CN2142835Y - 用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器 - Google Patents

用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器 Download PDF

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Abstract

本实用新型涉及一种渗透膜水处理系统中防止 膜结垢、淤塞的预处理装置——强化消毒防垢助渗 器,该助渗器由超声波发生器通过连接器与永磁发生 器组成。本实用新型装在紫外线消毒工序前以高磁 场强化消毒效果,并在被处理水进膜前对水施加超声 波高磁场,借以对膜起到防垢助渗作用,使得整套膜 法水处理系统能高效长久的运行,解决了目前盐类、 微生物对膜较快淤塞之弊。

Description

本实用新型涉及渗透膜水处理系统中防止膜结垢、淤塞的予处理装置——强化消毒防垢助渗器。
目前,渗透膜用于特种水及溶剂的处理已进入广泛实用性阶段,因它不需加热即可将各类溶液中的溶质、微生物进行有效的分离,且不发生相    的变化,因为,具有耗能少,体积小,设备简单,操作运行相对较方便。应用领域亦广泛等优点,在水处理领域,它已占相当重要的地位,但在实际运行中,都仍存在着系统待完善的技术问题,主要有:当水中成垢溶质(如CaSO4、CaCO3等)含量高或水温高时,膜的使用效果会受到威胁。为此,需采用相当复杂的除盐、软化装置加以适应;目前,我国尚无适应膜需要的简捷经济的灭菌器,现有防止膜被微生物侵蚀及淤塞的处理技术工序复杂,操作烦琐,安全保证性差。
本实用新型的目的则是针对上述存在的问题,设计了一种对被处理水施加超声波高磁场,借以对膜起到防垢助渗作用,使得整套膜法水处理系统能高效长久运行的强化消毒防垢助渗器。
本实用新型的技术解决方案:
一种用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器,其特征是超声波发生器通过连接器6与永磁发生器相连。
本实用新型与现有技术相比具有如下优点:
        超声波与高磁场(磁场强度按水质含盐组分及含量确定)相结合对水的予处理,能得到高分散、溶解、渗透能力的磁化水,这是因为水中成垢物质(CaCO3、CaHCO3、CaSO4、NaCl、CaCl2、Ca(OH)2、MgSO4、MgCO3等)多为高反磁性物质,在高磁场作用下,晶体分子被诱导极化,结晶体内部向心力遭到破坏,结晶易呈松散结构,呈水合络离子存在的有结垢倾向的基质,在磁化水中呈稳定络离子不易结合成垢,生产实践证明,磁化水结垢倾向降低了30%-60%,磁化前经超声波予处理防垢效果提高,测试结果表明:成垢量可再减少20%以上;强化消毒防垢助渗器本身具有杀菌作用,协同紫外线消毒器使用,灭菌效率可达99.8%,另该产品对膜的渗透效果有明显的改善,测试表明,海水膜的回收率可提高2%-4%;本实用新型成本低,制作简单,轻便耐用,在系统中效果稳定,几乎不需进行操作。
图1是本实用新型结构示意图。
图2是本实用新型在海水反渗透淡化处理系统中安装位置示意图。
下面结合附图对本实用新型作进一步描述:
本实用新型由超声波发生元件1,波及器2,不同强度的永磁发生材料3,磁场传导器4、PVC外套5以及连接器6,接地线7等组成,管道8和整个膜法水处理系统相连通,永磁发生器与被处理的水无直接接触,只有磁场的传递。
由图可知,超声波发生器由超声波发生元件1,波及器2组成,永磁发生器由不同强度的永磁发生材料3,磁场传导器4,PVC外套5以及连接器6,接地线7组成,永磁发生材料3上带有磁场传导器4,外套有PVC外套5。超声波发生器和永磁发生器可以单独组合用于膜法水处理工序中,根据被处理原水离子含量及硫酸盐与碳酸盐的比例关系,配备适应的永磁发生器,一般磁场强度在2300-10000高斯或更高,该产品材质采用硅铸铁(永磁发生器除外)。
被处理水先通过超声波发生元件1,进入波及器2,紧接着流过由永磁发生材料3及磁场传导器4组成的强磁场,经此予处理,水中的成垢物质得到稳定且纯水分子有序排列使得对膜的渗透性得到增高。磁场传导器4是传磁材料做的导磁片和导磁管道所组成,水自管内流过。
本实用新型一般置于消毒器前和膜进水管路上。
图2中9为取水头部带初滤器,10为紫外线消毒器,11为保安精滤器,12为高压泵,13为渗透膜,14为冲洗清洗泵,Ⅰ为纤维旋洗过滤器,Ⅱ为强化消毒防垢助渗器。

Claims (4)

1、一种用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器,其特征是超声波发生器通过连接器(6)与永磁发生器相连。
2、根据权利要求1所述的用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器,其特征是超声波发生器由超声波发生元件(1),滤波器(2)组成。
3、根据权利要求1所述的用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器,其特征是永磁发生器由不同强度的永磁发生材料(3),磁场传导器(4)、PVC外套(5)以及连接器(6),接地线(7)组成。
4、根据权利要求3所述的用于膜法水处理的强化消毒防垢助渗器,其特征是永磁发生材料(3)上带有磁场传导器(4),外套有PVC外套(5)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101844824A (zh) * 2010-04-28 2010-09-29 孙臣军 多功能磁超处理器
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