CN214755646U - 一种供电关断后数据保护电路 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种供电关断后数据保护电路，包括：电池供电开关电路，所述电池供电开关电路的一端与外部电池连接；充放电延时电路，所述充放电延时电路与所述电池供电开关电路的另一端连接；拨动开关电路，所述拨动开关电路与所述充放电延时电路连接；延后关断控制连接电路，所述延后关断控制连接电路的一端与所述拨动开关电路连接，所述延后关断控制连接电路的另一端与一中央处理器连接。本实用新型使所述充放电延时电路能够通过放电，保持所述电池供电开关电路的导通，当所述充放电延时电路放完电后，外部电池不再对中央处理器供电，进而能够有效实现供电关电后的数据保护。

Description

一种供电关断后数据保护电路

技术领域

本申请涉及保护电路技术领域，特别是涉及一种供电关断后数据保护电路。

背景技术

PMU控制关机延时技术，主要用于通过PMU 模块侦测关断动作，实现延时关机，此外，PMU还有较多的应用，如申请号为CN201410031196.0的专利中，公开了双PMU供电系统、供电方法及移动终端，在系统电路中设置两个PMU为处理器供电；其中，第二PMU通过其内部集成的FT类型的DC-DC转换器生成内核电源，为处理器中集成的内核供电，处理器所需的其他各路工作电源由第一PMU通过其内部集成的HF类型的DC-DC转换器生成并提供。

虽然，PMU技术较为成熟，但是目前在将PMU应用在断电后数据保护上时，仍存在一些弊端，如在电池关断后，PMU模块仍然需要供电，这样导致了PMU增加了成本，因此，导致目前的供电关断后对于数据的保护，不够完善，因此，设计一种供电关断后数据保护电路，迫在眉睫。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够有效实现供电关电后数据保护的供电关断后数据保护电路。

本实用新型技术方案如下：

一种供电关断后数据保护电路，包括：

电池供电开关电路，所述电池供电开关电路的一端与外部电池连接；

充放电延时电路，所述充放电延时电路与所述电池供电开关电路的另一端连接；

拨动开关电路，所述拨动开关电路与所述充放电延时电路连接；

延后关断控制连接电路，所述延后关断控制连接电路的一端与所述拨动开关电路连接，所述延后关断控制连接电路的另一端与一中央处理器连接。

具体地，所述延后关断控制连接电路包括控制连接端，所述控制连接端GPIO-to-CPU的一端与所述拨动开关电路连接，所述控制连接端的另一端与所述中央处理器连接。

具体地，所述拨动开关电路包括拨动开关，所述拨动开关的第一连接脚与所述控制连接端的一端连接，所述拨动开关的第一连接脚与所述充放电延时电路连接，所述拨动开关的第二连接脚与一第一供电端连接。

具体地，所述拨动开关的第一连接脚与所述控制连接端之间还连设有有一保护电阻。

具体地，所述充放电延时电路包括充放电电容，所述充放电电容的一端接地，所述充放电电容的另一端与所述拨动开关的第一连接脚连接。

具体地，所述电池供电开关电路包括开关MOS管和开关三极管，所述开关MOS管的漏极与一第二供电端连接，所述开关MOS管的源极与所述第一供电端连接，所述开关MOS管的栅极与所述开关三极管连接，所述开关三极管还与所述充放电电容连接。

具体地，所述开关MOS管的栅极与所述开关三极管之间设有一第一电阻。

具体地，所述开关三极管还与所述充放电电容之间设有第三电阻。

具体地，所述开关MOS管为P沟道增强型MOS管。

具体地，所述开关三极管为NPN型三极管。

本实用新型实现技术效果如下：

本实用新型所述供电关断后数据保护电路，通过设置所述拨动开关电路，使拨动所述拨动开关电路时，使外部电池给所述充放电延时电路充电，直至所述充放电延时电路充电至所述电池供电开关电路导通，再拨动所述拨动开关电路时，使所述充放电延时电路能够通过放电，保持所述电池供电开关电路的导通，当所述充放电延时电路放完电后，外部电池不再对中央处理器供电，进而能够有效实现供电关电后的数据保护。

附图说明

图1为一个实施例中供电关断后数据保护电路电路原理图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“布设”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况，结合现有技术来理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。且图示中的部件中的一个或多个可以是必须的或非必须的，以及上述图示的各部件之间的相对位置关系可以根据实际需要进行调整。

在一个实施例中，如图1所示，提供了一种供电关断后数据保护电路，包括电池供电开关电路100、充放电延时电路200、拨动开关电路300和延后关断控制连接电路400。

其中，所述电池供电开关电路100的一端与外部电池连接；所述外部电池用于供电，具体地，所述外部电池供电的端口分别为第一供电端VBAT和第二供电端VCC-BAT。

所述充放电延时电路200与所述电池供电开关电路100的另一端连接；

所述拨动开关电路300与所述充放电延时电路200连接；

所述延后关断控制连接电路400的一端与所述拨动开关电路300连接，所述延后关断控制连接电路400的另一端与一中央处理器连接。

本实用新型所述供电关断后数据保护电路，通过设置所述拨动开关电路300，使拨动所述拨动开关电路300时，使外部电池给所述充放电延时电路200充电，直至所述充放电延时电路200充电至所述电池供电开关电路100导通，再拨动所述拨动开关电路300时，使所述充放电延时电路200能够通过放电，保持所述电池供电开关电路100的导通，当所述充放电延时电路200放完电后，外部电池不再对中央处理器供电，进而能够有效实现供电关电后的数据保护。

在一个实施例中，所述延后关断控制连接电路400包括控制连接端GPIO-to-CPU，所述控制连接端GPIO-to-CPU的一端与所述拨动开关电路300连接，所述控制连接端GPIO-to-CPU的另一端与所述中央处理器连接。具体地，所述中央处理器与被保护的系统连接。

在一个实施例中，所述拨动开关电路300包括拨动开关SW1，所述拨动开关SW1的第一连接脚与所述控制连接端GPIO-to-CPU的一端连接，所述拨动开关SW1的第一连接脚与所述充放电延时电路200连接，所述拨动开关SW1的第二连接脚与一第一供电端VBAT连接。具体地，所述拨动开关SW1的选型可以由本领域技术人员自行选择并设置，只要能够实现相应功能即可。

在一个实施例中，所述拨动开关SW1的第一连接脚与所述控制连接端GPIO-to-CPU之间还连设有有一保护电阻R4。通过设置所述保护电阻R4，起到限流作用，进而提高电路整体结构稳定性。

在一个实施例中，所述充放电延时电路200包括充放电电容C1，所述充放电电容C1的一端接地，所述充放电电容C1的另一端与所述拨动开关SW1的第一连接脚连接。所述充放电电容C1用于储存对充放电电容C1充电的电能，还用于将储存的电能放掉。

在一个实施例中，所述电池供电开关电路100包括开关MOS管Q1和开关三极管Q2，所述开关MOS管Q1的漏极与一第二供电端VCC-BAT连接，所述开关MOS管Q1的源极与所述第一供电端VBAT连接，所述开关MOS管Q1的栅极与所述开关三极管Q2连接，所述开关三极管Q2还与所述充放电电容C1连接。

在一个实施例中，所述开关MOS管Q1的栅极与所述开关三极管Q2之间设有一第一电阻R1。通过设置所述第一电阻R1，保证电路整体结构的稳定性。

在一个实施例中，所述开关三极管Q2还与所述充放电电容C1之间设有第三电阻R3。

在一个实施例中，所述开关MOS管Q1为P沟道增强型MOS管。

在一个实施例中，所述开关三极管Q2为NPN型三极管。

本实用新型所述供电关断后数据保护电路的工作原理为：

首先，当拨动所述拨动开关SW1，使拨动开关SW1的第二连接脚与第三连接脚导通时，所述第一供电端VBAT提供的电能经所述拨动开关SW1后，给所述充放电电容C1充电。当对所述充放电电容C1的充电到达开关三极管Q2 的开关阈值时，开关三极管Q2导通，开关MOS管Q1 的Vgs 建立偏置，开关MOS管Q1 导通，外部电池给系统供电。

接着，当拨动所述拨动开关SW1，使拨动开关SW1的第三连接脚与第一连接脚导通时，所述充放电电容C1放电，并维持所述开关MOS管Q1和所述开关三极管Q2 的导通，此时，与所述控制连接端GPIO-to-CPU连接的中央处理器的IO口的状态为输入状态，当中央处理器侦测到有高电平信号时，中央处理器将此IO 由输入状态，转换成输出状态，并输出高电平，维持系统正常供电，此时中央处理器处于关键的准备状态，当把所有线程都处理和保护好后，将此IO 输出低电平，所述开关MOS管Q1和所述开关三极管Q2 被关断，同时充放电电容C1上的电也被泄放完，电池不再对系统供电，关机后，由于系统没有电源，IO 口会处于悬空状态，所述开关MOS管Q1和所述开关三极管Q2 的状态会一直保持，当拨动所述拨动开关SW1后，才能使得系统再次开机。

以上公开的本实用新型优选实施例只是用于帮助阐述本实用新型。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该实用新型仅为所述的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本实用新型的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本实用新型。本实用新型仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

此外，本实用新型实施例的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型实施例的思想，其同样应当视为本实用新型实施例所公开的内容。

Claims (10)

1.一种供电关断后数据保护电路，其特征在于，包括：电池供电开关电路，所述电池供电开关电路的一端与外部电池连接；充放电延时电路，所述充放电延时电路与所述电池供电开关电路的另一端连接；拨动开关电路，所述拨动开关电路与所述充放电延时电路连接；延后关断控制连接电路，所述延后关断控制连接电路的一端与所述拨动开关电路连接，所述延后关断控制连接电路的另一端与一中央处理器连接。

2.根据权利要求1所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述延后关断控制连接电路包括控制连接端，所述控制连接端GPIO-to-CPU的一端与所述拨动开关电路连接，所述控制连接端的另一端与所述中央处理器连接。

3.根据权利要求2所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述拨动开关电路包括拨动开关，所述拨动开关的第一连接脚与所述控制连接端的一端连接，所述拨动开关的第一连接脚与所述充放电延时电路连接，所述拨动开关的第二连接脚与一第一供电端连接。

4.根据权利要求3所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述拨动开关的第一连接脚与所述控制连接端之间还连设有有一保护电阻。

5.根据权利要求3所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述充放电延时电路包括充放电电容，所述充放电电容的一端接地，所述充放电电容的另一端与所述拨动开关的第一连接脚连接。

6.根据权利要求4所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述电池供电开关电路包括开关MOS管和开关三极管，所述开关MOS管的漏极与一第二供电端连接，所述开关MOS管的源极与所述第一供电端连接，所述开关MOS管的栅极与所述开关三极管连接，所述开关三极管还与所述充放电电容连接。

7.根据权利要求6所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述开关MOS管的栅极与所述开关三极管之间设有一第一电阻。

8.根据权利要求6所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述开关三极管还与所述充放电电容之间设有第三电阻。

9.根据权利要求6所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述开关MOS管为P沟道增强型MOS管。

10.根据权利要求6所述的供电关断后数据保护电路，其特征在于，所述开关三极管为NPN型三极管。

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