CN213903876U - 高频光发射器及同轴高频光发射组件 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种高频光发射器，包括管座、管帽及透镜，管座包括座体、竖直设于座体上的第一垫片、水平设于座体上的第二垫片、设于第二垫片的上表面的LD芯片、及若干管脚，第一垫片形成有第一金属镀层，第一金属镀层包括位于第一垫片的上表面的第一区域和位于第一垫片的侧面并与第一区域相接的第二区域，第二区域与若干管脚中的信号传输管脚共晶焊接，第二垫片的上表面形成有第二金属镀层，LD芯片与第二金属镀层电连接，第二金属镀层与第一区域通过多条金属导线电连接。通过在第一区域、第二金属镀层电连接多条金属导线，以满足高频信号的传输需求，且结构简单，易加工。另，本实用新型还公开一种同轴高频光发射组件。

Description

高频光发射器及同轴高频光发射组件

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，尤其涉及一种高频光发射器及同轴高频光发射组件。

背景技术

光纤通信因其具有通信容量大、传输距离远、抗电磁干扰能力强等众多优点而发展成为主要通信方式之一。高频光发射器是光纤通信用的主要光源，是光纤通信的核心器件。高频光发射器通常包括管座、管帽、LD芯片以及透镜等，其中，LD芯片设置在管座和管帽围设成的空间内。现有技术中，LD芯片的引脚与管座的管脚直接接线连接，由于LD芯片的信号传输引脚和管脚的径向尺寸极小，接线难度大；且无法在管脚与LD芯片的引脚之间接多条金属导线，只能适用于传输低频信号(例如10G)，无法满足高频信号(例如25G)的传输需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种结构简单、易加工且能够满足高频信号的传输需求的高频光发射器。

本实用新型的另一目的在于提供一种同轴高频光发射组件，其结构简单、易加工且能够满足高频信号的传输需求。

为了实现上述目的，本实用新型提供了一种高频光发射器，其包括管座、套设于所述管座的上部的管帽以及设于所述管帽顶部的透镜。所述管座包括座体、竖直设于所述座体上的第一垫片、水平设于所述座体上的第二垫片、设于所述第二垫片的上表面的LD芯片以及插设固定在所述座体的若干管脚。所述第一垫片形成有第一金属镀层，所述第一金属镀层包括位于所述第一垫片的上表面的第一区域和位于所述第一垫片的侧面并与所述第一区域相接的第二区域，所述第二区域与所述若干管脚中的信号传输管脚共晶焊接。所述第二垫片的上表面形成有第二金属镀层，所述LD芯片与所述第二金属镀层电连接，所述第二金属镀层与所述第一区域之间通过多条金属导线电连接。

具体地，所述高频光发射器包括两个所述信号传输管脚，所述第一垫片形成有两个间距设置的所述第一金属镀层，所述第二垫片的上表面形成有两个间距设置的所述第二金属镀层。

较佳地，所述第一垫片的上表面与所述第二垫片的上表面平齐，所述第一区域与所述第二金属镀层正对。

具体地，所述第一垫片、第二垫片呈矩形状。

具体地，所述第一垫片、第二垫片为陶瓷垫片。

较佳地，所述LD芯片水平设置在所述第二垫片的上表面，所述第二垫片的上表面还设有反射镜，所述反射镜正对所述LD芯片的出光侧。

较佳地，所述第二垫片的上表面还设有背光探测器，所述背光探测器设置在所述LD芯片远离所述反射镜的一侧并正对所述LD芯片。

较佳地，所述管座还包括TEC、热敏电阻，所述TEC、热敏电阻设置在所述座体的上表面，所述第二垫片水平设置在所述TEC的上表面。

为实现上述另一目的，本实用新型提供了一种同轴高频光发射组件，其包括高频光发射器、轴向调节环、适配器以及隔离器。所述轴向调节环呈中空的圆筒状且与所述高频光发射器同轴设置，所述轴向调节环的底部与所述高频光发射器的管帽顶部固定。所述适配器包括壳体和插设于所述壳体的插芯，所述壳体的下部嵌设于所述轴向调节环，所述隔离器设于所述壳体内。所述高频光发射器如上所述。

具体地，所述轴向调节环包括与所述管帽同轴设置的侧壁部和由所述侧壁部的底部向外凸设形成的凸缘部，所述凸缘部与所述管帽焊接固定。

与现有技术相比，本实用新型具有竖直设于座体上的第一垫片和水平设于座体上的第二垫片，第二垫片的上表面具有第二金属镀层，第一垫片的上表面具有用于与第二金属镀层电连接的第一区域，侧面具有与信号传输管脚共晶焊接的第二区域，相较于将LD芯片的引脚与非常细小的信号传输管脚直接接线电连接的方式，第一金属镀层、第二金属镀层的设置可以提供更大的接线面积，因此可以在第一区域、第二金属镀层电连接多条金属导线，从而可以满足高频信号的传输需求，且结构简单，易加工。而且，LD芯片为水平设置在第二垫片的上表面，其是通过反射镜实现对LD芯片的出射光的反射，加工工艺简单；同时，管帽的尺寸可以做得较矮，有利于小型化设计。此外，通过TEC实现控温，从而保证输出波长的稳定性。

附图说明

图1是本实用新型实施例的同轴高频光发射组件的立体结构示意图。

图2是图1所示光发射组件的剖视图。

图3是图1所示光发射器的部分结构的示意图。

图4是图3所示结构的另一角度。

图5是图3所示结构的俯视图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现的效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“底”、“顶”、“水平”、“竖直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为便于描述本实用新型和简化描述，因而不能理解为对本实用新型保护内容的限制。

请参阅图1至图5，本实用新型公开了一种同轴高频光发射组件100，其适用于高频信号的传输。该光发射组件100包括高频光发射器10、轴向调节环20、适配器30及隔离器(图未示)，所述轴向调节环20呈中空的圆筒状且与所述高频光发射器10同轴设置，所述轴向调节环20的底部与所述高频光发射器10的管帽11顶部固定，所述适配器30包括壳体31和插设于所述壳体31的插芯32，所述壳体31的下部嵌设于所述轴向调节环20，隔离器设置在壳体31下部的容置槽311中(如图2所示)。所述高频光发射器10包括管座、套设于所述管座的上部的管帽11以及设于所述管帽11顶部的透镜12，所述管座包括座体13、竖直设于所述座体13上的第一垫片14、水平设于所述座体13上的第二垫片15、设于所述第二垫片15的上表面的LD芯片16以及插设固定在所述座体13的若干管脚17，所述第一垫片14形成有第一金属镀层140，所述第一金属镀层140包括位于所述第一垫片14的上表面的第一区域141和位于所述第一垫片14的侧面并与所述第一区域141相接的第二区域142，所述第二区域142与所述若干管脚17中的信号传输管脚(用于传输信号的管脚，以下标号为171)共晶焊接。所述第二垫片15的上表面形成有第二金属镀层150，所述LD芯片16与所述第二金属镀层150电连接，所述第二金属镀层150与所述第一区域141之间通过多条金属导线(图未示)电连接。其中，第一垫片14、第二垫片15呈矩形状，且所述第一垫片14、第二垫片15均为陶瓷垫片，但不应以此为限。

如图1、图2所示，所述轴向调节环20包括与所述管帽11同轴设置的侧壁部21和由所述侧壁部21的底部向外凸设形成的凸缘部22，所述凸缘部22与所述管帽11的顶壁焊接固定。借由将轴向调节环20直接与管帽11焊接固定，相较于传统技术少了一个用于电阻焊的管芯套，节省了成本，同时也有利于小型化。图1、图2所示实施例中，轴向调节环20的径向尺寸小于管帽11的径向尺寸，管帽11的顶壁向外超出凸缘部22，但不应以此为限。

如图3所示，高频光发射器10包括有两个所述信号传输管脚171(正极管脚和负极管脚，最终分别对应电连接至LD芯片16的正极引脚和负极引脚)，所述第一垫片14形成有两个所述第一金属镀层140，两个第一金属镀层140间距设置，每一第一金属镀层140的第二区域142分别与一信号传输管脚171共晶焊接。同样的，所述第二垫片15的上表面形成有两个所述第二金属镀层150，两个第二金属镀层150间距设置，每一第二金属镀层150分别对应与一第一金属镀层140通过多条金属导线电连接。图3所示实施例中，所述第一垫片14的上表面与所述第二垫片15的上表面平齐，且所述第一区域141与所述第二金属镀层150正对。借此，便于第一区域141与所述第二金属镀层150之间的电连接，降低加工难度。所述第一垫片14与第二垫片15邻近设置，第二区域142位于第一垫片14远离第二垫片15的一侧面。

如图3、图4所示，所述LD芯片16水平设置在所述第二垫片15的上表面，所述第二垫片15的上表面还设有反射镜181，所述反射镜181正对所述LD芯片16的出光侧，通过反射镜181将LD芯片16发出的光线反射至透镜12。由于LD芯片16为水平设置在第二垫片15的上表面，无需额外设置支架来对LD芯片16进行固定，加工工艺简单；同时，管帽11的尺寸也可以做得较矮，有利于小型化设计。在该实施例中，反射镜181为45度反射镜。附带一提的是，当LD芯片16为竖直设置且其出光侧正对透镜12设置时，无需再设置反射镜181。

进一步地，所述第二垫片15的上表面还设有背光探测器(MPD)182，所述背光探测器182设置在所述LD芯片16远离所述反射镜181的一侧并正对所述LD芯片16。背光探测器182采用侧面收光，加工工艺简单化。此外，所述管座还包括有TEC1911、热敏电阻192，热敏电阻192设置在座体13的上表面，所述TEC191水平设置在所述座体13的上表面，所述第二垫片15水平设置在所述TEC191的上表面。通过TEC191、热敏电阻192实现控温，从而保证DWDM波长稳定性。

如图3所示，高频光发射器10包括有七个管脚，其中两个管脚为信号传输管脚171，其余五个管脚17用于接TEC191、热敏电阻192、背光探测器182以及接地等(现有技术)。各个管脚17、171均包括有暴露在座体13的上表面的部分和位于座体13下方的部分。附带一提的是，所述第二垫片15的上表面还有多个间距设置的焊接区域153，TEC191、热敏电阻192、背光探测器182分别还与对应的焊接区域153电连接，各个焊接区域153又与对应的管脚17电连接，以此实现各个元器件与管脚之间的电连接。

综上，本实用新型具有竖直设于座体13上的第一垫片14和水平设于座体13上的第二垫片15，第二垫片15的上表面具有第二金属镀层150，第一垫片14的上表面具有用于与第二金属镀层150电连接的第一区域141，侧面具有与信号传输管脚171共晶焊接的第二区域142，相较于将LD芯片16的引脚与非常细小的信号传输管脚171直接接线电连接的方式，第一金属镀层140、第二金属镀层150的设置可以提供更大的接线面积，因此可以在第一区域141、第二金属镀层150电连接多条金属导线，从而可以满足高频信号的传输需求，且结构简单，易加工。而且，LD芯片16为水平设置在第二垫片15的上表面，其是通过反射镜181实现对LD芯片16的出射光的反射，加工工艺简单；同时，管帽11的尺寸可以做得较矮，有利于小型化设计。此外，通过TEC191实现控温，从而保证输出波长的稳定性。此外，同轴高频光发射组件100采用同轴设计也有利于进一步实现小型化，同时也能够适用于大多数的光模块。

以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种高频光发射器，其特征在于，包括管座、套设于所述管座的上部的管帽以及设于所述管帽顶部的透镜，所述管座包括座体、竖直设于所述座体上的第一垫片、水平设于所述座体上的第二垫片、水平设于所述第二垫片的上表面的LD芯片以及插设固定在所述座体的若干管脚，所述第一垫片形成有第一金属镀层，所述第一金属镀层包括位于所述第一垫片的上表面的第一区域和位于所述第一垫片的侧面并与所述第一区域相接的第二区域，所述第二区域与所述若干管脚中的信号传输管脚共晶焊接，所述第二垫片的上表面形成有第二金属镀层，所述LD芯片与所述第二金属镀层电连接，所述第二金属镀层与所述第一区域之间通过多条金属导线电连接。

2.如权利要求1所述的高频光发射器，其特征在于，包括两个所述信号传输管脚，所述第一垫片形成有两个间距设置的所述第一金属镀层，所述第二垫片的上表面形成有两个间距设置的所述第二金属镀层。

3.如权利要求2所述的高频光发射器，其特征在于，所述第一垫片的上表面与所述第二垫片的上表面平齐，所述第一区域与所述第二金属镀层正对。

4.如权利要求1所述的高频光发射器，其特征在于，所述第一垫片、第二垫片呈矩形状。

5.如权利要求1所述的高频光发射器，其特征在于，所述第一垫片、第二垫片为陶瓷垫片。

6.如权利要求1所述的高频光发射器，其特征在于，所述LD芯片水平设置在所述第二垫片的上表面，所述第二垫片的上表面还设有反射镜，所述反射镜正对所述LD芯片的出光侧。

7.如权利要求6所述的高频光发射器，其特征在于，所述第二垫片的上表面还设有背光探测器，所述背光探测器设置在所述LD芯片远离所述反射镜的一侧并正对所述LD芯片。

8.如权利要求1所述的高频光发射器，其特征在于，所述管座还包括TEC、热敏电阻，所述TEC、热敏电阻设置在所述座体的上表面，所述第二垫片水平设置在所述TEC的上表面。

9.一种同轴高频光发射组件，其特征在于，包括高频光发射器、轴向调节环、适配器以及隔离器，所述轴向调节环呈中空的圆筒状且与所述高频光发射器同轴设置，所述轴向调节环的底部与所述高频光发射器的管帽顶部固定，所述适配器包括壳体和插设于所述壳体的插芯，所述壳体的下部嵌设于所述轴向调节环，所述隔离器设于所述壳体内，所述高频光发射器如权利要求1至8任一项所述。

10.如权利要求9所述的同轴高频光发射组件，其特征在于，所述轴向调节环包括与所述管帽同轴设置的侧壁部和由所述侧壁部的底部向外凸设形成的凸缘部，所述凸缘部与所述管帽焊接固定。

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