矮墙的数量之和，且与所述导流墙和所述导流矮墙一一对应。

5.根据权利要求1或4所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，各所述集水槽的长度一致，且所述集水槽的长度为池体总长度的15-20％。

6.根据权利要求1或4所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，所述集水槽为U形槽，在所述集水槽的壳壁上开有若干透水孔。

7.根据权利要求1或4所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，对应所述集水槽设有相应的集水槽支撑柱；在所述池体的底部设有固定底梁，所述集水槽支撑柱的底部与所述固定底梁套接固定。

8.根据权利要求1所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，在所述池体的底部设有与所述导流墙垂直的若干排泥沟，在各所述排泥沟内设有排泥管。

9.根据权利要求8所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，所述排泥沟的横截面呈梯形，相邻两所述排泥沟之间的间隔不超过30m。

10.根据权利要求8所述的一种自来水厂沉淀池，其特征在于，所述排泥管为塑料管，在所述排泥管的侧壁开设有若干通孔。

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