CN214223974U - Iic位移传感器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种IIC位移传感器，通过输出端采用IIC电气结构与采用200KHZ模数转换器，实现高灵敏度和高精度，使IIC位移传感器数据输出时效高，通讯简单，方便应用，同时，通过该IIC位移传感器采用宽电压DC2.8～3.6V输入,使该IIC位移传感器对电压有高适应性，更加便捷和方便，另通过微处理器采用MSP430系列芯片，使该IIC位移传感器实现超低功耗，满足电池供电的需求，更加节能，节约成本，寿命更长。

Description

IIC位移传感器

技术领域

本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及IIC位移传感器。

背景技术

传感器(英文名称：transducer/sensor)是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。

其中，位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量，主要测试距离和伸缩位移。

但是，随着计算机技术和微电子技术的迅速发展，人们对位移传感器的需求越来越广也越来越多，所以，一款对电压的有高适应性、数据输出时效性高的、寿命长、灵敏度高、且低功耗、通讯简单应用方便、调试方便简单的位移传感器是人们所追求的方向。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种IIC位移传感器，具体技术方案如下所示：

一种IIC位移传感器，其特征在于，包括：一壳体，所述壳体呈圆柱筒状，中部具有一空腔；于空腔中设置有一IIC位移传感器，IIC位移传感器包括一加长杆，根据加长杆的位移量进行位移检测；

IIC位移传感器还具有一输出端，输出端将所述IIC位移传感器检测到的位移量转换为数字信号并进行输出。

优选的，该IIC位移传感器输出端采用IIC电气机构。

优选的，该IIC位移传感器还包括一微处理器；

微处理器采用MSP430系列芯片。

优选的，该IIC位移传感器还包括一模数转换器；

模数转换器采用200KHZ模数转换器。

优选的，该IIC位移传感器采用宽电压DC2.8～3.6V输入。

优选的，加长杆与IIC位移传感器之间还设有一接管嘴，接管嘴设于壳体的一端。

优选的，输出端位于壳体背离接管嘴的一端。

优选的，还包括一保护套管，保护套管设于壳体内部靠近输出端的一端。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

通过输出端采用IIC电气结构与采用200KHZ模数转换器，实现高灵敏度和高精度，使IIC位移传感器数据输出时效高，通讯简单，方便应用，同时，通过该传感器采用宽电压DC2.8～3.6V输入,使该传感器对电压有高适应性，更加便捷和方便，另通过微处理器采用MSP430系列芯片，使该IIC位移传感器实现超低功耗，满足电池供电的需求，更加节能，节约成本，寿命更长。

附图说明

图1为本实用新型一种IIC位移传感器的结构图；

图2为本实用新型的电路结构示意图；

图3为本实用新型的温度补偿电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种IIC位移传感器，具体技术方案如下所示：

实施例一

壳体6呈圆柱筒状，中部具有一空腔，于空腔中设置有一IIC位移传感器7，IIC位移传感器7包括一加长杆1，根据加长杆1的位移量进行位移检测，IIC位移传感器7还具有一输出端5，输出端5将IIC位移传感器7检测到的位移量转换为数字信号并进行输出。

通过改变杆的位置，来检查位移量。传感器本身输出的电压信号，当检测到电压信号变化后；电压信号也会产生相应的变化，在通过传感器计算得到位移距离数据。

实施例二

输出端5采用IIC电气机构；IIC位移传感器7还包括一微处理器，微处理器采用MSP430系列芯片；IIC位移传感器7还包括一模数转换器；模数转换器采用200KHZ模数转换器；IIC位移传感器7采用宽电压DC2.8～3.6V 输入。

IIC位移传感器7采用宽电压DC2.8～3.6V输入，即对2.8伏-3.6伏之间的电压波动有很强的适应性，不论是城市用电高峰，还是边远地区供电不足均能正常运转；同时采用标准的IIC协议，用于连接微控制器，具有接口线少，控制方式简单，器件封装形式小，通信速率较高等优点，从而实现高灵敏度。另外，微处理器采用MSP430系列芯片，利用软件来选择低功耗模式 3，实现睡眠情况下小于0.5uA，工作电流在1.8mA左右，加上MOS管控制 IIC位移传感器7探头电路驱动电路，实现超低功耗，满足电池供电的需求，最后，IIC位移传感器7采用的模数转换器是200KHZ高速模数转换器，用于高速将传感器输出的电压信号转换成数字信号，通过计算得到位移距离数据，实现高精度。

于上述实施例2中，该IIC位移传感器的电路结构示意图，如图2所示，其中AO3401作为MOS管实现对于其他电路的开关控制；于电源管理部分， 2.8V提提供AD供电，1.25V提供给IIC位移传感器供电，实现IIC位移传感器的低功耗设计要求。

于上述实施例2中，该种IIC位移传感器还具有一温度补偿电路，如图 3所示，该种温度补偿电路能够根据室温变化对测量精度进行进一步补偿矫正，提升了该种IIC位移传感器整体的测量精度。进一步地，该种温度补偿电路采用高精度的量块对测量精度进行标定验证，从而能够实现高达10μm 的精度，并且使得使用寿命高达100万次。

实施例三

加长杆1与IIC位移传感器7之间还设有一接管嘴2，接管嘴2设于壳体6的一端。

在加长杆1运动时，可能会由于操作失误导致加长杆损坏，所以在加长杆1和IIC位移传感器7之间设置一个接管嘴2以保护加长杆1，避免加长杆1损坏和磨损，进而节约材料成本，提高效率。

实施例四

输出端5位于壳体6背离接管嘴2的一端，另还包括一保护套管4，保护套管4设于壳体6内部靠近输出端5的一端。

由于加长杆1贯穿壳体6，同时导线会经过加长杆运动的空间，有时可能加长杆1缠会绕到导线，从而导致故障，所以，保护套是防止导线乱动，进而保护导线，减少故障的发生，节约材料成本。

以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (8)

1.IIC位移传感器，其特征在于，包括：

一壳体，所述壳体呈圆柱筒状，中部具有一空腔；

于所述空腔中设置有一IIC位移传感器，所述IIC位移传感器包括一加长杆，根据所述加长杆的位移量进行位移检测；

所述IIC位移传感器还具有一输出端，所述输出端将所述IIC位移传感器检测到的位移量转换为数字信号并进行输出。

2.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述输出端采用IIC电气机构。

3.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述IIC位移传感器还包括一微处理器；

所述微处理器采用MSP430系列芯片。

4.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述IIC位移传感器还包括一模数转换器；

所述模数转换器采用200KHZ模数转换器。

5.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述IIC位移传感器采用宽电压DC2.8～3.6V输入。

6.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述加长杆与IIC位移传感器之间还设有一接管嘴，所述接管嘴设于壳体的一端。

7.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，所述输出端位于壳体背离接管嘴的一端。

8.如权利要求1所述的IIC位移传感器，其特征在于，还包括一保护套管，所述保护套管设于壳体内部靠近输出端的一端。

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