CN214830647U - 目标物承载装置及半导体器件制作设备 - Google Patents

Abstract

本公开实施例公开了一种目标物承载装置及半导体器件制作设备，所述包括：承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

Description

目标物承载装置及半导体器件制作设备

技术领域

本公开实施例涉及半导体制作技术领域，特别涉及一种目标物承载装置及半导体器件制作设备。

背景技术

在半导体制作领域，等离子体处理设备利用气体在真空环境下辉光放电产生的等离子体，对待处理的目标物进行等离子体处理。例如，可通过电离气体得到的活性基团在目标物周围发生化学反应，形成新的物质以在目标物表面沉积薄膜。

随着半导体器件逐渐微型化，所需要沉积的薄膜厚度越来越薄，且对沉积的薄膜厚度均匀性要求越来越高。因此，如何提高沉积薄膜的均匀性，以提高制作的半导体器件的质量，成为亟待解决的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种目标物承载装置及存储器制作设备。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种目标物承载装置，包括：

承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；

环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；

其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

在一些实施例中，所述承载位包括：圆形承载位；

所述环形结构包括：圆环；

其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。

在一些实施例中，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。

在一些实施例中，所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。

在一些实施例中，所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；

其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁与所述承载位之间的距离；

所述装置还包括：第二驱动组件，与所述活动挡板连接，用于驱动所述活动挡板在所述折叠状态和所述展开状态之间切换。

在一些实施例中，所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，呈阶梯状和/ 或斜坡状。

根据本公开实施例的第二方面，提供一种半导体器件制作设备，包括：

容置腔；

如本公开实施例第一方面提供的目标物承载装置，位于所述容置腔内。

在一些实施例中，所述环形结构的相对远离所述承载位的侧壁，与所述容置腔的腔体接触。

在一些实施例中，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面；

可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述设备还包括：

压强检测组件，位于所述容置腔内，用于检测所述容置腔内的压强；

控制组件，分别与所述压强检测组件及所述可滑动盖板电连接，用于在检测的所述容置腔内的压强大于预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以增大所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述控制组件，还用于在检测的所述容置腔内的压强小于或等于所述预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以减小所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸。

在一些实施例中，所述设备包括：

气相沉积设备；

和/或，

等离子体刻蚀设备。

本公开实施例提供的目标物承载装置，通过围绕承载位设置的环形结构，当目标物置于承载位上时，围绕目标物的环形结构与目标物不接触，因此，当该装置装配在应用等离子体的半导体器件制造设备中时，可通过环形结构减小由于目标物与承载位接触位置的界面效应导致的等离子体分布不均，改变目标物边缘区域的等离子体分布情况，提高目标物表面沉积的薄膜均匀性，进而提高制作的半导体器件的质量。

附图说明

图1是根据一示例性实施例示出的一种目标物承载装置的示意图；

图2是根据一示例性实施例示出的一种目标物承载装置的俯视图；

图3是根据一示例性实施例示出的另一种目标物承载装置的俯视图；

图4是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；

图5是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；

图6是根据一示例性实施例示出的一种半导体器件制作设备的示意图；

图7是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；

图8是根据一示例性实施例示出的又一种目标物承载装置的俯视图；

图9是根据一示例性实施例示出的另一种半导体器件制作设备的示意图；

图10是根据一示例性实施例示出的又一种半导体器件制作设备的示意图；

图11a和图11b分别是根据一示例性实施例示出的一种沉积的薄膜厚度分布示意图。

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。

在本公开实施例中，术语“A与B相连”包含A、B两者相互接触地A与B 相连的情形，或者A、B两者之间还间插有其他部件而A非接触地与B相连的情形。

在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

需要说明的是，本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

在诸如气相沉积设备等利用等离子体反应机制的处理设备中，目标物位于腔体内的承载台(例如电极)上，目标物边缘与承载台接触的位置容易由于界面效应使得等离子体密度增大，导致目标物边缘区域的等离子体密度大于目标物中心区域的等离子体密度，使得目标物边缘区域沉积的薄膜厚度大于目标物中心区域沉积的薄膜厚度，降低沉积的薄膜均匀性。

有鉴于此，图1是根据一示例性是示出的一种目标物承载装置100的示意图。参照图1所示，目标物承载装置100包括：

承载台110，包括承载位(未示出)；其中，承载位用于承载目标物；

环形结构120，围绕承载位设置于承载台110的上表面，且凸出于承载台 110的上表面；

其中，当目标物置于承载位上时，环形结构120与目标物不接触，环形结构120的厚度大于目标物的厚度。

目标物至少包括：半导体元件和/或半导体原料。例如，存储器芯片、声波器件芯片或者晶圆片等。

承载台110的组成材料可包括：金属、陶瓷或其他任何能稳定支撑目标物的材质。需要指出的是，承载台110可作为电极。

环形结构120的组成材料可包括：铝、陶瓷或者不锈钢等。可以理解的是，环形结构120的组成材料具有一定的刚性。

环形结构120的形状可包括：圆环形、椭圆环形或者不规则的环形等。以环形结构120包括圆环形为例，图2是根据一示例性实施例示出的在放置有目标物后，装置100的俯视图。需要强调的是，目标物的边缘与环形结构120不接触。

环形结构120的外侧壁与承载台110之间的相对位置关系可根据工艺需求进行设计，例如，以环形结构120为圆环，承载台110为圆盘为例，圆环的大圆半径可大于圆盘的半径，使得沿平行于圆盘所在平面的方向，圆环的外边缘凸出于圆盘的侧壁。或者，圆环的大圆半径可等于圆盘的半径，使得圆环的外侧壁与圆盘的侧壁对齐设置。又或者，圆环的大圆半径可小于圆盘的半径。

环形结构120的厚度，为沿垂直于承载台110所在的平面的方向环形结构 120的尺寸。目标物的厚度，为沿垂直于承载台110所在的平面的方向目标物的尺寸。

需要指出的是，对于配置装置100的半导体制造设备，环形结构120的材料、环形结构120的厚度、以及环形结构120与放置在承载位上的目标物之间的距离，都会影响靠近目标物边缘区域的等离子体分布情况。

例如，当装置100装配在薄膜沉积设备中时，环形结构120通过影响靠近目标物边缘区域的等离子体分布情况，可影响在目标物表面的薄膜沉积均匀性。

当装置100装配在等离子体刻蚀设备中时，环形结构120通过影响靠近目标物边缘区域的等离子体分布情况，可影响对目标物表面的刻蚀速率均匀性。

以装置100装配在薄膜沉积设备中为例，示例性地，参照图3所示，环形结构120的内侧壁可包括凹陷区域122。可以理解的是，相对于标准的圆环结构，通过设置凹陷区域122，环形结构120的凹陷区域122与目标物之间的距离可由S1增大至S2，进而增大凹陷区域122附近的等离子体分布密度，进而增大晶圆相对靠近凹陷区域122的边缘沉积的薄膜厚度。

参照图4所示，环形结构120的内侧壁可包括凸起区域123。可以理解的是，相对于标准的圆环结构，通过设置凸起区域123，环形结构120的凸起区域123与目标物之间的距离可由S3减小至S4，可减小凸起区域123附近的等离子体分布密度，进而减小晶圆相对靠近凸起区域123的边缘沉积的薄膜厚度。

可以理解的是，凹陷区域122和凸起区域123的设置位置，可以根据装配装置100的设备特性以及工艺需求来进行决定。例如，根据沉积薄膜的厚度分布图进行针对性设置凹陷区域122和/或凸起区域123，以实现对沉积的薄膜厚度分布的精确控制。

本公开实施例提供的目标物承载装置100，通过围绕承载位设置的环形结构120，当目标物置于承载位上时，围绕目标物的环形结构120与目标物不接触，因此，当该装置100装配在应用等离子体的半导体器件制造设备中时，可通过环形结构120减小由于目标物边缘区域与承载位接触位置的界面效应导致的等离子体分布不均，改变目标物边缘区域的等离子体分布情况，提高目标物表面沉积的薄膜均匀性，进而提高制作的半导体器件的质量。

在一些实施例中，参照图5所示，承载位包括：圆形承载位；

环形结构120包括：圆环；

其中，沿平行于圆形承载位所在平面的方向，圆形承载位的圆心与圆环的圆心错开。

示例性地，圆形承载位圆心与圆环的圆心错开，即圆形承载位与圆环不是同心圆。

需要指出的是，当例如晶圆等目标物放置在承载位上时，目标物依旧与该圆环不接触，且圆环围绕在目标物外围。并且，当目标物为对称图形时，目标物的对称轴与圆形承载位的对称轴重叠。

例如，当目标物为晶圆片时，放置在圆形承载位上的晶圆的圆心，与圆形承载位的圆心重叠。

参照图5所示，由于圆形承载位的圆心与圆环的圆心错开，因此，沿平行于x轴的方向，圆形承载位的右侧与圆环内侧壁之间的第一距离d1，不同于圆形承载位的左侧与圆环内侧壁之间的第二距离d2。

在一些实施例中，沿平行于y轴的方向，圆形承载位的上侧与圆环内侧壁之间的第三距离d3，不同于圆形承载位的下侧与圆环内侧壁之间的第四距离d4。

需要指出的是，上述第一距离、第二距离、第三距离以及第四距离是可以根据工艺需求进行设置与改变的。如此，可根据工艺需求，灵活调整承载位与环形结构120侧壁之间的距离，进而灵活控制位于承载位上的目标物与环形结构120之间的距离，从而针对性的改善装配装置100而设备中等离子体的分布情况，有利于提高沉积薄膜的均匀性，或者提高刻蚀速率的均匀性等。

在一些实施例中，参照图6所示，环形结构120的外径大于承载台110的外径，环形结构120包括：

通孔121，位于环形结构120凸出于承载台110侧壁的区域，并沿第一方向贯穿环形结构120；其中，承载台110侧壁垂直于承载台110的上表面，第一方向垂直于承载台110所在的平面。

示例性地，参照图6所示，当承载台110沿平行于yox平面放置时，第一方向为平行于z轴的方向。需要强调的是，由于通孔121设置在环形结构120 沿平行于x轴方向凸出于承载台110侧壁的区域，因此，通孔的底部开口没有被承载台110覆盖。如此，当装置100装配在设备中时，通孔121可作为环形结构120上部与环形结构120下部之间的气体流通通道，且该通道未被承载台 110关断。

可以理解的是，承载台110的侧壁，为承载台110垂直于xoy所在平面的表面。承载台110的上表面，为平行于xoy所在平面、且相对接近环形结构120 的表面。承载台110的下表面，为平行于xoy所在平面、且相对远离环形结构 120的表面。承载台110的上表面与承载台110的下表面为相对设置的两个表面。

在一些实施例中，参照图7所示，环形结构120上可均匀分布多个通孔121。虽然图7中仅示出了分布在环形结构120左侧的通孔，但是，实际应用中，环形结构120上可均匀分布多个通孔，且多个通孔中均匀分布于多个同心圆的圆周上。

具体地，位于同一个圆周上的相邻两个通孔之间的距离相同。对于位于不同半径的两个同心圆上的通孔，相邻两个通孔之间的距离也相同。

例如，通孔1211a和通孔1211b位于第一个圆周上，通孔1212a和通孔1212b 位于第二个圆周上，通孔1213a、通孔1213b和通孔1213c位于第三个圆周上。通孔1213a与通孔1213b之间的距离，和通孔1213a与通孔1213c之间的距离相同。通孔1211a和通孔1211b之间的距离，和通孔1212a与通孔1212b之间的距离相同，且和通孔1213a与通孔1213b之间的距离相同。

需要指出的是，位于同一圆周上的相邻两个通孔之间的距离，通过沿该圆周方向该相邻两个通孔之间的弧长表示。

在一些实施例中，环形结构120还包括：可滑动盖板，设置于环形结构120 凸出于承载台110侧壁的区域，覆盖环形结构120底面，且可相对通孔滑动，以改变环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸；

装置100还包括：第一驱动组件，与可滑动盖板连接，用于驱动可滑动盖板相对通孔滑动。

可滑动盖板设置在环形结构120底面。可滑动盖板的组成材料可包括：铝、陶瓷或者不锈钢等。需要指出的是，环形结构120底面为相对靠近承载台110 的表面。

通孔构成贯穿环形结构120的通路，可滑动盖板可作为该通路的阀门。第一驱动组件，通过驱动可滑动盖板相对通孔滑动，可改变环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸。

需要指出的是，当装置100装配在半导体器件制作设备中时，通孔可作为该设备中的抽气孔。因此，通过改变环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸，可以改变从该设备中抽气的速度，进而改变该设备中的压强。需要强调的是，该设备中压强对于等离子体的分布也会产生影响。

具体地，当该设备中压强较高时，可通过驱动可滑动盖板向相对远离通孔的方向滑动，以增大环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸，进而升高从该设备中抽气的速度，以减小该设备中压强。

当该设备中压强较低时，可通过驱动可滑动盖板向相对靠近通孔的方向滑动，以减小环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸，进而降低从该设备中抽气的速度，以增大该设备中压强。

本公开实施例中，通过设置可滑动盖板，可以通过驱动可滑动盖板相对通孔滑动，改变环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸，使得从该设备中抽气的速度发生改变，进而改变该设备中的压强，有利于提高对于等离子体分布控制的灵活性。

在一些实施例中，环形结构120包括：活动挡板以及与活动挡板相适配的凹槽(未示出)；其中，凹槽，设置在环形结构120相对靠近承载位的侧壁上；

其中，当活动挡板处于折叠状态时，活动挡板位于凹槽内，且与环形结构 120相对靠近承载位的侧壁对齐；当活动挡板处于展开状态时，活动挡板凸出于环形结构120相对靠近承载位的侧壁，且活动挡板与承载位之间的距离，小于环形结构120相对靠近承载位的侧壁与承载位之间的距离；

装置100还包括：第二驱动组件，与活动挡板连接，用于驱动活动挡板在折叠状态和展开状态之间切换。

活动挡板的组成材料可包括：铝、陶瓷或者不锈钢等。

以环形结构120包括圆环为例，当活动挡板处于折叠状态时，环形结构120 呈标准圆环形。当活动挡板处于展开状态时，环形结构120可如图8所示。

可以理解的是，环形结构120可包括一个或多个活动挡板。当环形结构120 包括多个活动挡板时，每个活动挡板的形状以及尺寸可相同，可部分相同，也可以全部不同。

例如，如8示出了包括第一个活动挡板124a和第二个活动挡板124b的装置100的俯视图。参照图8所示，第一个活动挡板124a和第二个活动挡板124b 的尺寸不同。当第一个活动挡板124a和第二个活动挡板124b均处于展开状态时，第一个活动挡板124a与晶圆边缘之间的距离L1，不同于第二个活动挡板 124b与晶圆边缘之间的距离L2。

并且，环形结构120上可对应设置有多个凹槽，每个凹槽用于容纳一个活动挡板。

可以理解的是，第二驱动组件和第一驱动组件均为驱动组件，分别用于驱动活动挡板和可滑动盖板的运动。第二驱动组件和第一驱动组件的结构可相同。

本公开实施例中，通过设置活动挡板，可以通过驱动活动挡板在展开状态和折叠状态之间切换，进而改变环形结构120的局部区域与晶圆之间的距离，提高对于等离子体分布控制的灵活性。

在一些实施例中，装置100还可包括：保护层，覆盖在所述环形结构120 表面；其中，所述保护层的耐腐蚀性，强于所述环形结构120的耐腐蚀性。

示例性地，可通过对环形结构120进行硬质阳极化处理，形成上述保护层。

当装置100装配在气相沉积设备中时，通常在对目标物进行气相沉积工艺以形成目标薄膜后，会对装配在该设备中的装置100进行清洁处理，以去除沉积在装置100表面的目标薄膜的组成材料。例如，可采用含氟的物质清洁装置 100。

该含氟的物质如果直接与环形结构120接触，可能会与环形结构120发生化学反应，进而破坏环形结构120的形貌。

保护层与用于清洁装置100的含氟物质之间的化学反应为惰性，因此，通过设置保护层，可在清除残留在装置100表面的目标薄膜的组成材料的同时，避免环形结构120被氟腐蚀，有利于延长环形结构120的使用寿命。

图9是根据一示例性实施例示出的一种半导体器件制作设备200的示意图。参照图9所示，设备200包括：

容置腔210；

目标物承载装置100，位于容置腔210内。

容置腔210中可包括至少一个装置100。当容置腔210中包括多个装置100 时，不同的装置100之间可相互接触或相互隔开。

环形结构120的内侧壁的形貌可根据工艺需求进行设置。可以理解的是，环形结构120的内侧壁为相对靠近承载位的侧壁。

具体地，参照图9所示，环形结构120的内侧壁可呈斜坡状。

或者，参照图10所示，环形结构120的内侧壁可呈阶梯状。可以理解的是，图10示出了一种内侧壁包括两层阶梯的环形结构120，然而，在一些实施例中，可根据工艺需求，使得环形结构120的内侧壁包括至少三层阶梯。

需要指出的是，环形结构120的内侧壁与承载位之间的距离可以进行调整，因此，环形结构120的内侧壁与放置在承载位上的晶圆边缘的距离也是可以调整的。

示例性地，设备200可包括：气相沉积设备；和/或，等离子体刻蚀设备。

气相沉积设备可包括：等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，PECVD)设备或者物理气相沉积设备等。

以设备200是气相沉积设备为例，实际制造过程中，由于容置腔210中气流分布、工艺参数以及容置腔210结构的影响，容置腔210中的等离子体并不一定是均匀对称分布的，导致气相沉积设备的薄膜沉积均匀性可能较差。此处，工艺参数可包括：上下电极之间的距离或者容置腔210内压力等。

具体地，有的设备200在靠近目标物表面左下方边缘区域沉积的薄膜较薄，在目标物表面除左下方边缘区域之外的其他区域沉积的薄膜较厚。有的设备 200在目标物表面左下方边缘区域和右上方边缘区域沉积的薄膜较薄，在目标物表面除左下方边缘区域和右上方边缘区域之外的其他区域沉积的薄膜较厚。

由于环形结构120的材料、环形结构120的厚度、以及环形结构120的内侧壁与目标物边缘之间的距离，都会影响等离子体的导出作用，因此，可以通过对环形结构120进行局部硬件设计来修正等离子体的分布不均匀，提高目标物表面等离子体的分布均匀性，从而针对性的提高沉积薄膜的均匀性。

对于配置该装置100的半导体制造设备200，可在设备调试期间，根据实验数据，确定环形结构120的内侧壁与承载位边缘之间的距离，以保证该设备 200中沉积的薄膜均匀性较好，或者保证该设备200对目标物表面的刻蚀速率均匀性较好。

在实际制造过程中，设备200的运行状况可能会随着时间的推移发生改变，因此，可通过周期性对设备200进行检测以及调试，以保证设备200长期运行过程中的工艺一致性较好。

需要强调的是，在周期性检测以及调试的过程中，可以对环形结构120与承载位之间的距离进行调整，以改变在制作过程中环形结构120与目标物边缘之间的距离，使得目标物边缘的等离子分布情况发生改变，以保证等离子体表面的薄膜沉积均匀性更好，或者刻蚀速率均匀性更好。

具体地，图11a示出了一种设备200在目标物表面沉积的薄膜厚度分布示意图。参照图11a所示，在靠近目标物上边缘区域沉积的薄膜厚度较薄，靠近目标物下边缘沉积的薄膜厚度较厚。因此，可通过沿第一方向，平行于y轴方向，向y轴正方向(即y轴箭头所指方向)平移环形结构120，以增大环形结构120内侧壁的上边缘与晶圆上边缘之间的距离，并减小环形结构120内侧壁的下边缘与晶圆下边缘之间的距离。

图11b示出了在图11a的基础上，增大环形结构120内侧壁的上边缘与晶圆上边缘之间的距离，并减小环形结构120内侧壁的下边缘与晶圆下边缘之间的距离之后，设备200在目标物表面沉积的薄膜厚度分布示意图。对比图11a 和图11b可知，图11b中晶圆边缘的薄膜厚度与晶圆中心区域的薄膜厚度之间的差值，小于图11a中晶圆边缘的薄膜厚度与晶圆中心区域的薄膜厚度之间的差值，图11b中示出的薄膜均匀性，明显优于图11a中示出的薄膜均匀性，

需要指出的是，当环形结构120内侧壁的上边缘与晶圆上边缘之间的距离增大时，沉积在晶圆上边缘的薄膜厚度增加。当环形结构120内侧壁的下边缘与晶圆下边缘之间的距离减小时，沉积在晶圆下边缘的薄膜厚度减小。

设备200可应用于互补金属氧化物半导体(CMOS)、动态随机存储器 (DRAM)、闪存、发光二极管(LED)和射频滤波器等元器件的制作中。

本公开实施例提供的设备200，通过环形结构120减小由于目标物与承载位接触位置的界面效应导致的等离子体分布不均，改变目标物边缘区域的等离子体分布情况，提高目标物表面沉积的薄膜均匀性，进而提高制作的半导体器件的质量。

在一些实施例中，参照图6所示，环形结构120的相对远离承载位的侧壁，与容置腔210的腔体接触。

示例性地，环形结构120相对远离承载位的侧壁，即为环形结构120的外侧壁。当容置腔210为圆柱体结构时，环形结构120的整个外侧壁可均与容置腔210接触，即环形结构120的外侧壁与容置腔210的腔体之间没有间隙。

通常，设备200还可包括气体排出装置，通过设置于容置腔210下方的出气孔向外排出设备200内的气体。出气孔通常设置在位于承载台110所在平面的下方。

需要指出的是，当环形结构120的外侧壁与容置腔210的腔体之间不存在间隙时，环形结构120上包括通孔121，以导通容置腔210位于承载台110和环形结构120上的区域与出气孔之间的气流通路，供设备200向外抽气。

或者，环形结构120的外侧壁的部分区域与容置腔210的腔体接触，并且，环形结构120的外侧壁存在不与容置腔210的腔体接触的区域。

在一些实施例中，环形结构120的外径大于承载台110的外径，环形结构 120包括：通孔121和可滑动盖板；设备200还包括：

压强检测组件，位于容置腔210内，用于检测容置腔210内的压强；

控制组件，分别与压强检测组件及可滑动盖板电连接，用于在检测的容置腔210内的压强大于预设压强时，控制可滑动盖板相对通孔滑动，以增大环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸；

控制组件，还用于在检测的容置腔210内的压强小于或等于预设压强时，控制可滑动盖板相对通孔滑动，以减小环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸。

本公开实施例提供的设备，通过检测容置腔210内的压强，并通过控制组件根据检测的压强控制可滑动盖板相对通孔滑动，改变环形结构120底面显露出的通孔的开口尺寸，使得从该设备中抽气的速度发生改变，进而改变该设备中的压强，有利于提高对于等离子体分布控制的灵活性。

在本公开所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置、系统与方法，可以通过其他的方式实现。以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种目标物承载装置，其特征在于，包括：

承载台，包括承载位；其中，所述承载位用于承载所述目标物；

环形结构，围绕所述承载位设置于所述承载台的上表面，且凸出于所述承载台的上表面；

其中，当所述目标物置于所述承载位上时，所述环形结构与所述目标物不接触，所述环形结构的厚度大于所述目标物的厚度。

2.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述承载位包括：圆形承载位；

所述环形结构包括：圆环；

其中，沿平行于所述圆形承载位所在平面的方向，所述圆形承载位的圆心与所述圆环的圆心错开。

3.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面。

4.根据权利要求3所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述环形结构还包括：可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述装置还包括：第一驱动组件，与所述可滑动盖板连接，用于驱动所述可滑动盖板相对所述通孔滑动。

5.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，

所述环形结构包括：活动挡板以及与所述活动挡板相适配的凹槽；其中，所述凹槽，设置在所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁上；

其中，当所述活动挡板处于折叠状态时，所述活动挡板位于所述凹槽内，且与所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁对齐；当所述活动挡板处于展开状态时，所述活动挡板凸出于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，且所述活动挡板与所述承载位之间的距离，小于所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁与所述承载位之间的距离；

所述装置还包括：第二驱动组件，与所述活动挡板连接，用于驱动所述活动挡板在所述折叠状态和所述展开状态之间切换。

6.根据权利要求1所述的目标物承载装置，其特征在于，所述环形结构相对靠近所述承载位的侧壁，呈阶梯状和/或斜坡状。

7.一种半导体器件制作设备，其特征在于，包括：

容置腔；

如权利要求1至6任一项所述的目标物承载装置，位于所述容置腔内。

8.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，

所述环形结构的相对远离所述承载位的侧壁，与所述容置腔的腔体接触。

9.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，

所述环形结构的外径大于所述承载台的外径，所述环形结构包括：

通孔，位于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，并沿第一方向贯穿所述环形结构；其中，所述承载台侧壁垂直于所述承载台的上表面，所述第一方向垂直于所述承载台所在的平面；

可滑动盖板，设置于所述环形结构凸出于所述承载台侧壁的区域，覆盖所述环形结构底面，且可相对所述通孔滑动，以改变所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述设备还包括：

压强检测组件，位于所述容置腔内，用于检测所述容置腔内的压强；

控制组件，分别与所述压强检测组件及所述可滑动盖板电连接，用于在检测的所述容置腔内的压强大于预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以增大所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸；

所述控制组件，还用于在检测的所述容置腔内的压强小于或等于所述预设压强时，控制所述可滑动盖板相对所述通孔滑动，以减小所述环形结构底面显露出的所述通孔的开口尺寸。

10.根据权利要求7所述的半导体器件制作设备，其特征在于，所述半导体器件制作设备包括：

气相沉积设备；

和/或，

等离子体刻蚀设备。

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