CN214736153U - 高速喷镀银结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种高速喷镀银结构,包括喷嘴和受镀件,所述受镀件上设有受镀结构,所述喷嘴位于所述受镀件的一侧且对应所述受镀结构设置,所述喷嘴内于靠近所述受镀件的一侧设有出液口,所述出液口为具有斜面的斜口结构,药水由所述喷嘴喷射到所述受镀件上的覆盖宽度大于或等于所述受镀结构的大小。本实用新型通过采用斜口结构的喷嘴,从而改善射水印的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及电镀技术领域,尤其是涉及一种高速喷镀银结构。
背景技术
引线框架(LeadFrame)作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。
如图1所示,引线框架41上设有多个焊盘411(行业内也称为矽座),该多个焊盘411均布设置在引线框架41上,焊盘411的形状一般为矩形(正方形或长方形,图示为正方形),焊盘411一般需要做镀银处理。
如图1及图2所示,当通过高速喷镀银的方法在焊盘411上镀银时,由于现有技术中的喷嘴42都是采用直口喷嘴(即喷嘴42内的喷液口421为圆柱形结构),容易在焊盘411上产生射水印(Jet Mark),射水印最明显出现在焊盘411的四周外围,且焊盘411四个角的位置最为严重。在镀层结晶时,射水印表现为焊盘411上的镀层颜色不均(色差);在产品最终成型时,射水印最终会导致外观不良和焊线不良。
对射水印的产生原因进行分析:
1、由于喷嘴42采用直口喷嘴,喷嘴42喷射的药水不能覆盖焊盘411,喷嘴42喷射的药水与焊盘411直接接触的部分(即图1中圆圈内的部分)颜色较深,而焊盘411上其它不与喷嘴42喷射的药水直接接触的部分(即图1中圆圈外的部分)颜色较浅(图中以点的密集程度表示颜色的深浅,点越密集颜色越深);
2、由于喷嘴42采用直口喷嘴,为了保证喷嘴42喷射的药水能够最终覆盖到整个焊盘411,故喷嘴42喷射药水的速度设置得较快,使得焊盘411上直接接受药水喷射的部位与药水的反应程度更大(焊盘411上不直接接受药水喷射的部位与药水的反应程度相对较小),从而进一步加大两者之间的颜色差距,使得色差(射水印)更严重。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种高速喷镀银结构,旨在解决上述背景技术存在的不足,通过采用斜口结构的喷嘴,改善射水印的问题。
本实用新型提供一种高速喷镀银结构,包括喷嘴和受镀件,所述受镀件上设有受镀结构,所述喷嘴位于所述受镀件的一侧且对应所述受镀结构设置,所述喷嘴内于靠近所述受镀件的一侧设有出液口,所述喷嘴内于远离所述受镀件的一侧设有进液口,所述进液口与所述出液口连通,所述出液口为具有斜面的斜口结构,药水由所述喷嘴喷射到所述受镀件上的覆盖宽度大于或等于所述受镀结构的大小。
进一步地,所述受镀件为引线框架,所述受镀结构为焊盘。
进一步地,所述高速喷镀银结构还包括电镀模具,所述电镀模具位于所述受镀件与所述喷嘴之间,所述电镀模具内设有电镀窗口,所述电镀窗口对应所述受镀结构设置,所述喷嘴的所述出液口伸入至所述电镀窗口内。
进一步地,所述受镀结构、所述电镀窗口和所述喷嘴的数量均为多个,多个所述受镀结构、多个所述电镀窗口和多个所述喷嘴的数量相同且一一对应。
进一步地,所述喷嘴伸入至所述电镀窗口内的深度的大小范围为1.0~3.0mm。
进一步地,药水由所述喷嘴喷射到所述受镀件上的覆盖宽度小于或等于所述电镀窗口的大小。
进一步地,药水由所述喷嘴喷射到所述受镀件上的覆盖宽度与所述受镀结构的大小的比值为1.0~1.15。
进一步地,所述斜面与所述喷嘴的轴向方向之间的夹角为a,所述夹角a的大小范围为10°~30°。
进一步地,所述喷嘴于靠近所述受镀件一侧的端部与所述受镀件之间的距离的大小范围为5.5~7.0mm。
进一步地,所述喷嘴的长度范围为17~19mm。
本实用新型提供的高速喷镀银结构,通过采用斜口结构的喷嘴,增大了药水喷射到受镀件上的覆盖面积,且通过合理设置出液口的斜度和喷嘴到受镀件的距离,使得药水喷射到受镀件上的覆盖宽度大于或等于受镀结构的大小,从而减小或消除受镀结构的色差(射水印)。同时,由于斜口喷嘴增大了药水喷射到受镀件上的覆盖面积,故可以合理地减小药水的喷射速度,从而进一步减小或消除受镀结构的色差(射水印)。
附图说明
图1为现有技术中引线框架在镀银后的结构示意图。
图2为现有技术中喷嘴的截面示意图。
图3为本实用新型实施例中高速喷镀银结构的结构示意图。
图4为图3的局部截面示意图。
图5为图4的局部结构放大示意图。
图6为本实用新型实施例中受镀件在镀银后的结构示意图。
图7为本实用新型另一实施例中受镀件在镀银后的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
本实用新型的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
本实用新型的说明书和权利要求书中所涉及的上、下、左、右、前、后、顶、底等(如果存在)方位词是以附图中的结构位于图中的位置以及结构相互之间的位置来定义的,只是为了表达技术方案的清楚及方便。应当理解,方位词的使用不应限制本申请请求保护的范围。
如图3至图6所示,本实用新型实施例提供的高速喷镀银结构,包括喷嘴2和受镀件1,受镀件1上设有受镀结构11,喷嘴2位于受镀件1的一侧且对应受镀结构11设置。喷嘴2内于靠近受镀件1的一侧设有出液口21,喷嘴2内于远离受镀件1的一侧设有进液口22,进液口22与出液口21连通。出液口21为具有斜面211的斜口结构(即出液口21为喇叭形结构),药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L大于或等于受镀结构11的大小X。
具体地,如图6所示,在本实施例中,受镀件1为引线框架(LeadFrame),受镀结构11为焊盘(即Pad,行业内也称为矽座),焊盘的形状一般为矩形(正方形或长方形,图示为正方形)。当然,在其它实施例中,受镀件1也可以为其它物件(比如说线路板)。
进一步地,如图5及图6所示,在本实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L等于受镀结构11的大小X。当然,如图7所示,在另一实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L也可以大于受镀结构11的大小X,以更好地减小或消除受镀结构11上的色差(射水印),当然,此时需综合考虑相邻的受镀结构11之间的距离。
进一步地,如图3至图5所示,在本实施例中,高速喷镀银结构还包括电镀模具3,电镀模具3位于受镀件1与喷嘴2之间。电镀模具3内设有电镀窗口31,电镀窗口31对应受镀结构11设置,喷嘴2的出液口21伸入至电镀窗口31内。
进一步地,如图3、图4及图6所示,在本实施例中,受镀结构11、电镀窗口31和喷嘴2的数量均为多个,多个受镀结构11均布设置在受镀件1上,多个受镀结构11、多个电镀窗口31和多个喷嘴2的数量相同且一一对应。
具体地,电镀模具3用于起遮蔽的作用,用于控制每个喷嘴2喷射药水的覆盖区域大小(即控制电镀区域的大小),即电镀模具3利用电镀窗口31将多个喷嘴2隔开,使得每个喷嘴2只能将药水喷射到对应的受镀结构11上,以免相邻的喷嘴2之间相互影响。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,喷嘴2伸入至电镀窗口31内的深度C的大小范围为1.0~3.0mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L小于或等于电镀窗口31的大小D。
具体地,若药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L大于电镀窗口31的大小D,则药水可能会喷射到电镀窗口31的内壁上后溅射到受镀结构11上,使得受镀结构11上喷射的药水不均匀,引起受镀结构11产生色差(射水印)。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L的范围为3.0~12.0mm,电镀窗口31的大小D范围为3.0~12.0mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L与受镀结构11的大小X的比值为1.0~1.15。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,斜面211与喷嘴2的轴向方向之间的夹角为a,夹角a的大小范围为10°~30°。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,喷嘴2于靠近受镀件1一侧的端部与受镀件1之间的距离P的大小范围为5.5~7.0mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,出液口21的长度M(竖直方向上)的大小范围为6.0~10.0mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,进液口22为圆柱形结构,进液口22的内径R的大小范围为1.0~7.0mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,喷嘴2的长度范围为17~19mm。
进一步地,如图5所示,在本实施例中,药水由喷嘴2喷射到受镀件1上的覆盖宽度L的大小为:L=R+(M+P)*tan(夹角a)*2,以此来确定R、M、P和a的大小。
本实施例提供的高速喷镀银结构,通过采用斜口结构的喷嘴2,增大了药水喷射到受镀件1上的覆盖面积,且通过合理设置出液口21的斜度和喷嘴2到受镀件1的距离,使得药水喷射到受镀件1上的覆盖宽度L大于或等于受镀结构的大小X,从而减小或消除受镀结构11的色差(射水印)。同时,由于斜口喷嘴2增大了药水喷射到受镀件1上的覆盖面积,故可以合理地减小药水的喷射速度,从而进一步减小或消除受镀结构11的色差(射水印)。
以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种高速喷镀银结构,包括喷嘴(2)和受镀件(1),所述受镀件(1)上设有受镀结构(11),所述喷嘴(2)位于所述受镀件(1)的一侧且对应所述受镀结构(11)设置,其特征在于,所述喷嘴(2)内于靠近所述受镀件(1)的一侧设有出液口(21),所述出液口(21)为具有斜面(211)的斜口结构,药水由所述喷嘴(2)喷射到所述受镀件(1)上的覆盖宽度(L)大于或等于所述受镀结构(11)的大小(X)。
2.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述受镀件(1)为引线框架,所述受镀结构(11)为焊盘。
3.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述高速喷镀银结构还包括电镀模具(3),所述电镀模具(3)位于所述受镀件(1)与所述喷嘴(2)之间,所述电镀模具(3)内设有电镀窗口(31),所述电镀窗口(31)对应所述受镀结构(11)设置,所述喷嘴(2)的所述出液口(21)伸入至所述电镀窗口(31)内。
4.如权利要求3所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述受镀结构(11)、所述电镀窗口(31)和所述喷嘴(2)的数量均为多个,多个所述受镀结构(11)、多个所述电镀窗口(31)和多个所述喷嘴(2)的数量相同且一一对应。
5.如权利要求3所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述喷嘴(2)伸入至所述电镀窗口(31)内的深度(C)的大小范围为1.0~3.0mm。
6.如权利要求3所述的高速喷镀银结构,其特征在于,药水由所述喷嘴(2)喷射到所述受镀件(1)上的覆盖宽度(L)小于或等于所述电镀窗口(31)的大小(D)。
7.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,药水由所述喷嘴(2)喷射到所述受镀件(1)上的覆盖宽度(L)与所述受镀结构(11)的大小(X)的比值为1.0~1.15。
8.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述斜面(211)与所述喷嘴(2)的轴向方向之间的夹角为a,所述夹角a的大小范围为10°~30°。
9.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述喷嘴(2)于靠近所述受镀件(1)一侧的端部与所述受镀件(1)之间的距离(P)的大小范围为5.5~7.0mm。
10.如权利要求1所述的高速喷镀银结构,其特征在于,所述喷嘴(2)的长度范围为17~19mm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202121165720.5U CN214736153U (zh) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | 高速喷镀银结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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CN214736153U true CN214736153U (zh) | 2021-11-16 |
Family
ID=78625976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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