CN214014207U - 一种防死机的mos管驱动电路、电源及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种防死机的MOS管驱动电路、电源及电子设备，属于电路领域。一种防死机的MOS管驱动电路包括微处理器，稳压器，第一场效应管，驱动模块，滤波模块，采样模块，其中驱动模块包括第一电容和控制模块，第一场效应管的源极连接电源，第一场效应管的漏极连接滤波模块给负载供电；第一电容的第一端连接第一场效应管的栅极；控制模块的输出端连接第一电容的第二端，控制模块的输入端连接微处理器，稳压器的输入端连接电源，稳压器的输出端连接控制模块的供电端，采样模块连接微处理器和负载。微处理器用于输出第一控制信号，控制模块用于根据第一控制信号输出第二控制信号，第一电容用于根据第二控制信号改变第一场效应管的通断状态，并起到隔直流通交流的防死机安全防护作用，保证了电路在工作过程中的安全性。

Description

一种防死机的MOS管驱动电路、电源及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电路领域，尤其是涉及一种防死机的MOS管驱动电路、电源及电子设备。

背景技术

采用微处理器驱动MOS开关管通断来控制负载输出电压、电流的电子电器产品，具有比专用的DC-DC降压芯片更大的负载输出电流驱动能力与更宽的调节范围，以及成本较低、货源不受专用芯片限制等优点，但存在微处理器一旦死机将可能导致MOS管一直处于导通状态造成电路输出失控，造成器件烧毁甚至着火等一系列严重后果，影响电路在工作过程中的安全性。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种防死机的MOS管驱动电路，能够在微处理器死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，增加了安全性。

本实用新型还提出一种具有上述一种防死机的MOS管驱动电路的电源。

本实用新型还提出一种具有上述电源的电子设备。

根据实用新型的第一方面实施例的一种防死机的MOS管驱动电路，包括：

微处理器；

稳压器，所述稳压器的输入端连接电源；

第一场效应管，所述第一场效应管的源极连接所述电源；

驱动模块，所述驱动模块包括：

控制模块，所述控制模块的输入端连接所述微处理器；

第一电容，所述第一电容的第一端连接所述第一场效应管的栅极；所述第一电容的第二端连接所述控制模块的输出端；

所述微处理器用于输出第一控制信号，所述控制模块用于根据所述第一控制信号输出第二控制信号，所述第一电容用于根据所述第二控制信号改变所述第一场效应管的通断状态，所述第一场效应管用于控制电源对负载供电。

根据本实用新型实施例的一种防死机的MOS管驱动电路，至少具有如下有益效果：一种防死机的MOS管驱动电路能够通过微处理器输出第一控制信号，控制模块根据微处理器输出的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容根据第二控制信号改变第一场效应管的通断状态，从而第一场效应管能够快速通断以控制电源对负载供电，由于电容具有隔直流通交流特性，从而能够在微处理器死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，同时在第一场效应管的栅极与源极之间还并联有钳位保护的第一稳压二极管，防止供电电源过高而烧坏第一场效应管，增加了安全性。

根据本实用新型的一些实施例，所述驱动模块还包括：

第二电容，所述第二电容的第一端连接所述电源，所述第二电容的第二端接地；

第一电阻，所述第一电阻的第一端分别连接所述第一场效应管的源极和所述电源，所述第一电阻的第二端分别连接所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端；

第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阳极分别连接所述第一电阻的第二端、所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端，所述第一稳压二极管的阴极分别连接所述第一电阻的第一端、所述第一场效应管的源极和所述电源。

根据本实用新型的一些实施例，所述控制模块包括：

三极管，第二二极管，第二场效应管，第二电阻，第三电阻，第四电阻；

三极管，所述三极管的基极连接所述第二电阻的第二端，第二电阻的第一端连接所述稳压器的输出端，所述三极管的集电极连接所述稳压器的输出端，所述三极管的发射极连接所述第一电容的第二端；

第二二极管，所述第二二极管的阳极分别连接所述三极管的发射极和所述第一电容的第二端，所述第二二极管的阴极分别连接所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端；

第二场效应管，所述第二场效应管的栅极分别连接所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述第三电阻的第一端连接所述微处理器，所述第二场效应管的漏极分别连接所述第二二极管的阴极、所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端，所述第二场效应管的源极接地；

第二电阻，所述第二电阻的第一端分别连接所述稳压器的输出端和所述三极管的集电极，所述第二电阻的第二端分别连接所述三极管的基极、所述第二二极管的阴极和所述第二场效应管的漏极；

第三电阻，所述第三电阻的第一端连接所述微处理器，所述第三电阻的第二端连接所述第二场效应管的栅极；

第四电阻，所述第四电阻的第一端分别连接所述第三电阻的第二端和所述第二场效应管的栅极，所述第四电阻的第二端分别连接所述第二场效应管的源极和接地。

根据本实用新型的一些实施例，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

滤波模块，所述滤波模块连接所述第一场效应管的漏极，所述滤波模块用于对所述第一场效应管的输出信号进行滤波处理，然后输出给负载。

根据本实用新型的一些实施例，所述滤波模块包括：

第三二极管，所述第三二极管的阴极连接所述第一场效应管的漏极，所述第三二极管的阳极接地；

电感，所述电感的第一端分别连接所述第一场效应管的漏极和所述第三二极管的阴极；

第三电容，所述第三电容的第一端连接所述电感的第二端，所述第三电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极和接地；

第四电容，所述第四电容的第一端分别连接所述电感的第二端和所述第三电容的第一端，所述第四电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极、第三电容的第二端和接地。

根据本实用新型的一些实施例，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

采样模块，所述采样模块连接负载和所述微处理器，所述采样模块用于根据所述微处理器输出的第三控制信号，对负载电流进行采样。

根据本实用新型的一些实施例，所述采样模块包括：

第五电阻，所述第五电阻的第一端连接所述微处理器；

第六电阻，所述第六电阻的第一端分别连接所述第五电阻的第二端和负载，所述第六电阻的第二端接地；

第五电容，所述第五电容的第一端分别连接所述微处理器和所述第五电阻的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第六电阻的第二端和接地；

第六电容，所述第六电容的第一端分别连接所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第一端，所述第六电容的第二端分别连接所述第五电容的第二端、所述第六电阻的第二端和接地。

根据本实用新型的一些实施例，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

第七电容，所述第七电容的第一端连接所述稳压器的输出端，所述第七电容的第二端分别连接所述稳压器的接地端和接地。

根据本实用新型的第二方面实施例的电源，包括根据第一方面实施例所述的一种防死机的MOS管驱动电路。

根据本实用新型实施例的电源，至少具有如下有益效果：这种电源采用上述的一种防死机的MOS管驱动电路能够通过微处理器输出第一控制信号，控制模块根据微处理器输出的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容根据第二控制信号改变第一场效应管的通断状态，从而第一场效应管能够快速通断以控制电源对负载供电，由于电容具有隔直流通交流特性，从而能够在微处理器死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，同时在第一场效应管的栅极与源极之间还并联有钳位保护的第一稳压二极管，防止供电电源过高而烧坏第一场效应管，增加了安全性。

根据本实用新型的第三方面实施例的电子设备，包括根据第二方面实施例所述的电源。

根据本实用新型实施例的电子设备，至少具有如下有益效果：这种电子设备采用上述电源能够通过微处理器输出第一控制信号，控制模块根据微处理器输出的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容根据第二控制信号改变第一场效应管的通断状态，从而第一场效应管能够快速通断以控制电源对负载供电，由于电容具有隔直流通交流特性，从而能够在微处理器死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，增加了安全性。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步的说明，其中：

图1为本实用新型实施例的一种防死机的MOS管驱动电路的模块示意图；

图2为本实用新型另一实施例的一种防死机的MOS管驱动电路的模块示意图；

图3为本实用新型另一实施例的一种防死机的MOS管驱动电路的电路结构图。

附图标记：110、微处理器；120、驱动模块；130、控制模块；140、第一电容；150、第一场效应管；160、稳压器；210、滤波模块；220、采样模块；230、负载。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。

本实用新型的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

第一方面，参照图1和图2，本实用新型实施例中的一种防死机的MOS管驱动电路包括微处理器110、驱动模块120、第一场效应管150、稳压器160，稳压器160的输入端连接电源VDD，第一场效应管150的源极连接电源VDD；驱动模块120包括控制模块130和第一电容140，控制模块130的输入端连接微处理器110；第一电容140的第一端连接第一场效应管150的栅极，第一电容140的第二端连接控制模块130的输出端；微处理器110用于输出第一控制信号，控制模块130用于根据第一控制信号输出第二控制信号，第一电容140用于根据第二控制信号改变第一场效应管150的通断状态，第一场效应管150用于控制电源VDD 对负载230供电，稳压器160的输入端连接电源。在电路工作过程中，微处理器110输出第一控制信号，控制模块130根据输入的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容140根据第二控制信号改变第一场效应管150的通断状态，以达到保护电路的目的。例如，正常情况下微处理器110输出交变PWM信号的第一控制信号，控制模块130根据输入的第一控制信号输出第二控制信号给第一电容140的第二端，由于第一电容140具有通交流隔直流的特性，通过第一电容140第一端输出的交变PWM信号可以控制第一场效应管150的通断，从而控制电源VDD对负载230的供电输出大小；当微处理器110出现死机时，微处理器110输出的第一控制信号会失去输出正常的交变PWM信号能力，变成输出持续的直流高电平信号或直流低电平信号，第一电容140可以对直流高电平信号或直流低电平信号进行阻断，所以没有控制信号通过第一电容140去控制第一场效应管150的导通，第一场效应管150将自动处于关断状态，防止微处理器110死机时电源对负载230供电失控，保证了电路的工作安全性。

参照图3，在一些实施例中，驱动模块120还包括第二电容C2、第一电阻R1和第一稳压二极管D1，第二电容C2的第一端连接电源VDD，第二电容C2的第二端接地；第一电阻 R1的第一端分别连接第一场效应管150的源极和电源VDD，第一电阻R1的第二端分别连接第一场效应管150的栅极和第一电容140的第一端；第一稳压二极管D1的阳极分别连接第一电阻R1的第二端、第一场效应管150的栅极和第一电容140的第一端，第一稳压二极管 D1的阴极分别连接第一电阻R1的第一端、第一场效应管150的源极和电源VDD。需要说明的是，第一稳压二极管D1能够保护第一场效应管150的栅极和源级之间的电压差不大于18V，从而确保第一场效应管150不会被击穿损坏，防止了输出电路出现失控危险，保证了电路在工作过程中的安全性，同时起到将第一场效应管150的栅极高出源极的电位差钳位在最大约为0.6V的作用，使得第一电容C1将第一场效应管150的栅极对地电位拉低VCC时能将第一场效应管150的栅极对地电位降至比源极对地电位低大约(VCC-0.6V)的程度，从而使第一场效应管150导通。

在一些具体实施例中，第一场效应管150采用TO-220封装型号为NCE60P82A的大功率 P沟道MOS管，并与续流的第三二极管D3共同用螺钉锁在同一个大的长条状铝散热片上散热，以免承担大工作电流的第一场效应管150及第三二极管D3升温过高。驱动模块120中的第一稳压二极管D1采用12V～15V、1/2W的稳压二极管，确保第一场效应管150不至于因栅极与源极之间因过压而击穿损坏；在一些其他具体实施例中，也可以采用其他型号的稳压二极管及大功率高耐压大电流且低导通内阻的P沟道MOS管，不仅限于此。第一电容140 采用100nF/50V，电容量不可选值过大以免PWM频率条件下的电容容抗过高、第一电容140 的充放电电流过大而导致第一稳压二极管D1两端电压偏高。第一电阻R1采用1K、1/4W的电阻，为第一电容C1提供充电通道。对于电源VDD不超过24V的应用场合，第二电容C2 可采用100uF/35V～470uF/35V的电解电容，为驱动模块120提供稳定的供电，稳压器160 采用型号为78L09的稳压器，在一些其他具体实施例中，也可以采用其他型号的稳压器，只要耐压大于电源VDD至少10V、输出电压在5V～15V范围内且比电源VDD低3V以上的稳压器型号均可，不仅限于此。

参照图3，在一些实施例中，控制模块130包括三极管Q3、第二二极管D2、第二场效应管Q2、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4，稳压器160的输入端连接电源VDD；三极管Q3的基极连接第二电阻R2的第二端，第二电阻R2的第一端连接稳压器160的输出端，三极管Q3的集电极连接稳压器160的输出端，三极管Q3的发射极连接第一电容C1的第二端；第二二极管D2的阳极分别连接三极管Q3的发射极和第一电容C1的第二端，第二二极管D2的阴极分别连接三极管Q3的基极和第二电阻R2的第二端；第二场效应管Q2的栅极连接第三电阻R3的第二端与第四电阻R4的第一端，第四电阻R4的第二端接地，第三电阻R3的第一端连接微处理器110，第二场效应管Q2的漏极分别连接第二二极管D2的阴极、三极管Q3的基极和第二电阻R2的第二端，第二场效应管Q2的源极接地；第二电阻R2 的第一端分别连接稳压器160的输出端和三极管Q3的集电极，第二电阻R2的第二端分别连接三极管Q3的基极、第二二极管D2的阴极和第二场效应管Q2的漏极；第三电阻R3的第一端连接微处理器110，第三电阻R3的第二端连接第二场效应管Q2的栅极；第四电阻R4 的第一端分别连接第三电阻R3的第二端和第二场效应管Q2的栅极，第四电阻R4的第二端分别连接第二场效应管Q2的源极和接地。微处理器110输出初始第一个PWM高电平信号时，经第三电阻R3驱动第二场效应管Q2导通，第一电容140经第二二极管D2和第二场效应管 Q2到地，第一电容140第二端的对地电位仅0.6V左右，即第二二极管D2导通压降的水平，电源VDD经第一电阻R1向第一电容140充电，第一电容140第一端的对地电位充电到接近电源VDD的水平。当微处理器110输出PWM低电平信号时，第二场效应管Q2截止，由于此时第一电容140第二端对地电位仅约0.6V，三极管Q3在第二电阻R2正向偏置下导通，稳压器输出VCC经三极管Q3向第一电容140充电，第一电容140的第二端对地电位瞬间大幅升高到接近稳压器输出VCC的水平，由于电容两端信号不能突变，第一电容140第一端对地电位也瞬间大幅升高了约VCC，变成VDD+VCC，但由于受到第一二极管D1的约0.6V正向导通钳位的限制，使得第一电容140第一端的对地电位，即第一场效应管150的栅极对地电位只能仅比电源VDD，即第一场效应管150的源极高约0.6V，由于第一场效应管150的栅极对地电位比源极高，第一场效应管150截止。当微处理器110再次输出PWM高电平信号时，第二场效应管Q2导通，第一电容140经第二二极管D2和第二场效应管Q2对地放电，第一电容140第二端的对地电位又由VCC降到仅0.6V左右，即第二二极管D2导通压降的水平，相当于迅速降低了约(VCC-0.6V)幅度，由于电容两端信号不能突变，使第一电容140第一端，即第一场效应管150的栅极对地电位也瞬间减少约(VCC-0.6V)的幅度，从而第一场效应管150的源极和栅极之间的电压差瞬间增大了约(VCC-0.6)的幅度，由于稳压器输出VCC 电压远大于第一场效应管150导通所需要的栅极和源极之间的电压差门槛值，从而第一场效应管150导通。这样能够方便地实现对第一场效应管150的通断状态进行控制，从而控制电源VDD对负载230的供电。稳压器160能够将过大的输出电压控制在一个5V～15V的固定值范围内，既保证了控制模块130有足够高的VCC供电，从而输出较大幅度的PWM波形驱动第一场效应管150快速导通，减少第一场效应管150的发热，同时又不至于因控制模块130 的VCC供电过高而导致第一场效应管150的栅极与源极之间电压差过大而危及第一场效应管 150，保证了电路在工作过程中的安全性。

在一些具体实施例中，控制模块130中的三极管Q3采用型号为2SD882的功率三极管，这种功率三极管有足够耐压并能够耐更大的冲击电流，加快第一场效应管150的瞬间导通速度，减少第一场效应管150的功率损耗，第二二极管D2采用型号为1N4148的二极管，这种二极管的导通速度较快，第二场效应管Q2采用型号为2N7002的场效应管，这种场效应管的栅极和源极间的结电容较小，导通速度快，有足够耐压，可以保证控制模块130输出给第一电容的PWM信号的上升沿与下降沿都足够陡峭，减少第一场效应管150的未彻底导通区域的功率损耗，保证了电路的工作稳定性。需要说明的是，在一些其他具体实施例中，也可以采用其他型号的三极管、二极管和场效应管，不仅限于此。第二电阻R2采用不低于1/8W的330欧姆电阻，取值不宜过大，否则会拖慢三极管Q3及第一场效应管150的导通速度造成第一场效应管150的发热迅速上升，第三电阻R3采用10欧姆～30欧姆、不低于1/8W的电阻，第四电阻R4采用10K～100K的电阻。

参照图2和图3，在一些实施例中，为了提高电路的工作稳定性，一种防死机的MOS管驱动电路还包括滤波模块210，滤波模块210连接第一场效应管150的漏极，这样能够通过滤波模块210对第一场效应管150的输出信号进行滤波处理，从而获得稳定的直流电供后面负载230工作及电流检测，提高电路的工作稳定性。

参照图3，在一些具体实施例中，滤波模块210包括第三二极管D3、电感L1、第三电容 C3和第四电容C4，第三二极管D3的阴极连接第一场效应管150的漏极，第三二极管D3的阳极接地；电感L1的第一端分别连接第一场效应管150的漏极和第三二极管D3的阴极；第三电容C3的第一端连接电感L1的第二端，第三电容C3的第二端分别连接第三二极管D3 的阳极和接地；第四电容C4的第一端分别连接电感L1的第二端和第三电容C3的第一端，第四电容C4的第二端分别连接第三二极管D3的阳极、第三电容C3的第二端和接地。

在一些具体实施例中，例如：对于PWM驱动频率为250KHz的情况，电感L1可采用磁饱和电流大于负载230电流2A以上的4.7uH圆环状绕线电感。第三二极管D3采用耐电流大于负载230电流2A、耐压不低于40V的肖特基二极管，对于负载230电流大于5A～10A的大负载场合，第三二极管D3可采用TO-220封装的DFR20A60CT型号肖特基二极管，这种二极管的工作电流较高，有利于保证电路工作的稳定性，并加装铝散热片配合散热，以免第三二极管D3温升过高，在一些其他具体实施例中，也可以采用其他型号的二极管，不仅限于此。第三电容C3采用470uF/35V电解电容，第四电容C4可采用100nF/50V的瓷片电容。

参照图2，在一些实施例中，为了防止负载230过载或短路造成的过流损坏，一种防死机的MOS管驱动电路还包括采样模块220，采样模块220连接微处理器110，这样能够通过采样模块220对负载230电流进行适时采集检测，微处理器110一旦检测到负载230电流过大，微处理器110即停止输出PWM交变信号波形以切断第一场效应管150的输出，从而确保电路的安全性。

参照图3，在一些具体实施例中，采样模块220包括第五电阻R5、第六电阻R6、第五电容C5和第六电容C6，第五电阻R5的第一端连接微处理器110；第六电阻R6的第一端连接第五电阻R5的第二端，第六电阻R6的第二端接地；第五电容C5的第一端分别连接微处理器110和第五电阻R5的第一端，第五电容C5的第二端连接第六电阻R6的第二端和接地；第六电容C6的第一端分别连接第五电阻R5的第二端和第六电阻R6的第一端，第六电容C6 的第二端分别连接第五电容C5的第二端、第六电阻R6的第二端和接地。在电路的工作过程中，这样能够对负载230电流进行适时采集检测，微处理器110一旦检测到负载230电流过大，微处理器110即停止输出PWM交变信号波形以切断第一场效应管150的输出，从而确保电路的安全性。

在一些具体实施例中，对于负载230电流小于5A的应用场合，第六电阻R6可采用0.05 欧姆～0.1欧姆、1W、误差为±1％的精密电阻作为采样电阻；对于负载230电流大于5A的，第六电阻R6应采用0.01欧姆～0.02欧姆、不易烧断、散热条件好、误差为±1％的康铜丝作为采样电阻。第五电阻R5与第五电容C5、第六电容C6组成采样滤波回路，第五电阻R5采用2.2K，第五电容C5、第六电容C6采用100nF/50V，选值不可过大，以免适时响应速度过慢造成负载230电流波动过大。

参照图3，在一些实施例中，一种防死机的MOS管驱动电路还包括第七电容C7，第七电容C7的第一端连接稳压器160的输出端，第七电容C7的第二端分别连接稳压器160的接地端和接地。

在一些具体实施例中，一种防死机的MOS管驱动电路中的第七电容C7采用10uF/25V～ 22uF/25V的贴片电容或电解电容，以稳定稳压器160的输出电压。

第二方面，本实用新型实施例还提供一种电源，包括第一方面所示的一种防死机的MOS 管驱动电路。

这种电源采用上述实施例的一种防死机的MOS管驱动电路能够通过微处理器110输出第一控制信号，控制模块130根据微处理器110输出的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容140根据第二控制信号改变第一场效应管150的通断状态，从而第一场效应管150能够快速通断以控制电源VDD对负载230供电，由于电容具有隔直流通交流特性，从而能够在微处理器110死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，增加了安全性。

第三方面，本实用新型实施例还提供一种电子设备，包括第二方面所示的电源。

这种电子设备采用上述实施例的电源能够通过微处理器110输出第一控制信号，控制模块130根据微处理器110输出的第一控制信号输出第二控制信号，第一电容140根据第二控制信号改变第一场效应管150的通断状态，从而第一场效应管150能够快速通断以控制电源VDD对负载230的供电，由于电容具有隔直流通交流特性，从而能够在微处理器110死机时采取自动切断供电输出的保护措施，保证了电路在工作过程中不会失控，增加了安全性。

上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。此外，在不冲突的情况下，本实用新型的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

Claims (10)

1.一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，包括：

微处理器；

稳压器，所述稳压器的输入端连接电源；

第一场效应管，所述第一场效应管的源极连接所述电源；

驱动模块，所述驱动模块包括：

控制模块，所述控制模块的输入端连接所述微处理器；

第一电容，所述第一电容的第一端连接所述第一场效应管的栅极；所述第一电容的第二端连接所述控制模块的输出端；

所述微处理器用于输出第一控制信号，所述控制模块用于根据所述第一控制信号输出第二控制信号，所述第一电容用于根据所述第二控制信号改变所述第一场效应管的通断状态，所述第一场效应管用于控制所述电源对负载供电。

2.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述驱动模块还包括：

第二电容，所述第二电容的第一端连接所述电源，所述第二电容的第二端接地；

第一电阻，所述第一电阻的第一端分别连接所述第一场效应管的源极和所述电源，所述第一电阻的第二端分别连接所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端；

第一稳压二极管，所述第一稳压二极管的阳极分别连接所述第一电阻的第二端、所述第一场效应管的栅极和所述第一电容的第一端，所述第一稳压二极管的阴极分别连接所述第一电阻的第一端、所述第一场效应管的源极和所述电源。

3.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述控制模块包括：

三极管，第二二极管，第二场效应管，第二电阻，第三电阻，第四电阻；

所述三极管的基极连接所述第二电阻的第二端，第二电阻的第一端连接所述稳压器的输出端，所述三极管的集电极连接所述稳压器的输出端，所述三极管的发射极连接所述第一电容的第二端；

所述第二二极管的阳极分别连接所述三极管的发射极和所述第一电容的第二端，所述第二二极管的阴极分别连接所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端；

所述第二场效应管的栅极分别连接所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地，所述第三电阻的第一端连接所述微处理器，所述第二场效应管的漏极分别连接所述第二二极管的阴极、所述三极管的基极和所述第二电阻的第二端，所述第二场效应管的源极接地；

所述第二电阻的第一端分别连接所述稳压器的输出端和所述三极管的集电极，所述第二电阻的第二端分别连接所述三极管的基极、所述第二二极管的阴极和所述第二场效应管的漏极；

所述第三电阻的第一端连接所述微处理器，所述第三电阻的第二端连接所述第二场效应管的栅极；

所述第四电阻的第一端分别连接所述第三电阻的第二端和所述第二场效应管的栅极，所述第四电阻的第二端分别连接所述第二场效应管的源极和接地。

4.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

滤波模块，所述滤波模块连接所述第一场效应管的漏极，所述滤波模块用于对所述第一场效应管的输出信号进行滤波处理，然后输出给负载。

5.根据权利要求4所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述滤波模块包括：

第三二极管，所述第三二极管的阴极连接所述第一场效应管的漏极，所述第三二极管的阳极接地；

电感，所述电感的第一端分别连接所述第一场效应管的漏极和所述第三二极管的阴极；

第三电容，所述第三电容的第一端连接所述电感的第二端，所述第三电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极和接地；

第四电容，所述第四电容的第一端分别连接所述电感的第二端和所述第三电容的第一端，所述第四电容的第二端分别连接所述第三二极管的阳极、第三电容的第二端和接地。

6.根据权利要求1所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

采样模块，所述采样模块连接负载和所述微处理器，所述采样模块用于根据所述微处理器输出的第三控制信号，对负载电流进行采样。

7.根据权利要求6所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述采样模块包括：

第五电阻，所述第五电阻的第一端连接所述微处理器；

第六电阻，所述第六电阻的第一端分别连接所述第五电阻的第二端和负载，所述第六电阻的第二端接地；

第五电容，所述第五电容的第一端分别连接所述微处理器和所述第五电阻的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第六电阻的第二端和接地；

第六电容，所述第六电容的第一端分别连接所述第五电阻的第二端和所述第六电阻的第一端，所述第六电容的第二端分别连接所述第五电容的第二端、所述第六电阻的第二端和接地。

8.根据权利要求1至7任一项所述的一种防死机的MOS管驱动电路，其特征在于，所述一种防死机的MOS管驱动电路还包括：

第七电容，所述第七电容的第一端连接所述稳压器的输出端，所述第七电容的第二端分别连接所述稳压器的接地端和接地。

9.电源，其特征在于，所述电源包括如权利要求1至8任一项所述的一种防死机的MOS管驱动电路。

10.电子设备，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求9所述的电源。

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