CN213460031U - 一种低插损陶瓷介质通带滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提出的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，包括陶瓷介质主体和金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩设置在所述陶瓷介质主体的表面。本实用新型通过在陶瓷介质主体上设置金属屏蔽罩及阶梯状通孔的结构，使其近端和远端的抑制变好，通过将其输入电极和输出电极分别和线条连接形成耦合电极，从而减少介质滤波器的电极时延，且线条与相邻的阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合，使其滤波器的矩形系数较好。

Description

一种低插损陶瓷介质通带滤波器

技术领域

本实用新型涉及一种低插损陶瓷介质通带滤波器。

背景技术

滤波器的种类繁多，不同的种类应用的频率范围及场合不同。介质滤波器是通过介质谐振器之间的耦合构成。介质谐振器滤波器的Q值高、插入损耗低、尺寸小、重量轻，被广泛应用在无线基站、卫星通信、导航系统、电子对抗等系统中。

陶瓷介质滤波器主要应用在微波通信系统中，能有效地得到所需频率范围。近年来，随着微波通信系统的快速发展，滤波器厂商对滤波器的生产提出了更高要求，特别是在低插损和高抑制方面。通常，介质滤波器的插损比较大，抑制一般，满足不了滤波器厂商电性的更高需求。因此需要提供一种低插损且抑制较高的陶瓷介质通带滤波器。

实用新型内容

针对背景技术，本实用新型目的在于提供一种能够满足滤波器厂商电性更高需求滤波器。

一种低插损陶瓷介质通带滤波器，包括陶瓷介质主体和金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩设置在所述陶瓷介质主体的表面。

具体的，所述陶瓷介质主体包括相对设置的开放面和短路面，以及设置在所述开放面和短路面周部的侧面。

所述开放面上设置有至少4个并排的且中心轴互相平行的阶梯状通孔。所述阶梯状通孔的周部通过金属化处理，形成金属加载层。

所述侧面上设有输入电极和输出电极。所述输入电极连接一线条形成耦合电极，且与靠近所述输入电极侧的开放面上的相邻2个阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合。所述输出电极连接另一线条形成耦合电极，且与靠近所述输出电极侧的开放面上的相邻2个阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合。中间两个所述阶梯状通孔的金属加载层之间通过电感线来构成感性耦合。

本实用新型中，通过在陶瓷介质主体上设置金属屏蔽罩及阶梯状通孔的结构，使其近端和远端的抑制变好。其输入电极和输出电极分别和线条连接形成耦合电极，从而减少介质滤波器的电极时延，且线条与相邻的阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合，使其滤波器的矩形系数较好。

优选的，所述金属屏蔽罩为金属薄片，厚度为0.2mm-0.4mm。

优选的，所述金属屏蔽罩包括至少一个镂空窗口。

优选的，所述金属屏蔽罩通过焊锡工艺焊接到陶瓷介质主体的侧面上。

优选的，所述金属加载层为通过浸银金属化工艺在所述陶瓷介质主体上覆上的银层雕刻而出。

优选的，所述金属加载层的厚度为8um-20um。

优选的，所述阶梯状通孔是由大孔和小孔构成的通孔，所述大孔设置在开放面上，所述小孔设置在所述短路面上。

根据权利要求7所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述大孔的深度是所述小孔的深度的0.05倍-0.5倍。

优选的，所述线条的宽度大于等于0.15mm。

优选的，所述线条按照设定的锯齿状铺设；所述金属加载层按照设定的锯齿状覆盖，从而增强输入和输出的耦合。

本实用新型提出的低插损陶瓷介质通带滤波器具有如下优点：

1、通过在陶瓷介质主体上设置金属屏蔽罩及阶梯状通孔的结构，使其近端和远端的抑制变好；

2、将输入电极和输出电极分别和线条连接形成耦合电极，从而减少介质滤波器的电极时延；

3、将线条与相邻的阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合，使其滤波器的矩形系数较好。

附图说明

图1是一种低插损陶瓷介质通带滤波器的轴侧视图一；

图2是一种低插损陶瓷介质通带滤波器的轴侧视图二；

图3是一种低插损陶瓷介质通带滤波器的轴侧视图三；

图4是陶瓷介质主体的轴侧视图；

图5是金属屏蔽罩；

图6是低插损陶瓷介质通带滤波器的实际测试波形图；

附图中的标记为：陶瓷介质主体1、开放面11、短路面12、阶梯状通孔13、金属加载层14、输入电极15、输出电极16、线条17、金属屏蔽罩2。

具体实施方式

为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1到图3，一种低插损陶瓷介质通带滤波器，包括陶瓷介质主体1和金属屏蔽罩2。

本实施例中，请参阅图4，所述陶瓷介质主体1为长方体状，采用粉末压制成型，并高温烧结成瓷后制得，包括相对设置的开放面11和短路面12，以及设置在所述开放面11和短路面12周部的侧面。

所述开放面11上设置有4个并排的且中心轴互相平行的阶梯状通孔13。本实施例中，所述阶梯状通孔13是由大孔和小孔构成的通孔，所述大孔设置在开放面11上，所述小孔设置在所述短路面12上，所述大孔的深度是所述小孔的深度的0.1倍。

所述阶梯状通孔13的周部通过金属化处理，形成金属加载层14。具体的，所述金属加载层14为通过浸银金属化工艺在所述陶瓷介质主体1上覆上的银层采用激光雕刻而出，厚度为10um。

所述侧面上设有输入电极15和输出电极16。所述输入电极15连接一线条17形成耦合电极，且与靠近所述输入电极15侧的第一、第二阶梯状通孔13的金属加载层14形成交叉容性耦合，用于控制滤波器低端抑制的零点。所述输出电极16连接另一线条17形成耦合电极，且与靠近所述输出电极16侧的第三、第四阶梯状通孔13的金属加载层14形成交叉容性耦合，用于控制滤波器高端抑制的零点。中间两个所述阶梯状通孔13，即第二第三所述阶梯状通孔13的金属加载层14之间通过电感线来构成感性耦合，使得高端处的远端抑制较好。

本实施例中，所述线条17的宽度大于0.15mm。在其它实施例中，所述线条17按照设定的形状铺设，所述金属加载层14也按照设定的形状覆盖。

请参阅图5，所述金属屏蔽罩2为金属薄片，由C7521洋白铜冲压工艺折弯制成，厚度为0.3mm，通过焊锡工艺焊接到陶瓷介质主体1的侧面上。所述金属屏蔽罩2包括一个镂空窗口。

如图6所示为本实用新型的实际测试波形图，中心频率为3500MHz，中心插损最小0.9dB，带宽BW为200MHz，在2000-2400MHz的带外抑制大于45dB,在4000-6000MHz的带外抑制大于25dB。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解；其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

包括陶瓷介质主体和金属屏蔽罩，所述金属屏蔽罩设置在所述陶瓷介质主体的表面；

所述陶瓷介质主体包括相对设置的开放面和短路面，以及设置在所述开放面和短路面周部的侧面；所述开放面上设置有至少4个并排的且中心轴互相平行的阶梯状通孔；所述阶梯状通孔的周部通过金属化处理，形成金属加载层；所述侧面上设有输入电极和输出电极；所述输入电极连接一线条形成耦合电极，且与靠近所述输入电极侧的开放面上的相邻2个阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合；所述输出电极连接另一线条形成耦合电极，且与靠近所述输出电极侧的开放面上的相邻2个阶梯状通孔的金属加载层形成交叉容性耦合；中间两个所述阶梯状通孔的金属加载层之间通过电感线来构成感性耦合。

2.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述金属屏蔽罩为金属薄片，厚度为0.2mm-0.4mm。

3.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述金属屏蔽罩包括至少一个镂空窗口。

4.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述金属屏蔽罩通过焊锡工艺焊接到陶瓷介质主体的侧面上。

5.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述金属加载层为通过浸银金属化工艺在所述陶瓷介质主体上覆上的银层雕刻而出。

6.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述金属加载层的厚度为8um-20um。

7.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述阶梯状通孔是由大孔和小孔构成的通孔，所述大孔设置在开放面上，所述小孔设置在所述短路面上。

8.根据权利要求7所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述大孔的深度是所述小孔的深度的0.05倍-0.5倍。

9.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述线条的宽度大于等于0.15mm。

10.根据权利要求1所述的一种低插损陶瓷介质通带滤波器，其特征在于：

所述线条按照设定的锯齿状铺设；所述金属加载层按照设定的锯齿状覆盖。

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