CN213782004U - 半导体功率模块的外壳及半导体功率模块 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块，包括点胶槽，外壳还包括侧壁及由侧壁围合形成的容置腔，侧壁远离容置腔底部的端面向内凹陷形成点胶槽，点胶槽的第一侧墙的高度大于第二侧墙的高度，点胶槽的第一侧墙为点胶槽远离容置腔的侧壁，点胶槽的第二侧墙为点胶槽靠近容置腔的侧壁，第一侧墙的高度为第一侧墙的最高点与点胶槽的槽底之间的距离，第二侧墙的高度为第二侧墙的最高点与点胶槽的槽底之间的距离。本实用新型提供的半导体功率模块的外壳解决了现有技术中点胶槽的胶水溢出基板底面影响产品外观及性能的问题。

Description

半导体功率模块的外壳及半导体功率模块

技术领域

本实用新型属于半导体器件封装领域，涉及一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块。

背景技术

半导体功率模块是大功率电子器件按一定功能、模式组合后再灌封成一体的组合体，可根据封装的元器件的不同实现各种不同的功能。在制造过程中，需要将外壳结构与基板安装在一起完成最后的封装。现有技术中，外壳结构与基板连接时一般采用胶水粘接在一起，如图1和图2所示，为一种外壳结构的示意图，图2为图1的A-A剖视图，粘接时，在外壳结构与基板的接触面即点胶槽处涂覆胶水，图2中的点胶槽为平面结构，在点胶槽处涂覆胶水后如图3所示，然后再将基板盖合在外壳结构上，如图4至图6所示，待胶水固化后即可实现两者之间的密封连接。但由于点胶槽为平面结构，外壳结构与基板粘接时，如图4至图6，由于基板与外壳结构之间的挤压，胶水会向两侧溢出，导致胶水超出基板底面向外溢出，影响产品的安装及散热，造成功率模块外观及性能的不良。

为了解决上述问题，现有技术中有方案对点胶槽结构进行了改进，将点胶槽从平面结构改成沟道型，如图7所示，在沟道型的点胶槽中涂覆胶水，涂覆后如图8所示，此时再将基板与外壳结构粘接。但该沟道型的点胶槽结构，仍然无法解决胶水溢出基板底面的问题，如图9至11所示，由于沟道型的点胶槽储存部分过量的胶水，但仍然无法彻底解决外壳结构与基板挤压导致的胶水从两侧溢出的问题，胶水仍然会从两侧溢出，导致部分胶水从基板底面向外溢出，影响产品的安装及散热，造成功率模块外观及性能的不良。

现有技术中针对上述胶水从基板底面向外溢出的问题，一方面只能减少胶水的用量，尽量避免胶水溢出，但胶水的用量难以精确控制，过多的胶水会溢出，而如果胶水使用量过少又会导致外壳结构与基板之间的连接不牢固，影响产品性能；另一方面，则只能待胶水固化后，人工进行外观处理及外观检验，将溢出的胶水去除掉，确保胶水不影响产品的外观、以及胶水不会高出基板，影响产品的安装和散热，但增加了额外的工作量，降低了生产效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块，旨在解决现有技术中点胶槽结构的缺陷带来的胶水溢出基板底面影响产品外观及性能的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体功率模块的外壳，其包括点胶槽，所述外壳包括侧壁及由所述侧壁围合形成的容置腔，所述侧壁远离所述容置腔底部的端面向内凹陷形成所述点胶槽，所述点胶槽的第一侧墙的高度大于所述第二侧墙的高度，所述点胶槽的第一侧墙为所述点胶槽远离所述容置腔的侧壁，所述点胶槽的第二侧墙为所述点胶槽靠近所述容置腔的侧壁，所述第一侧墙的高度为所述第一侧墙的最高点与所述点胶槽的槽底之间的距离，所述第二侧墙的高度为所述第二侧墙的最高点与所述点胶槽的槽底之间的距离。

进一步的，所述点胶槽的两侧分别为第一凸台和第二凸台，所述第一凸台位于所述点胶槽远离所述容置腔的一侧，所述第二凸台位于所述点胶槽靠近所述容置腔的一侧，所述第一凸台的高度大于所述第二凸台的高度，所述第一凸台的高度为所述第一凸台的表面与所述点胶槽底部之间的距离，所述第二凸台的高度为所述第二凸台的表面与所述点胶槽底部之间的距离。

进一步的，所述点胶槽沿所述外壳的周向环绕所述容置腔开设。

进一步的，所述点胶槽的槽底为平面，所述点胶槽的第一侧墙和第二侧墙均垂直于所述槽底。

进一步的，所述第二凸台上还开设有储存槽，所述储存槽用于将溢流至第二凸台表面的点胶液进行收集储存。

进一步的，所述第二凸台的表面向内凹陷形成所述储存槽。

进一步的，所述储存槽的数量为多个。

进一步的，所述第二凸台的表面远离所述点胶槽的部分包括弧面，所述弧面用于将溢流至第二凸台表面的点胶液朝所述容置腔的方向引流。

本实用新型还提供了一种半导体功率模块，包括如上所述的外壳。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块，通过将点胶槽的结构进行改进，可以在外壳与基板粘接的过程中，让过量溢出的点胶液大部分流向产品内部，有效减少溢出到产品外部的点胶液量，避免会使胶水过量溢出基板底面，导致人员操作时接触胶水产生二次污染，并且减少外观及性能上的不良影响，如此可以取消针对胶水的外观处理，提升半导体功率模块的封装生产效率，并提高产品良率。

附图说明

图1是一种半导体功率模块的外壳的结构示意图；

图2是图1的A-A剖视图；

图3是一种点胶槽涂覆点胶液后的结构示意图；

图4是包含一种点胶槽结构的外壳与基板盖合后的结构示意图；

图5是图4的B部放大图；

图6是包括一种点胶槽结构的外壳与基板粘接后的结构示意图；

图7是包含另一种点胶槽结构的外壳的结构示意图；

图8是另一种点胶槽涂覆点胶液后的结构示意图；

图9是包含另一种点胶槽结构的外壳与基板盖合后的结构示意图；

图10是图9的C部放大图；

图11是包括另一种点胶槽结构的外壳与基板粘接后的结构示意图；

图12是本实用新型一实施例提供的一种包含点胶槽的外壳的结构示意图；

图13是本实用新型一实施例提供的点胶槽涂覆点胶液后的结构示意图

图14是本实用新型一实施例提供的一种包含点胶槽结构的外壳与基板盖合后的结构示意图；

图15是图14的D部放大图；

图16是本实用新型一实施例提供的包括点胶槽结构的外壳与基板粘接后的结构示意图；

图17是本实用新型另一实施例提供的点胶槽结构的示意图；

图18是本实用新型又一实施例提供的点胶槽结构的示意图。

其中，

10-侧壁；20-容置腔；30-点胶槽；31-第一侧墙；32-第二侧墙；33-第一凸台；34-第二凸台，35-储存槽。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块作进一步详细说明。根据下面的说明，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

如图12至图16，是本实用新型一实施例提供的一种半导体功率模块的外壳，其包括点胶槽30，所述外壳包括侧壁10及由所述侧壁10围合形成的容置腔20，所述侧壁10远离所述容置腔20底部的端面向内凹陷形成所述点胶槽30，所述点胶槽30的第一侧墙31的高度大于所述第二侧墙32的高度，所述点胶槽30的第一侧墙31为所述点胶槽30远离所述容置腔20的侧壁，所述点胶槽30的第二侧墙32为所述点胶槽30靠近所述容置腔20的侧壁，所述第一侧墙31的高度为所述第一侧墙31的最高点与所述点胶槽30的槽底之间的距离，所述第二侧墙32的高度为所述第二侧墙32的最高点与所述点胶槽30的槽底之间的距离。在本实施例中，将点胶槽30的第二侧墙32的高度设置成低于第一侧墙31的高度，当外壳与基板粘接时，点胶槽30的点胶液受挤压后，由于第二侧墙32的高度较低，因此更多的点胶液会向第二侧墙32的方向溢出，只有较少的点胶液会向第一侧墙31的方向溢出，如图16所示，这样可以让溢出的点胶液大部分流向容置腔20，即点胶液会更多的溢往产品的内部，有效减少从第一侧墙31的方向溢出到产品的外部的点胶液量，避免会使胶水(即点胶液)过量溢出到粘接后的基板底面，导致人员操作时接触胶水产生二次污染，并且避免胶水超出基板底面，产生外观及性能上的不良影响，如此可以取消针对胶水的外观处理，提升生产效率，提高产品良率。其中，第一侧墙31与第二侧墙32之间的高度差可以根据实际的用胶量进行设置，例如可以将高度差设置为1～2mm，在该范围内既可以保证基板与外壳之间具有充足的胶水进行粘接，又可以让过量溢出的胶水大部分从第二侧墙32溢出。

作为本实用新型的一种具体实现方式，如图15所示，所述点胶槽30的两侧分别为第一凸台33和第二凸台34，所述第一凸台33位于所述点胶槽30远离所述容置腔20的一侧，所述第二凸台34位于所述点胶槽30靠近所述容置腔20的一侧，所述第一凸台33的高度大于所述第二凸台34的高度，所述第一凸台33的高度为所述第一凸台33的表面与所述点胶槽30底部之间的距离，所述第二凸台34的高度为所述第二凸台34的表面与所述点胶槽30底部之间的距离。第二凸台34可以作为过量溢出的点胶液从点胶槽30流向容置腔20的通道，同时，当第二凸台的34的表面的胶水由于表面张力的存在，累积达到一定厚度时，第二凸台34还可以通过胶水与基板之间实现粘接，进一步提高外壳与基板之间的粘接效果。

优选的，所述点胶槽30沿所述外壳的周向环绕所述容置腔20开设。这样可以使外壳与基板之间粘接的面积达到最大，让外壳的周边均与基板接触，通过点胶液实现粘接，提高粘接效果。

优选的，所述点胶槽30的形状可以为近似的方形槽，即槽底为平面，所述点胶槽30的第一侧墙31和第二侧墙32均垂直于所述槽底。当然，本领域技术人员可以理解的是，点胶槽30的存在只是为了暂存点胶液，点胶槽30的形状对于实现该功能并没有实质性的影响，因此，点胶槽30的形状可以是任意形状，除上述提到的方形槽外，还可以是圆形槽、不规则形槽等。

更进一步的，为了减少从第二凸台34溢出到容置腔20的点胶液的量，防止溢出到产品内部的点胶液过多导致对产品性能产生不利影响，在本实用新型的另一实施例中，如图17所示，可以在所述第二凸台34上开设储存槽35，所述储存槽35用于将溢流至第二凸台34表面的点胶液进行收集储存。其中，可以使所述第二凸台34的表面向内凹陷形成所述储存槽35，所述储存槽35的形状同样不作限定，可以是任意的方形槽、圆形槽、不规则形状槽等。并且，所述储存槽35的数量也可以为多个，提高对溢出的点胶液的储存量。

进一步的，在本实用新型的又一实施例中，如图18所示，所述第二凸台34的表面远离所述点胶槽30的部分还可以包括弧面，所述弧面用于将溢流至第二凸台34表面的点胶液朝所述容置腔20的方向引流，进一步提高过量的点胶液向产品内部溢出的速度，从而相对减少点胶液朝第一凸台33的方向溢出。

本实用新型还提供了一种半导体功率模块，包括如上所述的外壳结构，采用了该外壳结构的半导体功率模块，在外壳与基板的封装过程中，可以取消针对胶水的外观处理，提升封装生产效率，并可以提高产品良率。

综上所述，本实用新型提供了一种半导体功率模块的外壳及半导体功率模块，通过将点胶槽的结构进行改进，可以在外壳与基板粘接的过程中，让过量溢出的点胶液大部分流向产品内部，有效减少溢出到产品外部的点胶液量，避免会使胶水过量溢出基板底面，导致人员操作时接触胶水产生二次污染，并且减少外观及性能上的不良影响，如此可以取消针对胶水的外观处理，提升半导体功率模块的封装生产效率，并提高产品良率。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (9)

1.一种半导体功率模块的外壳，包括点胶槽，其特征在于，所述外壳包括侧壁及由所述侧壁围合形成的容置腔，所述侧壁远离所述容置腔底部的端面向内凹陷形成所述点胶槽，所述点胶槽的第一侧墙的高度大于第二侧墙的高度，所述点胶槽的第一侧墙为所述点胶槽远离所述容置腔的侧壁，所述点胶槽的第二侧墙为所述点胶槽靠近所述容置腔的侧壁，所述第一侧墙的高度为所述第一侧墙的最高点与所述点胶槽的槽底之间的距离，所述第二侧墙的高度为所述第二侧墙的最高点与所述点胶槽的槽底之间的距离。

2.根据权利要求1所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述点胶槽的两侧分别为第一凸台和第二凸台，所述第一凸台位于所述点胶槽远离所述容置腔的一侧，所述第二凸台位于所述点胶槽靠近所述容置腔的一侧，所述第一凸台的高度大于所述第二凸台的高度，所述第一凸台的高度为所述第一凸台的表面与所述点胶槽底部之间的距离，所述第二凸台的高度为所述第二凸台的表面与所述点胶槽底部之间的距离。

3.根据权利要求1所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述点胶槽沿所述外壳的周向环绕所述容置腔开设。

4.根据权利要求3所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述点胶槽的槽底为平面，所述点胶槽的第一侧墙和第二侧墙均垂直于所述槽底。

5.根据权利要求2所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述第二凸台上还开设有储存槽，所述储存槽用于将溢流至第二凸台表面的点胶液进行收集储存。

6.根据权利要求5所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述第二凸台的表面向内凹陷形成所述储存槽。

7.根据权利要求6所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述储存槽的数量为多个。

8.根据权利要求2所述的一种半导体功率模块的外壳，其特征在于，所述第二凸台的表面远离所述点胶槽的部分包括弧面，所述弧面用于将溢流至第二凸台表面的点胶液朝所述容置腔的方向引流。

9.一种半导体功率模块，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的半导体功率模块的外壳。

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