CN214797679U

CN214797679U - 一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡

Info

Publication number: CN214797679U
Application number: CN202122391715.2U
Authority: CN
Inventors: 王司亮
Original assignee: Sichuan Xinkeao Electronic Technology Co ltd
Current assignee: Sichuan Xinkeao Electronic Technology Co ltd
Priority date: 2021-09-30
Filing date: 2021-09-30
Publication date: 2021-11-19
Anticipated expiration: 2031-09-30

Abstract

本实用新型公开了一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，属于微波技术领域，针对现有技术中存在的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果问题，本实用新型包括波导、微带线和过渡结构，所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度，通过微波基片将整个波导口覆盖密封，所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。其目的为：提高电磁屏蔽性能，实现相邻通道的高隔离特性。

Description

一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡

技术领域

本实用新型属于微波技术领域，具体涉及一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡。

背景技术

微波组件为便于与波导接口的外部器件链接，同样采用波导作为接口，而微波组件内部多采用微带结构实现电气功能，因此性能良好的波导微带过渡结构对微波组件性能至关重要。由于微波组件中经常有多条通道并排排布，一个通道是一个射频电路，各个射频电路之间存在电磁屏蔽的问题，因此能否具有高效电磁屏蔽效果的波导微带过渡结构是微波毫米波组件设计的关键技术。

现有的专利公开了一种新型波导微带过渡（公开号为：CN213278346U），该专利采用介质基片将整个波导口封闭，然后将介质基片与波导的接触面焊锡烧结在一起，并在介质基片上设置有一排用于形成微波屏蔽的金属化过孔，且该金属化过孔均匀分布在介质基片表面的腔体外沿。

现有技术至少存在以下技术问题：

现有技术介质基片设置的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果。

发明内容

针对现有技术中存在的一排金属过化孔隔离能力不足，存在电磁波泄漏的问题，并且当微波组件内通道过多时，单排金属过化孔的通道隔离能力大大降低，无法达到电磁屏蔽的效果问题，本实用新型提出了一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其目的为：提高电磁屏蔽性能，实现相邻通道的高隔离特性。

为实现上述目的本实用新型所采用的技术方案是：提供一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，包括波导、微带线和过渡结构，所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度，通过微波基片将整个波导口覆盖密封，所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。本实用新型在微波基片将整个波导口覆盖密封后，将微波基片与波导接触部分金属化并用焊锡烧结，从而隔绝水汽、多余物等进入微波组件内部。

较优的，本实用新型所述微波基片为矩形。

较优的，本实用新型所述波导为第一波导和第二波导，所述第二波导与微波基片连接，第一波导与第二波导连接。

较优的，本实用新型所述第一波导和第二波导都为柱体，所述第一波导的横截面为矩形，第二波导的横截面为圆角矩形，所述第二波导与第一波导连接处的直角矩形的直线边与矩形的边重合。

较优的，本实用新型所述过渡结构为过渡微带线和微带探针。

较优的，本实用新型所述过渡微带线与所述微带线连接，所述微带探针与所示过渡微带线连接。

较优的，本实用新型所述腔体为“T”形，包括第一腔体、连接腔体和第二腔体，第一腔体为“T”形中的横，第二腔体为“T”形中的竖。

较优的，本实用新型所述第一腔体为横截面与第二波导相同的柱体，所述第二腔体为柱体，其横截面为拱门形，所述连接腔体位于第一腔体与第二腔体之间。

较优的，本实用新型所述第一腔体与连接腔体等高，所述第二腔体的高度大于第一腔体的高度。

较优的，本实用新型所述两排金属过化孔设置在腔体的边沿，所述两排金属过化孔错位排布。

本实用新型的技术方案具有如下优点/有益效果：

1.本实用新型采用微波基片将整个波导口封闭，微带基片与波导的接触面用焊锡烧结在一起，用微波基片隔绝水汽、多余物等进入微波组件内部。

2.本实用新型采用双排错位的金属过化孔，降低了过渡结构的电磁泄漏，且达到了此种屏蔽方式的最佳效费比。

3.本实用新型采用双排金属化通孔，降低了相邻通道的电磁耦合，提高了相邻通道的隔离特性。

4.本实用新型提出的波导微带过渡结构因微波基片与波导截面全部用焊锡烧结在一起，因此结构强度高。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本实用新型一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡的结构示意图。

图2是图1的微波基片结构示意图。

图3是图1的侧面示意图。

图中标记分别为：1、第二腔体；2、连接腔体；3、第一腔体；4、微波基片；5、金属过化孔；6、第二波导；7、第一波导；8、微带线；9、过渡微带线；10、微带探针。

具体实施方式

为使本实用新型目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。因此，以下提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中可以不对其进行进一步定义和解释。

实施例1：

如图1、图2和图3所示，本实用新型提出一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，包括波导、微带线8和过渡结构，所述过渡结构为过渡微带线9和微带探针10。所述过渡微带线9与所述微带线8连接，所述微带探针10与所示过渡微带线9连接。所述波导与所述微带线8的信号传输方向成90度，通过微波基片4将整个波导口覆盖密封，所述微波基片4为矩形，所述微波基片4与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线8和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片4上腔体边沿设置有两排金属过化孔5。本实用新型在微波基片4将整个波导口覆盖密封后，将微波基片4与波导接触部分金属化并用焊锡烧结，从而隔绝水汽、多余物等进入微波组件内部。

本实用新型为满足微波组件的防水特性，采用183℃焊锡将微波基片4与波导烧结在一起，并采用酒精清洗去除助焊剂。在烧结过程中需要控制好烧结温度和时间，既不损坏微波基片4又能使焊锡充分熔融，使得过渡结构电气性能优良、结构强度可靠。

本实用新型所述波导为第一波导7和第二波导6，所述第二波导6与微波基片4连接，第一波导7与第二波导6连接。所述第一波导7好第二波导6都为柱体，所述第一波导7的横截面为矩形，第二波导6的横截面为圆角矩形，所述第二波导6与第一波导7连接处的直角矩形的直线边与矩形的边重合。

本实用新型所述腔体为“T”形，包括第一腔体3、连接腔体2和第二腔体1，第一腔体3为“T”形中的横，第二腔体1为“T”形中的竖。所述第一腔体3为横截面与第二波导6相同的柱体，所述第二腔体1为柱体，其横截面为拱门形，所述连接腔体2位于第一腔体3与第二腔体1之间。所述第一腔体3与连接腔体2等高，所述第二腔体1的高度大于第一腔体3的高度。

本实用新型所述两排金属过化孔5设置在腔体的边沿，所述两排金属过化孔5错位排布。由于第一排金属过化孔5的相邻两个孔之间存在间隙，会造成电磁泄漏，因此通过错位设计的第二排过孔去遮挡第一排金属过化孔相邻两个孔之间的间隙，从而大幅度降低电磁泄漏，若是双排孔采用并排设计，则电磁波会从孔的间隙泄漏。

由于双排金属过化孔5已经能够达到避免相邻孔之间的间隙存在的电磁泄漏的问题，如果再往上增加排的数量，并不会有效提高电磁屏蔽性能，而且增加了工艺制作流程和浪费了微波基片的位置，因此双排金属过化孔错位设计为最优的设置方式。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本实用新型的限制，本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims

1.一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，包括波导、微带线和过渡结构，其特征在于，所述波导与所述微带线的信号传输方向成90度，通过微波基片将整个波导口覆盖密封，所述微波基片与波导口连接的另一面连接有腔体，所述微带线和过渡结构设置在腔体内，所述微波基片上腔体边沿设置有两排金属过化孔。

2.根据权利要求1所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述微波基片为矩形。

3.根据权利要求1所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述波导为第一波导和第二波导，所述第二波导与微波基片连接，第一波导与第二波导连接。

4.根据权利要求3所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述第一波导和第二波导都为柱体，所述第一波导的横截面为矩形，第二波导的横截面为圆角矩形，所述第二波导与第一波导连接处的直角矩形的直线边与矩形的边重合。

5.根据权利要求1所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述过渡结构为过渡微带线和微带探针。

6.根据权利要求5所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述过渡微带线与所述微带线连接，所述微带探针与所示过渡微带线连接。

7.根据权利要求4所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述腔体为“T”形，包括第一腔体、连接腔体和第二腔体，第一腔体为“T”形中的横，第二腔体为“T”形中的竖。

8.根据权利要求7所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述第一腔体为横截面与第二波导相同的柱体，所述第二腔体为柱体，其横截面为拱门形，所述连接腔体位于第一腔体与第二腔体之间。

9.根据权利要求8所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述第一腔体与连接腔体等高，所述第二腔体的高度大于第一腔体的高度。

10.根据权利要求8所述的一种新型低电磁泄密水密型波导微带过渡，其特征在于，所述两排金属过化孔设置在腔体的边沿，所述两排金属过化孔错位排布。