CN220552939U - 一种基于vds退饱和检测和di/dt检测的复合检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，旨在解决VDS退饱和检测需要设置检测盲区，即消隐时间，防止正常开通时误触发保护；及d i/dt检测不能快速可靠的检测负载短路故障的问题，用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和D I/DT检测电路，D I/DT检测电路的输出端连接在与门U4的一个输入端上，VDS退饱和检测电路的输出端连接在与门U4的另一个输入端上，与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，触发器U5的输出端输出检测结果信号。
Description
技术领域
本实用新型属于短路保护技术领域，特别涉及一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路。
背景技术
碳化硅模块的过流故障主要包括过载过流故障和短路故障，其中过载的电流值一般为额定电流值的1.2-1.5倍，不需要快速响应，允许短时间过载运行。而发生短路故障时，由于短路回路的阻抗比负载小得多，且碳化硅模块具有更低的导通电阻，流过器件的电流值可以短时间内快速上升至额定值的8-10倍，会在短时间内产生大量的热量导致器件热失效，或在关断时产生极高的过电压导致器件倍击穿，碳化硅模块短路情况会更加严重。相比于硅器件，由于碳化硅器件管芯面积小，电流密度大，其短路能力相对较弱，因此，碳化硅模块对短路保护的要求更高，需要更快速检测并响应故障。
以电机驱动应用场合为例，碳化硅模块在实际运行过程中容易出现两类故障，这两类故障按照短路回路的电感量可以分为硬开关短路(Hard Switching Fault,HSF)和负载短路(Fault Under Load,FUL)。
硬开关短路是指短路回路电感量非常小的短路故障，如图1所示。发生硬开关短路时，由于短路回路电感量非常小，漏极电流将急剧上升，达到最大值后回落到稳定的短路电流值，而器件漏-源极电压VDS除了短暂的波动外，将稳定在直流母线电压附近。硬开关短路产生的短路电流短时间内可在功率芯片内部产生非常大的热量，使结温迅速升高。若保护电路没有及时检测到短路故障并快速关断器件，芯片非常容易因结温过高而烧毁或栅氧层发生失效。因此，对于碳化硅模块来说，硬开关短路时是最需要被快速检测并响应的故障。
负载短路是指碳化硅模块在已开通的条件下发生短路，如负载电机相间短路或对地短路，如图2所示，负载短路的短路回路剩余电感量比硬开关短路大，但远小于正常负载的电感。在正常导通时，碳化硅模块处于饱和导通状态，漏-源极电压保持为饱和导通压降，负载发生短路后，功率回路电感量大幅下降，漏极电流快速上升，回路电感因逐渐饱和而直通，器件退出饱和区，进入短路状态，漏-源电压最终将稳定在直流母线电压值。负载短路也是一种较为严重的短路故障，也需要快速关断。
现有技术中，对碳化硅模块的短路检测方式为VDS退饱和检测和di/dt检测；
VDS退饱和检测：在器件正常导通时，VDS为漏极电流ID流过器件产生的导通压降，此时VDS是一个比较小的值，当发生短路时，VDS会逐渐升高而退出饱和区并超过所设定的阈值电压，检测出短路故障。
di/dt检测：对于模块封装的碳化硅模块，为了降低驱动回路的寄生电感，一般会留出两个源极，一个是用于连接驱动引脚的开尔文源极，一个是功率源极，功率源极和开尔文源极之间存在寄生电感Lss，通过检测Lss上的感应电压即可得到器件在开关过程或短路故障时的电流变化率。di/dt检测法判别短路故障的基本原理就是短路故障条件下的di/dt值大于正常开关过程中的di/dt值。
现有技术至少存在如下问题：
1.VDS退饱和检测需要设置检测盲区，即消隐时间，防止正常开通时误触发保护。在发生硬开关短路时，流过碳化硅模块的电流可以在很短时间内就达到额定值8～10倍的峰值，检测盲区的存在非常不利于限制碳化硅模块的短路电流和功耗，可能导致器件损坏。此外，由于碳化硅模块具有更低的导通电阻，流过相同的电流时，其漏-源极电压VDS会更低，动作阈值电压的裕量更低，更容易造成误触发。
2.碳化硅模块发生短路故障时的电流变化率di/dt由直流母线电压和短路回路的剩余电感量决定，负载短路工况的回路剩余电感量一般为μH级别，此时的di/dt值可能小于开通过程的di/dt值，Lss上的感应电压达不到设定的动作阈值，即di/dt检测并不能快速可靠的检测负载短路故障。
实用新型内容
本实用新型提供了一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，旨在解决上述现有技术中存在的VDS退饱和检测需要设置检测盲区，即消隐时间，防止正常开通时误触发保护；以及负载短路工况的回路剩余电感量一般为μH级别，此时的di/dt值可能小于开通过程的di/dt值，Lss上的感应电压达不到设定的动作阈值，即di/dt检测并不能快速可靠的检测负载短路故障的技术问题。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：
用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，所述MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和DI/DT检测电路，所述DI/DT检测电路的输入端连接在所述寄生电感LSS的一端上并通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述DI/DT检测电路的输出端连接在所述与门U4的一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输出端连接在所述与门U4的另一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输入端连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述MOS管Q2的栅极接入第一PWM信号，所述与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，所述触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，所述触发器U5的输出端输出检测结果信号。
本实用新型的有益效果是：本申请采用VDS退饱和检测和di/dt检测结合的复合型短路故障检测方式。di/dt检测电路主要用于检测硬开关短路，可以设置较高的动作阈值避免因兼顾负载短路检测而带来的误动作；VDS退饱和检测主要用于负载短路检测，可以设置较长的消隐时间和较高的阈值电压，以更可靠的检测负载短路。两者结合形成的复合性短路故障检测方法可以弥补退饱和检测对硬开关短路检测响应慢的问题，并完善di/dt检测法对负载短路故障检测的不足，为碳化硅模块提供更加可靠性的短路故障检测方法。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，上述所述DI/DT检测电路包括：第一分压电路、限幅电路、低通滤波电路和比较器U3；
所述第一分压电路的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述第一分压电路的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，所述比较器U3的正向输入端接入比较阈值信号Vth2，所述比较器U3的输出端为所述DI/DT检测电路的输出端。
采用上述进一步方案的有益效果是：当碳化硅模块处于硬开关短路(桥臂直通)条件下时，流过碳化硅模块的电流ID迅速升高，在寄生电感Lss上产生较大的负向电压，然后经过第一分压电路进行分压、限幅电路进行限幅和低通滤波电路进行低通滤波后得到电压Vs，送入比较器U3，当电压Vs超过比较阈值信号Vth2时，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
进一步，上述所述第一分压电路包括电阻R4和电阻R5；
所述电阻R4的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述电阻R4的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端接地。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过第一分压电路进行分压，减小负向电压检测电路中的功率损耗。
进一步，上述所述限幅电路包括二极管D3和二极管D4；
所述二极管D3阴极以及所述二极管D4的阳极相连并均连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述二极管D3的阳极接入负电源电压V-，所述二极管D4的阴极接入正电源电压VCC。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过限幅电路进行限幅，对负向电压检测电路形成过压保护。
进一步，上述所述低通滤波电路包括电阻R6和电容C2；
所述电阻R6的一端连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述电阻R6的另一端连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过低筒滤波电路对高频信号进行过滤，同时保留低频部分。
进一步，上述所述VDS退饱和检测电路包括：开关电路、充放电电路、反向截止电路、第二分压电路和比较器U2；
所述反向截止电路的一端为所述VDS退饱和检测电路的输入端并连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述反向截止电路的另一端通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上，所述比较器U2的负向输入端接入动作阈值信号Vth1，所述比较器U2的输出端为所述VDS退饱和检测电路的输出端。
采用上述进一步方案的有益效果是：当模块开通于负载短路条件下时，由于流过碳化硅模块的器件的电流持续增加，MOS管Q2的漏极电压高于比较器U2的正向输入端的电压Vd，反向截止电路处于反向截止状态，对充放电电路中电容进行充电，电压Vd随着电容电压升高。当电压Vd超过动作阈值信号Vth1时，比较器U2动作，输出控制信号OUT1，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
进一步，上述所述反向截止电路包括二极管D1和二极管D2；
所述二极管D1的阴极连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述二极管D1的阳极连接在所述二极管D2的阴极上，所述二极管D2的阳极通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上。
采用上述进一步方案的有益效果是：通过两个串联的二极管形成反向截止电路，防止反向电流过大导致电路损坏。
进一步，上述所述开关电路包括反相器U1和MOS管Q1；
所述反相器U1的输入端接入第二PWM信号，所述反相器U1的输出端连接在所述MOS管Q1的栅极上，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极连接在所述二极管D2的阳极上。
采用上述进一步方案的有益效果是：本申请通过反相器U1和MOS管Q1，起到电路连通与断开的作用。
进一步，上述所述充放电电路包括电阻R1和电容C1；
所述电阻R1的一端和所述电容C1的一端均连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R1的另一端接入正电源电压VCC，所述电容C1的另一端接地。
采用上述进一步方案的有益效果是：本申请通过充放电电路进行充电和放电。
进一步，上述所述第二分压电路包括电阻R2和电阻R3；
所述电阻R2的一端连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R2的另一端连接在所述比较器U2的正向输入端上，且所述电阻R2的另一端连接在所述电阻R3的一端上，所述电阻R3的另一端接地
采用上述进一步方案的有益效果是：通过第二分压电路进行分压，减小电路中的功率损耗。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
图1为本实用新型背景技术中的碳化硅模块硬开关短路示意图；
图2为本实用新型背景技术中的碳化硅模块负载短路示意图；
图3为本实用新型一个实施例提供的基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路原理示意图。
图4为本实用新型一个实施例提供的基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路图。
具体实施方式
以下对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
下面以具体实施例对本实用新型的技术方案以及本实用新型的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本实用新型的实施例进行描述。
如图3所示，本实用新型实施例提供了一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，所述MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和DI/DT检测电路，所述DI/DT检测电路的输入端连接在所述寄生电感LSS的一端上并通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述DI/DT检测电路的输出端连接在所述与门U4的一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输出端连接在所述与门U4的另一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输入端连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述MOS管Q2的栅极接入第一PWM信号，所述与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，所述触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，所述触发器U5的输出端输出检测结果信号。
其中，本申请采用VDS退饱和检测和di/dt检测结合的复合型短路故障检测方式。di/dt检测电路主要用于检测硬开关短路，可以设置较高的动作阈值避免因兼顾负载短路检测而带来的误动作；VDS退饱和检测主要用于负载短路检测，可以设置较长的消隐时间和较高的阈值电压，以更可靠的检测负载短路。两者结合形成的复合性短路故障检测方法可以弥补退饱和检测对硬开关短路检测响应慢的问题，并完善di/dt检测法对负载短路故障检测的不足，为碳化硅模块提供更加可靠性的短路故障检测方法。
可选的，所述DI/DT检测电路包括：第一分压电路、限幅电路、低通滤波电路和比较器U3；
所述第一分压电路的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述第一分压电路的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，所述比较器U3的正向输入端接入比较阈值信号Vth2，所述比较器U3的输出端为所述DI/DT检测电路的输出端。
其中，当碳化硅模块处于硬开关短路(桥臂直通)条件下时，流过碳化硅模块的电流ID迅速升高，在寄生电感Lss上产生较大的负向电压，然后经过第一分压电路进行分压、限幅电路进行限幅和低通滤波电路进行低通滤波后得到电压Vs，送入比较器U3，当电压Vs超过比较阈值信号Vth2时，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
可选的，所述第一分压电路包括电阻R4和电阻R5；
所述电阻R4的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述电阻R4的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端接地。
其中，通过第一分压电路进行分压，减小负向电压检测电路中的功率损耗。
可选的，所述限幅电路包括二极管D3和二极管D4；
所述二极管D3阴极以及所述二极管D4的阳极相连并均连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述二极管D3的阳极接入负电源电压V-，所述二极管D4的阴极接入正电源电压VCC。
其中，通过限幅电路进行限幅，对负向电压检测电路形成过压保护。
可选的，所述低通滤波电路包括电阻R6和电容C2；
所述电阻R6的一端连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述电阻R6的另一端连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地。
其中，通过低筒滤波电路对高频信号进行过滤，同时保留低频部分。
可选的，所述VDS退饱和检测电路包括：开关电路、充放电电路、反向截止电路、第二分压电路和比较器U2；
所述反向截止电路的一端为所述VDS退饱和检测电路的输入端并连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述反向截止电路的另一端通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上，所述比较器U2的负向输入端接入动作阈值信号Vth1，所述比较器U2的输出端为所述VDS退饱和检测电路的输出端。
其中，当模块开通于负载短路条件下时，由于流过碳化硅模块的器件的电流持续增加，MOS管Q2的漏极电压高于比较器U2的正向输入端的电压Vd，反向截止电路处于反向截止状态，对充放电电路中电容进行充电，电压Vd随着电容电压升高。当电压Vd超过动作阈值信号Vth1时，比较器U2动作，输出控制信号OUT1，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
可选的，所述反向截止电路包括二极管D1和二极管D2；
所述二极管D1的阴极连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述二极管D1的阳极连接在所述二极管D2的阴极上，所述二极管D2的阳极通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上。
其中，通过两个串联的二极管形成反向截止电路，防止反向电流过大导致电路损坏。
可选的，所述开关电路包括反相器U1和MOS管Q1；
所述反相器U1的输入端接入第二PWM信号，所述反相器U1的输出端连接在所述MOS管Q1的栅极上，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极连接在所述二极管D2的阳极上。
其中，本申请通过反相器U1和MOS管Q1，起到电路连通与断开的作用。
可选的，所述充放电电路包括电阻R1和电容C1；
所述电阻R1的一端和所述电容C1的一端均连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R1的另一端接入正电源电压VCC，所述电容C1的另一端接地。
其中，本申请通过充放电电路进行充电和放电。
可选的，所述第二分压电路包括电阻R2和电阻R3；
所述电阻R2的一端连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R2的另一端连接在所述比较器U2的正向输入端上，且所述电阻R2的另一端连接在所述电阻R3的一端上，所述电阻R3的另一端接地
其中，通过第二分压电路进行分压，减小电路中的功率损耗。
工作原理：
如图4所示，正常当碳化硅模块处于关断状态时，驱动第二PWM信号经过反相器U1处理后控制MOS管Q1导通，Vd的电平被拉低，VDS退饱和检测电路处于屏蔽状态。当第二PWM信号变为高电平时，VDS退饱和检测电路启动检测。
碳化硅模块开通于硬开关短路(桥臂直通)条件下时，流过碳化硅模块的电流ID迅速升高，在寄生电感Lss上产生较大的负向电压，经过分压、限幅和低通滤波后得到Vs，送入比较器U3，当Vs超过比较阈值Vth2时，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
VDS退饱和检测法则由于检测消隐时间的存在而对短路故障的检测慢的多，VDS退饱和检测方法也可以可靠的检测到硬开关短路故障，但其较长的反应时间会使碳化硅模块在硬开关短路条件下承受更长的短路时间，增加其短路失效的风险，因此更适用于负载短路故障的检测。
碳化硅模块开通于负载短路条件下时，流过器件的电流ID增长速度较为缓慢，但在开通时感应得到的Vs较小，未触发保护阈值，di/dt检测电路未动作。由于流过器件的电流持续增加，MOS管Q2的漏极电压高于Vd，串联的二极管D1、二极管D2处于反向截止状态，电源电压VCC通过R1对电容C1充电，Vd电压随着电容C1电压升高。当Vd超过动作阈值信号Vth1时，对应比较器U2动作，输出控制信号OUT1，经过与门U4和触发器U5输出关断信号。
与一般的VDS退饱和检测方式相比，采用这样结合的方式能够适用两类短路故障，降低短路保护限制带来的影响，能够更好的避免碳化硅模块的损坏。
以上描述仅为本实用新型的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本实用新型中所涉及的公开范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述公开构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本实用新型中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
Claims (10)
1.一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路,其特征在于，用于对包括MOS管Q2的碳化硅模块进行短路检测，所述MOS管Q2的源极上存在寄生电感LSS；复合检测电路包括：与门U4、触发器U5、VDS退饱和检测电路和DI/DT检测电路，所述DI/DT检测电路的输入端连接在所述寄生电感LSS的一端上并通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述DI/DT检测电路的输出端连接在所述与门U4的一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输出端连接在所述与门U4的另一个输入端上，所述VDS退饱和检测电路的输入端连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述MOS管Q2的栅极接入第一PWM信号，所述与门U4的输出端连接在触发器U5的置位端S上，所述触发器U5的复位端R接入第三PWM信号，所述触发器U5的输出端输出检测结果信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述DI/DT检测电路包括：第一分压电路、限幅电路、低通滤波电路和比较器U3；
所述第一分压电路的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述第一分压电路的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，所述比较器U3的正向输入端接入比较阈值信号Vth2，所述比较器U3的输出端为所述DI/DT检测电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述第一分压电路包括电阻R4和电阻R5；
所述电阻R4的一端为所述DI/DT检测电路的输入端并连接在所述寄生电感LSS的一端上且通过所述寄生电感LSS的另一端连接在所述MOS管Q2的源极上，所述电阻R4的另一端通过所述限幅电路以及所述低通滤波电路连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电阻R5的一端连接，所述电阻R5的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述限幅电路包括二极管D3和二极管D4；
所述二极管D3阴极以及所述二极管D4的阳极相连并均连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述二极管D3的阳极接入负电源电压V-，所述二极管D4的阴极接入正电源电压VCC。
5.根据权利要求3所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述低通滤波电路包括电阻R6和电容C2；
所述电阻R6的一端连接在所述电阻R4与所述电阻R5的公共连接端上，所述电阻R6的另一端连接在所述比较器U3的负向输入端上，且与电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接地。
6.根据权利要求1所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述VDS退饱和检测电路包括：开关电路、充放电电路、反向截止电路、第二分压电路和比较器U2；
所述反向截止电路的一端为所述VDS退饱和检测电路的输入端并连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述反向截止电路的另一端通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上，所述比较器U2的负向输入端接入动作阈值信号Vth1，所述比较器U2的输出端为所述VDS退饱和检测电路的输出端。
7.根据权利要求6所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述反向截止电路包括二极管D1和二极管D2；
所述二极管D1的阴极连接在所述MOS管Q2的漏极上，所述二极管D1的阳极连接在所述二极管D2的阴极上，所述二极管D2的阳极通过所述开关电路、所述充放电电路以及所述第二分压电路连接在所述比较器U2的正向输入端上。
8.根据权利要求7所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述开关电路包括反相器U1和MOS管Q1；
所述反相器U1的输入端接入第二PWM信号，所述反相器U1的输出端连接在所述MOS管Q1的栅极上，所述MOS管Q1的源极接地，所述MOS管Q1的漏极连接在所述二极管D2的阳极上。
9.根据权利要求7所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述充放电电路包括电阻R1和电容C1；
所述电阻R1的一端和所述电容C1的一端均连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R1的另一端接入正电源电压VCC，所述电容C1的另一端接地。
10.根据权利要求7所述的一种基于VDS退饱和检测和DI/DT检测的复合检测电路，其特征在于，所述第二分压电路包括电阻R2和电阻R3；
所述电阻R2的一端连接在所述二极管D2的阳极上，所述电阻R2的另一端连接在所述比较器U2的正向输入端上，且所述电阻R2的另一端连接在所述电阻R3的一端上，所述电阻R3的另一端接地。
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