CN214011423U

CN214011423U - 一种igbt器件的多应力作用测试系统

Info

Publication number: CN214011423U
Application number: CN202023065025.XU
Authority: CN
Inventors: 邓二平; 王延浩; 赵雨山; 黄永章
Original assignee: North China Electric Power University
Current assignee: North China Electric Power University
Priority date: 2020-12-18
Filing date: 2020-12-18
Publication date: 2021-08-20
Anticipated expiration: 2030-12-18

Abstract

本实用新型公开了一种IGBT器件的多应力作用测试系统。所述系统包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各测试支路均通过一个电流测试支路开关与直流电流源连接；各测试支路均通过一个电压测试支路开关与直流电压源连接。本实用新型解决了测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。

Description

一种IGBT器件的多应力作用测试系统

技术领域

本实用新型涉及功率半导体器件测试领域，特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)器件的多应力作用测试系统。

背景技术

功率半导体器件的应用越来越广泛，目前全世界至少60％以上的电能均由它来控制，随着柔性直流输电技术、新能源汽车的发展，这一比例将大大上升。更广泛的应用对功率半导体器件在电压等级、容量和长期运行可靠性方面提出了更高的挑战，高电压等级、大容量的器件被称为高压大功率半导体器件。用于考核高压大功率半导体器件可靠性的测试有十几种，如表1所示，最重要的测试有功率循环测试、高温反偏测试、高温栅偏测试，分别对应高压大功率半导体器件封装特性、芯片长期耐压能力和芯片栅极可靠性的考核。

表1高压大功率半导体器件可靠性测试项目

功率循环测试通过直流电流将被测器件加热使得其温度升高，此后通过水冷系统冷却，以此反复循环以考核封装的长期运行可靠性；高温反偏测试通过高温环境下在阻断的器件两端施加高压，以考核芯片终端长期耐压能力；高温栅偏测试通过高温环境下在器件栅极施加电压，以考核芯片长期栅极可靠性。功率循环及高温反偏测试、高温栅偏测试的基本原理如图1所示。其中，图1的(a)部分为功率循环测量电路原理图，图1的(a)部分中，I_Load为负载电流源，I_Sense为测量电流源，K为开关，DUT IGBT为待测IGBT器件，为保证测量电流源的温升效应不对器件产生老化，I_Sense≈0.001*I_Load。开关K闭合，使负载电流通过待测器件以对器件加热，开关K断开后，负载电流被移除，测量电流仍加在待测器件两端，重复整个过程构成功率循环测试。图1的(b)部分为功率循环测量时序图，图1的(b)部分中，T_on期间器件通过I_Load和I_Sense并被加热，T_on时刻图1的(a)部分中的开关K断开，负载电流被移除，器件仅通过I_Sense并降温，重复整个过程构成功率循环测试。图1的(c)部分为高温反偏测量电路原理图，图1的(c)部分中，待测IGBT器件GE两端短路，高压电源V_C通过开关K向待测IGBT器件CE两端施加电压，测量电阻R_Measure串联在器件发射极处以测量CE漏电流I_ces。图1的(d)部分为高温栅偏测量电路原理图。图1的(d)部分中，待测IGBT器件CE两端短路，栅极电源V_G通过开关K向待测IGBT器件GE两端施加电压，测量电阻R_Measure串联在器件栅极处以测量GE漏电流I_ges。

然而，常规的可靠性考核均是单个器件只进行单一可靠性实验测试，如目前的功率循环测试、高温反偏测试、高温栅偏测试都是通过独立的器件分开考核，并未考虑多因素综合作用的影响。但是高压大功率半导体器件的实际应用环境是多应力综合交叉耦合作用的，器件导通阶段的大电流、高温度梯度，器件阻断状态的高电压、高温都以不同的机理加速器件的老化。如，封装材料的老化还可能导致器件终端耐压能力的下降，这是单一可靠性实验项目无法评估的。此外，各器件只进行单一的一项可靠性测试还增加了测试的金钱成本、时间成本。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种IGBT器件的多应力作用测试系统，以解决测试准确性低、金钱成本高、时间成本高的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下方案：

一种IGBT器件的多应力作用测试系统，包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；

所述测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；所述测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；所述被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个所述被测IGBT器件通过串并联转换电路连接；各所述测试支路均通过一个所述电流测试支路开关与所述直流电流源连接；各所述测试支路均通过一个所述电压测试支路开关与所述直流电压源连接。

可选的，所述被测器件支路中第i个被测IGBT器件的集电极和发射极均与一个所述串并联转换电路的一端连接；所述串并联转换电路的另一端与第i+1个被测IGBT器件的集电极和发射极连接。

可选的，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括栅极电压源；所述栅极电压源与所述被测IGBT器件的栅极连接。

可选的，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括水冷器；所述冷水器用于冷却所述被测IGBT器件。

可选的，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括限流电阻；所述限流电阻设置在所述直流电压源与所述电压测试支路开关之间。

可选的，所述测试支路为三个，各所述被测器件支路均包括四个被测IGBT器件。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型提出了一种IGBT器件的多应力作用测试系统。所述系统针对每个测试支路均设置相应的电流测试支路开关和电压测试支路开关，并且采用串并联转换电路连接多个被测IGBT器件，实现了功率循环测试，保证了同时实现高温栅偏测试和高温反偏测试，能更全面反映器件工作的真实情况，解决了由于高压大功率半导体器件功率循环测试平台与实际工况存在偏差，从而导致的测试准确性低的问题；并且多个可靠性实验同时测量的实现，也减小了器件样品的总测试量，降低了金钱成本和时间成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为常规功率循环测试、高温反偏测试、高温栅偏测试的原理图；其中图1的(a)部分为功率循环测量电路原理图，图1的(b)部分为功率循环测量时序图，图1的(c)部分为高温反偏测量电路原理图，图1的(d)部分为高温栅偏测量电路原理图；

图2为本实用新型实施例提供的IGBT器件的多应力作用测试系统的电路原理图；

图3为本实用新型实施例提供的串并联转换电路的电路原理图；

图4为本实用新型实施例提供的各测试支路的多应力综合作用的驱动脉冲信号的控制时序图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图2为本发明实施例提供的IGBT器件的多应力作用测试系统的电路原理图。参见图2，本实施例的IGBT器件的多应力作用测试系统，包括：直流电流源I_Load、电流测试支路开关、直流电压源V_C、电压测试支路开关和多个并联的测试支路。

所述测试支路包括测量电流支路和被测器件支路；所述测量电流支路包括串联的测量电流源和测量电流开关；所述被测器件支路包括多个被测IGBT器件，相邻两个所述被测IGBT器件通过串并联转换电路T连接；各所述测试支路均通过一个所述电流测试支路开关与所述直流电流源I_Load连接；各所述测试支路均通过一个所述电压测试支路开关与所述直流电压源V_C连接。

上述IGBT器件的多应力作用测试系统的实现原理为：器件功率循环测试期间流过大电流，使得器件被升温，在器件升温过程中进行高温栅偏测试；器件功率循环测试结束后，给器件施加反向电压，器件受水冷影响器件温度下降，在此过程中进行高温反偏测试。其中，为保证所有被测IGBT器件在导通电流时每个器件流过的电流都相等，闭合电流测试支路开关及测量电流开关前需保证被测IGBT器件间串联；为保证所有被测IGBT器件在承受耐压时每个器件两端的电压都相等，闭合电压测试支路开关前需保证待测器件间并联。

作为一种可选的实施方式，所述被测器件支路中第i个被测IGBT器件的集电极和发射极均与一个所述串并联转换电路T的一端连接；所述串并联转换电路T的另一端与第i+1个被测IGBT器件的集电极和发射极连接。串并联转换电路T的电路原理图如图3所示，双刀双掷开关可实现两个被测IGBT器件间的串联/并联转换，双刀双掷开关切换到2时，两个被测IGBT器件串联；双刀双掷开关切换到1时，两个被测IGBT器件并联。双刀双掷开关的切换信号由控制系统提供。

作为一种可选的实施方式，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括栅极电压源；所述栅极电压源与所述被测IGBT器件的栅极连接。

作为一种可选的实施方式，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括水冷器；所述冷水器用于冷却所述被测IGBT器件。

作为一种可选的实施方式，所述IGBT器件的多应力作用测试系统，还包括限流电阻R_{Current-limiting}；所述限流电阻R_{Current-limiting}设置在所述直流电压源V_C与所述电压测试支路开关之间。

作为一种可选的实施方式，所述直流电流源I_Load与电流测试支路开关之间连接有电流表I_Measure。

作为一种可选的实施方式，所述测试支路为三个，各所述被测器件支路均包括四个被测IGBT器件。三个测试支路分别为第一测试支路1、第二测试支路2和第三测试支路3。

第一测试支路1包括第一测量电流支路和第一被测器件支路；第一测量电流支路包括串联的第一测量电流源I_Sense1和第一测量电流开关KS1；第一被测器件支路包括四个被测IGBT器件，分别为DUT1、DUT2、DUT3和DUT4；相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路T连接。第一测试支路1通过第一电流测试支路开关KI1与直流电流源I_Load连接；第一测试支路1通过第一电压测试支路开关KV1与直流电压源V_C连接。第一电压测试支路并联有电压表。

第二测试支路2包括第二测量电流支路和第二被测器件支路；第二测量电流支路包括串联的第二测量电流源I_Sense2和第二测量电流开关KS2；第二被测器件支路包括四个被测IGBT器件，分别为DUT5、DUT6、DUT7和DUT8；相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路T连接。第二测试支路2通过第二电流测试支路开关KI2与直流电流源I_Load连接；第二测试支路2通过第二电压测试支路开关KV2与直流电压源V_C连接。

第三测试支路3包括第三测量电流支路和第三被测器件支路；第三测量电流支路包括串联的第三测量电流源I_Sense3和第三测量电流开关KS3；第三被测器件支路包括四个被测IGBT器件，分别为DUT9、DUT10、DUT11和DUT12；相邻两个被测IGBT器件通过串并联转换电路T连接。第三测试支路3通过第三电流测试支路开关KI3与直流电流源I_Load连接；第三测试支路3通过第三电压测试支路开关KV3与直流电压源V_C连接。

下面提供了一个更为具体的IGBT器件的多应力作用测试系统的结构，并对该系统的测量原理和测试流程进行了详细说明。

该IGBT器件的多应力作用测试系统包括多条并联连接的测试支路、直流电流源、水冷器、电压测试支路开关、直流电压源、栅极电压源、串并联转换电路、控制系统。每条所述测试支路包括一个测量电流支路和一个被测器件支路；测量电流支路包括一个测量电流开关和一个测量电流源；被测器件支路包括与电流测试支路开关串联的若干待测器件和待测器件间了连接的串并联转换电路。

电流测试支路开关闭合时，每条测试支路与直流电流源连接形成闭合回路，且每个电流测试支路开关在一个功率循环测试周期内仅导通一次，直流电源用于给测试支路提供恒定的负载电流，水冷器对应测试支路设置，水冷器用于冷却所有测试支路上的待测器件，栅极电压源用于提供栅极电压使器件导通，测量电流开关闭合，每条测试支路与测量电流源形成闭合回路实现电气量测量；测试支路完成高温栅偏、功率循环测试后，由控制系统控制电流测试支路开关、测量电流开关、串并联转换电路、电压测试支路开关、直流电压源、栅极电压源对若干待测器件进行高温反偏测试。电流测试支路开关断开、测量电流开关断开、电压测试支路开关闭合时，测试支路与直流电流源、测量电流源断开连接、栅极电压源置零，与直流电压源连接形成闭合回路，每个电压测试支路开关在一个功率循环周期内仅闭合断开一次，且串并联转换电路控制待测器件间的连接方式由串联转换为并联，直流电压源用于给测试支路上所有被测器件提供恒定的阻断电压。

上述IGBT器件的多应力作用测试系统的测试流程如下：

首先，获取待测器件的初始击穿电压、初始阻断漏电流、初始栅极漏电流、初始饱和压降、初始结温和初始热阻，当前的功率循环次数和最大循环次数，当前高温栅偏测试时间和最大高温栅偏测试时间，当前高温反偏测试时间和最大高温反偏测试时间。

然后，获取当前时刻导通的电流测试支路开关、测量电流开关、电压测试支路开关、串并联转换电路、待测器件栅极的驱动脉冲信号。

进一步地，根据当前时刻电流测试支路开关、测量电流开关、电压测试支路开关、串并联转换电路、待测器件栅极的驱动脉冲信号确定下一条测试支路对应的电流测试支路开关、测量电流开关、电压测试支路开关、串并联转换电路、待测器件栅极的驱动脉冲信号，从而得到各测试支路的多应力综合作用的驱动脉冲信号的控制时序图。

进一步地，获取当前时刻导通的电流测试支路开关对应的测试支路上的待测器件在当前功率循环测试中的壳体表面温度、结温-饱和压降关系曲线、饱和压降、负载电流、负载电压、栅极漏电流，并更新功率循环测试次数、高温栅偏测试时间。

进一步地，控制系统切断电流测试支路开关、切断测量电流开关、闭合电压测试支路开关，按控制时序图施加串并联转换电路、待测器件栅极驱动相应的脉冲信号，获取当前时刻导通的电压测试支路开关对应的测试支路上的待测器件在当前高温反偏测试中的击穿电压、阻断漏电流，并更新高温反偏测试时间；

判断功率循环次数是否小于最大循环次数，判断高温栅偏测试时间是否小于最大高温栅偏测试时间，判断高温反偏测试时间是否小于最大高温反偏测试时间，若任意一个大于则结束功率循环测试、结束高温栅偏测试、高温反偏测试；

若小于，则根据结温-饱和压降关系曲线和饱和压降确定待测器件的循环结温，并根据负载电流和负载电压确定功率损耗，根据击穿电压确定待测器件的循环击穿电压，根据阻断漏电流确定待测器件的循环阻断漏电流，根据栅极漏电流确定待测器件的循环栅极漏电流；

根据循环结温、功率损耗和壳体表面温度确定待测器件的循环热阻值。

根据循环热阻值、循环结温、负载电压、初始饱和压降、初始结温和初始热阻值确定是否结束功率循环测试；根据循环击穿电压、循环阻断漏电流、初始击穿电压、初始阻断漏电流确定是否结束高温反偏测试；根据循环栅极漏电流、初始栅极漏电流确定是否结束高温栅偏测试；功率循环测试或高温反偏测试、高温栅偏测试中任意一项测试停止则整个测试停止。

此外，上述控制系统中可以集成控制程序和数据采集处理程序，基于Labview编程实现，通过控制程序来实现不同的控制时序以达到不同的测试功能。基于数据处理程序来实现被测器件各电气特性参数和热学参数的实时在线监测以及相应数据的处理和存储。

下面提供了用于上述实施例的IGBT器件的多应力作用测试系统的一个更为具体的测试方法，所述方法包括：

步骤101：获取所有被测IGBT器件的初始击穿电压、初始阻断漏电流、初始栅极漏电流、初始饱和压降、初始结温和初始热阻，当前的功率循环次数和最大循环次数，当前高温栅偏测试时间和最大高温栅偏测试时间，当前高温反偏测试时间和最大高温反偏测试时间。

步骤102：获取第j个测试支路下的驱动脉冲信号；所述驱动脉冲信号包括电流测试支路开关的驱动脉冲信号、测量电流开关的驱动脉冲信号、电压测试支路开关的驱动脉冲信号、串并联转换电路的驱动脉冲信号和被测IGBT器件栅极的驱动脉冲信号。

步骤103：由所述第j个测试支路下的驱动脉冲信号确定第j+1个测试支路下的驱动脉冲信号，从而得到各测试支路的多应力综合作用的驱动脉冲信号的控制时序图，如图4所示。具体的：

第j+1个测试支路导通时刻比第j个测试支路关断时刻提前Δt₁时间到来，以保证负载电流在不同测试支路间的平稳过渡；第j个测试支路的测量电流开关比第j个测试支路的电流测试支路开关延迟Δt₂时间断开，以准确测量各待测器件(被测IGBT器件)结温；第j个测试支路上各待测器件栅极电压比第j个测试支路的测量电流开关延迟Δt₃时间置零，以完成高温栅偏测试；第j个测试支路上串并联转换信号上升沿比第j个测试支路的栅极电压置零信号延迟Δt₄，以完成电路拓扑转换；第j个测试支路上阻断电压上升沿比串并联转换信号上升沿延迟Δt₅，以进行高温反偏考核。

步骤104：根据各测试信号进行高温栅偏测试及功率循环测试，在当前功率循环次数下，按照所述控制时序图依次进行，控制第j个测试支路的电压测试支路开关断开、第j个测试支路的串并联转换电路的状态为串联、第j个测试支路上的所有被测IGBT器件施加栅极电压、第j个测试支路的测量电流开关闭合以及第j个测试支路的电流测试支路开关闭合，被测IGBT器件导通大电流的同时进行第j个测试支路上的所有被测IGBT器件的高温栅偏测试。期间其余测试支路未通过大电流与测量电流，栅极偏压为零、串并联转换电路状态为并联、直流电压施加在阻断的待测器件两端，按照各自时序利用温度下降时间进行高温反偏考核。

步骤105：获取当前功率循环次数下第j个测试支路在高温栅偏测试中的高温栅偏测试数据；所述高温栅偏测试数据包括壳体表面温度、结温-饱和压降关系曲线、饱和压降、负载电流、负载电压、栅极漏电流和高温栅偏测试时间。

步骤106：在当前功率循环次数下，当高温栅偏测试的持续时间达到第一设定时间t_on后，控制第j个测试支路的电流测试支路开关断开、第j个测试支路的测量电流开关断开、第j个测试支路上的所有被测IGBT器件的栅极电压置零、第j个测试支路的串并联转换电路的状态为并联以及第j个测试支路的电压测试支路开关闭合，并控制第j个测试支路上的所有被测IGBT器件在水冷作用下冷却第二设定时间t_off＝2×t_on，以实现第j个测试支路上的所有被测IGBT器件的高温反偏测试。第j个测试支路处于高温栅偏测试期间，其余测试支路都处于高温反偏状态；第j个测试支路的电流测试支路开关断开时，第j+1个测试支路的电流测试支路开关闭合并进行高温栅偏测试，其余测试支路仍处于高温反偏状态。

该过程中，每条测试支路被测器件的降温时间是加热时间的2倍，能够有效保证被测器件的降温时间，利用该温度对当前测试支路(第j个测试支路)上所有待测器件进行高温反偏测试；整个周期t_on+t_off内，大电流的导通关断对当前测试支路进行了功率循环测试。整个周期内，器件导通关断大电流，温度周期循环，整个过程构成功率循环测试。高温栅偏测试、高温反偏测试期间温度不为恒定，但这对器件老化的影响仅体现在温度的加速作用上，而不改变老化机理，因此仍可视作有效的高温栅偏测试、高温反偏测试，此外，通过功率循环的温敏电参数(结温Tj与饱和压降VCE在小电流下线性相关的物理现象)即V_CE(T)方法可有效测量多应力综合作用测试期间的结温，为器件高温栅偏测试、高温反偏测试加速老化因子及功率循环测试寿命的计算提供依据。

步骤106：获取当前功率循环次数下第j个测试支路在高温反偏测试中的高温反偏测试数据；所述高温反偏测试数据包括击穿电压、阻断漏电流和高温反偏测试时间。

步骤107：判断当前功率循环次数是否小于最大循环次数，得到第一判断结果；判断当前功率循环次数下的高温栅偏测试时间是否小于最大高温栅偏测试时间得到第二判断结果；判断当前功率循环次数下的高温反偏测试时间是否小于最大高温反偏测试时间，得到第三判断结果。若所述第一判断结果为否、所述第二判断结果为否或所述第三判断结果为否，则结束测试。若所述第一判断结果、所述第二判断结果和所述第三判断结果均为是，则执行步骤108和步骤109。

步骤108：根据所述高温栅偏测试数据和所述高温反偏测试数据确定循环测试数据；所述循环测试数据包括循环结温、功率损耗、循环击穿电压、循环阻断漏电流、循环栅极漏电流和循环热阻值。具体为：

根据所述结温-饱和压降关系曲线和所述饱和压降确定各所述被测IGBT器件的循环结温、根据所述负载电流和所述负载电压确定各所述被测IGBT器件的功率损耗、根据所述击穿电压确定各所述被测IGBT器件的循环击穿电压、根据所述阻断漏电流确定各所述被测IGBT器件的循环阻断漏电流，以及根据所述栅极漏电流确定各所述被测IGBT器件的循环栅极漏电流；

根据所述循环结温、所述功率损耗和所述壳体表面温度确定所述被测IGBT器件的循环热阻值。循环热阻值的计算公式为：

R＝(T_j-T_c)/P；

其中，R表示循环热阻值，T_j表示循环结温，T_c表示壳体表面温度，P表示功率损耗。

步骤109：依据所述循环测试数据和初始参数数据判断是否结束测试，得到第四判断结果；所述初始参数数据包括初始击穿电压、初始阻断漏电流、初始栅极漏电流、初始饱和压降、初始结温和初始热阻。若所述第四判断结果为是，则结束测试；若所述第四判断结果为否，则更新当前功率循环次数后，再返回步骤104。

其中，所述依据所述循环测试数据和初始参数数据判断是否结束测试，得到第四判断结果，具体包括：

根据所述循环热阻值、所述循环结温、所述负载电压、所述初始饱和压降、所述初始结温和所述初始热阻值确定是否结束功率循环测试，得到第五判断结果；根据所述循环击穿电压、所述循环阻断漏电流、所述初始击穿电压和所述初始阻断漏电流确定是否结束高温反偏测试，得到第六判断结果；根据所述循环栅极漏电流和所述初始栅极漏电流确定是否结束高温栅偏测试，得到第七判断结果。

当所述第五判断结果、所述第六判断结果和所述第七判断结果均为否时，则确定所述第四判断结果为否；否则，所述第四判断结果为是。

上述IGBT器件的多应力作用测试系统，主要针对高压大功率IGBT器件，但该测试系统同样适用于其他类型功率半导体器件的功率循环测试。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims

1.一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，包括：直流电流源、电流测试支路开关、直流电压源、电压测试支路开关和多个并联的测试支路；

2.根据权利要求1所述的一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，所述被测器件支路中第i个被测IGBT器件的集电极和发射极均与一个所述串并联转换电路的一端连接；所述串并联转换电路的另一端与第i+1个被测IGBT器件的集电极和发射极连接。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，还包括栅极电压源；所述栅极电压源与所述被测IGBT器件的栅极连接。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，还包括水冷器；所述水冷器用于冷却所述被测IGBT器件。

5.根据权利要求1所述的一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，还包括限流电阻；所述限流电阻设置在所述直流电压源与所述电压测试支路开关之间。

6.根据权利要求1所述的一种IGBT器件的多应力作用测试系统，其特征在于，所述测试支路为三个，各所述被测器件支路均包括四个被测IGBT器件。