CN214204926U - 一种提高vdmos抗雷击浪涌能力的结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，属于VDMOS技术领域。该提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构包括基础组件和防护组件。所述基础组件包括VDMOS器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述浪涌电压抑制器与所述VDMOS器件本体电性连接。所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧。使用时，将浪涌电压抑制器由外壳顶部开口放入，浪涌电压抑制器两侧底部分别与两侧的限位板接触并带动限位板转动，将浪涌电压抑制器完全按入外壳内腔后，两个限位板在扭簧的作用下从两侧将浪涌电压抑制器底部夹紧，再通过锁紧件将顶盖固定到外壳上将开口封闭即完成组装。本实用新型结构稳定性强，浪涌电压抑制器易于拆装，提高了检修效率。

Description

一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构

技术领域

本实用新型涉及VDMOS技术领域，具体而言，涉及一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构。

背景技术

VDMOS器件是一款声效应功率晶体器件，广泛应用于各种领域。VDMOS器件与双极晶体管相比，具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、驱动功率小和频率特性好登优点。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。

现有的VDMOS器件本身在抗雷击浪涌能力方面有所不足，不能满足极端情况下的工作要求，因此常常与浪涌电压抑制器配合使用，而两者的连接结构稳定性较差，不便于拆装，降低了检修效率。

实用新型内容

为了弥补以上不足，本实用新型提供了一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，旨在改善现有的VDMOS器件与浪涌电压抑制器配合使用时稳定性较差，不便于拆装，降低了检修效率的问题。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型提供一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，包括基础组件和防护组件。

所述基础组件包括VDMOS器件本体、引脚和浪涌电压抑制器，所述引脚设置在所述VDMOS器件本体上，所述浪涌电压抑制器与所述VDMOS器件本体电性连接。

所述防护组件包括外壳、顶盖、锁紧件、隔板、限位板和扭簧，所述VDMOS器件本体和所述浪涌电压抑制器均设置在所述外壳内，所述顶盖通过所述锁紧件固定在所述外壳顶部，所述隔板固定在所述外壳内壁，两个所述限位板分别通过两个所述扭簧转动设置在所述外壳内腔两侧。

在本实用新型的实施例中，所述浪涌电压抑制器为金属氧化物压敏电阻MOV。

在本实用新型的实施例中，所述外壳包括壳体和减震层，所述减震层设置在所述壳体侧壁内部。

在本实用新型的实施例中，所述外壳还包括保护套，所述保护套固定在所述壳体外壁，所述保护套套设在所述引脚上。

在本实用新型的实施例中，所述外壳还包括弹性垫圈，所述弹性垫圈设置在所述壳体顶部开口处。

在本实用新型的实施例中，所述壳体侧壁开设有换气口，所述换气口内固定有防尘网。

在本实用新型的实施例中，所述顶盖上表面开设有凹槽，所述锁紧件顶部下沉式安装于所述凹槽内。

在本实用新型的实施例中，所述限位板包括板体和缓冲垫，所述板体通过所述扭簧与所述壳体内壁转动连接，所述缓冲垫固定在所述板体一侧。

在本实用新型的实施例中，所述防护组件还包括除湿件，所述除湿件固定在所述壳体内壁。

在本实用新型的实施例中，所述除湿件包括网框和吸湿颗粒层，所述网框固定在所述壳体内壁，所述吸湿颗粒层设置在所述网框内。

本实用新型的有益效果是：本实用新型通过上述设计得到的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，使用时，将浪涌电压抑制器由外壳顶部开口放入，浪涌电压抑制器两侧底部分别与两侧的限位板接触并带动限位板转动，将浪涌电压抑制器完全按入外壳内腔后，两个限位板在扭簧的作用下从两侧将浪涌电压抑制器底部夹紧，再通过锁紧件将顶盖固定到外壳上将开口封闭即完成组装。本实用新型结构稳定性强，浪涌电压抑制器易于拆装，提高了检修效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本实用新型实施方式提供的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施方式提供的基础组件和防护组件的结构示意图；

图3为本实用新型实施方式提供的防护组件的剖视结构示意图；

图4为本实用新型实施方式提供的防护组件的局部结构放大图。

图中：100-基础组件；110-VDMOS器件本体；120-引脚；130-浪涌电压抑制器；200-防护组件；210-外壳；211-壳体；212-减震层；213-保护套；214-弹性垫圈；215-换气口；220-顶盖；230-锁紧件；240-隔板；250-限位板；251-板体；252-缓冲垫；260-扭簧；270-除湿件；271-网框；272-吸湿颗粒层。

具体实施方式

为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施方式中的附图，对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本实用新型保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参阅图1-4，本实用新型提供一种技术方案：一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，包括基础组件100和防护组件200，基础组件100设置在防护组件200内，防护组件200起到对基础组件100的限位和保护作用。

请参阅图2，基础组件100包括VDMOS器件本体110、引脚120和浪涌电压抑制器130，引脚120设置在VDMOS器件本体110上，浪涌电压抑制器130与VDMOS器件本体110电性连接，浪涌电压抑制器130为金属氧化物压敏电阻MOV，能够增强VDMOS器件本体110的抗雷击浪涌能力。

请参阅图2-4，防护组件200包括外壳210、顶盖220、锁紧件230、隔板240、限位板250和扭簧260，VDMOS器件本体110和浪涌电压抑制器130均设置在外壳210内，外壳210包括壳体211和减震层212，减震层212为橡胶板，减震层212设置在壳体211侧壁内部，在撞击时起到一定的缓冲作用，外壳210还包括保护套213，保护套213固定在壳体211外壁，保护套213套设在引脚120上，对引脚120与VDMOS器件本体110的连接处进行保护，顶盖220通过锁紧件230固定在外壳210顶部，方便拆装，锁紧件230可为螺钉，顶盖220上表面开设有凹槽，锁紧件230顶部下沉式安装于凹槽内，提升了美观性，也避免了碰撞对锁紧件230造成影响，外壳210还包括弹性垫圈214，弹性垫圈214设置在壳体211顶部开口处，增强了顶盖220与壳体211的连接紧密性，壳体211侧壁开设有换气口215，方便散热，换气口215内固定有防尘网，用以阻碍灰尘的进入。

隔板240固定在外壳210内壁，对浪涌电压抑制器130底部进行限位，为浪涌电压抑制器130与VDMOS器件本体110的连接导线预留走线空间，两个限位板250分别通过两个扭簧260转动设置在外壳210内腔两侧，限位板250未受力时为倾斜状态，限位板250包括板体251和缓冲垫252，缓冲垫252为橡胶垫，板体251通过扭簧260与壳体211内壁转动连接，缓冲垫252固定在板体251一侧，增大了限位板250与浪涌电压抑制器130侧壁的接触摩擦力，也避免了对浪涌电压抑制器130造成划痕，浪涌电压抑制器130由壳体211顶部开口放入壳体211内腔时，其两侧壁底部分别与两侧的限位板250接触，将浪涌电压抑制器130完全按入壳体211内腔，此时限位板250在扭簧260的作用下将浪涌电压抑制器130夹紧，再通过锁紧件230将顶盖220固定到壳体211上将壳体211顶部的开口封闭。

需要说明的是，防护组件200还包括除湿件270，除湿件270固定在壳体211内壁，除湿件270包括网框271和吸湿颗粒层272，吸湿颗粒层272为吸水树脂颗粒层，网框271固定在壳体211内壁，吸湿颗粒层272设置在网框271内，可吸收换气时进入壳体211内腔的水份。

具体的，该提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构的工作原理：使用时，将浪涌电压抑制器130由壳体211顶部开口放入，浪涌电压抑制器130两侧底部分别与两侧的限位板250接触并使限位板250转动，将浪涌电压抑制器130完全按入壳体211内腔后，两个限位板250在扭簧260的作用下从两侧将浪涌电压抑制器130底部夹紧，再通过锁紧件230将顶盖220固定到壳体211上将壳体211顶部的开口封闭即完成组装。

需要说明的是，VDMOS器件本体110、引脚120和浪涌电压抑制器130具体的型号规格需根据该装置的实际规格等进行选型确定，具体选型计算方法采用本领域现有技术，故不再详细赘述。

VDMOS器件本体110、引脚120和浪涌电压抑制器130的供电及其原理对本领域技术人员来说是清楚的，在此不予详细说明。

以上仅为本实用新型的优选实施方式而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，包括

基础组件(100)，所述基础组件(100)包括VDMOS器件本体(110)、引脚(120)和浪涌电压抑制器(130)，所述引脚(120)设置在所述VDMOS器件本体(110)上，所述浪涌电压抑制器(130)与所述VDMOS器件本体(110)电性连接；

防护组件(200)，所述防护组件(200)包括外壳(210)、顶盖(220)、锁紧件(230)、隔板(240)、限位板(250)和扭簧(260)，所述VDMOS器件本体(110)和所述浪涌电压抑制器(130)均设置在所述外壳(210)内，所述顶盖(220)通过所述锁紧件(230)固定在所述外壳(210)顶部，所述隔板(240)固定在所述外壳(210)内壁，两个所述限位板(250)分别通过两个所述扭簧(260)转动设置在所述外壳(210)内腔两侧。

2.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述浪涌电压抑制器(130)为金属氧化物压敏电阻MOV。

3.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)包括壳体(211)和减震层(212)，所述减震层(212)设置在所述壳体(211)侧壁内部。

4.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)还包括保护套(213)，所述保护套(213)固定在所述壳体(211)外壁，所述保护套(213)套设在所述引脚(120)上。

5.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述外壳(210)还包括弹性垫圈(214)，所述弹性垫圈(214)设置在所述壳体(211)顶部开口处。

6.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述壳体(211)侧壁开设有换气口(215)，所述换气口(215)内固定有防尘网。

7.根据权利要求1所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述顶盖(220)上表面开设有凹槽，所述锁紧件(230)顶部下沉式安装于所述凹槽内。

8.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述限位板(250)包括板体(251)和缓冲垫(252)，所述板体(251)通过所述扭簧(260)与所述壳体(211)内壁转动连接，所述缓冲垫(252)固定在所述板体(251)一侧。

9.根据权利要求3所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述防护组件(200)还包括除湿件(270)，所述除湿件(270)固定在所述壳体(211)内壁。

10.根据权利要求9所述的提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，其特征在于，所述除湿件(270)包括网框(271)和吸湿颗粒层(272)，所述网框(271)固定在所述壳体(211)内壁，所述吸湿颗粒层(272)设置在所述网框(271)内。

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