CN213950915U - 一种单晶硅生产废水除氟工艺系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，包括：依次连接的含氟废水格栅井、含氟废水调节池、第一石灰搅拌槽、氯化钙搅拌槽、第一絮凝搅拌槽、第一助凝搅拌槽和第一一级沉淀池；依次连接的生产废水格栅井、生产废水调节池、第二石灰搅拌槽、第二絮凝搅拌槽、第二助凝搅拌槽和第二一级沉淀池；依次连接的第一厌氧池、第二厌氧池、缺氧池和好氧池；依次连接的深度处理曝气池、浸没式超滤膜反应池和提升水池，所述提升水池通过纳滤器连接于回用水池；本实用新型可以实现单晶硅生产废水和含氟废水的有效处理，特别是氟离子可以降到5mg/L以内，处理出来的废水可以达标排放，具有可以连续稳定运行，并且运行成本低，处理效果好等优点。

Description

一种单晶硅生产废水除氟工艺系统

技术领域

本实用新型涉及废水处理技术领域，具体为一种单晶硅生产废水除氟工艺系统。

背景技术

目前，电子信息技术以及太阳能光伏发电技术高速发展，而作为此类技术的基础材料——硅，无疑发挥着重要作用。从某种意义上分析，硅影响着未来科技的发展。作为功能性材料，Si具各项异性，所以将Si应用于半导体材料需要将其制成硅单晶，并进一步将其加工，经过抛光、清洗之后制成硅片，再进行处理后将Si应用于电子器件的制造中，目前所生产的电子元件中。89％以上均使用硅单晶。

单晶硅在生产过程中会产生大量的废水。该废水主要含有硅粉、碳化硅、氢氟酸、硝酸、洗涤剂及少量的表面活性剂,综合废水COD及SS含量较高、可生化性效果差等特点。目前单晶硅废水处理存在氟离子难降低在5mg/L以内，废水可生化性差等。为此，我们推出一种单晶硅生产废水除氟工艺系统。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，包括：

依次连接的含氟废水格栅井、含氟废水调节池、第一石灰搅拌槽、氯化钙搅拌槽、第一絮凝搅拌槽、第一助凝搅拌槽和第一一级沉淀池；

依次连接的生产废水格栅井、生产废水调节池、第二石灰搅拌槽、第二絮凝搅拌槽、第二助凝搅拌槽和第二一级沉淀池；

依次连接的第一厌氧池、第二厌氧池、缺氧池和好氧池；

依次连接的深度处理曝气池、浸没式超滤膜反应池和提升水池，所述提升水池通过纳滤器连接于回用水池；

所述第一一级沉淀池通过第一管道连接于第二一级沉淀池，所述第一一级沉淀池通过第二管道连接于第一厌氧池，所述好氧池通过第三管道连接于二沉池，所述二沉池依次连接有外排水池和标准化排放口；

所述第一一级沉淀池和第二一级沉淀池底部通过第四管道和四五管道分别连接于含氟废水污泥浓缩池和生产废水污泥浓缩池，所述含氟废水污泥浓缩池和生产废水污泥浓缩池通过第六管道和第七管道分别连接于含氟废水调节池和生产废水调节池。

作为本技术方案的进一步优化，所述标准化排放口内设有在线监测仪，所述标准化排放口连接有污水外排管网。

作为本技术方案的进一步优化，所述生产废水调节池、含氟废水调节池、第一石灰搅拌槽、氯化钙搅拌槽、第一絮凝搅拌槽、第一助凝搅拌槽、第二石灰搅拌槽、第二絮凝搅拌槽和第二助凝搅拌槽底部均安装有穿孔曝气管。

作为本技术方案的进一步优化，所述第一石灰搅拌槽、氯化钙搅拌槽、第一絮凝搅拌槽、第一助凝搅拌槽、第二石灰搅拌槽、第二絮凝搅拌槽和第二助凝搅拌槽内均安装有搅拌器。

作为本技术方案的进一步优化，所述含氟废水调节池和生产废水调节池均为平流式沉淀池，沉淀池上部安装行车式刮泥机清除底部污泥，池底重力排泥，排泥管道池底均布。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型可以实现单晶硅生产废水和含氟废水的有效处理，特别是氟离子可以降到5mg/L以内，处理出来的废水可以达到《污水排入城镇下水道标准》(GB/T31962-2015)中的A级标准达标排放，同时部分废水通过深度处理达到ph值为中性，氟离子＜5mg/L、BOD5<10mg/L、SS<10mg/L、总溶解性固体<1000mg/L回用于生产。与现有单晶硅生产废水和含氟废水处理系统相比，本实用新型具有可以连续稳定运行，并且运行成本低，处理效果好等优点。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型含氟废水污泥浓缩池和生产废水污泥浓缩池分别与含氟废水调节池和生产废水调节池连接的结构示意图；

图3为本实用新型工艺流程示意图。

图中：1含氟废水格栅井、2含氟废水调节池、3第一石灰搅拌槽、4氯化钙搅拌槽、5第一絮凝搅拌槽、6第一助凝搅拌槽、7第一一级沉淀池、8第一厌氧池、9第二厌氧池、10缺氧池、11好氧池、12二沉池、13外排水池、14线监测仪、15标准化排放口、16污水外排管网、17生产废水调节池、18生产废水格栅井、19含氟废水污泥浓缩池、20生产废水污泥浓缩池、21回用水池、22提升水池、23浸没式超滤膜反应池、24深度处理曝气池、25第二一级沉淀池、26第二助凝搅拌槽、27第二石灰搅拌槽、28第二絮凝搅拌槽、29纳滤器。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，包括：

依次连接的含氟废水格栅井1、含氟废水调节池2、第一石灰搅拌槽3、氯化钙搅拌槽4、第一絮凝搅拌槽5、第一助凝搅拌槽6和第一一级沉淀池7；

依次连接的生产废水格栅井18、生产废水调节池17、第二石灰搅拌槽27、第二絮凝搅拌槽28、第二助凝搅拌槽26和第二一级沉淀池25；

依次连接的第一厌氧池8、第二厌氧池9、缺氧池10和好氧池11；

依次连接的深度处理曝气池24、浸没式超滤膜反应池23和提升水池22，所述提升水池22通过纳滤器29连接于回用水池21；

所述第一一级沉淀池7通过第一管道连接于第二一级沉淀池25，所述第一一级沉淀池7通过第二管道连接于第一厌氧池8，所述好氧池11通过第三管道连接于二沉池12，所述二沉池12依次连接有外排水池13和标准化排放口15；

所述第一一级沉淀池7和第二一级沉淀池25底部通过第四管道和四五管道分别连接于含氟废水污泥浓缩池19和生产废水污泥浓缩池20，所述含氟废水污泥浓缩池19和生产废水污泥浓缩池20通过第六管道和第七管道分别连接于含氟废水调节池2和生产废水调节池17。

具体的，所述标准化排放口15内设有在线监测仪14，所述标准化排放口15连接有污水外排管网16。

具体的，所述生产废水调节池17、含氟废水调节池2、第一石灰搅拌槽3、氯化钙搅拌槽4、第一絮凝搅拌槽5、第一助凝搅拌槽6、第二石灰搅拌槽27、第二絮凝搅拌槽28和第二助凝搅拌槽26底部均安装有穿孔曝气管。

具体的，所述第一石灰搅拌槽3、氯化钙搅拌槽4、第一絮凝搅拌槽5、第一助凝搅拌槽6、第二石灰搅拌槽27、第二絮凝搅拌槽28和第二助凝搅拌槽26内均安装有搅拌器。

具体的，所述含氟废水调节池2和生产废水调节池17均为平流式沉淀池，沉淀池上部安装行车式刮泥机清除底部污泥，池底重力排泥，排泥管道池底均布。

具体的，使用时，以某厂生产单晶硅产生的废水为处理对象，生产废水主要组分浓度为：PH：6-9，COD：3000mg/L，BOD5：350mg/L,SS:6000mg/L；含氟废水主要组分浓度为：PH：＜2，氟离子：1000mg/L，COD：70mg/L，TN：500mg/L，TP：1mg/L。

含氟废水经人工格栅滤去粗大悬浮物后自流进入含氟废水格栅井1，通过泵输送至含氟废水调节池2，含氟废水调节池2做防腐处理，由泵将污水提升依次流入第一石灰搅拌槽3、氯化钙搅拌槽4、第一絮凝搅拌槽5和第一助凝搅拌槽6，依次分别加入液体10％的Ca(OH)₂、2.5％的氯化钙、2％的PAC和0.1％的PAM，安装搅拌器搅拌并安装池底穿孔曝气管，污水自流进入第一一级沉淀池7(防腐处理)，形成的絮凝沉淀物沉淀，沉淀池安装行车式刮泥机清除底部污泥，池底重力排泥，排泥管道池底均布，而后污水与生产废水沉淀池出水混合，排入第一厌氧池8和第二厌氧池9，进行后续的生化反应。

生产废水经不锈钢转鼓机械格栅去除粗大悬浮物后自流进入生产废水格栅井18，通过泵输送至生产废水调节池17，池底安装穿孔曝气管防止SS沉降，而后由污水提升泵提升依次流入第二石灰搅拌槽27、第二絮凝搅拌槽28和第二助凝搅拌槽26，依次分别加入10％的Ca(OH)₂、2％的PAC和0.1％的PAM药剂，安装搅拌器搅拌并安装池底穿孔曝气管，污水自流至第二一级沉淀池25进行污泥沉淀，行车式刮泥机清除底部污泥，池底重力排泥，排泥管道池底均布，出水与含氟废水混合后排至第一厌氧池8和第二厌氧池9进行厌氧处理，而后进入缺氧池10、好氧池11进行生化反应，生化后的污水经二沉池12后部分流入外排水池达标外排。其余流入深度处理曝气池24，然后通过浸没式超滤膜反应池23、提升水池22和纳滤器29过滤处理，深度处理后的回用水回用于硅棒加工工序。

含氟污水产生的污泥进入含氟废水污泥浓缩池19，通过含氟废水压滤机压滤出来的泥饼外运处理。生产废水产生的污泥与生化产生的污泥进入生产废水污泥浓缩池20，通过生产废水压滤机压滤出来的泥饼外运处理。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (5)

1.一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，其特征在于，包括：

依次连接的含氟废水格栅井(1)、含氟废水调节池(2)、第一石灰搅拌槽(3)、氯化钙搅拌槽(4)、第一絮凝搅拌槽(5)、第一助凝搅拌槽(6)和第一一级沉淀池(7)；

依次连接的生产废水格栅井(18)、生产废水调节池(17)、第二石灰搅拌槽(27)、第二絮凝搅拌槽(28)、第二助凝搅拌槽(26)和第二一级沉淀池(25)；

依次连接的第一厌氧池(8)、第二厌氧池(9)、缺氧池(10)和好氧池(11)；

依次连接的深度处理曝气池(24)、浸没式超滤膜反应池(23)和提升水池(22)，所述提升水池(22)通过纳滤器(29)连接于回用水池(21)；

所述第一一级沉淀池(7)通过第一管道连接于第二一级沉淀池(25)，所述第一一级沉淀池(7)通过第二管道连接于第一厌氧池(8)，所述好氧池(11)通过第三管道连接于二沉池(12)，所述二沉池(12)依次连接有外排水池(13)和标准化排放口(15)；

所述第一一级沉淀池(7)和第二一级沉淀池(25)底部通过第四管道和四五管道分别连接于含氟废水污泥浓缩池(19)和生产废水污泥浓缩池(20)，所述含氟废水污泥浓缩池(19)和生产废水污泥浓缩池(20)通过第六管道和第七管道分别连接于含氟废水调节池(2)和生产废水调节池(17)。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，其特征在于：所述标准化排放口(15)内设有在线监测仪(14)，所述标准化排放口(15)连接有污水外排管网(16)。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，其特征在于：所述生产废水调节池(17)、含氟废水调节池(2)、第一石灰搅拌槽(3)、氯化钙搅拌槽(4)、第一絮凝搅拌槽(5)、第一助凝搅拌槽(6)、第二石灰搅拌槽(27)、第二絮凝搅拌槽(28)和第二助凝搅拌槽(26)底部均安装有穿孔曝气管。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，其特征在于：所述第一石灰搅拌槽(3)、氯化钙搅拌槽(4)、第一絮凝搅拌槽(5)、第一助凝搅拌槽(6)、第二石灰搅拌槽(27)、第二絮凝搅拌槽(28)和第二助凝搅拌槽(26)内均安装有搅拌器。

5.根据权利要求1所述的一种单晶硅生产废水除氟工艺系统，其特征在于：所述含氟废水调节池(2)和生产废水调节池(17)均为平流式沉淀池，沉淀池上部安装行车式刮泥机清除底部污泥，池底重力排泥，排泥管道池底均布。

Images