CN214849532U - 同轴封装半导体光放大器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种同轴封装半导体光放大器。本实用新型适用于光器件。本实用新型的技术方案为一种同轴封装半导体光放大器，其特征在于，包括：管帽；TO管座，接于所述管帽下端，与管帽配合在管帽内形成安装腔室；输入光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；输出光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；SOA芯片，安装于所述安装腔室内；输入反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述输入光纤输出的光信号反射至所述SOA芯片；输出反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述SOA芯片输出的放大光信号反射至所述输出光纤。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种同轴封装半导体光放大器。适用于光器件。
背景技术
目前，半导体光放大器(SOA)基本为异侧输入输出的结构形式，采用蝶形或BOX封装，这些封装形式体积大、成本高。如图1所示，典型的半导体光放大器(SOA)的封装形式光输入口和光输出口分列在器件两侧。由于SOA BOX尺寸大，同时光纤输入和输出口异侧分布，导致此封装形式的SOA，无法适用于小型化封装的SFP模块。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种低成本、小型化的同轴封装半导体光放大器。
本实用新型所采用的技术方案是：一种同轴封装半导体光放大器，其特征在于，包括：
管帽；
TO管座，接于所述管帽下端，与管帽配合在管帽内形成安装腔室；
输入光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；
输出光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；
SOA芯片，安装于所述安装腔室内；
输入反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述输入光纤输出的光信号反射至所述SOA芯片；
输出反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述SOA芯片输出的放大光信号反射至所述输出光纤。
所述输入光纤和输出光纤对应的通光孔均制于所述管帽顶端。
所述输入光纤和输入反射棱镜之间沿光信号传输路径依次设有输入隔离器和输入聚焦透镜，所述输出反射棱镜和输出光纤之间沿光信号传输路径依次设有输出耦合透镜和输出隔离器。
所述输入隔离器和输出隔离器安装于所述管帽或与相应的输入、输出光纤做成一体。
所述安装腔室内装有用于对所述SOA芯片制冷的TEC芯片。
所述安装腔室内装有用于监控所述SOA芯片温度的热敏电阻。
所述安装腔室内装有用于监控所述SOA芯片输出功率的MPD芯片。
所述输入光纤和输出光纤上分别套有输入焊接套和输出焊接套，并分别经相应的焊接套与所述管帽连接固定。
本实用新型的有益效果是：本实用新型中通过输入反射棱镜将输入光纤输入的光信号反射给SOA芯片，SOA芯片输出的放大光信号经输出反射棱镜反射给输出光纤，从而可将传统SOA的双向输入输出转化为同向输入输出，使得SOA适合于低成本小型化的同轴TO封装。本实用新型体积小，输入和输出光纤在器件同侧，可以适用于小型化的光模块封装。
附图说明
图1为现有技术的结构示意图。
图2为实施例的结构示意图。
图3为实施例的内部结构示意图。
图4为实施例中管帽的结构示意图。
1、输入光纤；2、输出光纤；3、输入隔离器；4、输出隔离器；5、输入聚焦透镜；6、输出耦合透镜；7、输入反射棱镜；8、输出反射镜；9、MPD芯片；10、热敏电阻；11、SOA芯片；12、TEC芯片；13、TO管座；14、输入焊接套；15、管帽；16、输出焊接套。
具体实施方式
本实施例为一种同轴封装半导体光放大器，具有管帽、TO管座、输入光纤和输出光纤，其中TO管座安装固定于管帽下端并与管帽配合形成安装腔室，管帽顶端制有两个连通内部安装腔室的通光孔，通光孔的形状可以是圆形、方形或者其它形状，两个通光孔也可以用一个大面积通光面。
本例中输入光纤的输出端穿过管帽上的一通光孔伸入管帽内的安装腔室，输入光纤上套有输入焊接套，该输入光纤经输入焊接套与管帽固定连接；输出光纤的输入端穿过管帽上的另一通光孔伸入管帽内的安装腔室，输出光纤上套有输出焊接套，该输出光纤经输出焊接套与管帽固定连接。
本实施例中在安装腔室内安装有SOA芯片、输入反射棱镜和输出反射棱镜，其中SOA芯片所在平面垂直输入光纤和输出光纤，输入反射棱镜的位置与输入光纤对应且其反射面与SOA芯片所在平面呈45°，输出反射棱镜的位置与输出光纤对应且其反射面与SOA芯片所在平面呈45°。本例中SOA芯片可以波导边缘镀膜，也可以设计波导角度减少反射；输入、输出反射棱镜镜的反射面可以镀金属和介质薄膜等高反射膜。
本实施例中在输入光纤和输入反射棱镜之间沿光信号传输路径依次设有输入隔离器和输入聚焦透镜；在输出反射棱镜和输出光纤之间沿光信号传输路径依次设有输出耦合透镜和输出隔离器。
本例中管帽上的通光孔位置能够安装两个透镜，透镜使得输入光纤到SOA芯片以及SOA芯片到输出光纤的耦合效率最大。两个隔离器可以安装在管帽的通光口处，也可以安装在光纤尾纤上。光纤尾纤带角度输入输出，优选角度8度。
本例中输入光纤输出的光信号通过输入隔离器后经过输入聚焦透镜聚焦至输入反射棱镜，并经输入反射棱镜反射后输入SOA芯片，输入聚焦透镜使输入光纤输出的光信号能高效率耦合到SOA芯片的波导中。
本实施例中SOA芯片通过加入电流对输入的光信号进行功率放大，SOA芯片输出的放大光信号通过输出反射镜反射后输入到输出耦合透镜，通过输出耦合透镜汇聚后经过隔离器耦合到输出光纤中。
本实施例在安装腔室内安装有TEC芯片、热敏电阻和MPD芯片，其中TEC芯片用来对SOA芯片制冷；热敏电阻用来监控SOA芯片温度；MPD芯片用来监控SOA芯片输出功率。
上述实施例仅用于解释说明本实用新型的实用新型构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。
Claims (8)
1.一种同轴封装半导体光放大器，其特征在于，包括：
管帽；
TO管座，接于所述管帽下端，与管帽配合在管帽内形成安装腔室；
输入光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；
输出光纤，一端穿过所述管帽上的通光孔伸入所述安装腔室；
SOA芯片，安装于所述安装腔室内；
输入反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述输入光纤输出的光信号反射至所述SOA芯片；
输出反射棱镜，安装于所述安装腔室内，用于将所述SOA芯片输出的放大光信号反射至所述输出光纤。
2.根据权利要求1所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述输入光纤和输出光纤对应的通光孔均制于所述管帽顶端。
3.根据权利要求1所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述输入光纤和输入反射棱镜之间沿光信号传输路径依次设有输入隔离器和输入聚焦透镜，所述输出反射棱镜和输出光纤之间沿光信号传输路径依次设有输出耦合透镜和输出隔离器。
4.根据权利要求3所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述输入隔离器和输出隔离器安装于所述管帽或与相应的输入、输出光纤做成一体。
5.根据权利要求1所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述安装腔室内装有用于对所述SOA芯片制冷的TEC芯片。
6.根据权利要求1所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述安装腔室内装有用于监控所述SOA芯片温度的热敏电阻。
7.根据权利要求1所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述安装腔室内装有用于监控所述SOA芯片输出功率的MPD芯片。
8.根据权利要求1或2所述的同轴封装半导体光放大器，其特征在于：所述输入光纤和输出光纤上分别套有输入焊接套和输出焊接套，并分别经相应的焊接套与所述管帽连接固定。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202121349827.5U CN214849532U (zh) | 2021-06-17 | 2021-06-17 | 同轴封装半导体光放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN214849532U true CN214849532U (zh) | 2021-11-23 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202121349827.5U Active CN214849532U (zh) | 2021-06-17 | 2021-06-17 | 同轴封装半导体光放大器 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN214849532U (zh) |
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2021
- 2021-06-17 CN CN202121349827.5U patent/CN214849532U/zh active Active
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