CN214507010U - 一种多尔蒂功率放大器 - Google Patents

一种多尔蒂功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN214507010U
CN214507010U CN202120661208.3U CN202120661208U CN214507010U CN 214507010 U CN214507010 U CN 214507010U CN 202120661208 U CN202120661208 U CN 202120661208U CN 214507010 U CN214507010 U CN 214507010U
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
carrier
peak
signal
bias
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202120661208.3U
Other languages
English (en)
Inventor
赖晓蕾
曹原
陈炉星
李想
李铖
倪建兴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Radrock Shenzhen Technology Co Ltd
Original Assignee
An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device filed Critical An Advanced Rf Power Amplifier And Communication Device
Priority to CN202120661208.3U priority Critical patent/CN214507010U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN214507010U publication Critical patent/CN214507010U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种多尔蒂功率放大器,该多尔蒂功率放大器包括载波放大电路、峰值放大电路、峰值偏置电路和反馈电路;载波放大电路,被配置为接收输入端的载波信号,对载波信号进行放大处理,输出载波放大信号;峰值放大电路,被配置为接收输入端的峰值信号,对峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号;峰值偏置电路,被配置为在开启状态下向峰值放大电路提供峰值偏置信号;反馈电路,一端连接至载波放大电路中的载波信号传输路径中,另一端耦合到峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。本技术方案能够弥补载波放大信号的增益损失,保证多尔蒂功率放大器的输出增益和输出效率。

Description

一种多尔蒂功率放大器
技术领域
本实用新型涉及放大器技术领域,尤其涉及一种多尔蒂功率放大器。
背景技术
现代无线通信设备或系统,例如,第四代(4G)无线通信设备和系统,以及第五代(5G)无线通信设备和系统,在工作时均需采用具有高峰值平均功率比的调制信号。如此,现有无线通信设备或系统中的多尔蒂功率放大器(DPA)必须在一定的宽带频率范围内保持较高的输出效率,才能保证稳定的输出高峰值平均功率比的调制信号。因此,在一定的宽带频率范围内提高多尔蒂功率放大器的输出效率成为现如今亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种多尔蒂功率放大器,以解决多尔蒂功率放大器的输出效率低问题。
一种多尔蒂功率放大器,包括载波放大电路、峰值放大电路、峰值偏置电路和反馈电路;
所述载波放大电路,被配置为接收输入端的载波信号,对所述载波信号进行放大处理,输出载波放大信号;
所述峰值放大电路,被配置为接收输入端的峰值信号,对所述峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号;
所述峰值偏置电路,被配置为在开启状态下向所述峰值放大电路提供峰值偏置信号;
所述反馈电路,一端连接至所述载波放大电路中的载波信号传输路径中,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
进一步地,所述选定的条件为所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。
进一步地,所述选定的条件为在所述载波放大电路中的载波信号的功率大于预设功率,所述预设功率指示所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。
进一步地,所述反馈电路的一端连接至所述载波放大电路的输入端,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
进一步地,所述反馈电路的一端连接至所述载波放大电路的输出端,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下时,使所述峰值偏置电路开启。
进一步地,所述反馈电路被配置为,向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,以在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
进一步地,所述交流反馈信号的功率与所述载波放大电路中的载波信号的功率成正比。
进一步地,所述峰值偏置电路包括第一偏置电源端和峰值偏置晶体管,所述第一偏置电源端与所述峰值偏置晶体管的第一端相连,所述峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述反馈电路向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,在选定的条件,所述峰值偏置晶体管的第一端和第三端之间的电压差减小,使所述峰值偏置电路开启。
进一步地,所述反馈电路包括串联连接的反馈电容和反馈电阻。
进一步地,所述多尔蒂功率放大器还包括载波偏置电路,所述载波偏置电路包括第二偏置电源端和载波偏置晶体管,所述第二偏置电源端的输出端与所述载波偏置晶体管的第一端和接地端相连,所述载波偏置晶体管的第二端与供电端相连,第三端与所述载波放大电路的输入端相连,被配置为提供载波偏置信号至所述载波放大电路的输入端。
进一步地,所述多尔蒂功率放大器还包括分离器电路和组合器电路,所述分离器电路的输出端分别与所述载波放大电路的输入端和所述峰值放大电路的输入端连接,被配置为对接收的射频输入信号进行分离处理,分别输出载波信号至所述载波放大电路和峰值信号至所述峰值放大电路;
所述组合器电路的输入端分别与所述载波放大电路的输出端和所述峰值放大电路的输出端连接,被配置为对所述载波放大信号和所述峰值放大信号进行组合处理,输出射频放大信号。
上述多尔蒂功率放大器,多尔蒂功率放大器包括载波放大电路、峰值放大电路、峰值偏置电路和反馈电路;当载波放大电路中的载波信号的功率大于预设功率时,由于反馈电路,一端连接至载波放大电路中的载波信号传输路径中,另一端耦合到峰值偏置电路的输出端,在载波放大电路中的载波信号传输路径与峰值偏置电路的输出端之间形成交流信号的传输通路,能够从载波放大电路中的载波信号传输路径中抽取足够的交流电流,使峰值偏置电路开启,峰值放大电路提供峰值偏置信号至峰值放大电路,以使峰值放大电路对峰值信号进行放大,以弥补载波放大信号的增益损失,保证多尔蒂功率放大器的输出增益和输出效率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对本实用新型实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型一实施例中多尔蒂功率放大器的一电路示意图;
图2是本实用新型一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图;
图3是本实用新型一实施例中多尔蒂功率放大器的另一电路示意图。
图中:10、载波放大电路;20、峰值放大电路;30、峰值偏置电路;40、反馈电路;50、载波偏置电路;60、分离器电路;70、组合器电路。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
应当理解的是,本实用新型能够以不同形式实施,而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地,提供这些实施例将使公开彻底和完全,并且将本实用新型的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中,为了清楚,层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白,当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此,在不脱离本实用新型教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等,在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,然后,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本实用新型的限制。在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“/该”也意图包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”,当在该说明书中使用时,确定特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本实用新型,将在下列的描述中提出详细的结构及步骤,以便阐释本实用新型提出的技术方案。本实用新型的较佳实施例详细描述如下,然而除了这些详细描述外,本实用新型还可以具有其他实施方式。
如图1所示,本实施例提供一种多尔蒂功率放大器,包括载波放大电路10、峰值放大电路20、峰值偏置电路30和反馈电路40;载波放大电路10,被配置为接收输入端的载波信号,对载波信号进行放大处理,输出载波放大信号;峰值放大电路20,被配置为接收输入端的峰值信号,对峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号;峰值偏置电路30,被配置为在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号;反馈电路40,一端连接至载波放大电路10中的载波信号传输路径中,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,被配置为在选定的条件下,控制峰值偏置电路30开启。
作为一示例,多尔蒂功率放大器包括载波放大电路10、峰值放大电路20、峰值偏置电路30和反馈电路40。其中,载波放大电路10,被配置为接收输入端的载波信号,并对载波信号进行放大处理,目的是输出被放大的载波信号,也即是载波放大信号。需要说明的是,输入端的载波信号为多尔蒂功率放大器对射频输入信号进行分离后输入至载波放大电路10中的信号。具体地,载波放大电路10包括载波放大晶体管。该载波放大晶体管可以为三极管,也可以为场效应管。载波放大晶体管还可以为多个级联的三极管或者多个级联的场效应管。当载波放大电路10接收到输入端的载波信号,通过载波放大晶体管对载波信号进行多级放大处理,输出载波放大信号。
作为另一示例,如图2或图3所示,当载波放大晶体管为三极管时,载波放大晶体管可以为NPN管。载波放大电路10包括第一去耦电容C11、第一增益电感L11、第一NPN管M11和第二NPN管M12。第一去耦电容C11的第一端分别与供电端和第二NPN管M12的基极相连,第二端与接地端相连。第一NPN管M11的基极为载波放大电路的输入端,被配置为接收载波信号;第一NPN管M11的集电极与第二NPN管M12的发射极相连,第一NPN管M11的发射极与第一增益电感L11的一端相连。第一增益电感L11的另一端与接地端相连,第一增益电感L11被配置为对载波放大电路10的增益进行调节。第二NPN管M12的基极分别与供电端的输出端和第一去耦电容C11相连,第二NPN管M12的发射极与第一NPN管M11的集电极相连,第二NPN管M12的集电极作为载波放大电路的输出端,输出载波放大信号。
作为另一示例,峰值放大电路20,被配置为接收输入端的峰值信号,并对峰值信号进行放大处理,目的是输出被放大的峰值信号,也即是峰值放大信号。需要说明的是,输入端的峰值信号为多尔蒂功率放大器对射频输入信号进行分离后输入至峰值放大电路20中的信号。具体地,峰值放大电路20包括峰值放大晶体管。该峰值放大晶体管可以为三极管,也可以为场效应管。峰值放大晶体管还可以为多个级联的三极管或者多个级联的场效应管。当峰值放大电路20接收到输入端的峰值信号,通过峰值放大晶体管对峰值信号进行多级放大处理,输出峰值放大信号。
作为另一示例,当峰值放大晶体管为三极管时,峰值放大晶体管可以为NPN管。峰值放大电路20包括第二去耦电容C21、第二增益电感L21、第三NPN管M21和第四NPN管M22。第二去耦电容C21的第一端分别与供电端和第四NPN管M22的基极相连,第二去耦电容C21的第二端与接地端相连。第二增益电感L21的第一端与第三NPN管M21的发射极相连,第二端与接地端相连,被配置为对峰值放大电路20的增益进行调节。第三NPN管M21的基极为峰值放大电路20的输入端,被配置为接收峰值信号。第三NPN管M21的集电极与第四NPN管M22的发射极相连,第四NPN管M22的基极与供电端相连,第四NPN管M22的集电极作为峰值放大电路20的输出端,输出峰值放大信号。
作为另一示例,在选定的条件下,反馈电路40从载波放大电路10中抽取载波信号反馈至峰值偏置电路30的输出端,从而使峰值偏置电路30开启。
在一具体实施例中,选定的条件为所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。或者,选定的条件为在载波放大电路中的载波信号的功率大于预设功率,预设功率指示所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。或者,选定的条件为在载波放大电路中的载波信号的电压大于预设电压,预设电压指示所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。其中,预设功率可以为预先自定义设定的任意功率值。预设电压可以为预先自定义设定的任意电压值。比如:由于随着载波放大电路10开始饱和(例如,达到增益压缩),载波放大晶体管的放大能力会劣化,从而导致基极电流快速增加,因此,可以将当载波放大电路10处于或者接近饱和时,确定载波放大电路10的载波信号的功率大于预设功率。在本实施例中,当载波信号的功率大于预设功率时,载波放大电路10的增益会逐渐降低,导致多尔蒂功率放大器的整体输出效率降低。因此,为了提高多尔蒂功率放大器的整体输出效率,通过将反馈电路40的一端连接至所述载波放大电路10中的载波信号传输路径中,另一端耦合到所述峰值偏置电路30的输出端;当到载波信号的功率大于预设功率时,反馈电路40从载波放大电路10中抽取足够的载波信号反馈至峰值偏置电路30的输出端,使峰值偏置电路30开启,峰值偏置电路303在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,以使峰值放大电路20正常工作,对接收的峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号,以弥补载波放大电路10在饱和状态下时的输出的载波放大信号的增益损失,提高多尔蒂功率放大器的整体的输出效率。
当多尔蒂功率放大器处于低功率区域时,由于峰值偏置电路30中设置的电流源提供的电流源信号幅度较小,不足于导通峰值偏置电路30中的偏置晶体管,导致峰值偏置电路30无法自开启,峰值放大电路20此时处于关闭状态。因此,作为另一示例,反馈电路40一端连接至载波放大电路10中的载波信号传输路径中,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,被配置为在选定的条件,控制峰值偏置电路30开启,峰值偏置电路30为峰值放大电路20提供峰值偏置信号,从而接通峰值放大电路20。在一具体实施例中,当载波放大电路处于或者接近饱和状态时,由于反馈电路40在载波放大电路10中的载波信号传输路径与峰值偏置电路30的输出端之间形成交流信号的反馈通路,能够从载波放大电路10中的载波信号传输路径中抽取足够的交流信号反馈至峰值偏置电路30的输出端,在反馈交流信号的作用下,峰值偏置电路30中的峰值晶体管的基极和发射极之间的电压差减小,峰值偏置电路30被开启,并向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,以使接通峰值放大电路20,峰值放大电路20在正常工作状态下对峰值信号进行放大,输出峰值放大信号,以弥补载波放大电路10的增益损失,保证多尔蒂功率放大器的输出增益,提高多尔蒂功率放大器的整体的输出效率。
在本实施例中,多尔蒂功率放大器包括载波放大电路10、峰值放大电路20、峰值偏置电路30和反馈电路40;当所述载波放大电路处于或者接近饱和状态时,由于反馈电路40,一端连接至载波放大电路10中的载波信号传输路径中,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,在载波放大电路10中的载波信号传输路径与峰值偏置电路30的输出端之间形成交流信号的反馈通路,能够从载波放大电路10中的载波信号传输路径中抽取足够的交流电流信号至峰值偏置电路30的输出端,在反馈交流信号的作用下,峰值偏置电路30中的峰值晶体管的基极和发射极之间的电压差减小,控制峰值偏置电路30开启,峰值偏置电路30在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,以使接通峰值放大电路20,峰值放大电路20在正常工作状态下对峰值信号进行放大,以弥补载波放大电路10的增益损失,保证多尔蒂功率放大器的输出增益和输出效率。
如图3所示,在一实施例中,反馈电路40的一端连接至载波放大电路10的输入端,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,被配置为在选定的条件下,控制峰值偏置电路30开启。
在本实施例中,反馈电路40的一端连接至载波放大电路10的输入端,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,在载波放大电路10中的输入端与峰值偏置电路30的输出端之间形成交流信号的反馈通路,在选定的条件下,从载波放大电路10的输入信号中抽取足够的交流信号至峰值偏置电路30的输出端,控制峰值偏置电路30开启。在一具体实施例中。当载波放大电路10处于或者接近饱和状态时,载波放大晶体管的放大能力会劣化,增益被压缩,因此,可以将载波放大电路10处于或者接近饱和状态时确定为在选定的条件下。反馈电路40通过在载波放大电路10中的输入端与峰值偏置电路30的输出端之间形成交流信号的传输通路,从载波放大电路10中的输入端抽取足够的交流电流至峰值偏置电路30的输出端,控制峰值偏置电路30开启,峰值偏置电路30在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,从而接通峰值放大电路20,峰值放大电路20在正常工作状态下对峰值信号进行放大,以弥补载波放大电路10的增益损失,保证多尔蒂功率放大器的输出增益和输出效率。
如图2所示,在一实施例中,反馈电路40的一端连接至载波放大电路10的输出端,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,被配置为在选定的条件下,控制峰值偏置电路30开启。
在一具体实施例中,当载波放大电路10接近饱和时,相对于载波晶体管的基极电流,载波晶体管的集电极电流可能减小,因此可以将当载波晶体管的集电极电流开始减小时的状态确定为载波放大电路10处于或者接近饱和状态。或者,当载波放大器中的载波晶体管的基极电流以一定速率上升或上升到一定水平时,确定为载波放大电路10处于或者接近饱和状态。
在本实施例中,反馈电路40的一端连接至载波放大电路10的输出端,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端,在载波放大电路10中的输出端与峰值偏置电路30的输出端之间形成交流信号的反馈通路,在选定的条件下,载波放大电路10的增益会逐渐降低,导致多尔蒂功率放大器的整体输出效率降低。因此,为了提高多尔蒂功率放大器的整体输出效率,通过将反馈电路40的一端连接至载波放大电路10的输出端,另一端耦合到峰值偏置电路30的输出端;当在选定的条件下,反馈电路40从载波放大电路10的输出端中抽取足够的载波信号反馈至峰值偏置电路30的输出端,使峰值偏置电路30开启,峰值偏置电路30在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,以使峰值放大电路20正常工作,对接收的峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号,以弥补载波放大电路10在饱和状态下时的输出的载波放大信号的增益损失,提高多尔蒂功率放大器的整体的输出效率。
如图1和图2所示,在一实施例中,反馈电路40被配置为,向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,以在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
作为一示例,当所述载波放大电路处于或者接近饱和状态时,从载波放大电路10输入端或者载波放大电路10输出端获取反馈信号,该反馈信号为交流反馈信号,并向峰值偏置电路30的输出端输入该交流反馈信号;在交流反馈信号的作用下,峰值偏置电路30中的峰值晶体管的基极和发射极之间的电压差降低,峰值偏置电路30被开启,向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,从而接通峰值放大电路20。
在本实施例中,反馈电路40被配置为,向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,以在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启,所述峰值偏置电路向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,从而接通峰值放大电路20,峰值放大电路20在正常工作下对峰值信号进行放大,以弥补载波放大电路10的增益损失。
如图1和图2所示,在一实施例中,交流反馈信号的功率与载波放大电路10中的载波信号的功率成正比。
在本实施例中,为了保证多尔蒂功率放大器输出增益的线性度,交流反馈信号的功率与载波放大电路10中的载波信号的功率成正比,即载波放大电路10中的载波信号的功率越大,反馈电路40从载波放大电路10中抽取的反馈信号就越多,交流反馈信号的功率也就越大。如此,在反馈信号的作用下,峰值偏置电路30中的峰值晶体管的基极和发射极之间的电压差减小,峰值偏置电路30被开启,峰值偏置电路30在开启状态下向峰值放大电路20提供峰值偏置信号,以使接通峰值放大电路20,峰值放大电路20在正常工作状态下对峰值信号进行放大,以弥补载波放大电路10的增益损失。可以理解地,若载波放大电路10中的载波信号的功率越大,反馈电路40从载波放大电路10中抽取的反馈信号越多,峰值偏置电路30中的峰值晶体管的基极和发射极之间的电压差减小地就越快,峰值晶体管的导通时间也就越快,峰值偏置电路30的开启时间也就更快。因此,在高功率区域中,当峰值放大电路20被激活时,峰值放大电路20和载波放大器电路两者都处于接通状态,载波放大器电路对载波信号进行放大处理输出载波放大信号,峰值放大电路20对峰值信号进行放大处理输出峰值放大信号,从而在在工艺和失配上给予AM-AM特性补偿,提高多尔蒂功率放大器输出增益的线性度。
如图2和图3所示,在一实施例中,峰值偏置电路30包括第一偏置电源端Is1和峰值偏置晶体管M31,第一偏置电源端Is1与峰值偏置晶体管M31的第一端和接地端相连,峰值偏置晶体管M31的第二端与供电端相连,第三端与峰值放大电路20的输入端相连;所述反馈电路向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,在选定的条件,峰值偏置晶体管M31的第一端和第三端之间的电压差减小,使峰值偏置电路30开启。
其中,第一偏置电源端Is1为用于连接外部的偏置电源的端口,被配置为给峰值偏置电路30提供偏置电源。偏置电源一般优选为偏置电流源,被配置为给峰值偏置电路30提供偏置电流。峰值偏置晶体管M31可以为三极管,也可以为场效应管。
在本实施例中,当峰值偏置晶体管M31为三极管时,峰值偏置晶体管M31可以是峰值偏置NPN管。第一偏置电源端Is1与峰值偏置NPN管的基极相连,峰值偏置NPN管的集电极与供电端相连,发射极与峰值放大电路20的输入端相连,由于第一偏置电源端Is1输出的偏置电流较小,无法驱动峰值偏置NPN管导通,在载波放大电路10中的载波信号的功率大于预设功率时,反馈电路40向峰值偏置电路30的输出端提供交流反馈信号,在交流反馈信号的作用下,峰值偏置NPN管的基极和发射极之间的电压差减小,峰值偏置NPN管被导通,从而控制峰值偏置电路30开启。
如图2和图3所示,进一步地,峰值偏置电路30还可以包括第一耦合电阻R31,第一耦合电阻R31设置在峰值偏置NPN管发射极与峰值放大电路20的输入端之间,峰值偏置电路30通过第一耦合电阻R31提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。
如图2和图3所示,在一实施例中,反馈电路40包括串联连接的反馈电容C41和反馈电阻R41。
在本实施例中,可以根据载波放大电路10输入端的载波信号的功率设置反馈电容C41的容置,或者载波放大电路10输出端的载波信号的功率设置反馈电容C41的容置以及反馈电阻R41的阻值。作为一示例,载波放大电路10输入端的载波信号的功率或者载波放大电路10输出端的载波信号的功率越大,反馈电容C41的容值越小,反馈电阻R41的阻值越大。在载波放大电路10中的载波信号的功率大于预设功率时,串联连接的反馈电容C41和反馈电阻R41形成RC反馈电路40,向峰值偏置电路30的输出端提供交流反馈信号,以控制峰值偏置电路30开启。
如图2和图3所示,在一实施例中,多尔蒂功率放大器还包括载波偏置电路50,载波偏置电路50包括第二偏置电源端Is2和载波偏置晶体管M51,第二偏置电源端Is2与载波偏置晶体管M51的第一端相连,载波偏置晶体管M51的第二端与供电端相连,第三端与载波放大电路10的输入端相连,被配置为提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。
其中,第二偏置电源端Is2为用于连接外部的偏置电源的端口,被配置为给载波偏置电路50提供偏置电源。偏置电源一般优选为偏置电流源,被配置为给载波偏置电路50提供偏置电流。载波偏置晶体管M51可以为三极管,也可以为场效应管。
在本实施例中,当载波偏置晶体管M51为三极管时,载波偏置晶体管M51可以是载波偏置NPN管。第二偏置电源端Is2的输出端与载波偏置NPN管的基极和接地端相连,载波偏置NPN管的集电极与供电端相连,发射极与载波放大电路10的输入端相连,被配置为提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。具体地,载波偏置NPN管的基极在第二偏置电源端Is2的作用下,载波偏置NPN管处于开启状态,载波偏置电路50提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。载波偏置电路50在正常工作状态下被配置为提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端,从而使得载波放大电路10正常工作,对输入的载波信号进行放大处理。
如图2和图3所示,进一步地,载波偏置电路50还可以包括第二耦合电阻R51,第二耦合电阻R51设置在载波偏置NPN管发射极与载波放大电路10的输入端之间,载波偏置电路50通过第二耦合电阻R51提供载波偏置信号至载波放大电路10的输入端。
如图1所示,在一实施例中,多尔蒂功率放大器还包括分离器电路60,分离器电路60的输出端分别与载波放大电路10的输入端和峰值放大电路20的输入端连接,被配置为对接收的射频输入信号进行分离处理,分别输出载波信号至载波放大电路10和峰值信号至峰值放大电路20。
在本实施例中,如图2或图3所示,分离器电路60包括第一分离电阻R61、第二分离电阻R62和第三分离电阻R63。第一分离电阻R61的第一端与射频输入信号的输入端相连,第一端与第二分离电阻R62和第三分离电阻R63相连;第二分离电阻R62与第三分离电阻R63串联,第二分离电阻R62与第三分离电阻R63分别与载波放大电路10的输入端和峰值放大电路20的输入端连接,第二分离电阻R62与第三分离电阻R63的连接节点与第一分离电阻R61的第二端相连,为对射频输入信号的输入端接收的射频输入信号进行分离处理,分别输出载波信号至载波放大电路10和峰值信号至峰值放大电路20
如图1所示,在一实施例中,多尔蒂功率放大器还包括组合器电路70,组合器电路70的输入端分别与载波放大电路10的输出端和峰值放大电路20的输出端连接,被配置为对载波放大信号和峰值放大信号进行组合处理,输出射频放大信号。
在本实施例中,如图2或图3所示,多尔蒂功率放大器还包括组合器电路70,组合器电路70的输入端分别与载波放大电路10的输出端和峰值放大电路20的输出端连接,被配置为对载波放大信号和峰值放大信号进行组合处理,输出射频放大信号。具体地,组合器电路70包括第一组合电感L71和第二组合电感L72。第一组合电感L71的第一端与载波放大电路10的输出端相连,第二端与第二组合电感L72相连;第二组合电感L72的第一端与峰值放大电路20的输出端连接,输出端与射频放大信号的输出端相连,被配置为对载波放大信号和峰值放大信号进行组合处理,输出射频放大信号。可以理解地,由于载波放大信号是通过载波放大电路10根据载波偏置信号对载波信号进行放大得到的信号,峰值放大电路20根据峰值偏置信号对峰值信号进行放大得到的信号,组合器电路70对载波放大信号和峰值放大信号进行组合处理,得到的射频放大信号具有较高的线性度和增益。
以上所述实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种多尔蒂功率放大器,其特征在于,包括载波放大电路、峰值放大电路、峰值偏置电路和反馈电路;
所述载波放大电路,被配置为接收输入端的载波信号,对所述载波信号进行放大处理,输出载波放大信号;
所述峰值放大电路,被配置为接收输入端的峰值信号,对所述峰值信号进行放大处理,输出峰值放大信号;
所述峰值偏置电路,被配置为在开启状态下向所述峰值放大电路提供峰值偏置信号;
所述反馈电路,一端连接至所述载波放大电路中的载波信号传输路径中,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
2.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述选定的条件为所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。
3.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述选定的条件为在所述载波放大电路中的载波信号的功率大于预设功率,所述预设功率指示所述载波放大电路处于或者接近饱和状态。
4.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述反馈电路的一端连接至所述载波放大电路的输入端,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
5.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述反馈电路的一端连接至所述载波放大电路的输出端,另一端耦合到所述峰值偏置电路的输出端,被配置为在选定的条件下时,使所述峰值偏置电路开启。
6.如权利要求3所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述反馈电路被配置为,向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,以在选定的条件下,使所述峰值偏置电路开启。
7.如权利要求6所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述交流反馈信号的功率与所述载波放大电路中的载波信号的功率成正比。
8.如权利要求6所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述峰值偏置电路包括第一偏置电源端和峰值偏置晶体管,所述第一偏置电源端与所述峰值偏置晶体管的第一端相连,所述峰值偏置晶体管的第二端与供电端相连,第三端与所述峰值放大电路的输入端相连;所述反馈电路向所述峰值偏置电路的输出端提供交流反馈信号,在选定的条件,所述峰值偏置晶体管的第一端和第三端之间的电压差减小,使所述峰值偏置电路开启。
9.如权利要求1-8任一项所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述反馈电路包括串联连接的反馈电容和反馈电阻。
10.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述多尔蒂功率放大器还包括载波偏置电路,所述载波偏置电路包括第二偏置电源端和载波偏置晶体管,所述第二偏置电源端的输出端与所述载波偏置晶体管的第一端和接地端相连,所述载波偏置晶体管的第二端与供电端相连,第三端与所述载波放大电路的输入端相连,被配置为提供载波偏置信号至所述载波放大电路的输入端。
11.如权利要求1所述的多尔蒂功率放大器,其特征在于,所述多尔蒂功率放大器还包括分离器电路和组合器电路,所述分离器电路的输出端分别与所述载波放大电路的输入端和所述峰值放大电路的输入端连接,被配置为对接收的射频输入信号进行分离处理,分别输出载波信号至所述载波放大电路和峰值信号至所述峰值放大电路;
所述组合器电路的输入端分别与所述载波放大电路的输出端和所述峰值放大电路的输出端连接,被配置为对所述载波放大信号和所述峰值放大信号进行组合处理,输出射频放大信号。
CN202120661208.3U 2021-03-31 2021-03-31 一种多尔蒂功率放大器 Active CN214507010U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120661208.3U CN214507010U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种多尔蒂功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120661208.3U CN214507010U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种多尔蒂功率放大器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN214507010U true CN214507010U (zh) 2021-10-26

Family

ID=78200950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202120661208.3U Active CN214507010U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种多尔蒂功率放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN214507010U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105897175B (zh) 具有可调共基极偏置的功率放大系统
US7589589B2 (en) Power amplifying apparatus and mobile communication terminal
WO2018001380A1 (zh) 多增益模式功率放大器、芯片及通信终端
WO2016131023A1 (en) Doherty power amplifier having am-am compensation
TWI509979B (zh) 電子系統、射頻功率放大器及其偏壓點動態調整方法
US9118282B2 (en) Power amplifier and amplification method thereof
US11133786B2 (en) Radio frequency power amplifier module having high linearity and power-added efficiency and implementation method
US8754709B2 (en) Doherty power amplifier and implementation method thereof
US11431305B2 (en) Power amplifier module and power amplification method
CN211791447U (zh) 一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器
CN113395045A (zh) 多尔蒂功率放大器、系统及控制方法
TWI501543B (zh) 電子系統、射頻功率放大器及其偏壓點自我調整方法
CN114679140B (zh) 高线性度射频功率放大器
US8653886B2 (en) Method and arrangement in a mobile communications system
CN214507010U (zh) 一种多尔蒂功率放大器
CN109768775B (zh) 功率放大电路
US10566934B2 (en) Power amplifier circuit
CN213990615U (zh) 一种功率放大模块及电路
CN114157245A (zh) 多尔蒂功率放大器及射频前端模组
US11190151B2 (en) Power amplifier
CN214380823U (zh) 一种功率放大器电路
CN114189215A (zh) 射频功率放大电路及射频前端模组
JP2007288736A (ja) 電力増幅回路
CN114362687A (zh) 一种基于动态反馈的高线性度功率放大器
CN204156827U (zh) 一种用于雷达系统的宽带功率放大器芯片及放大器

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Ruishi Chuangxin (Shenzhen) Technology Co.,Ltd.

Address before: 518000 room 2001, building 3, Shenzhen new generation industrial park, 136 Zhongkang Road, Meidu community, Meilin street, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee before: AN ADVANCED RF POWER AMPLIFIER AND COMMUNICATION DEVICE