CN213345932U - 一种射频治疗头及治疗装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种射频治疗头及治疗装置。所述射频治疗头包括主体和若干个电极片，所述主体上设置有若干个温度传感器和陶瓷片，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上，所述陶瓷片和所述温度传感器连接；所述电极片和所述主体连接，所述电极片和所述陶瓷片连接。本实用新型的技术方案通过提出一种射频治疗头及应用该射频治疗头的治疗装置，解决了所述射频治疗头的温度传感器测定不准的问题。

Description

一种射频治疗头及治疗装置

技术领域

本实用新型涉及基于射频技术的医疗器械领域，尤其涉及一种用于阴道治疗的射频治疗头和治疗装置。

背景技术

现有技术中，用于阴道治疗的射频治疗头常常设置有温度传感器，所述温度传感器通过感应所述射频治疗头上电极片的温度来感应工作环境温度。但是现有技术中温度传感器一般是通过硅胶抵接电极片来传热的，由于温度传感器较小，硅胶片较薄，这种传热方式容易将硅胶片刺破，从而导致温度传感器测温不准的问题。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种射频治疗头及治疗装置，旨在解决现有技术中，温度传感器容易测定不准的问题。

为实现上述目的，本实用新型提出了一种射频治疗头，用于阴道治疗，所述射频治疗头包括主体和若干个电极片，所述主体上设置有若干个温度传感器和陶瓷片，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上，所述陶瓷片和所述温度传感器连接；所述电极片和所述主体连接，所述电极片和所述陶瓷片连接。

优选的，所述主体上设置有若干个容置槽，所述温度传感器和所述陶瓷片设置于所述容置槽内。

优选的，所述容置槽内壁上端设置有两个缺角槽，所述陶瓷片的两端容置于所述缺角槽内，所述温度传感器设置于所述缺角槽的下方，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上。

优选的，所述陶瓷片和所述温度传感器的连接处涂布有半固态导热体，和/或所述电极片和所述陶瓷片的连接处涂布有半固态导热体。

优选的，所述半固态导热体为导热硅脂。

优选的，所述射频治疗头外表面覆设有绝缘层。

优选的，所述电极片外表面设置有陶瓷层或特氟龙层。

优选的，所述主体上设置有若干个射频触点，所述射频触点和所述电极片接触。

优选的，所述射频治疗头包括壳体，所述壳体覆设于所述主体的外周壁上，所述壳体和所述主体连接，所述壳体上设置有若干个安装孔，所述电极片安装于所述安装孔上，所述电极片凸出于所述壳体设置。

本实用新型还提出了一种治疗装置，所述治疗装置包括所述射频治疗头，所述治疗装置包括主机，所述主机和所述射频治疗头连接。

本实用新型通过提供一种射频治疗头，具体的，所述射频治疗头上设置有若干个传感器和覆设于所述温度传感器上的陶瓷片，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上，所述温度传感器和所述陶瓷片连接。解决了所述射频治疗头的温度传感器容易测定不准的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型射频治疗头的结构示意图；

图2为A处的局部放大图；

图3为本实用新型射频治疗头装配后的结构示意图；

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	射频治疗头	11	壳体
110	电极片	12	主体
				120	射频触点	121	容置槽
122	缺角槽	123	陶瓷片

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

需要说明的是，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

请参阅图1至图2，本实用新型提出了一种射频治疗头10，用于阴道治疗，包括主体12和若干个电极片110，所述主体12上设置有若干个温度传感器和陶瓷片123，所述陶瓷片123覆设于所述温度传感器上，所述陶瓷片123和所述温度传感器连接。所述电极片110和所述主体12连接，所述电极片110和所述陶瓷片123连接。

现有技术中，为了感应所述射频治疗头10工作环境的温度，避免所述射频治疗头10温度过高影响治疗。所述主体12包括温度传感器和导热绝缘片，所述温度传感器通过导热绝缘片和所述电极片110连接。现有技术中常用软质的硅胶作为导热绝缘片抵接传热。虽然软质的硅胶片有着很好的传热效果。但是硅胶片较薄，而且所述硅胶片和所述射频治疗头10顶端接触的距离又较小，所述硅胶片容易被所述温度传感器刺破，而导致所述温度传感器测温效果不好的问题。而由于所述陶瓷片123的硬度较高，不易被刺破，而且所述陶瓷片123的导热绝缘性能也较好。所以，本技术方案采用硬质的陶瓷片123作为导热绝缘片，所述陶瓷片123连接所述温度传感器和所述电极片110，起到了一个传递热量的效果。

进一步的，为了达到更好的导热效果，所述温度传感器和所述陶瓷片123相对于所述主体12的位置应该是相对固定的。进一步的，所述主体12上设置有若干个容置槽121，所述温度传感器和所述陶瓷片123设置于所述容置槽121内。优选的，所述电极片110数量、所述容置槽121数量、所述温度传感器数量和所述陶瓷片123数量是一一对应的。具体的，每个所述电极片110下面设置有一个容置槽121，所述容置槽121内设置有一个温度传感器，所述温度传感器上覆设有陶瓷片123。所述陶瓷片123连接所述温度传感器和所述电极片110，起到一个导热的效果。

进一步的，所述电极片110和所述陶瓷片123均为导热材料，能够很好的把温度传递到所述温度传感器中。在一优选实施例中，所述电极片110材料为不锈钢，所述不锈钢具有良好的导热效果，并且能够很好的适应潮湿的工作环境而不生锈。

请参阅图2，由于所述陶瓷片123的质量是较大的，所述容置槽121内壁上端设置有两个缺角槽122，所述陶瓷片123的两端容置于所述缺角槽122内，所述温度传感器设置于所述缺角槽122的下方，所述陶瓷片123覆设于所述温度传感器上。所述缺角槽122的设置对所述陶瓷片123起到了一个支撑作用。

所述陶瓷片123是可以与温度传感器直接接触的，所述陶瓷片123也可以与电极片110直接接触而导热。但由于所述陶瓷片123和所述温度传感器、所述电极片110都是固体，两个固体之间很难形成完美接触。为了优化导热效果，在一优选实施例中，所述陶瓷片123和所述温度传感器通过半固态导热体连接。同时，由于所述缺角槽122支撑住所述陶瓷片123，使所述陶瓷片123和所述温度传感器之间留有一定的空间。所述空间用于容置所述半固态导热体或柔性导热体。所述半固态导热体具有一定的流动性，而所述柔性导热体较为柔软。因此，所述半固态导热体或所述柔性导热体内部的传热效果是较好的。同时，所述半固态导热体或所述柔性导热体较为柔软或者具有一定的流动性，所述半固态导热体或所述柔性导热体和所述陶瓷片123内侧的接触是较为充分的，因而导热效果也更好。在另一优选实施例中，所述陶瓷片123和所述电极片110通过半固态导热体连接。如此设置，增加了所述陶瓷片123和所述电极片110之间的导热效果。

在一优选实施例中，所述半固态导热体为导热硅脂。导热硅脂俗称散热膏，导热硅脂以有机硅酮为主要原料，添加耐热、导热性能优异的材料，制成的导热型有机硅脂状复合物。所述导热硅脂具有高导热率，极佳的导热性，良好的电绝缘性，较宽的使用温度，很好的使用稳定性，较低的稠度和良好的施工性能。如此，所述温度传感器和所述陶瓷片123之间的接触更加充分，导热效果更好。

而由于所述射频治疗头10为沿一直线延伸的管体，为了贴合所述管体的弧度，所述电极片110为弧形片，在一优选实施例中，所述陶瓷片123为贴合所述电极片110弧度的弧形片。如此设置，所述陶瓷片123可以更好的贴合于所述电极片110上。

请参阅图1，为了实现射频治疗的功能，所述主体12上设置有若干个射频生头，所述射频触点120和所述电极片110接触。所述电极片110和所述射频触点120电接触，所述电极片110能够进一步递送所述射频电流，进行治疗。优选的，所述电极片110、所述温度传感器、所述射频触点120一一对应。即每个所述电极片110都设置有单独的射频触点120和温度传感器。可以感应所述不同的电极片110上的温度。

进一步的，所述主体上设置有柔性电路板，所述电路板和所述射频治疗头10内部电路进行连接。所述射频治疗头10还和主机连接，具体的，所述主机和所述射频治疗头10内部电路进行连接，所述主机产生射频能量，所述射频触点110是传递所述射频能量的一个接触点，它是所述电极片和所述主体11的电路进行接触的一个触点，起到一个传递射频能量的作用。

请参阅图3，所述射频治疗头10包括壳体11，所述壳体11覆设于所述主体12的外周壁上，所述壳体11和所述主体12连接，所述壳体11上设置有若干个安装孔，所述电极片110安装于所述安装孔上，所述电极片110凸出于所述壳体11设置。同时，由于所述射频治疗头10是进入所述阴道内进行工作的。所以所述射频治疗头10的工作环境是较为潮湿的。所以，为了防止所述射频治疗头11在工作时因为进水而损坏，所述射频治疗头10应该具有一个较为密封的壳体11。即所述壳体11和所述电极片110的连接处应该是密封的，没有空隙的。同时，因为所述射频治疗头10是放置进人体内部进行工作的，为了不影响用户体验，在一优选实施例中，所述壳体11应该是较为光滑，没有毛刺或棱角的。

进一步的，所述电极片110具有递送所述射频能量，实现所述射频治疗头10的治疗作用。进一步的，因为所述射频治疗头10是进入所述阴道内部进行治疗的，所述电极片110需要和所述阴道内壁接触从而递送射频能量进行治疗。所以，所述电极片110是凸出于所述壳体11设置的。这样所述电极片110和所述阴道内壁接触的更为充分，达到更好的治疗效果。

在一优选实施例中，所述电极片110外表面设置有陶瓷层或特氟龙层。特氟龙一般指的是聚四氟乙烯，即是以四氟乙烯作为单体聚合制得的聚合物。所述特氟龙具有优良的化学稳定性、耐腐蚀性、密封性、高润滑不粘性、电绝缘性和良好的抗老化耐力。同时，所述特氟龙和所述陶瓷是两种射频衰减较少的材料。所以要将所述射频治疗头10从电阻式治疗变为电容式治疗，经过综合考虑，将优先采用这两种材料。

传统的射频治疗头10，即电极片上不涂布陶瓷层或特氟龙层的射频治疗头10，它的治疗方法是电阻式治疗方法。

而采用在所述电极片110表面设置特氟龙层或者陶瓷层的方法后，即将所述射频治疗头10的治疗方法变为电容式。电容式的治疗方法是利用人体电场，用户和所述射频治疗头10表面形成一个耦合电容。

所述电容式治疗较所述电阻式治疗有着更安全的效果。具体的，在相同的电流输出的情况下，采用电阻式的射频治疗头10可以让更多的射频能量作用于人体的细胞组织，但是这样做，用户被灼伤风险也较大。而且在接触不良时，即所述电极片110和所述射频治疗头10的作用处为点接触时，会发生尖端放电情况，用户在使用时会感受到刺痛感，而导致用户受伤或者用户体验不佳的情况发生。因此，与电阻式的射频治疗头10相比，电容式的射频治疗头10安全性更高，从而得到更佳的用户体验。

进一步的，将电阻式治疗变为电容式治疗还可以采用其他方法。在一优选实施例中，所述射频治疗头10外覆设有绝缘层。进一步的，所述射频治疗头10的外表面上整体都覆设有绝缘层。所述绝缘层材料为陶瓷、特氟龙等。一方面，所述整个射频治疗头10覆设绝缘层可以增加所述射频治疗头10的密封防水效果。另一方面，所述绝缘层的设置，将原有的射频治疗头电阻式的治疗方法变为电容式治疗方法。

本实用新型还提供了一种治疗装置，所述治疗装置包括所述射频治疗头10，所述治疗装置包括主机，所述主机和所述射频治疗头10连接，所述主机和所述温度传感器连接。如此，在需要应用所述治疗装置进行治疗时，所述射频治疗头10进入需要治疗阴道的内部，所述主机与所述射频治疗头10上的射频触点120连接，所述主机连接电源，所述射频触点120与所述电极片110电接触。从而递送射频能量，进行治疗。如此，在所述射频治疗头10进行治疗时，可以根据需要，通过所述主机主动或者自动调节一些参数，从而调节所述射频治疗头10递送射频能量的功率。

进一步的，所述温度传感器接收到工作环境的温度信息，并将所述温度信息输送到所述主机。即所述温度传感器能够实时采集所述阴道内部的治疗时温度。所述主机接收所述温度传感器采集到的信息，并且根据所述治疗温度智能调节所述电流的输出功率，从而调节所述射频治疗头10治疗的功率，从而实现治疗的安全、精准、高效。

由于所述射频触点120和所述温度传感器的数量是一一对应的，在一优选实施例中，所述温度传感器可以感应所述射频治疗头10上不同所述电极片110的温度，从而分别调节不同的所述电极片110对应的射频触点120所递送的射频能量的功率。

进一步的，由于所述射频治疗头10为易损耗品，即所述主机和所述射频治疗头10的具有不同的使用寿命。出于节省成本，便于更换的考虑，所述射频治疗头10和所述主机是可拆卸连接的。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的发明构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种射频治疗头，用于阴道治疗，其特征在于，包括：

主体，所述主体上设置有若干个温度传感器和陶瓷片，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上，所述陶瓷片和所述温度传感器连接；

若干个电极片，所述电极片和所述主体连接，所述电极片和所述陶瓷片连接。

2.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述主体上设置有若干个容置槽，所述温度传感器和所述陶瓷片设置于所述容置槽内。

3.如权利要求2所述的射频治疗头，其特征在于，所述容置槽内壁上端设置有两个缺角槽，所述陶瓷片的两端容置于所述缺角槽内，所述温度传感器设置于所述缺角槽的下方，所述陶瓷片覆设于所述温度传感器上。

4.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述陶瓷片和所述温度传感器的连接处涂布有半固态导热体，和/或所述电极片和所述陶瓷片的连接处涂布有半固态导热体。

5.如权利要求4所述的射频治疗头，其特征在于，所述半固态导热体为导热硅脂。

6.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述射频治疗头外表面覆设有绝缘层。

7.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述电极片外表面设置有陶瓷层或特氟龙层。

8.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述主体上设置有若干个射频触点，所述射频触点和所述电极片接触。

9.如权利要求1所述的射频治疗头，其特征在于，所述射频治疗头包括壳体，所述壳体覆设于所述主体的外周壁上，所述壳体和所述主体连接，所述壳体上设置有若干个安装孔，所述电极片安装于所述安装孔上，所述电极片凸出于所述壳体设置。

10.一种治疗装置，其特征在于，所述治疗装置包括如权利要求1至9任一项所述的射频治疗头，所述治疗装置包括主机，所述主机和所述射频治疗头连接。

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