CN214205489U - 电磁阀驱动装置、电控设备及发动机 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及电磁阀驱动装置、电控设备及发动机，所述电路包括第一驱动模块、第二驱动模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电磁阀及第零二极管，第一驱动模块用于输出第一控制信号，第二驱动模块用于输出第二控制信号、第三控制信号，所述第一晶体管、第二晶体管的源极电连接于电磁阀的第一端；所述第三晶体管的漏极电连接于所述电磁阀的第二端，所述第三晶体管的源极接地，通过以上电路，本实用新型实施例可以利用第一驱动模块输出第一控制信号，利用第二驱动模块输出第二控制信号、第三控制信号，分别对第一晶体管、第二晶体管、三晶体管的导通情况进行控制，从而对喷射电磁阀进行精确控制、提高了喷射电磁阀的工作效率。

Description

电磁阀驱动装置、电控设备及发动机

技术领域

本实用新型涉及发动机技术领域，尤其涉及一种电磁阀驱动装置、电控设备及发动机。

背景技术

发动机，尤其是高压共轨发动机，通常利用喷射电磁阀控制喷油量，为了提高发动机控制的精确性，并达到省油的目的，对喷射电磁阀进行精确控制、提高喷射电磁阀的工作效率具有重要意义。

实用新型内容

技术问题

有鉴于此，本实用新型要解决的技术问题是，如何提供一种电磁阀驱动装置、电控设备及发动机，对喷射电磁阀进行精确控制、提高喷射电磁阀的工作效率。

解决方案

为了解决上述技术问题，根据本实用新型的一实施例，提供了一种电磁阀驱动装置，其特征在于，所述电路包括第一驱动模块、第二驱动模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电磁阀、第零二极管，其中，

所述第一驱动模块的输出端电连接于所述第一晶体管的栅极，用于输出第一控制信号，以控制所述第一晶体管的导通状态；

所述第二驱动模块的第一输出端电连接于所述第二晶体管的栅极，用于输出第二控制信号，以控制所述第二晶体管的导通状态；

所述第二驱动模块的第二输出端电连接于所述第三晶体管的栅极，用于输出第三控制信号，以控制所述第三晶体管的导通状态；

所述第一晶体管的漏极用于接收第一电压，所述第一晶体管的源极电连接于电磁阀的第一端；

所述第二晶体管的漏极用于接收第二电压，所述第二晶体管的源极电连接于所述电磁阀的第一端；

所述第三晶体管的漏极电连接于所述电磁阀的第二端及所述第一二极管的正极端，所述第三晶体管的源极接地，

所述第一二极管的负极端电连接于输出所述第一电压的电源模块，用于在所述第三晶体管断开时，将所述电磁阀中产生的反电动势能输出到所述电源模块，

其中，所述第一电压高于所述第二电压。

在一种可能的实施方式中，所述第一驱动模块包括第一驱动单元、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第一电容、第二电容、第三电容，其中，

所述第一驱动单元的电源端电连接于所述第一电容的第一端、所述第一二极管的正极端，用于输入电源电压，

所述第一驱动单元的接地端电连接于所述第一电容的第二端并接地，

所述第一驱动单元的高边浮地供电端电连接于所述第一二极管的阴极端及所述第二电容的第一端，

所述第一驱动单元的高边浮地端电连接于所述第二电容的第二端、所述第二电阻的第二端、所述第三电阻的第二端、所述第三电容的第二端及所述电磁阀的第一端，

所述第一驱动单元的第一信号输入端，用于接收第一逻辑信号，

所述第一驱动单元的第一信号输出端，用于输出根据所述第一逻辑信号得到的第一控制信号，

所述第一驱动单元的第一信号输出端电连接于所述第一电阻的第一端，

所述第一电阻的第二端电连接于所述第二电阻的第一端及所述第一晶体管的栅极，作为所述第一驱动模块的第一输出端输出所述第一控制信号到所述第一晶体管，

所述第三电阻的第一端电连接于所述第四电阻的第一端及所述第三晶体管的源极，

所述第四电阻的第二端电连接于所述第三电容的第一端及所述第一驱动单元的电流采样端。

在一种可能的实施方式中，所述第二驱动模块包括第二驱动单元、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二二极管、第三二极管、第四电容、第五电容，其中，

所述第二驱动单元电源端电连接于所述第四电容的第一端、所述第二二极管的正极端，用于接收电源电压，

所述第二驱动单元的接地端及所述第四电容的第二端接地，

所述第二驱动单元的高边浮地供电端电连接于所述第二二极管的负极端及所述第五电容的第一端，

所述第二驱动单元的高边浮地端电连接于所述第五电容的第二端、所述第六电阻的第二端、所述第三二极管的第一端及所述第二晶体管的源极，所述第三二极管的第二端电连接于所述电磁阀的第一端，所述第三二极管的第三端接地，

所述第二驱动单元的第一信号输入端，用于接收第二逻辑信号，

所述第二驱动单元的第一信号输出端，用于输出根据所述第二逻辑信号得到的第二控制信号，

所述第二驱动单元的第一信号输出端，电连接于所述第五电阻的第一端，所述第五电阻的第二端电连接于所述第六电阻的第一端及所述第二晶体管的栅极，作为所述第二驱动模块的第一输出端，输出所述第二控制信号，

所述第二驱动单元的第二信号输入端，用于接收第三逻辑信号，

所述第二驱动单元的第二信号输出端，用于输出根据所述第三逻辑信号得到的第三控制信号，

所述第二驱动单元的第二信号输出端，电连接于所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端电连接于所述第八电阻的第一端及所述第三晶体管的栅极，作为所述第二驱动模块的第二输出端，输出所述第三控制信号，

所述第八电阻的第二端电连接于所述第三晶体管的源极。

在一种可能的实施方式中，电路还包括电流采样模块，所述电流采样模块电连接于所述第三晶体管的源极，用于对所述电磁阀的电磁阀电流进行采样，得到采样电流。

在一种可能的实施方式中，所述电流采样模块包括第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第一运算放大器、第六电容、第七电容、第八电容、第四二极管，其中，

所述第九电阻的第一端电连接于所述第十电阻的第一端及所述第三晶体管的源极，所述第九电阻的第二端电连接于所述第十一电阻的第一端、所述第十二电阻的第一端，并接地，

所述第十电阻的第二端电连接于所述第一运算放大器的正向输入端、所述第十二电阻的第二端，

所述第十一电阻的第二端电连接于所述第一运算放大器的负向输入端、第十三电阻的第一端，

所述第一运算放大器的输出端电连接于所述第十三电阻的第二端及所述第十四电阻的第一端，

所述第一运算放大器的电源端电连接于所述第六电容的第一端、所述第七电容的第一端，用于接收电源电压，

所述第一运算放大器的地端接地，

所述第七电容的第二端及所述第六电容的第二端接地，

所述第十四电阻的第二端电连接于所述第四二极管的第一端及所述第八电容的第一端，用于输出所述采样电流，所述第四二极管的第二端用于接收电源电压，

所述第八电容的第二端、所述第四二极管的第三端接地。

根据本实用新型的另一方面，提出了一种电控设备，所述电控设备包括所述的电磁阀驱动装置。

根据本实用新型的另一方面，提出了一种发动机，所述发动机包括所述的电控设备。

对于上述装置，在一种可能的实施方式中，

有益效果

通过以上电路，本实用新型实施例可以利用第一驱动模块输出第一控制信号，利用第二驱动模块输出第二控制信号、第三控制信号，分别对第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管的导通情况进行控制，从而对喷射电磁阀进行精确控制、提高了喷射电磁阀的工作效率，并且，本实用新型实施例通过第零二极管在所述第三晶体管断开时，将所述电磁阀中产生的反电动势能输出到外部的电源模块，可以对电源模块充电，将电能回收利用，提高了电能的利用效率。

根据下面参考附图对示例性实施例的详细说明，本实用新型的其它特征及方面将变得清楚。

附图说明

包含在说明书中并且构成说明书的一部分的附图与说明书一起示出了本实用新型的示例性实施例、特征和方面，并且用于解释本实用新型的原理。

图1示出了根据本实用新型一实施例的电磁阀驱动装置的示意图。

图2示出了根据本实用新型一实施例的控制信号的示意图。

图3示出了根据本实用新型一实施例的电磁阀驱动装置的示意图。

具体实施方式

以下将参考附图详细说明本实用新型的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面，但是除非特别指出，不必按比例绘制附图。

在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。

另外，为了更好的说明本实用新型，在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解，没有某些具体细节，本实用新型同样可以实施。在一些实例中，对于本领域技术人员熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述，以便于凸显本实用新型的主旨。

请参阅图1，图1示出了根据本实用新型一实施例的电磁阀驱动装置的示意图。

如图1所示，电磁阀L801驱动电路，其特征在于，所述电路包括第一驱动模块10、第二驱动模块20、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、电磁阀L801、第零二极管D0，其中，

所述第一驱动模块10的输出端电连接于所述第一晶体管Q1的栅极，用于输出第一控制信号，以控制所述第一晶体管Q1的导通状态；

所述第二驱动模块20的第一输出端电连接于所述第二晶体管Q2的栅极，用于输出第二控制信号，以控制所述第二晶体管Q2的导通状态；

所述第二驱动模块20的第二输出端电连接于所述第三晶体管Q3的栅极，用于输出第三控制信号，以控制所述第三晶体管Q3的导通状态；

所述第一晶体管Q1的漏极用于接收第一电压VBOOS，所述第一晶体管Q1的源极电连接于电磁阀L801的第一端；

所述第二晶体管Q2的漏极用于接收第二电压VBAT，所述第二晶体管Q2的源极电连接于所述电磁阀L801的第一端；

所述第三晶体管Q3的漏极电连接于所述电磁阀L801的第二端及所述第零二极管D0的正极端，所述第三晶体管Q3的源极接地，

所述第零二极管D0的负极端电连接于输出所述第一电压VBOOS的电源模块，用于在所述第三晶体管Q3断开时，将所述电磁阀L801中产生的反电动势能输出到所述电源模块，

其中，所述第一电压VBOOS高于所述第二电压VBAT。

通过以上电路，本实用新型实施例可以利用第一驱动模块输出第一控制信号，利用第二驱动模块输出第二控制信号、第三控制信号，分别对第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管的导通情况进行控制，从而对喷射电磁阀进行精确控制、提高了喷射电磁阀的工作效率，并且，本实用新型实施例通过第零二极管在所述第三晶体管断开时，将所述电磁阀中产生的反电动势能输出到外部的电源模块，可以对电源模块充电，将电能回收利用，提高了电能的利用效率。

在一种可能的实施方式中，产生第一电压的、第二电压的外部电源模块可以利用相关技术实现，例如可以包括DC-DC升压泵。

在一个示例中，第零二极管D0可以用于：当电磁阀产生比较大的反电动势时，第零二极管D0单向导通，将电流泄放给DC-DC升压泵的输出。

本实用新型实施例利用第零二极管D0可以实现电能管理，回收电能到电源模块，提高了电能的利用效率，其中，第三晶体管Q3一方面可以控制驱动电路是否有效(当第三晶体管Q3导通时，驱动电路工作)，另一方面，第三晶体管Q3可以控制电磁阀存储电能的放电方向，当电磁阀产生比较大的反电动势时，第零二极管D0单向导通，将电流泄放给DC-DC升压泵的输出，实现了电能管理。

在一种可能的实施方式中，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3均可以为MOS管。

请参阅图2，图2示出了根据本实用新型一实施例的控制信号的示意图。

在一种可能的实施方式中，如图2所示，通过第一驱动模块10输出第一控制信号，通过第二驱动模块20输出第二控制信号、第三控制信号，对第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3的导通情况进行控制，可以通过电磁阀L801产生喷射电流，其中，喷射电流的输出可以包括3个重要的阶段：

电流快速拉升阶段(对应图2中的第2阶段)，在该阶段中，第一驱动模块10输出第一控制信号控制第一晶体管Q1导通，利用外部电源模块(DC/DC升压模块)产生的第一电压VBOOS使电磁阀L801线圈中的电流快速提升。

高电流调制阶段(对应图2中的第3阶段)，在该阶段中，第一驱动模块10输出第一控制信号控制第一晶体管Q1断开，第二驱动模块20输出的第二控制信号较大占空比的信号，控制第二晶体管Q2处于导通-断开的间歇性状态，实现电流调制，此阶段对应电磁阀L801闭合的过程。

低电流调制阶段(对应图2中的第4阶段)，在该阶段中，电磁阀L801已完全闭合，只需较小电流即可维持闭合状态，因此，第二驱动模块20输出的第二控制信号为较小占空比的信号，控制第二晶体管Q2处于导通-断开的间歇性状态，实现电流调制。

在第2阶段、第3阶段及第4阶段，第二驱动模块20输出第三控制信号控制第三晶体管Q3导通，以使得驱动电路正常工作。

下面对所述电路各个模块的可能实现方式进行示例性介绍。

请参阅图3，图3示出了根据本实用新型一实施例的电磁阀驱动装置的示意图。

在一种可能的实施方式中，如图3所示，所述第一驱动模块10包括第一驱动单元U1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一二极管D1、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3，其中，

所述第一驱动单元U1的电源端VCC电连接于所述第一电容C1的第一端、所述第一二极管D1的正极端，用于输入电源电压(如12V电压)，

所述第一驱动单元U1的接地端VSS电连接于所述第一电容C1的第二端并接地GNDP，

所述第一驱动单元U1的高边浮地供电端VB电连接于所述第一二极管D1的阴极端及所述第二电容C2的第一端，

所述第一驱动单元U1的高边浮地端VS电连接于所述第二电容C2的第二端、所述第二电阻R2的第二端、所述第三电阻R3的第二端、所述第三电容C3的第二端及所述电磁阀L801的第一端，

所述第一驱动单元U1的第一信号输入端，用于接收第一逻辑信号HVHS，

所述第一驱动单元U1的第一信号输出端HO，用于输出根据所述第一逻辑信号HVHS得到的第一控制信号，

所述第一驱动单元U1的第一信号输出端HO电连接于所述第一电阻R1的第一端，

所述第一电阻R1的第二端电连接于所述第二电阻R2的第一端及所述第一晶体管Q1的栅极，作为所述第一驱动模块10的第一输出端输出所述第一控制信号到所述第一晶体管Q1，

所述第三电阻R3的第一端电连接于所述第四电阻R4的第一端及所述第三晶体管Q3的源极，

所述第四电阻R4的第二端电连接于所述第三电容C3的第一端及所述第一驱动单元U1的电流采样端CS。

在一个示例中，第一驱动单元U1可以为栅极驱动器，当然，本实用新型实施例对栅极驱动器的具体型号不做限定，本领域技术人员可以根据需要选择。

例如，栅极驱动器可以为带电流检测的芯片A。

带电流检测的芯片A的特性如下：

浮地电压可达600V；

欠压锁定功能

过电流保护及指示功能；

输入逻辑兼容多种电平，包括3.3V、5V和15V。

芯片A各引脚的功能描述如表1所示：

表1

其中，芯片A上的引脚CS可以用于电流检测，当引脚CS相对于引脚VS的电压大于阈值电压时，输出级会关断。输出级因电流过大而关断时，引脚FA电平会变低。

应该说明的是，本实用新型实施例可以采用多种方式进行电流检测，例如，可以采用基于MOS管导通内阻进行电流检测，基于MOS管导通内阻进行电流反馈的优势在于功耗较低。也可以采用基于采样电阻进行电流检测，基于采样电阻进行电流反馈的优势在于电路性能受温度影响小。

本实用新型实施例采用基于采样电阻的方式，如图3所示，第四电阻R4可以作为采样电阻，第一驱动单元U1可以通过电流采样端CS获取流经第四电阻R4的电流，以得到采样电流。在一种可能的实施方式中，如图3所示，所述第二驱动模块20包括第二驱动单元U2、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第二二极管D2、第三二极管D3、第四电容C4、第五电容C5，其中，

所述第二驱动单元U2电源端VCC电连接于所述第四电容C4的第一端、所述第二二极管D2的正极端，用于接收电源电压，

所述第二驱动单元U2的接地端COM及所述第四电容C4的第二端接地，

所述第二驱动单元U2的高边浮地供电端VB电连接于所述第二二极管D2的负极端及所述第五电容C5的第一端，

所述第二驱动单元U2的高边浮地端VS电连接于所述第五电容C5的第二端、所述第六电阻R6的第二端、所述第三二极管D3的第一端及所述第二晶体管Q2的源极，所述第三二极管D3的第二端电连接于所述电磁阀L801的第一端，所述第三二极管D4的第三端接地，

所述第二驱动单元U2的第一信号输入端HIN，用于接收第二逻辑信号LVHS，

所述第二驱动单元U2的第一信号输出端HO，用于输出根据所述第二逻辑信号LVHS得到的第二控制信号，

所述第二驱动单元U2的第一信号输出端HO，电连接于所述第五电阻R5的第一端，所述第五电阻R5的第二端电连接于所述第六电阻R6的第一端及所述第二晶体管Q2的栅极，作为所述第二驱动模块20的第一输出端，输出所述第二控制信号，

所述第二驱动单元U2的第二信号输入端LIN，用于接收第三逻辑信号LS，

所述第二驱动单元U2的第二信号输出端LO，用于输出根据所述第三逻辑信号LS得到的第三控制信号，

所述第二驱动单元U2的第二信号输出端LO，电连接于所述第七电阻R7的第一端，所述第七电阻R7的第二端电连接于所述第八电阻R8的第一端及所述第三晶体管Q3的栅极，作为所述第二驱动模块20的第二输出端，输出所述第三控制信号，

所述第八电阻R8的第二端电连接于所述第三晶体管Q3的源极。

在一个示例中，第三二极管D3可以为一个三通的二极管，示例性的，第三二极管D3可以由多个二极管组成，例如，如图3所示，第三二极管D3可以有两个并联的二极管封装组成。

在一个示例中，第二驱动单元U2可以为栅极驱动器，当然，本实用新型实施例对栅极驱动器的具体型号不做限定，本领域技术人员可以根据需要选择。

例如，栅极驱动器可以选择例集成了单高边(第一控制信号)和单低边(第三控制信号)的驱动芯片B，其中，驱动芯片B特性如下：最高浮地电压可达600V；高边和低边通道均带有欠压锁定功能；逻辑输入引脚兼容3.3V、5V和15V电平；驱动芯片B引脚描述如表2所示：

表2

编号	名称	引脚类型	功能
				1	VCC	电源	为低边及逻辑电路供电
2	HIN	输入	与高边驱动输出对应的逻辑输入；与HO引脚同相
				3	LIN	输入	与低边驱动输出对应的逻辑输入；与LO引脚同相
4	COM	电源	地
				5	LO	输出	低边MOS管驱动输出
6	VS		高边浮地
				7	HO	输出	高边MOS管驱动输出
8	VB		高边浮地供电

当然，以上对栅极驱动器的描述是示例性的，不应视为是对本实用新型的限定。

在一种可能的实施方式中，电路还包括电流采样模块，所述电流采样模块电连接于所述第三晶体管Q3的源极，用于对所述电磁阀L801的电磁阀L801电流进行采样，得到采样电流。

在一种可能的实施方式中，所述电流采样模块包括第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第一运算放大器AP、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第四二极管D4，其中，

所述第九电阻R9的第一端电连接于所述第十电阻R10的第一端及所述第三晶体管Q3的源极，所述第九电阻R9的第二端电连接于所述第十一电阻R11的第一端、所述第十二电阻R12的第一端，并接地GNDP，

所述第十电阻R10的第二端电连接于所述第一运算放大器AP的正向输入端、所述第十二电阻R12的第二端，

所述第十一电阻R11的第二端电连接于所述第一运算放大器AP的负向输入端、第十三电阻R13的第一端，

所述第一运算放大器AP的输出端电连接于所述第十三电阻R13的第二端及所述第十四电阻R14的第一端，

所述第一运算放大器AP的电源端电连接于所述第六电容C6的第一端、所述第七电容C7的第一端，用于接收电源电压(如5V电压V5A)，

所述第一运算放大器的地端接地GNDP，

所述第七电容C7的第二端及所述第六电容C6的第二端接地GNDA，

所述第十四电阻R14的第二端电连接于所述第四二极管D4的第一端及所述第八电容C8的第一端，用于输出所述采样电流In，所述第四二极管D4的第二端用于接收电源电压V5A，

所述第八电容C8的第二端、所述第四二极管D4的第三端端接地GNDA。

在一个示例中，第四二极管D4可以为一个三通的二极管，示例性的，第四二极管D4可以包括多个二极管，如图3所示，第四二极管D4可以由两个二极管串联封装而成，可以作为钳位二极管，其中，上管可以用于高电压电位，下管可以用于低电压钳位。

通过所述电流采样模块，本实用新型实施例可以对电磁阀的电流进行采样，得到采样电流，以对电磁阀电流进行检测、监控，并可以基于采样电流得到反馈，对第一驱动单元、第二驱动单元的输入的逻辑信号进行调整。

应该说明的是，本实用新型实施例对第一驱动单元、第二驱动单元的输入的逻辑信号的产生方式、调整方式均不作限定，本领域技术人员可以根据相关技术实现。

下面对图3所示的各个元器件的功能进行示例性介绍。

第三二极管D3可以将第二晶体管Q2导通时的第二电压(低压高边电压)VBAT施加在电磁阀L801上，同时避免电磁阀关闭时反电动势对低压高边的影响。

第一电阻R1、第五电阻R5与第七电阻R7的作用可以防止晶体管的栅极与源极之间产生电压振荡的阻尼电阻。

第二电阻R2、第六电阻R6与第八电阻R8可以充当正激变换器的假负载，一是为MOS管提供偏置电压；二是用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通；三是起到泄放电阻的作用，保护栅极G-源极S。MOS管的栅极G与源极S间的电阻是很大的，只要有少量的静电就能使栅极G与源极S的极间等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把这些少量的静电泄放掉，两端的高压就有可能使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿其栅极G与源极S，这时栅极G与源极S之间加的电阻就能把上述的静电泄放掉，从而起到了保护MOS管的作用。

当然，第二电阻R2、第六电阻R6与第八电阻R8是基于电阻的保护，在其他的实施方式中，还可以利用稳压二极管实现保护，例如，可以在第二电阻R2、第六电阻R6与第八电阻R8上并联稳压二极管，或者利用稳压二极管替换第二电阻R2、第六电阻R6与第八电阻R8，其中，基于电阻的保护可以用于防静电击穿，基于稳压二极管的保护可以用于在遇到强干扰时击穿泄压。

虽然图3仅示出了第二电阻R2、第六电阻R6与第八电阻R8的情况，但是，本实用新型实施例不限于此，在其他的实施方式中，本领域技术人员可以根据电路的工作状态和/或实际需要选择基于电阻的保护和/或基于稳压管的保护，对此，本实用新型实施例不做限定。

通过以上电路，本实用新型实施例可以利用第一驱动模块输出第一控制信号，利用第二驱动模块输出第二控制信号、第三控制信号，分别对第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管的导通情况进行控制，从而对喷射电磁阀进行精确控制、提高了喷射电磁阀的工作效率。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (7)

1.一种电磁阀驱动装置，其特征在于，所述装置包括第一驱动模块、第二驱动模块、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电磁阀、第零二极管，其中，

所述第一驱动模块的输出端电连接于所述第一晶体管的栅极，用于输出第一控制信号，以控制所述第一晶体管的导通状态；

所述第二驱动模块的第一输出端电连接于所述第二晶体管的栅极，用于输出第二控制信号，以控制所述第二晶体管的导通状态；

所述第二驱动模块的第二输出端电连接于所述第三晶体管的栅极，用于输出第三控制信号，以控制所述第三晶体管的导通状态；

所述第一晶体管的漏极用于接收第一电压，所述第一晶体管的源极电连接于电磁阀的第一端；

所述第二晶体管的漏极用于接收第二电压，所述第二晶体管的源极电连接于所述电磁阀的第一端；

所述第三晶体管的漏极电连接于所述电磁阀的第二端及所述第零二极管的正极端，所述第三晶体管的源极接地，

所述第零二极管的负极端电连接于输出所述第一电压的电源模块，用于在所述第三晶体管断开时，将所述电磁阀中产生的反电动势能输出到所述电源模块，

其中，所述第一电压高于所述第二电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一驱动模块包括第一驱动单元、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第一电容、第二电容、第三电容，其中，

所述第一驱动单元的电源端电连接于所述第一电容的第一端、所述第一二极管的正极端，用于输入电源电压，

所述第一驱动单元的接地端电连接于所述第一电容的第二端并接地，

所述第一驱动单元的高边浮地供电端电连接于所述第一二极管的阴极端及所述第二电容的第一端，

所述第一驱动单元的高边浮地端电连接于所述第二电容的第二端、所述第二电阻的第二端、所述第三电阻的第二端、所述第三电容的第二端及所述电磁阀的第一端，

所述第一驱动单元的第一信号输入端，用于接收第一逻辑信号，

所述第一驱动单元的第一信号输出端，用于输出根据所述第一逻辑信号得到的第一控制信号，

所述第一驱动单元的第一信号输出端电连接于所述第一电阻的第一端，

所述第一电阻的第二端电连接于所述第二电阻的第一端及所述第一晶体管的栅极，作为所述第一驱动模块的第一输出端输出所述第一控制信号到所述第一晶体管，

所述第三电阻的第一端电连接于所述第四电阻的第一端及所述第三晶体管的源极，

所述第四电阻的第二端电连接于所述第三电容的第一端及所述第一驱动单元的电流采样端。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二驱动模块包括第二驱动单元、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第二二极管、第三二极管、第四电容、第五电容，其中，

所述第二驱动单元电源端电连接于所述第四电容的第一端、所述第二二极管的正极端，用于接收电源电压，

所述第二驱动单元的接地端及所述第四电容的第二端接地，

所述第二驱动单元的高边浮地供电端电连接于所述第二二极管的负极端及所述第五电容的第一端，

所述第二驱动单元的高边浮地端电连接于所述第五电容的第二端、所述第六电阻的第二端、所述第三二极管的第一端及所述第二晶体管的源极，所述第三二极管的第二端电连接于所述电磁阀的第一端，所述第三二极管的第三端接地，

所述第二驱动单元的第一信号输入端，用于接收第二逻辑信号，

所述第二驱动单元的第一信号输出端，用于输出根据所述第二逻辑信号得到的第二控制信号，

所述第二驱动单元的第一信号输出端，电连接于所述第五电阻的第一端，所述第五电阻的第二端电连接于所述第六电阻的第一端及所述第二晶体管的栅极，作为所述第二驱动模块的第一输出端，输出所述第二控制信号，

所述第二驱动单元的第二信号输入端，用于接收第三逻辑信号，

所述第二驱动单元的第二信号输出端，用于输出根据所述第三逻辑信号得到的第三控制信号，

所述第二驱动单元的第二信号输出端，电连接于所述第七电阻的第一端，所述第七电阻的第二端电连接于所述第八电阻的第一端及所述第三晶体管的栅极，作为所述第二驱动模块的第二输出端，输出所述第三控制信号，

所述第八电阻的第二端电连接于所述第三晶体管的源极。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，装置还包括电流采样模块，所述电流采样模块电连接于所述第三晶体管的源极，用于对所述电磁阀的电磁阀电流进行采样，得到采样电流。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述电流采样模块包括第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第一运算放大器、第六电容、第七电容、第八电容、第四二极管，其中，

所述第九电阻的第一端电连接于所述第十电阻的第一端及所述第三晶体管的源极，所述第九电阻的第二端电连接于所述第十一电阻的第一端、所述第十二电阻的第一端，并接地，

所述第十电阻的第二端电连接于所述第一运算放大器的正向输入端、所述第十二电阻的第二端，

所述第十一电阻的第二端电连接于所述第一运算放大器的负向输入端、第十三电阻的第一端，

所述第一运算放大器的输出端电连接于所述第十三电阻的第二端及所述第十四电阻的第一端，

所述第一运算放大器的电源端电连接于所述第六电容的第一端、所述第七电容的第一端，用于接收电源电压，

所述第一运算放大器的地端接地，

所述第七电容的第二端及所述第六电容的第二端接地，

所述第十四电阻的第二端电连接于所述第四二极管的第一端、及所述第八电容的第一端，用于输出所述采样电流，所述第四二极管的第二端用于接收电源电压，

所述第八电容的第二端、所述第四二极管的第三端接地。

6.一种电控设备，其特征在于，所述电控设备包括如权利要求1-5任一项所述的电磁阀驱动装置。

7.一种发动机，其特征在于，所述发动机包括如权利要求6所述的电控设备。

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