CN214479579U - 一种自锁开关控制磁保持继电器电路及磁保持继电器系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种自锁开关控制磁保持继电器电路及磁保持继电器系统,所述自锁开关控制磁保持继电器电路包括:自锁开关电路和线圈驱动电路;其中:所述自锁开关电路与所述线圈驱动电路连接,用于控制所述线圈驱动电路导通。通过本实用新型实施例,能明确标识当前磁保持继电器所处的开关状态,让用户能直观看到操作开关的响应状态;外围电路配置简单,通过调节电路中电阻值,可以将电路的待机功耗降至100uA以下,待机功耗低;同时电路使用的器件少,成本低,可靠性高,受使用场景影响少。
Description
技术领域
本实用新型涉及供电设备领域,特别涉及一种自锁开关控制磁保持继电器电路及磁保持继电器系统。
背景技术
目前用于低压直流(36V以下)供电设备主电关电通路的开关器件通常都使用磁保持继电器。
使用磁保持继电器的优势在于不需要长时给继电器线圈通过电流,不会长时间耗电及发热。但是,磁保持继电器目前基本使用单片机IO控制驱动电路,或是通过自复位开关进行控制。这两种电路方式都受使用场景影响,终端用户通常不会使用自复位开关这种无法明确知道开关状态的器件。同时,复杂的单片机电路也会增加产品成本,同时降低系统的可靠性。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供的一种自锁开关控制磁保持继电器电路及磁保持继电器系统,可以明确标识当前磁保持继电器所处的开关状态,让用户能直观看到操作开关的响应状态;外围电路配置简单,通过调节电路中电阻值,可以将电路的待机功耗降至100uA以下,待机功耗低;同时电路使用的器件少,成本低,可靠性高,受使用场景影响少。
本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案如下:
根据本实用新型实施例的一个方面,提供的一种自锁开关控制磁保持继电器电路,所述自锁开关控制磁保持继电器电路包括:自锁开关电路和线圈驱动电路;其中:所述自锁开关电路与所述线圈驱动电路连接,用于控制所述线圈驱动电路导通。
在一个可能的设计中,所述自锁开关电路包括开关、第一电阻、第二电阻和第一MOS管;其中:
所述第一MOS管的栅极与所述开关的一端连接,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极与参考电源端连接;
所述第一电阻与所述第二电阻串联组成分压电阻,所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接后与所述第一MOS管的栅极连接,所述第一电阻的另一端连接至参考电源端,所述第二电阻的另一端接地;
所述开关的一端接地,所述开关的另一端连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接点后与所述第一MOS管的栅极连接。
在一个可能的设计中,所述自锁开关电路还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述开关连接,另一端与所述第一MOS管的栅极连接。
在一个可能的设计中,所述自锁开关电路还包括第三电阻,所述第三电阻的一端与参考电源端连接,另一端与所述第一MOS管的漏极连接。
在一个可能的设计中,所述线圈驱动电路包括电容和第二MOS管;其中:
所述第二MOS管的栅极与所述电容连接后与所述第一MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的漏极连接至磁保持继电器。
在一个可能的设计中,所述线圈驱动电路还包括第五电阻,所述第五电阻的一端与磁保持继电器连接,另一端与所述第二MOS管的漏极连接,使得所述第二MOS管的漏极通过所述第五电阻连接到至磁保持继电器。
在一个可能的设计中,所述电路包括稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接至所述电容与所述第二MOS管的栅极的连接点,另一端接地。
根据本实用新型实施例的一个方面,提供的一种磁保持继电器系统,所述磁保持继电器系统包括磁保持继电器和自锁开关控制磁保持继电器电路,其中,所述自锁开关控制磁保持继电器电路与所述磁保持继电器连接,用于控制所述磁保持继电器的通断。
与相关技术相比,本实用新型实施例提供的一种自锁开关控制磁保持继电器电路及磁保持继电器系统,所述自锁开关控制磁保持继电器电路包括:自锁开关电路和线圈驱动电路;其中:所述自锁开关电路与所述线圈驱动电路连接,用于控制所述线圈驱动电路导通。通过本实用新型实施例,通过自锁开关电路与线圈驱动电路连接,控制线圈驱动电路导通;线圈驱动电路与磁保持继电器连接,控制所述磁保持继电器的通断,从而能明确标识当前磁保持继电器所处的开关状态,让用户能直观看到操作开关的响应状态;外围电路配置简单,通过调节电路中电阻值,可以将电路的待机功耗降至100uA以下,待机功耗低;同时电路使用的器件少,成本低,可靠性高,受使用场景影响少。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种自锁开关控制磁保持继电器电路的结构示意图。
图2为本实用新型实施例提供的一种磁保持继电器系统的结构示意图。
图3为本实用新型实施例提供的一种磁保持继电器系统的电路示意图。
图4为本实用新型实施例提供的一种磁保持继电器系统的电路示意图。
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,以下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
在后续的描述中,使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或“单元”的后缀仅为了有利于本实用新型的说明,其本身没有特定的意义。因此,“模块”、“部件”或“单元”可以混合地使用。
需要说明的是,本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
在一个实施例中,如图1所示,本发明提供一种自锁开关控制磁保持继电器电路,所述电路包括:自锁开关电路10和线圈驱动电路20;其中:
所述自锁开关电路10与所述线圈驱动电路20连接,用于控制所述线圈驱动电路20导通;
所述线圈驱动电路20与磁保持继电器连接,用于控制所述磁保持继电器的通断。
在本实施例中,通过自锁开关电路与线圈驱动电路连接,控制线圈驱动电路导通;线圈驱动电路与磁保持继电器连接,控制所述磁保持继电器的通断,从而能明确标识当前磁保持继电器所处的开关状态,让用户能直观看到操作开关的响应状态;外围电路配置简单,通过调节电路中电阻值,可以将电路的待机功耗降至100uA以下,待机功耗低;同时电路使用的器件少,成本低,可靠性高,受使用场景影响少。
在一个实施例中,如图3所示,所述自锁开关电路10包括开关SW、第一电阻R1、第二电阻R2和第一MOS管Q1;其中:
所述第一MOS管Q1的栅极与所述开关SW的一端连接,所述第一MOS管Q1的源极接地,所述第一MOS管Q1的漏极与参考电源端VCC连接。
所述第一电阻R1与所述第二电阻R2串联组成分压电阻,所述第一电阻R1的一端与所述第二电阻R2的一端连接后与所述第一MOS管Q1的栅极连接,所述第一电阻R1的另一端连接至参考电源端VCC,所述第二电阻R2的另一端接地。
所述开关SW的一端接地,所述开关SW的另一端连接至所述第一电阻R1与所述第二电阻R2的连接点后与所述第一MOS管Q1的栅极连接。
在一个实施例中,如图4所示,所述自锁开关电路10还包括第四电阻R4,所述第四电阻R4的一端与所述开关SW连接,另一端与所述第一MOS管Q1的栅极连接,使得所述开关SW通过第四电阻R4连接至所述第一MOS管Q1的栅极。
优选地,如图4所示,所述自锁开关电路10还包括第三电阻R3,所述第三电阻R3的一端与参考电源端VCC连接,另一端与所述第一MOS管Q1的漏极连接,使得所述第一MOS管Q1的漏极通过所述第三电阻R3连接到至参考电源端VCC。
在一个实施例中,如图3所示,所述线圈驱动电路20包括:电容C1和第二MOS管Q2。其中:
所述第二MOS管Q2的栅极与所述电容C1连接后与所述第一MOS管Q1的漏极连接,所述第二MOS管Q2的源极接地,所述第二MOS管Q2的漏极连接至磁保持继电器30,磁保持继电器30与负载R8连接。
其中,所述电容C1是隔直流通交流。
在一个实施例中,如图4所示,所述线圈驱动电路20还包括第五电阻R5,所述第五电阻R5的一端与磁保持继电器30连接,另一端与所述第二MOS管Q2的漏极连接,使得所述第二MOS管Q2的漏极通过所述第五电阻R5连接到至磁保持继电器30。
在一个实施例中,如图4所示,所述电路包括稳压二极管D1,所述稳压二极管D1的一端连接至所述电容C1与所述第二MOS管Q2的栅极的连接点,另一端接地;所述稳压二级管D1用于限制所述电容C1的脉冲信号输出OUT的电压,保护磁保护继电器30的线圈驱动电路20不被脉冲信号输出OUT损坏。
本发明提供的一种自锁开关控制磁保持继电器电路,其工作过程如下:
合上开关SW,因第四电阻R4在合上SW时与第二电阻R2一起作用于第一MOS管Q1的栅极,使得所述第一电阻R1与所述第二电阻R2串联组成分压电阻值变低,第一MOS管Q1的栅极电平变低,第一MOS管Q1不导通,第一MOS管Q1的漏极被拉高到参考电源VCC的电压,所述参考电源VCC给电容C1充电。由于电容C1的隔直流通交流特性,电容C1的脉冲信号输出OUT端处会产生一高脉冲信号,通过该高脉冲信号控制驱动第二MOS管Q2导通,驱动磁保持继电器30的线圈的导通,从而可以实现磁保持继电器的线圈的导通。
断开开关SW,使得所述第一电阻R1与所述第二电阻R2串联组成分压电阻值作用于第一MOS管Q1的栅极,使第一MOS管Q1的栅极电平变高,第一MOS管Q1导通,第一MOS管Q1漏极输出电压给电容C1,该电压给电容C5充电,由于电容的隔直流通交流特性,脉冲信号输出OUT端处会产生一低脉冲信号,通过该高脉冲信号控制驱动第二MOS管Q2截止,驱动磁保持继电器30的线圈断开,从而可以实现磁保持继电器的线圈断开。
在一个实施例中,如图2所示,本发明提供一种磁保持继电器系统,所述磁保持继电器系统包括磁保持继电器200和如上任一实施例所述的自锁开关控制磁保持继电器电路100,其中,所述自锁开关控制磁保持继电器电路100与所述磁保持继电器200连接,用于控制所述磁保持继电器200的通断。
在本磁保持继电器系统的实施例中,所述磁保持继电器系统包括所述自锁开关控制磁保持继电器电路100,与前面任一实施例所述的自锁开关控制磁保持继电器电路100是相同的,在此,不再重复描述。
在本实施例中,通过自锁开关电路与线圈驱动电路连接,控制线圈驱动电路导通;线圈驱动电路与磁保持继电器连接,控制所述磁保持继电器的通断,从而能明确标识当前磁保持继电器所处的开关状态,让用户能直观看到操作开关的响应状态;外围电路配置简单,通过调节电路中电阻值,可以将电路的待机功耗降至100uA以下,待机功耗低;同时电路使用的器件少,成本低,可靠性高,受使用场景影响少。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
上述本实用新型实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件,但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解,本实用新型的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中,包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机,计算机,服务器,空调器,或者网络设备等)执行本实用新型各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本实用新型的实施例进行了描述,但是本实用新型并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下,在不脱离本实用新型宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,这些均属于本实用新型的保护之内。
Claims (7)
1.一种自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述自锁开关控制磁保持继电器电路包括:自锁开关电路和线圈驱动电路;其中:所述自锁开关电路与所述线圈驱动电路连接,用于控制所述线圈驱动电路导通;所述自锁开关电路包括开关、第一电阻、第二电阻和第一MOS管;其中:
所述第一MOS管的栅极与所述开关的一端连接,所述第一MOS管的源极接地,所述第一MOS管的漏极与参考电源端连接;
所述第一电阻与所述第二电阻串联组成分压电阻,所述第一电阻的一端与所述第二电阻的一端连接后与所述第一MOS管的栅极连接,所述第一电阻的另一端连接至参考电源端,所述第二电阻的另一端接地;
所述开关的一端接地,所述开关的另一端连接至所述第一电阻与所述第二电阻的连接点后与所述第一MOS管的栅极连接。
2.如权利要求1所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述自锁开关电路还包括第四电阻,所述第四电阻的一端与所述开关连接,另一端与所述第一MOS管的栅极连接。
3.如权利要求1所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述自锁开关电路还包括第三电阻,所述第三电阻的一端与参考电源端连接,另一端与所述第一MOS管的漏极连接。
4.如权利要求1所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述线圈驱动电路包括电容和第二MOS管;其中:
所述第二MOS管的栅极与所述电容连接后与所述第一MOS管的漏极连接,所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的漏极连接至磁保持继电器。
5.如权利要求4所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述线圈驱动电路还包括第五电阻,所述第五电阻的一端与磁保持继电器连接,另一端与所述第二MOS管的漏极连接,使得所述第二MOS管的漏极通过所述第五电阻连接到至磁保持继电器。
6.如权利要求4所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其特征在于,所述电路包括稳压二极管,所述稳压二极管的一端连接至所述电容与所述第二MOS管的栅极的连接点,另一端接地。
7.一种磁保持继电器系统,其特征在于,所述磁保持继电器系统包括磁保持继电器和如权利要求1至6任一项所述的自锁开关控制磁保持继电器电路,其中,所述自锁开关控制磁保持继电器电路与所述磁保持继电器连接,用于控制所述磁保持继电器的通断。
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
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Address after: 518000 Room 401, block D, building 7, Shenzhen International Innovation Valley, Dashi 1st Road, Xili community, Xili street, Nanshan District, Shenzhen, Guangdong Patentee after: JUXING TECHNOLOGY (SHENZHEN) Co.,Ltd. Address before: 518000 building 101, building R3b, Gaoxin industrial village, No.018, Gaoxin South 7th Road, community, high tech Zone, Yuehai street, Nanshan District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: JUXING TECHNOLOGY (SHENZHEN) Co.,Ltd. |
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