CN214123894U - 太阳能电池片及太阳能电池 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种太阳能电池片及太阳能电池，太阳能电池片包括硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。本实用新型提高了太阳能电池片中载流子的分离和收集能力，提高了太阳能电池片的光电转换效率。

Description

太阳能电池片及太阳能电池

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，更具体地，本实用新型涉及一种太阳能电池片及太阳能电池。

背景技术

太阳能电池主要是以半导体材料为基础，并加以电极而形成电导通的器件。

参照图1所示，目前大多数太阳能电池的制造基于硅衬底材料，其制备工艺流程包括：去除硅片表面损伤层、制绒面、形成p型层和n型层，但是现有技术往往是在硅衬底的正面形成p型层，在硅衬底的背面形成n 型层，载流子迁移方向箭头L所示方向，载流子迁移率低，太阳能电池分离和收集载流子的能力弱，光电转换效率不高。

实用新型内容

本实用新型的一个目的是提供一种太阳能电池片及太阳能电池，以解决现有技术中太阳能电池的光电转换效率不高的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供一种太阳能电池片，包括：

硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，

在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，

其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P 型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，

沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。

可选地，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相对设置的所述N型掺杂区域构成第一P-N结，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相邻设置的所述N型掺杂区域构成第二P-N结。

可选地，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域之间存在预设间距，所述预设间距的距离范围为100nm～15μm。

可选地，在所述第一表面和所述第二表面上均设置多个P型掺杂区域、多个N型掺杂区域，位于同一表面多个P型掺杂区域电连接，位于同一表面的多个N型掺杂区域电连接。

可选地，所述第一表面和所述第二表面均被划分为M个区域，每一所述区域沿所述第二方向的长度一致、每一所述区域沿第三方向的长度一致，所述第三方向与所述第二方向垂直；

每一所述区域被掺杂形成所述P型掺杂区域或者N型掺杂区域，M 为大于或者等于2的偶数。

可选地，在所述第一表面和所述第二表面分别形成减反射层，所述减反射层呈块状结构，每一块所述减反射层覆盖所述P型掺杂区域或所述N 型掺杂区域，每一块所述减反射层的形状与所述P型掺杂区域的形状或者所述N型掺杂区域的形状一致。

可选地，所述硅片基板为单晶硅基板或者多晶硅基板。

可选地，所述硅片基板为P型硅片基板或者为N型硅片基板。

根据本实用新型第二方面，提供一种太阳能电池，包括背板和设置在所述背板上的多个太阳能电池片，多个所述太阳能电池片电连接，多个所述太阳能电池片为第一方面所述的太阳能电池片。

可选地，多个所述太阳能电池片包括相邻设置的第一太阳能电池片和第二太阳能电池片，所述第一太阳能电池片中位于边缘的所述P型掺杂区域，与所述第二太阳能电池片中位于边缘的所述N型掺杂区域电连接。

本实用新型的一个技术效果在于，硅片基板的第一表面和第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域；沿第一表面的第二方向和第二表面的第二方向，所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置。本实用新型太阳能电池片中载流子能够沿第一方向或者第二方向迁移，提高了载流子的分离和收集能力，进而提高了太阳能电池片的光电转换效率。

通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述，本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例，并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1所示为现有技术的太阳能电池中载流子迁移示意图。

图2所示为本实用新型太阳能电池片的结构示意图。

图3所示为本实用新型太阳能电池片中载流子迁移示意图。

图4所示为本实用新型多个太阳能电池片连接的第一视角的结构示意图。

图5所示为本实用新型多个太阳能电池片连接的第二视角的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

根据本实用新型实施例，提供了一种太阳能电池片。参照图2-图3所示，所述太阳能电池片包括：

硅片基板，包括沿第一方向X相背设置的第一表面1和第二表面2，

在所述第一表面1和所述第二表面2分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域10和至少一个N型掺杂区域11，

其中沿所述第一表面1的第二方向Y和所述第二表面2的第二方向Y，所述P型掺杂区域10和所述N型掺杂区域11交替设置，

沿所述第一方向X，设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10 与设置在所述第二表面2的所述N型掺杂区域11相对设置，所述第一方向 X与所述第二方向Y垂直。

参照图2-图3所示，太阳能电池片包括第一表面1和第二表面2，其中第一表面1和第二表面2沿第一方向X相背设置，其中第一方向为硅片基板的厚度方向。例如第一表面1可以为硅片基板的正面，第二表面2可以为硅片基板2的背面。

在第一表面1所在区域掺杂硼等形成至少一个P型掺杂区域10，在第一表面1的所在区域掺杂磷等形成至少一个N型掺杂区域11，沿第一表面1的第二方向Y，P型掺杂区域10和N型掺杂区域11交替设置，即P 型掺杂区域10和N型掺杂区域11相邻设置；

入射光照射到太阳能电池片上，光能将硅片基板的硅原子中的电子激发出来(光电效应)，而形成电子和空穴的对流，例如第一表面1形成的 P型掺杂区域10中的空穴和与其相邻的N型掺杂区域11中的电子形成对流，载流子能够沿第一表面1的第二方向Y进行迁移。

在第二表面2所在区域掺杂硼等形成至少一个P型掺杂区域10，在第二表面2所在区域掺杂磷等形成至少一个N型掺杂区域11，沿第二方面 2的第二方向Y，P型掺杂区域10和N型掺杂区域11交替设置，即P型掺杂区域10和N型掺杂区域11相邻设置；

入射光照射到太阳能电池片上，光能将硅片基板的硅原子中的电子激发出来(光电效应)，而形成电子和空穴的对流，例如第二表面2形成的 P型掺杂区域10中的空穴和与其相邻的N型掺杂区域11中的电子形成对流，载流子能够沿第二表面2的第二方向Y进行迁移。

沿硅片基板的第一方向X，第一表面1掺杂形成的P型掺杂区域10 与第二表面2掺杂形成的N型掺杂区域11一一对应；例如入射光照射到太阳能电池片上，光能将硅片基板的硅原子中的电子激发出来(光电效应)，而形成电子和空穴的对流，例如第一表面1形成的P型掺杂区域中的空穴和与其相对设置在第二表面2上的N型掺杂区域中的电子形成对流，载流子能够沿硅片基板的第一方向X进行迁移。

在一个可选的实施例中，参照图2-图3所示，沿第一表面1的第二方向Y，第一表面1形成P型掺杂区域10a，与其相邻设置的N型掺杂区域 11a，与N型掺杂区域11a相邻设置的P型掺杂区域10b，和与P型掺杂区域10b相邻设置的N型掺杂区域11b；即P型掺杂区域10a和P型掺杂区域10b间隔设置，N型掺杂区域11a和N型掺杂区域11b间隔设置。

沿第二表面2的第二方向Y，第二表面2形成N型掺杂区域11c，与 N型掺杂区域11c相邻设置的P型掺杂区域10c，与P型掺杂区域10c相邻设置的N型掺杂区域11d，与N型掺杂区域11d相邻设置的P型掺杂区域 10d；即P型掺杂区域10c和P型掺杂区域10d间隔设置，N型掺杂区域 11c和N型掺杂区域11d间隔设置。

其中P型掺杂区域10a与N型掺杂区域11c相对设置，N型掺杂区域 11a与P型掺杂区域10c相对设置，P型掺杂区域10b与N型掺杂区域11d 相对设置，N型掺杂区域11b与P型掺杂区域10d相对设置；

入射光照射到太阳能电池片上，光能将硅片基板的硅原子中的电子激发出来(光电效应)，而形成电子和空穴的对流；在外加电压的作用下，太阳能电池片中形成电场，例如第一表面1中P型掺杂区域10a中的空穴沿着第一方向X向与其相对设置的N型掺杂区域11c迁移，和/或者第一表面1中P型掺杂区域10a中的空穴沿第二方向Y向与其相邻设置的N型掺杂区域11a迁移；同时第二表面2中的N型掺杂区域11c中的电子沿着第一方向X向与其相对设置的P型掺杂区域10a迁移，和/或者第二表面2中的N型掺杂区域11c中的电子沿第二方向Y向与其相邻设置的P型掺杂区域10c迁移。

本实用新型实施例中载流子能够沿第一方向和/或第二方向进行迁移，提高载流子的分离和收集能力，提高太阳能电池的光电性能，同时缩短导电距离，提高了太阳能电池片的光电转换效率。

可选地，参照图2-图3所示，设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10和与其相对设置的所述N型掺杂区域11构成第一P-N结，设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10和与其相邻设置的所述N型掺杂区域构成第二P-N结。

具体地，采用不同的掺杂工艺，通过掺杂和扩散作用，将P型掺杂区域10与N型掺杂区域11制作在同一块硅片基板上，在P型掺杂区域10 和N型掺杂区域11的交界面就形成空间电荷区称为P-N结；

本实施例中，在硅片基板的同一表面，P型掺杂区域10和N型掺杂区域11交替设置，在硅片基板相背设置的两个表面，第一表面1中的P型掺杂区域10与第二表面2中的N型掺杂区域11相对设置，因此设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10和与其相对设置的所述N型掺杂区域11构成第一P-N结，设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10和与其相邻设置的所述N型掺杂区域构成第二P-N结。

本实施例中太阳能电池片在两个维度方向均形成P-N结区，即同一表面相邻的P型掺杂区域和N型掺杂区域形成P-N结，不同表面相对设置的 P型掺杂区域和N型掺杂区域形成P-N结，P型掺杂区域和N型掺杂区域根据其掺杂浓度、结合能力等因素，能够尽可能就近实现载流体的分离和收集，提高载流子的分离和收集能力，提高太阳能电池的光电性能，同时缩短了导电距离。另外本实用新型太阳能电池片结构创新，工艺简单，不需要过多的投资即可实现，大大降低生产成本，容易规模化生产。

可选地，参照图4-图5所示，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域10和所述N型掺杂区域11之间存在预设间距12，所述预设间距12的距离范围为100nm～15μm。本实施例中P型掺杂区域10与N型掺杂区域11间距过大浪费了太阳能电池片的表面面积，间距过小工艺水平达不到，同时容易造成短路。在该预设间距范围内，在避免发生短路的情况下，提高了太阳能电池片光电转换效率。

可选地，参照图2所示，在所述第一表面1和所述第二表面2上均设置多个P型掺杂区域10、多个N型掺杂区域11，位于同一表面多个P型掺杂区域10电连接，位于同一表面的多个N型掺杂区域11电连接。例如相互间隔设置的P型掺杂区域彼此电连接，进而引出第一电极，相互间隔设置的N型掺杂区域彼此电连接，进而引出第二电极。

参照图2所示，P型掺杂区域10彼此连接，引出第一电极，N型掺杂区域11彼此连接，引出第二电极。在同一太阳能电池片中，在太阳能电池片中的第一表面上，P型掺杂区10a和P型掺杂区域10b相互连接，N型掺杂区域11a和N型掺杂区域11b相互连接；在太阳能电池片中的第二表面上，P型掺杂区域10c和P型掺杂区域10d相互连接，N型掺杂区域11c 和N型掺杂区域11d相互连接。

可选地，参照图2所示，所述第一表面1和所述第二表面2均被划分为M个区域，每一所述区域沿所述第二方向Y的长度一致、每一所述区域沿所述第三方向Z的长度一致，所述第三方向Z与所述第二方向Y垂直；

每一所述区域被掺杂形成所述P型掺杂区域或者N型掺杂区域，M 为大于或者等于2的偶数。

具体地，硅片基板的第一表面1被等分为M个区域，采用掩膜或者掩盖等方式在第一表面1中掺杂形成P型掺杂区域，N型掺杂区域，其中 P型掺杂区域和N型掺杂区域交替且相邻设置，在第一表面1形成M/2个 P型掺杂区域，和M/2个N型掺杂区域；

硅片基板的第二表面2被等分为M个区域，采用掩膜或者掩盖等方式在第一表面2中掺杂形成P型掺杂区域，N型掺杂区域，其中P型掺杂区域和N型掺杂区域交替且相邻设置，在第二表面2形成M/2个P型掺杂区域，和M/2个N型掺杂区域；

本例子在掺杂浓度一致情况下，P型掺杂区域中的空穴浓度与N型掺杂区域中的电子浓度一致，提高了太阳能电池片的光电转换效率。

可选地，在所述第一表面1和所述第二表面2分别形成减反射层，所述减反射层呈块状结构，每一块所述减反射层覆盖所述P型掺杂区域或所述N型掺杂区域，每一块所述减反射层的形状与所述P型掺杂区域的形状或者所述N型掺杂区域的形状一致。

具体地，在硅片基板上采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition等离子体增强化学的气相沉积法)方式在第一表面1和第二表面2分别沉积上氮化硅减反射层，其中氮化硅减反射层的形状和尺寸与P 型掺杂区域的形状和尺寸一致或者氮化硅减反射层的形状和尺寸与N型掺杂区域的形状和尺寸一致。

例如在第一表面1形成减反射层，按照P型掺杂区域和N型掺杂区域之间的预设间距对减反射层进行激光切割，以使减反射层的形状和尺寸与 P型掺杂区域或者N型掺杂区域一致，避免太阳能电池片发生短路现象，影响太阳能电池片的安全使用性能。

可选地，所述硅片基板为单晶硅基板或者多晶硅基板。优选地，硅片基板选用单晶硅基板，提高太阳能电池片的光电转换效率。

可选地，所述硅片基板为P型硅片基板或者为N型硅片基板。优选地，硅片基板选用N型硅片基板，提高太阳能电池片的光电转换效率。

根据本实用新型一个实施例，提供了一种太阳能电池，包括背板和设置在所述背板上的多个太阳能电池片，多个所述太阳能电池片电连接，多个所述太阳能电池片为上述所述的太阳能电池片。其中背板为本领域常用，在此不再赘述。

可选地，参照图4-图5所示，多个所述太阳能电池片包括相邻设置的第一太阳能电池片和第二太阳能电池片，所述第一太阳能电池片中位于边缘的所述P型掺杂区域，与所述第二太阳能电池片中位于边缘的所述N型掺杂区域电连接。

本例子第一太阳能电池片和第二太阳能电池片串联连接，具体地，通过窜焊机进行第一太阳能电池片中的P型掺杂区域和与其相邻的N型掺杂区域串焊，对第二太阳能电池片中的P型掺杂区域和与其相邻的N型掺杂区域串焊；

将位于第一太阳能电池片中最边缘的P型掺杂区域与位于第二太阳能电池片中最边缘的N型掺杂区域进行串焊。

具体地，参照图4和图5所示，在一个实施例中，太阳能电池包括第一太阳能电池片A和第二太阳能电池片B，其中第一太阳能电池片A的第一表面上包括相邻设置P型掺杂区域10e、N型掺杂区域11e，第一太阳能电池片A的第二表面上包括相邻设置的N型掺杂区域11h、P型掺杂区域 10h；

第二太阳能电池片B的第一表面上包括相邻设置的P型掺杂区域10f、 N型掺杂区域11f、P型掺杂区域10g、N型掺杂区域11g，第二太阳能电池片B的第二表面上包括相邻设置的N型掺杂区域11i、P型掺杂区域10i、 N型掺杂区域11j、P型掺杂区域10j。

第一太阳能电池片A和第二太阳能电池片B通过焊带13连接，具体地，位于太阳能电池片A的第一表面的P型掺杂区域与位于太阳能电池片 B的第一表面的N型掺杂区域通过焊带13连接。位于太阳能电池片A的第二表面的P型掺杂区域与位于太阳能电池片B的第二表面的N型掺杂区域通过焊带13连接。可选地，不同焊带13之间通过金属栅线14电连接。

本例子太阳能电池中上一太阳能电池片的N型掺杂区域可与下一太阳能电池片的P型掺杂区域首尾相连，连接距离短，操作方便，直接降低了太阳能电池片的串焊成本。同时焊带皆在同一水平面上，大大增加了焊接工艺的良率，同时降低电池片的碎片率，从而间接的降低电池片的生产成本。

现有技术中太阳能电池片中载流子沿一个维度方向进行迁移，载流子在有限的时间内需要传输较远距离才可能被收集，导致载流子损失较大。同时现有技术中P型掺杂区域和N型掺杂区域位于太阳能电池片两侧，多个太阳能电池片实现电连接时，焊带需要穿过正面引入背面实现P型掺杂区域和N型掺杂区域的电连接，很容易导致太阳能电池片隐裂，给操作以及良品率带来极大的影响，影响太阳能电池的安全使用性能。

本实施例中构成太阳能电池时，P型掺杂区域和N型掺杂区域的连接距离短，操作方便，直接降低了组件的串焊成本。同时焊带皆在同一水平面上，大大增加了焊接工艺的良品率，同时降低太阳能电池片的碎片率，从而间接的降低太阳能电池片的生产成本。

下面通过详细的实施例对本实用新型做进一步说明：

实施例1：

需要说明的是，本实施例中不限定硅片基板的类型，可以是单晶硅片，也可以是多晶硅片，还可以是类单晶硅片，而且不限定硅片基板的切割方式，可以是砂浆线切割得到的硅片基板，也可以是金刚线切割得到的硅片基板，本实施例中对此不做限定。硅片基板的尺寸可以是156.75*156.75mm，也可以是157.25*157.25mm,157.75*157.75mm,158.75*158.75mm，或者 161.7*161.7mm,166.7*166.7mm，18X*18Xmm,210*210mm等其他任何尺寸的硅片基板。

在本实施例中硅片基板为单晶硅片，硅片基板的类型为P型硅片基板，硅片基板的尺寸为156.75*156.75mm。具体地，本实施例太阳能电池片a 的制备步骤为：

1.将P型硅片基板清洗制绒，去除硅片基板表面的杂质，同时完成金字塔绒面的制备，制得P型硅片基板衬底。

2.将P型硅片基板衬底的第一表面被等分为四个区域，其中第一区域掺杂形成P型掺杂区域，第二区域掺杂形成N型掺杂区域，第三区域掺杂形成P型掺杂区域，第四区域掺杂区域N型掺杂区域，其中相邻设置的 P型掺杂区域和N型掺杂区域之间的间距距离为5μm。

将P型硅片基板衬底的第二表面被等分为四个区域，其中第一区域掺杂形成N型掺杂，第二区域掺杂形成P型掺杂区域，第三区域掺杂形成N 型掺杂区域，第四区域掺杂形成P型掺杂区域，其中相邻设置的P型掺杂区域和N型掺杂区域之间的间距距离为5μm。

3.在对已经掺杂形成P型掺杂区域和N型掺杂区域的第一表面和第二表面上分别沉积上氮化硅减反射层。例如采用PECVD方式沉积氮化硅减反射层；

其中氮化硅减反射层的形状和尺寸与步骤2掺杂形成的P型掺杂区域或N型掺杂区域区域。

4.采用丝网印刷或真空沉积方式在已经沉积有氮化硅减反射层的硅片基板上制作导电层以及电流引出栅线进而制备得到太阳能电池片a。

实施例2：

本实施例制备太阳能电池片b，其中本实施例与实施例1的区别在于：本实施例中硅片基板的类型为N型硅片基板。

对比例1：

本实施例制备太阳能电池片c，其中本实施例与实施例1的区别在于：在步骤2中，本实施例在P型硅片基板衬底的第一表面掺杂形成P型掺杂区域，其中第一表面均为P型掺杂区域，在P型硅片基板衬底的第二表面全部掺杂形成N型掺杂区域，其中第二表面均为N型掺杂区域。

性能测试：

在同样的环境条件下，采用电子仪器同时检测太阳能电池片a、太阳能电池片b、太阳能电池片c的转换效率，其中采用电子仪器对每个太阳能电池片均测量三次，检测结果如表1所示：

表1：光电转换率对比表

序号	实施例1	实施例2	对比例1
				1	20.2％	21.2％	19.0％
2	20.5％	21.4％	19.1％
				3	20.6％	21.5％	19.4％

从表1中的测试结果中可以看出：实施例1制得的太阳能电池片a的光电转换效率、和实施例2制得的太阳能电池片b的光电转换效率均高于对比例1制得的太阳能电池片c的光电转换效率。本实用新型太阳能电池片中载流子能够沿第一方向或者第二方向迁移，提高了载流子的分离和收集能力，进而提高了太阳能电池片的光电转换效率。

虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：

硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面(1)和第二表面(2)，

在所述第一表面(1)和所述第二表面(2)分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域(10)和至少一个N型掺杂区域(11)，

其中沿所述第一表面(1)的第二方向和所述第二表面(2)的第二方向，所述P型掺杂区域(10)和所述N型掺杂区域(11)交替设置，

沿所述第一方向，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)与设置在所述第二表面(2)的所述N型掺杂区域(11)相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)和与其相对设置的所述N型掺杂区域(11)构成第一P-N结，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)和与其相邻设置的所述N型掺杂区域(11)构成第二P-N结。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域(10)和所述N型掺杂区域(11)之间存在预设间距(12)，所述预设间距(12)的距离范围为100nm～15μm。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述第一表面(1)和所述第二表面(2)上均设置多个P型掺杂区域(10)、多个N型掺杂区域(11)，位于同一表面的多个P型掺杂区域(10)电连接，位于同一表面的多个N型掺杂区域(11)电连接。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述第一表面(1)和所述第二表面(2)均被划分为M个区域，每一所述区域沿所述第二方向的长度一致、每一所述区域沿第三方向的长度一致，所述第三方向与所述第二方向垂直；

每一所述区域被掺杂形成所述P型掺杂区域或者N型掺杂区域，M为大于或者等于2的偶数。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述第一表面(1)和所述第二表面(2)分别形成减反射层，所述减反射层呈块状结构，每一块所述减反射层覆盖所述P型掺杂区域或所述N型掺杂区域，每一块所述减反射层的形状与所述P型掺杂区域的形状或者所述N型掺杂区域的形状一致。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述硅片基板为单晶硅基板或者多晶硅基板。

8.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述硅片基板为P型硅片基板或者为N型硅片基板。

9.一种太阳能电池，其特征在于，包括背板和设置在所述背板上的多个太阳能电池片，多个所述太阳能电池片电连接，多个所述太阳能电池片为权利要求1-8任一项所述的太阳能电池片。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，多个所述太阳能电池片包括相邻设置的第一太阳能电池片和第二太阳能电池片，所述第一太阳能电池片中位于边缘的所述P型掺杂区域，与所述第二太阳能电池片中位于边缘的所述N型掺杂区域电连接。

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