CN214589251U - 一种新型平面ebg结构的低耦合微带天线 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，包括第一介质基板、第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板，第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板均设置在第一介质基板顶部，第一微带天线、第二微带天线对称设置在第二介质基板左右两侧，第二介质基板上从上到下依次设置有第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元，所述第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元上均设置有折线形槽，去耦单元为三个周期性EBG单元，该EBG单元是在一个E形的贴片上附贴了两个方向相反的L形贴片构成的,三个周期去耦单元之间的距离相同，该新型平面EBG结构单元会降低天线单元之间的电磁波的传播，从而达到很好的降耦作用。

Description

一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线

技术领域

本实用新型涉及一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，属于移动通信的天线技术领域。

背景技术

随着科学技术的发展,天线技术也在迅猛发展,阵列天线技术因为强方向性以及高增益性已经火速代替各个关键通信领域的单天线体系。在广受倾迷的同时,因为设备集成度的提高阵列天线也暴露出来了自身的缺点,因为在距离减小的过程中阵列阵元之间的相互影响会越来越大,研究发现二分之一倍波长是天线耦合急剧增长的分界点, 因此现在的阵列天线的间距还能够满足需求,当空间进一步压缩时, 二分之一倍波长的空间便成为了奢望,但是此时如果还是将阵列天线不做处理的叠加,效果将不再是阵列天线的效果，针对于空间压缩随之带来的耦合严重的问题,本实用新型提供了一种型平面EBG结构的低耦合微带天线，可以有效进行降耦。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题克服现有的缺陷，提供一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，去耦单元为三个周期性EBG单元，该 EBG单元是在一个E形的贴片上附贴了两个方向相反的L形贴片构成的,三个周期去耦单元之间的距离相同，该新型平面EBG结构单元会降低天线单元之间的电磁波的传播，从而达到很好的降耦作用，可以有效解决背景技术中的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，包括第一介质基板、第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板，所述第一微带天线、第二微带天线、第二介质基板均设置在第一介质基板顶部，所述第一微带天线、第二微带天线对称设置在第二介质基板左右两侧，所述第二介质基板上从上到下依次设置有第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元，所述第一EBG结构单元、第二EBG结构单元、第三EBG结构单元上均设置有折线形槽。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一微带天线、第二微带天线均由第三介质基板、接地板、辐射贴片构成。

作为本实用新型的进一步改进，所述接地板固定连接在第三介质基板底部，所述辐射贴片设置在第三介质基板顶部。

作为本实用新型的进一步改进，所述辐射贴片上设置有馈电点，所述馈电点通过导线连接接地板。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一EBG结构单元、第二 EBG结构单元、第三EBG结构单元均由二维平面结构的金属片构成。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一EBG结构单元、第二 EBG结构单元、第三EBG结构单元上均由轴向部、第一径向部、第二径向部、第三径向部、第四径向部、第四径向部构成。

作为本实用新型的进一步改进，所述第一径向部、第二径向部、第三径向部、第四径向部、第四径向部依次从左到右平行连接在轴向部上。

作为本实用新型的进一步改进，所述第二径向部、第四径向部均设置为L型结构，所述第四径向部上设置有金属通孔。

本实用新型有益效果：一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，去耦单元为三个周期性EBG单元，该EBG单元是在一个E形的贴片上附贴了两个方向相反的L形贴片构成的,三个周期去耦单元之间的距离相同，而且每一个周期单元均通过一个金属通孔和地面进行连接，而且三个周期性的去耦单元开口向下，在这样的开口方向下整个天线还是一个对称结构的天线，这样的天线能够保证第一微带天线和第二微带天线的表面电流完全相同，即每一个微带天线单元对外辐射完全相同，从天线结构本身来讲，因为第一微带天线和第二微带天线所辐射出来的电磁波所经过勺路径不一致，所以造成了天线单元通信的不对等性，在此基础上对降耦结构的方向进行调整，将开口向下，阵列天线又会呈现出对称性，然而相同的结构不再具有降耦合性，于是改进后将去耦单元增加到三个，这个结构将恢复电磁带隙特性，在天线单元的中心工作频率处，该新型平面EBG结构单元会降低天线单元之间的电磁波的传播，从而达到很好的降耦作用。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。

图1是本实用新型一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线结构图。

图2是本实用新型一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线第一微带天线结构图。

图3是本实用新型一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线EBG 结构单元结构图。

图中标号：1、第一介质基板；2、第一微带天线；3、第二微带天线；4、第二介质基板；5、第一EBG结构单元；6、第二EBG结构单元；7、第三EBG结构单元；8、辐射贴片；9、馈电点；10、第三介质基板；11、接地板；12、轴向部；13、第一径向部；14、第二径向部；15、第三径向部；16、第四径向部；17、第五径向部；18、金属通孔。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型作进一步的说明，其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制，为了更好地说明本实用新型的具体实施方式，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸，对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的，基于本实用新型中的具体实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他具体实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。

实施例

如图1-3所示，一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，包括第一介质基板1、第一微带天线2、第二微带天线3、第二介质基板4，所述第一微带天线2、第二微带天线3、第二介质基板4均设置在第一介质基板1顶部，所述第一微带天线2、第二微带天线3对称设置在第二介质基板4左右两侧，所述第二介质基板4上从上到下依次设置有第一EBG结构单元5、第二EBG结构单元6、第三EBG结构单元 7，所述第一EBG结构单元5、第二EBG结构单元6、第三EBG结构单元7上均设置有折线形槽。

在本实施例中，所述第一微带天线2、第二微带天线3均由第三介质基板10、接地板11、辐射贴片8构成。

在本实施例中，所述接地板11固定连接在第三介质基板10底部，所述辐射贴片8设置在第三介质基板10顶部。

在本实施例中，所述辐射贴片8上设置有馈电点9，所述馈电点 9通过导线连接接地板11。

在本实施例中，所述第一EBG结构单元5、第二EBG结构单元6、第三EBG结构单元7均由二维平面结构的金属片构成。

在本实施例中，所述第一EBG结构单元5、第二EBG结构单元6、第三EBG结构单元7上均由轴向部12、第一径向部13、第二径向部 14、第三径向部15、第四径向部16、第四径向部17构成。

在本实施例中，所述第一径向部13、第二径向部14、第三径向部15、第四径向部16、第四径向部17依次从左到右平行连接在轴向部12上。

在本实施例中，所述第二径向部14、第四径向部16均设置为L 型结构，所述第四径向部16上设置有金属通孔18。

本实用新型改进于：一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，去耦单元为三个周期性EBG单元，该EBG单元是在一个E形的贴片上附贴了两个方向相反的L形贴片构成的,三个周期去耦单元之间的距离相同，而且每一个周期单元均通过一个金属通孔18和地面进行连接，而且三个周期性的去耦单元开口向下，在这样的开口方向下整个天线还是一个对称结构的天线，这样的天线能够保证第一微带天线和第二微带天线的表面电流完全相同，即每一个微带天线单元对外辐射完全相同，从天线结构本身来讲，因为第一微带天线和第二微带天线所辐射出来的电磁波所经过勺路径不一致，所以造成了天线单元通信的不对等性，在此基础上对降耦结构的方向进行调整，将开口向下，阵列天线又会呈现出对称性，然而相同的结构不再具有降耦合性，于是改进后将去耦单元增加到三个，这个结构将恢复电磁带隙特性，在天线单元的中心工作频率处，该新型平面EBG结构单元会降低天线单元之间的电磁波的传播，从而达到很好的降耦作用。

以上为本实用新型较佳的实施方式，以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点，本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化以及改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内，本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，包括第一介质基板(1)、第一微带天线(2)、第二微带天线(3)、第二介质基板(4)，其特征在于：所述第一微带天线(2)、第二微带天线(3)、第二介质基板(4)均设置在第一介质基板(1)顶部，所述第一微带天线(2)、第二微带天线(3)对称设置在第二介质基板(4)左右两侧，所述第二介质基板(4)上从上到下依次设置有第一EBG结构单元(5)、第二EBG结构单元(6)、第三EBG结构单元(7)，所述第一EBG结构单元(5)、第二EBG结构单元(6)、第三EBG结构单元(7)上均设置有折线形槽。

2.根据权利要求1所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述第一微带天线(2)、第二微带天线(3)均由第三介质基板(10)、接地板(11)、辐射贴片(8)构成。

3.根据权利要求2所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述接地板(11)固定连接在第三介质基板(10)底部，所述辐射贴片(8)设置在第三介质基板(10)顶部。

4.根据权利要求3所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述辐射贴片(8)上设置有馈电点(9)，所述馈电点(9)通过导线连接接地板(11)。

5.根据权利要求1所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述第一EBG结构单元(5)、第二EBG结构单元(6)、第三EBG结构单元(7)均由二维平面结构的金属片构成。

6.根据权利要求1所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述第一EBG结构单元(5)、第二EBG结构单元(6)、第三EBG结构单元(7)上均由轴向部(12)、第一径向部(13)、第二径向部(14)、第三径向部(15)、第四径向部(16)、第五径向部(17)构成。

7.根据权利要求6所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述第一径向部(13)、第二径向部(14)、第三径向部(15)、第四径向部(16)、第五径向部(17)依次从左到右平行连接在轴向部(12)上。

8.根据权利要求7所述的一种新型平面EBG结构的低耦合微带天线，其特征在于：所述第二径向部(14)、第四径向部(16)均设置为L型结构，所述第四径向部(16)上设置有金属通孔(18)。

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