CN213845833U - 一种防回返光的半导体激光器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种防回返光的半导体激光器,涉及半导体激光技术领域;包括:壳体、封装在壳体中的激光模组和输出光纤;所述激光模组发射第一波长的激光,所述激光模组中还设有允许所述第一波长激光通过并过滤其它波长激光的膜层;所述激光模组包括聚焦透镜模块和多个用于产生激光的发光模块;所述聚焦透镜模块设置在所述发光模块的出光方向上。本实用新型提出的半导体激光器在发射预设波长激光的同时通过镀设对应的膜层反射其它波长的激光,防止其它波长的激光沿着光路进入所述输出光纤中影响激光器输出激光的质量,同时也可以防止其它波长的回返光烧毁激光芯片。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体激光技术领域,尤其涉及一种防回返光的半导体激光器。
背景技术
激光芯片发射的激光在进入输出光纤的过程中可能由于光学元器件位置误差等原因射到输出光纤端面的纤芯以外的其它部分,激发出其它波长的杂光,例如1040nm-1200nm波长范围的杂光,这些杂光沿光路原路返回至激光芯片中形成回返光,回返光很有可能会损伤激光芯片,降低激光质量。因此需要将杂光滤除,防止其经光路进入输出光纤中。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术中存在的技术问题,而提出的一种防回返光的半导体激光器。
一种防回返光的半导体激光器;包括:壳体、封装在壳体中的激光模组和输出光纤;所述激光模组发射第一波长的激光,所述激光模组中还设有允许所述第一波长激光通过并过滤其它波长激光的膜层;
所述激光模组包括聚焦透镜模块和多个用于产生激光的发光模块;所述聚焦透镜模块设置在所述发光模块的出光方向上;所述输出光纤设置在所述聚焦透镜模块的出光方向上。
进一步地,所述发光模块发射第一波长的激光,所述聚焦透镜模块中设有透射所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
进一步地,所述聚焦透镜模块包括快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜;所述快轴聚焦透镜设置在反射镜的出光方向上,所述慢轴聚焦透镜设置在所述快轴聚焦透镜的出光方向上;
所述慢轴聚焦透镜的激光出射面设置为斜面,且所述出射面上镀设有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
进一步地,所述发光模块包括激光芯片、快轴准直镜、慢轴准直镜和反射镜;多个发光模块呈阶梯形状从高到低依次排列;每个激光模块中,快轴准直镜设置在激光芯片的出光方向上,慢轴准直镜设置在快轴准直镜的出光方向上,反射镜设置在慢轴准直镜的出光方向上;所述激光芯片发射第一波长的激光。
进一步地,所述发光模块发射第一波长的激光,同时,所述发光模块中设置有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
进一步地,在发光模块中的反射镜的反射面上镀射反射所述第一波长激光通过并透射其它波长激光的膜层。
进一步地,所述壳体内部的底面呈阶梯面结构,该阶梯面结构的底面包括至少一个台阶面,每一台阶面用于放置一发光模块的激光芯片、快轴准直镜、慢轴准直镜和反射镜,且发光模块与输出光纤端面的入射面的距离与台阶面的高度呈正比。
本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是:本实用新型提出的半导体激光器在发射预设波长激光的同时通过镀设对应的膜层反射其它波长的激光,防止其它波长的激光沿着光路进入所述输出光纤中影响激光器输出激光的质量,同时也可以防止其它波长的回返光烧毁激光芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或者现有技术中地技术方案,下面将对实施例或者现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中地附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
图1是本实用新型实施例一中一种防回返光的半导体激光器的结构图;
图2是本实用新型实施例一中慢轴聚焦透镜的结构图;
图3是本实用新型实施例二中一种防回返光的半导体激光器的结构图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部地实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
实施例一:
本实用新型的实施例提供了一种防回返光的半导体激光器。请参考图1,图 1是本实用新型实施例中一种半导体激光器的结构图;具体包括:壳体4和封装在壳体4中的激光模组和输出光纤3;所述激光模组发射第一波长的激光,所述激光模组中还设有允许所述第一波长激光通过并过滤其它波长激光的膜层;在一较佳实施例中,所述膜层为二向色膜。
所述激光模组包括聚焦透镜模块2和多个用于产生激光的发光模块1;所述聚焦透镜模块2设置在所述发光模块1的出光方向上,所述输出光纤设置在所述聚焦透镜模块的出光方向上;所述聚焦透镜模块2将多个所述发光模块1发出的激光聚焦后耦合输出至所述输出光线3中。所述发光模块1发射第一波长的激光,所述聚焦透镜模块2中设有让所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
所述发光模块1包括激光芯片11、快轴准直镜12、慢轴准直镜13和反射镜 14;多个发光模块1呈阶梯形状从高到低依次排列;每个激光模块1中,快轴准直镜12设置在激光芯片11的出光方向上,慢轴准直镜13设置在快轴准直镜12 的出光方向上,反射镜14设置在慢轴准直镜13的出光方向上。所述激光芯片 11发射第一波长的激光。
所述聚焦透镜模块2包括快轴聚焦透镜21和慢轴聚焦透镜22;所述快轴聚焦透镜21设置在所述反射镜14的出光方向上,所述慢轴聚焦透镜22设置在所述快轴聚焦透镜21的出光方向上。
如图2所示,所述慢轴聚焦透镜22的激光出射面221设置为斜面,且所述出射面221上镀设有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层222。
发光芯片11发射的所述第一波长的激光经快轴准直镜12、慢轴准直镜13 和反射镜14组成的光路进入所述聚焦透镜模块2中,由所述聚焦透镜模块2中的快轴聚焦透镜21和慢轴聚焦透镜22分别在快轴和慢轴方向上聚焦后,耦合到输出光纤3端面中输出;同时,输出光纤3端面激发的其它波长的杂光,即回返光,被镀设在所述慢轴聚焦透镜22出射面221的膜层222反射至壳体4上,以防止回返光烧毁激光芯片11。
壳体4内部的底面呈阶梯面结构,该阶梯面结构的底面包括至少一个台阶面,每一台阶面用于放置一发光模块1的激光芯片11、快轴准直镜12、慢轴准直镜 13和反射镜14,且发光模块1与输出光纤3端面的入射面的距离与台阶面的高度呈正比,即,离输出光纤3入射端面越近的发光模块1所在的台阶面高度越低,离输出光纤3入射端面越远的发光模块1所在的台阶面高度越高,从而使得每个发光模块1所在光路输出的光斑相互之间不会叠加在一起,都能够输入到所述聚焦透镜模块2中。
实施例二:
如图3所示,为本实施例中一种防回返光的半导体激光器的结构图;该半导体激光器中的所述发光模块1发射第一波长的激光,同时,所述发光模块1中设置有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层;具体为,在发光模块1中的所述反射镜14的反射面上镀射反射所述第一波长激光通过并透射其它波长激光的膜层;在一较佳实施例中,该膜层为二向色膜。
本实施例中未述及部分均与实施例一相同,此处不再赘述。
本实施例中,所述慢轴聚焦透镜22为普通透镜,即出射面未设置为斜面。发光芯片11工作过程中产生的其它波长的激光和输出光纤3端面反射的其它波长的激光均被镀设在所述反射镜14反射面上的膜层透射至壳体4上,以防止其它波长的回返光烧毁激光芯片11。
上述实施例一和实施例二中,所述第一波长的激光为900nm-990nm的激光,所述其它波长的激光主要为1040nm-1200nm范围的激光。在激光器工作过程中,所述激光芯片11发射第一波长的激光通过光路传输至输出光纤3,由于光路设置误差等原因可能导致少量激光射到输出光纤3端面的纤芯以外的其它部分,激发出其它波长的杂光,杂光的波长大于第一波长的激光,若沿光路返回至激光芯片11中很有可能会损伤激光芯片11,因此需要将其它波长的杂光过滤掉,防止其回返至激光芯片11而影响激光器性能。
本实用新型的有益效果是:本实用新型提出的半导体激光器在发射预设波长激光的同时通过镀设对应的膜层反射其它波长的激光,防止其它波长的激光沿着光路进入所述输出光纤中影响激光器输出激光的质量,同时也可以防止其它波长的回返光烧毁激光芯片。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或者之“下”可以包括第一特征和第二特征直接接触,也可以包括第一特征和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的有点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例,并不用来限制本实用新型,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种防回返光的半导体激光器;其特征在于:包括:壳体、封装在壳体中的激光模组和输出光纤;所述激光模组发射第一波长的激光,所述激光模组中还设有允许所述第一波长激光通过并过滤其它波长激光的膜层;
所述激光模组包括聚焦透镜模块和多个用于产生激光的发光模块;所述聚焦透镜模块设置在所述发光模块的出光方向上;所述输出光纤设置在所述聚焦透镜模块的出光方向上。
2.如权利要求1所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:所述发光模块发射第一波长的激光,所述聚焦透镜模块中设有透射所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
3.如权利要求2所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:所述聚焦透镜模块包括快轴聚焦透镜和慢轴聚焦透镜;所述快轴聚焦透镜设置在反射镜的出光方向上,所述慢轴聚焦透镜设置在所述快轴聚焦透镜的出光方向上;
所述慢轴聚焦透镜的激光出射面设置为斜面,且所述出射面上镀设有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
4.如权利要求1所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:所述发光模块包括激光芯片、快轴准直镜、慢轴准直镜和反射镜;多个发光模块呈阶梯形状从高到低依次排列;每个激光模块中,快轴准直镜设置在激光芯片的出光方向上,慢轴准直镜设置在快轴准直镜的出光方向上,反射镜设置在慢轴准直镜的出光方向上;所述激光芯片发射第一波长的激光。
5.如权利要求1所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:所述发光模块发射第一波长的激光,同时,所述发光模块中设置有允许所述第一波长激光通过并反射其它波长激光的膜层。
6.如权利要求5所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:在发光模块中的反射镜的反射面上镀射有反射所述第一波长激光通过并透射其它波长激光的膜层。
7.如权利要求1-6任一项所述的一种防回返光的半导体激光器,其特征在于:所述壳体内部的底面呈阶梯面结构,该阶梯面结构的底面包括至少一个台阶面,每一台阶面用于放置一发光模块的激光芯片、快轴准直镜、慢轴准直镜和反射镜,且发光模块与输出光纤端面的入射面的距离与台阶面的高度呈正比。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN202023234646.6U CN213845833U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种防回返光的半导体激光器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (1)
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CN213845833U true CN213845833U (zh) | 2021-07-30 |
Family
ID=77001273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202023234646.6U Active CN213845833U (zh) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 一种防回返光的半导体激光器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN213845833U (zh) |
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