CN214480529U - 一种基于国产化技术的ipm模块的接通关断控制电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路。本实用新型包括R1‑R10十个电阻、Q1‑Q2两个MOS管、D1‑D6的二极管和C1‑C2两个电容组成的电路。本实用新型具有可为IPM模块实现接通关断控制的优点，且能够保护电路防止回路误触发短路。
Description
技术领域
本实用新型涉及IPM模块领域，特别是一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路。
背景技术
智能功率模块(IPM)是Intelligent Power Module的缩写，是一种先进的功率开关器件，具有GTR(大功率晶体管)高电流密度、低饱和电压和耐高压的优点,以及MOSFET(场效应晶体管)高输入阻抗、高开关频率和低驱动功率的优点。而且IPM内部集成了逻辑、控制、检测和保护电路，使用起来方便,不仅减小了系统的体积以及开发时间，也大大增强了系统的可靠性，适应了当今功率器件的发展方向——模块化、复合化和功率集成电路(PIC)，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用。
目前国内IPM模块技术大多由国外提供，为解决此问题。我公司采用全国产化技术，设计一种IPM智能功率模块，其目的是将IPM技术全国产化，使国内具备自主研制能力和生产能力，为国产化需求的应用领域提供IPM应用保障。基于国产化技术的IPM模块中，我公司设计了一种新的用于IPM模块的接通关断控制电路。
发明内容
本实用新型的目的在于，提供一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路。其具有可为IPM模块实现接通关断控制的优点，且能够保护电路防止回路误触发短路。
本实用新型采用如下技术方案实现发明目的：
一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路，包括IGBT，IGBT的C端连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极连接二极管D1的负极、电阻R3的一端和双向TVS管D4的一极，二极管D1的正极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接二极管D6的正极和电容C1的一端，电容C1的另一端连接R3的另一端和COM端，双向TVS管D4的另一极连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接COM端、电容C2的一端、双向TVS管D5的一极和IGBT的E端，电容C2的另一端连接双向TVS管D5的另一极、IGBT的G端、快恢复二极管D3的正极、并联的三个电阻R4、R5和R6的一端以及并联的三个电阻R7、R8和R9的一端，快恢复二极管D3的负极连接VDD端，并联的三个电阻R4、R5和R6的另一端连接MOS管Q1的s极，MOS管Q1的d极连接VDD端和二极管D6的负极，MOS管Q1的g极连接电阻R1的一端和MOS管Q2的g极，电阻R1的另一端连连接驱动信号端，MOS管Q2的s极连接COM端，MOS管Q2的d极连接连接并联的三个电阻R7、R8和R9的另一端。
与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：本实用新型当驱动信号为高电平时，经过限流电阻R1驱动Q1关断，Q2导通，将电阻R7/R8/R9下拉至低电平，使IGBT的G端为低电平以达到关断作用。当驱动信号为低电平时，Q1导通，Q2关断，电阻R4/R5/R6工作，驱动IGBT的G端为高电平进行工作，IGBT导通。其中将R4/R5/R6及R7/R8/R9并联主要增加过流能力，降低单个电阻上面的功耗，R10为下拉电阻，使其在无驱动信号时IGBT一直处于关断状态，电容C2为滤波电容，二极管D5为双向TVS二极管，主要防止瞬间电压过大损坏IGBT，二极管D3为快恢复二极管，当驱动端G端电压产生电压尖峰或大于VDD电压时导通将驱动端电压在导通状态下限制在VDD附近，其余电路作为保护电路防止回路误触发短路等。
附图说明
图1是本实用新型电路图；
图2是本实用新型的应用电路框图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例。一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路，构成如图1所示，包括IGBT，IGBT的C端连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极连接二极管D1的负极、电阻R3的一端和双向TVS管D4的一极，二极管D1的正极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接二极管D6的正极和电容C1的一端，电容C1的另一端连接R3的另一端和COM端，双向TVS管D4的另一极连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接COM端、电容C2的一端、双向TVS管D5的一极和IGBT的E端，电容C2的另一端连接双向TVS管D5的另一极、IGBT的G端、快恢复二极管D3的正极、并联的三个电阻R4、R5和R6的一端以及并联的三个电阻R7、R8和R9的一端，快恢复二极管D3的负极连接VDD端，并联的三个电阻R4、R5和R6的另一端连接MOS管Q1的s极，MOS管Q1的d极连接VDD端和二极管D6的负极，MOS管Q1的g极连接电阻R1的一端和MOS管Q2的g极，电阻R1的另一端连连接驱动信号端，MOS管Q2的s极连接COM端，MOS管Q2的d极连接连接并联的三个电阻R7、R8和R9的另一端。
本电路的原理是：当驱动信号为高电平时，经过限流电阻R1驱动Q1关断，Q2导通，将电阻R7/R8/R9下拉至低电平，使IGBT的G端为低电平以达到关断作用。当驱动信号为低电平时，Q1导通，Q2关断，电阻R4/R5/R6工作，驱动IGBT的G端为高电平进行工作，IGBT导通。其中将R4/R5/R6及R7/R8/R9并联主要增加过流能力，降低单个电阻上面的功耗，R10为下拉电阻，使其在无驱动信号时IGBT一直处于关断状态，电容C2为滤波电容，二极管D5为双向TVS管二极管，主要防止瞬间电压过大损坏IGBT，快恢复二极管D3为快恢复二极管，当驱动端G端电压产生电压尖峰或大于VDD电压时导通将驱动端电压在导通状态下限制在VDD附近，其余电路作为保护电路防止回路误触发短路等。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种基于国产化技术的IPM模块的接通关断控制电路，包括IGBT，其特征在于：IGBT的C端连接稳压二极管D2的负极，稳压二极管D2的正极连接二极管D1的负极、电阻R3的一端和双向TVS管D4的一极，二极管D1的正极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端连接二极管D6的正极和电容C1的一端，电容C1的另一端连接R3的另一端和COM端，双向TVS管D4的另一极连接电阻R10的一端，电阻R10的另一端连接COM端、电容C2的一端、双向TVS管D5的一极和IGBT的E端，电容C2的另一端连接双向TVS管D5的另一极、IGBT的G端、快恢复二极管D3的正极、并联的三个电阻R4、R5和R6的一端以及并联的三个电阻R7、R8和R9的一端，快恢复二极管D3的负极连接VDD端，并联的三个电阻R4、R5和R6的另一端连接MOS管Q1的s极，MOS管Q1的d极连接VDD端和二极管D6的负极，MOS管Q1的g极连接电阻R1的一端和MOS管Q2的g极，电阻R1的另一端连连接驱动信号端，MOS管Q2的s极连接COM端，MOS管Q2的d极连接连接并联的三个电阻R7、R8和R9的另一端。
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2021
- 2021-04-15 CN CN202120769132.6U patent/CN214480529U/zh active Active
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