CN213365052U - 一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备 - Google Patents
一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备。该设备主要包括弱磁近场探头、信号放大模块、带通滤波模块、信号分析模块及显示模块。用前置和参考弱磁近场探头探测可疑区域或空间内的弱磁信号,将探测到的信号进行信号放大和带通滤波,再通过模数转换和时频域变换处理得到频率和幅值,综合两个近场探头探测得到的频率和幅值数据进行去噪处理,最后结合摄像装置存在的同步信号特征分析判定是否检测到密拍摄像装置,以及根据移动探测时目标信号的强弱或幅值变化确定位置。本实用新型的探测范围基本涵盖所有类型的密拍摄像装置,探测不受角度或方向的限制,具备去噪和多重确认机制,具有更低的漏检、误检率,使用便捷。
Description
技术领域
本实用新型涉及密拍摄像装置探测领域,具体涉及一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备。
背景技术
近年来,各种偷拍事件频生,涉及场所和范围也越来越广,屡禁不止,不法分子受利益驱使建立了偷拍、偷摄的灰色产业链,严重威胁到人们的隐私安全,而随着密拍摄像装置的日益小型化和伪装化,更加难以被防范和发现,因此需要采取有效的技术手段找出隐蔽式的密拍摄像装置。
目前市面上已有不少用于检测密拍摄像装置的产品,主要技术原理包括对密拍摄像装置的红外补光特征、滤光片反光特征、无线传输方式频率/视频编码特征和工作发热特征等进行探测,但也仍存在不足之处。比如红外补光特征探测主要针对配备红外补光灯的夜视摄像头,对无红外补光的非夜视摄像头或星光级摄像头则无效;滤光片反光特征探测是利用了一般摄像头结构中存在红外滤光片的原理,该滤光片会反射部分波段的红光,用红光照射可观察到反射红点,但实际上红外滤光片除了阻截反射式,还有如蓝玻璃材质的吸收式滤光片,使得反射不明显,而且探测效果受红光照射和观察的角度影响大,非正对角度会降低效果;无线传输方式频率特征探测主要针对通过wifi、4G、5G等进行传输的摄像头的发射源探测来实现,对存储式或网线、数据线传输的摄像头无效,而无线传输方式视频编码特征探测则通过wifi、4G、5G等无线传输信号的截获、解码并识别特定编码方式下的视频编码文件头来实现,上述两种方式均较难准确确定方向,并且5G技术下,其传输带宽高、速度快,传输时间窗口很小,若不恰好处在传输时间窗口上根本探测不到;工作发热特征是基于摄像头长时间工作会导致局部温度明显升高的原理,可采用红外热成像技术进行检测,但这种检测设备相对而言成本较高,且发热产生的红外线极易被遮挡,当发热部位被置于墙体、隔热外壳里或被遮挡时,检测效果会大打折扣。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提出一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备。由于密拍摄像装置在成像过程中,图像传感器会主动发送同步信号,且大部分摄像装置在视频传输过程中,图像处理器也会主动发送同步信号,引起附近的磁场变化,因此可利用被测磁场中高导磁芯在交变磁场的饱和激励下的磁感应强度与磁场强度的非线性关系来测量这种弱磁信号频率特征,进而判定是否存在密拍摄像装置及其具体位置。
为达成上述目的,本实用新型提出一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备,其核心组成包括:弱磁近场探头、信号放大模块、带通滤波模块、信号分析模块及显示模块,所述弱磁近场探头与所述信号放大模块相连,所述信号放大模块与带通滤波模块相连,所述带通滤波模块与信号分析模块相连,所述信号分析模块又与显示模块相连接。
所述弱磁近场探头,包括前置弱磁近场探头和参考弱磁近场探头,所述前置弱磁近场探头用于对可疑区域或空间内密拍摄像装置产生的弱磁信号的探测,即探测目标信号;参考弱磁近场探头用于对可疑区域或空间所在的更大环境范围内的磁场信号探测,即探测除密拍摄像装置产生的弱磁信号以外的背景噪音。两者之间的安装间隔距离应大于其对目标弱磁信号的有效探测距离。单个弱磁近场探头可以是磁感应型、时间差型、平行激励型、正交激励型等磁通门中的一种,采用三轴方向设计,其磁芯选用高磁导率材质,并经过特定的退火工艺处理。
所述信号放大模块,用于对弱磁近场探头所探测到的微弱信号进行放大。
所述带通滤波模块,用于对放大后的信号进行滤波处理,过滤目标频段以外的信号。
所述信号分析模块,用于对进行信号放大和带通滤波后的信号进行AD转换和时频域变换运算,得到频率和幅值数据,再将两个弱磁近场探头探测到的信号的频率和幅值数据进行综合分析处理,去除背景噪音后判定是否检测到密拍摄像装置。
所述显示模块,用于在判定已存在密拍摄像装置,再进行移动探测时,对探测到的目标信号的强弱或幅值变化进行显示,进而确认密拍摄像装置的具体位置。
优选地,一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备还配有供电模块,与信号处理模块相连,且与弱磁近场探头之间做了防电磁干扰设计。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:选择探测密拍摄像装置在成像和视频传输过程中必定会存在又较难屏蔽的同步信号特征,且处于甚低频范围的信号因其频段使用较少,故有效避免环境噪声干扰,相较于目前市面上已有的探测设备,检测范围基本涵盖所有类型的摄像头,再加上去噪处理和对探测结果与同步信号特征对应的数量、频率和幅值的多重判断确认,漏检、误检率更低。三轴弱磁近场探头的设计,使得探测不受角度或方向的限制,无需肉眼观察,自动检测判断更为便捷。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型的一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备的结构示意图。
具体实施方式
为了更好地了解本实用新型的技术内容,特举具体实施例并配合附图进行如下说明。
如图1所示,本实用新型提供了一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备,其核心组成包括:弱磁近场探头、信号放大模块、带通滤波模块、信号分析模块及显示模块,所述弱磁近场探头与所述信号放大模块相连,所述信号放大模块与带通滤波模块相连,所述带通滤波模块与信号分析模块相连,所述信号分析模块又与显示模块相连接。
所述弱磁近场探头,包括前置弱磁近场探头和参考弱磁近场探头,所述前置弱磁近场探头用于对可疑区域或空间内密拍摄像装置产生的弱磁信号的探测,即探测目标信号;参考弱磁近场探头用于对可疑区域或空间所在的更大环境范围内的磁场信号探测,即探测除密拍摄像装置产生的弱磁信号以外的背景噪音。两者之间的安装距离应大于其对目标弱磁信号的有效探测距离。单个弱磁近场探头可以是磁感应型、时间差型、平行激励型、正交激励型等磁通门中的一种,采用三轴方向设计,其磁芯选用高磁导率材质,加工成特定形状,并经过专业退火工艺处理。
所述信号放大模块,用于对弱磁近场探头所探测到的弱磁信号进行放大,可以是一种低噪声放大器。
所述带通滤波模块,用于对放大后的信号进行滤波处理,过滤目标频段以外的信号,对于环境中常见且较强的噪声信号,还可以增加陷波滤波器进行滤除。
所述信号分析模块,用于对进行信号放大和带通滤波后的信号进行AD转换和时频域变换运算,得到频率和幅值数据,再将两个弱磁近场探头探测到的信号的频率和幅值数据进行综合分析处理,去除背景噪音后判定是否检测到密拍摄像装置。所述时频域变换处理可以是傅里叶变换、快速傅里叶变换等方法。
所述显示模块,用于在判定已存在密拍摄像装置,再进行移动探测时,对探测到的目标信号的强弱或幅值变化进行显示,进而确认密拍摄像装置的具体位置。所述强弱或幅值变化的显示方式可以是数值、LED指示灯、声音和振动显示等。
作为优选实施例,一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备还配有供电模块,与信号处理模块相连,且与弱磁近场探头之间做了防电磁干扰设计。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然其并非用于限定本实用新型的保护范围。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (2)
1.一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备,其特征在于,其核心组成包括:弱磁近场探头、信号放大模块、带通滤波模块、信号分析模块及显示模块,所述弱磁近场探头与所述信号放大模块相连,所述信号放大模块与带通滤波模块相连,所述带通滤波模块与信号分析模块相连,所述信号分析模块又与显示模块相连接;
所述弱磁近场探头,包括前置弱磁近场探头和参考弱磁近场探头,所述前置弱磁近场探头用于对可疑区域或空间内密拍摄像装置产生的弱磁信号的探测,即探测目标信号;参考弱磁近场探头用于对可疑区域或空间所在的更大环境范围内的磁场信号探测,即探测除密拍摄像装置产生的弱磁信号以外的背景噪音;两者之间的安装距离应大于其对目标弱磁信号的有效探测距离;单个弱磁近场探头可以是磁感应型、时间差型、平行激励型、正交激励型等磁通门中的一种,采用三轴方向设计,其磁芯选用高磁导率材质,并经过特定的退火工艺处理;
所述信号放大模块,用于对弱磁近场探头所探测到的微弱信号进行放大;
所述带通滤波模块,用于对放大后的信号进行滤波处理,过滤目标频段以外的信号;
所述信号分析模块,用于对进行信号放大和带通滤波后的信号进行AD转换和时频域变换运算,得到频率和幅值数据,再将两个弱磁近场探头探测到的信号的频率和幅值数据进行综合分析处理,去除背景噪音后判定是否检测到密拍摄像装置;
所述显示模块,用于在判定已存在密拍摄像装置,再进行移动探测时,对探测到的目标信号的强弱或幅值变化进行显示,进而确认密拍摄像装置的具体位置。
2.根据权利要求1所述的一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备,其特征还在于,其配有供电模块,与信号处理模块相连,且与弱磁近场探头之间做了防电磁干扰设计。
Priority Applications (1)
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CN202021638764.0U CN213365052U (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测设备 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111751889A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-10-09 | 杭州艺兴科技有限公司 | 一种基于弱磁近场探测技术的密拍摄像装置检测方法和设备 |
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2020
- 2020-08-10 CN CN202021638764.0U patent/CN213365052U/zh active Active
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