CN214154338U - 一种带过热保护的门控电源电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种种带过热保护的门控电源电路，包括门控模块和过热保护模块，通过在门控模块上设置过热保护模块，使门控电源电压可以高低电压之间快速切换，防止长时间工作导致电路元件过热造成电路损坏，增加门控电源的使用寿命。
Description
技术领域
本实用新型属门控电源电路的技术领域，具体涉及一种带过热保护的门控电源电路。
背景技术
门控电源作为一种低功耗技术，由于控制和实现简单，被广泛的应用于处理器CPU和片上系统SOC中，当CPU或SOC需要快速工作时，门控电源提供一个较高的电源电压，以满足负载负荷的要求，当CPU或SOC处于低负载状态或待机状态时，门控电源提供一个较低的电压，以达到降低系统功耗的目的。
由于门控电源的工作时间一般较长，温度过热容易造成电路损坏。
因此，需要进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术存在的不足，而提供一种带过热保护的门控电源电路，旨在至少在一定程度上解决现有技术中的上述技术问题之一。
本实用新型的目的是这样实现的：
一种带过热保护的门控电源电路，包括门控模块和过热保护模块。
所述门控模块包括反相器I，PMOS晶体管P1，P2，NMOS晶体管N1，N2，N3，电容C2，C3。
所述过热保护模块包括负温度系数热敏电阻NTC1,NTC2，三极管Q，电阻R1,R2,R3,电容C1。
所述负温度系数热敏电阻NTC2的一端与门控信号源连接，其另一端分别与电阻R3，电容C1的一端，三极管Q的集电极连接，电阻R3，电容C1的另一端接地并与反相器I的输入端连接，反相器I的输出端与负温度系数热敏电阻NTC1的一端连接，负温度系数热敏电阻NTC1的另一端分别与电阻R1的一端三极管Q的基极连接，三极管Q的发射极与电阻R2的一端连接，电阻R1，R2的另一端接地并分别与PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1的栅极连接，PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N1的源极，NMOS晶体管N2的漏极，电容C2的一端以及PMOS晶体管P2的栅极连接，NMOS晶体管N1的漏极，电容C2的另一端接地，PMOS晶体管P1的源极与NMOS晶体管N2的源极，PMOS晶体管P2的漏极，NMOS晶体管N3的源极以及电容C3的一端连接，NMOS晶体管N3的漏极，电容C3的另一端接地，NMOS晶体管N2，N3的栅极分别与门控信号源连接。
本实用新型的有益效果是：
通过在门控模块上设置过热保护模块，使门控电源电压可以高低电压之间快速切换，防止长时间工作导致电路元件过热造成电路损坏，增加门控电源的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电路示意。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述。
参见图1，本种带过热保护的门控电源电路，包括门控模块和过热保护模块。
门控模块包括反相器I，PMOS晶体管P1，P2，NMOS晶体管N1，N2，N3，电容C2，C3。
过热保护模块包括负温度系数热敏电阻NTC1,NTC2，三极管Q，电阻R1,R2,R3,电容C1。
负温度系数热敏电阻NTC2的一端与门控信号源连接，其另一端分别与电阻R3，电容C1的一端，三极管Q的集电极连接，电阻R3，电容C1的另一端接地并与反相器I的输入端连接，反相器I的输出端与负温度系数热敏电阻NTC1的一端连接，负温度系数热敏电阻NTC1的另一端分别与电阻R1的一端三极管Q的基极连接，三极管Q的发射极与电阻R2的一端连接，电阻R1，R2的另一端接地并分别与PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1的栅极连接，PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N1的源极，NMOS晶体管N2的漏极，电容C2的一端以及PMOS晶体管P2的栅极连接，NMOS晶体管N1的漏极，电容C2的另一端接地，PMOS晶体管P1的源极与NMOS晶体管N2的源极，PMOS晶体管P2的漏极，NMOS晶体管N3的源极以及电容C3的一端连接，NMOS晶体管N3的漏极，电容C3的另一端接地，NMOS晶体管N2，N3的栅极分别与门控信号源连接。
通过在门控模块上设置过热保护模块，使门控电源电压可以高低电压之间快速切换，防止长时间工作导致电路元件过热造成电路损坏，增加门控电源的使用寿命。
当门控信号源为低压时，NMOS晶体管N3关断， NMOS晶体管N1导通，PMOS晶体管P1关断， PMOS晶体管P2导通，门控电源VPG为电源电压V1。
当门控信号源为高压时，NMOS晶体管N1关断，PMOS晶体管P1导通，即PMOS晶体管P2的漏端和栅端短接，相当于一个二极管，VPG的电压为V1减去PMOS晶体管P2的阈值电压，NMOS晶体管N3导通，作为电流偏置，将VPG的电压钳制在V1减去PMOS晶体管P2的阈值电压范围内，使门控电源电压的切换时间缩小。
上述实施例只是本实用新型的优选方案，本实用新型还可有其他实施方案。本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出等同变形或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所设定的范围内。
Claims (1)
1.一种带过热保护的门控电源电路，包括门控模块和过热保护模块，其特征在于；
所述门控模块包括反相器I，PMOS晶体管P1，P2，NMOS晶体管N1，N2，N3，电容C2，C3；
所述过热保护模块包括负温度系数热敏电阻NTC1,NTC2，三极管Q，电阻R1,R2,R3,电容C1；
所述负温度系数热敏电阻NTC2的一端与门控信号源连接，其另一端分别与电阻R3，电容C1的一端，三极管Q的集电极连接，所述电阻R3，电容C1的另一端接地并与反相器I的输入端连接，所述反相器I的输出端与负温度系数热敏电阻NTC1的一端连接，负温度系数热敏电阻NTC1的另一端分别与电阻R1的一端三极管Q的基极连接，三极管Q的发射极与电阻R2的一端连接，电阻R1，R2的另一端接地并分别与PMOS晶体管P1，NMOS晶体管N1的栅极连接，PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N1的源极，NMOS晶体管N2的漏极，电容C2的一端以及PMOS晶体管P2的栅极连接，NMOS晶体管N1的漏极，电容C2的另一端接地，PMOS晶体管P1的源极与NMOS晶体管N2的源极，PMOS晶体管P2的漏极，NMOS晶体管N3的源极以及电容C3的一端连接，NMOS晶体管N3的漏极，电容C3的另一端接地，NMOS晶体管N2，N3的栅极分别与门控信号源连接。
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Publications (1)
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|---|---|
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Country Status (1)
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