CN213437781U - 紧凑型高功率光隔离器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了紧凑型高功率光隔离器，包括依序设置的输入光纤准直器、入光光阑、第一分束器、旋光片、磁光晶体、第二分束器、出光光阑和扩束准直输出光学系统，所述磁光晶体周围设有环形阵列磁铁和导磁块，所述导磁块将环形阵列磁铁的磁场引导到磁光晶体内部光路通光的区域。本实用新型实用环形阵列磁铁加导磁块的方案，此外光在磁光晶体内部多次折叠能够更加有效的利用磁铁的磁场，磁铁的体积更小，隔离器的体积也更加紧凑、结构更加简单。
Description
技术领域
本实用新型涉及光学技术领域，尤其是紧凑型高功率光隔离器。
背景技术
在高功率激光加工领域使用的光纤激光器中一个重要的部件就是高功率隔离器，该器件起到阻隔方向光进入激光器而造成激光器损坏的作用。随着技术的发展，光纤激光器也不断的向小型化、轻便化方向发展。现在已经有手持式的激光加工设备在投入使用，因而对隔离器的体积也提出了新的要求。现在有的高功率光隔离器受到磁光晶体的韦德常数比较小的限制，一般隔离器的内部的需要的磁铁的体积都比较大，这个是阻碍隔离器往更小的体积发展主要因素。
发明内容
针对现有技术的情况，本实用新型目的在于提供紧凑型高功率光隔离器，其具有结构简单、体积紧凑的有优点。
为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：
紧凑型高功率光隔离器，其包括依序设置的输入光纤准直器、入光光阑、第一分束器、旋光片、磁光晶体、第二分束器、出光光阑和扩束准直输出光学系统，所述磁光晶体周围设有环形阵列磁铁和导磁块，所述导磁块将环形阵列磁铁的磁场引导到磁光晶体内部光路通光的区域。
作为一种实施方式，进一步的，所述磁光晶体置于环形阵列磁铁的中心，所述导磁块置于磁光晶体的两端。
作为一种实施方式，进一步的，所述磁光晶体两端面分别镀设有高反膜或者分别放置两块反射镜，以使得光能够多次折叠通过磁光晶体。
作为一种实施方式，进一步的，所述磁铁采用海尔贝克阵列(Halbach Array)。
采用上述的技术方案，本实用新型与现有技术相比，其具有的有益效果为：本实用新型环形阵列磁铁加导磁块的方案，能够更加有效地利用磁铁的磁场，从而缩小磁光晶体和磁铁的体积，从而获得结构简单、体积紧凑的高功率光隔离器。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型方案做进一步的阐述：
图1为本实用新型实施例的上视图；
图2为本实用新型实施例的俯视图；
图3为本实用新型实施例中磁光晶体的放大图。
具体实施方式
如图1或2所示，其示出了本实施例光隔离器的示意图；本实施例包括依序设置的输入光纤准直器100、入光光阑101、第一分束器102、旋光片103、磁光晶体106、第二分束器109、出光光阑110和扩束准直输出光学系统111、112。所述磁光晶体106周围设有环形阵列磁铁104和一对导磁块105、108。
光纤准直器100发出的光从入光光阑101进入，经过第一分束器102后，被分成偏振方向相互垂直的o光和e光，当两束光（o光和e光）经过旋光片103后，其偏振方向同时往逆时针方向旋转了45度，当两束光再经过磁光晶体106后，其偏振方向同时再往逆时针方向旋转了45度，与经过第一分束器102后的光偏振方向正好垂直，再经过第二分束器102后合并为一束光并从出光光阑110输出，最后进入扩束准直输出光学系统111、112。
其中，磁光晶体106置于环形阵列磁铁104的中心，一对导磁块105、108分别置于磁光晶体106的两端，一对导磁块105、108将环形阵列磁铁104的磁场引导到磁光晶体内部光路通光的区域。其中环形磁铁阵列104的各个部件的磁场方向如图1和图2所示。
如图3所示磁光晶体106的两个端面分别镀有高反膜107，并且留有一块区域不镀高反膜用于光的输入和输出。正向光由光纤准直器100进入到磁光晶体106并在两端的高反膜107之间多次反射，反射的次数由入射角度确定。从而使得磁光晶体和磁铁的体积能够进一步减小。
本实用新型采用环形阵列磁铁加导磁块的方案，能够更加有效地利用磁铁的磁场，从而缩小磁光晶体和磁铁的体积，从而获得结构简单、体积紧凑的高功率光隔离器
以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对此实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围。
Claims (4)
1.紧凑型高功率光隔离器，其包括依序设置的输入光纤准直器、入光光阑、第一分束器、旋光片、磁光晶体、第二分束器、出光光阑和扩束准直输出光学系统，其特征在于：所述磁光晶体周围设有环形阵列磁铁和导磁块，所述导磁块将环形阵列磁铁的磁场引导到磁光晶体内部光路通光的区域。
2.根据权利要求1所述的紧凑型高功率光隔离器，其特征在于：所述磁光晶体置于环形阵列磁铁的中心，所述导磁块置于磁光晶体的两端。
3.根据权利要求1或2所述的紧凑型高功率光隔离器，其特征在于：所述磁光晶体两端面分别镀设有高反膜或者分别放置两块反射镜，以使得光能够多次折叠通过磁光晶体。
4.根据权利要求1或2所述的紧凑型高功率光隔离器，其特征在于：所述磁铁采用海尔贝克阵列。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202022257187.7U CN213437781U (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 紧凑型高功率光隔离器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202022257187.7U CN213437781U (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 紧凑型高功率光隔离器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213437781U true CN213437781U (zh) | 2021-06-15 |
Family
ID=76290325
Family Applications (1)
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| CN202022257187.7U Active CN213437781U (zh) | 2020-10-12 | 2020-10-12 | 紧凑型高功率光隔离器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213437781U (zh) |
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2020
- 2020-10-12 CN CN202022257187.7U patent/CN213437781U/zh active Active
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