CN213172563U - 一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，包括：真空单元，包括真空泵和至少一个腔室，腔室用于容纳温控盘，真空泵通过真空管道与各个腔室连接，真空泵用于将腔室的内部形成真空；温度传感器，温度传感器分别设置在每个腔室上，用于检测腔室的温度；降温单元，包括冷水泵和冷水管，冷水管连接冷水泵与腔室；控制单元，控制单元的输入端与温度传感器电性连接，控制单元的输出端与温控盘、真空单元以及降温单元电性连接，控制单元根据温度传感器检测的温度分别控制温控盘以及降温单元。退火设备能够模拟半导体镀膜设备的工作状态，检测其性能，能够确保半导体镀膜设备是否符合生产需求。

Description

一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备

技术领域

本实用新型涉及了一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，该退火设备主要用于检测半导体镀膜设备温控盘的制热系统。

背景技术

半导体镀膜设备在进行沉积反应时往往需要使晶圆及腔室加热或维持在沉积反应所需要的温度，所以半导体镀膜设备必须具备加热结构以满足给晶圆预热的目的。因此半导体镀膜设备中的温控盘必须能够达到镀膜需求的加热温度，并且能够在该温度下维持。然而现在半导体镀膜设备的生产厂家大都没有检测所生产的半导体镀膜设备的加热性能和维持性能，因此半导体镀膜设备的质量无法把关。

实用新型内容

为了克服现有技术中的缺陷，本实用新型实施例提供了一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，包括：

真空单元，包括真空泵和至少一个腔室，所述腔室用于容纳所述温控盘，所述真空泵通过真空管道与各个所述腔室连接，所述真空泵用于将所述腔室的内部形成真空；

温度传感器，所述温度传感器分别设置在每个所述腔室上，用于检测所述腔室的温度；

降温单元，包括冷水泵和冷水管，所述冷水管连接所述冷水泵与所述腔室；

控制单元，所述控制单元的输入端与所述温度传感器电性连接，所述控制单元的输出端与所述温控盘、所述真空单元以及所述降温单元电性连接，所述控制单元根据所述温度传感器检测的温度分别控制所述温控盘以及所述降温单元。

进一步地，所述腔室包括形成其内部空间的腔体和设置在所述腔体上方的端盖，所述腔体与所述端盖之间设置有密封圈，所述密封圈用于所述腔体和所述端盖之间密封从而使得所述腔室的内部能够形成真空。

进一步地，所述冷水管沿所述腔体或者端盖周圈排布，冷水经过所述冷水管对所述密封圈进行降温冷却。

进一步地，所述控制单元与所述冷水泵电性连接，用于控制所述冷水泵的开闭。

进一步地，所述温度传感器采用热电偶或者感温棒。

进一步地，所述温控盘包括加热盘，所述加热盘通过加热器加热，所述加热器与所述控制单元电性连接，所述控制单元控制所述加热器的开闭。

进一步地，所述温控盘包括加热盘，所述加热盘设置有加热槽，所述加热槽内设置有加热管道，所述加热器形成加热介质，所述加热介质通过所述加热管道对所述加热盘进行升温加热。

本实用新型的有益效果如下：

所述退火设备能够模拟半导体镀膜设备的工作状态。所述控制单元控制所述真空泵启动将所述腔室的内部抽成真空，形成所述半导体镀膜设备的真空工作环境。在形成真空环境后，所述控制单元能够控制所述半导体镀膜设备中的所述温控盘加热，同时所述温度传感器用于检测所述腔室的温度。所述控制单元将所述温度传感器检测的温度与预设加热温度相比较，若所述温度传感器检测的温度小于预设加热温度，则所述温控盘继续加热使得所述腔室的温度升高直至达到所述预设加热温度；若所述温度传感器检测的温度大于预设加热温度，则所述控制单元关闭所述温控盘并启动所述降温单元，以达到降温的效果；最终使得所述腔室的温度维持在所述预设加热温度。

在所述半导体镀膜设备出厂前利用该退火设备进行检测其性能，能够确保半导体镀膜设备是否符合生产需求。

为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例中于半导体镀膜设备温控盘的退火设备的示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。

为达到上述目的，本实用新型提供一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备100，如图1所示，包括：

真空单元，包括真空泵11和至少一个腔室12，所述腔室12用于容纳所述温控盘4，所述真空泵11通过真空管道13与各个所述腔室12连接，所述真空泵11用于将所述腔室12的内部形成真空；

温度传感器，所述温度传感器分别设置在每个所述腔室12上，用于检测所述腔室12的温度；

降温单元，包括冷水泵21和冷水管22，所述冷水管22连接所述冷水泵21与所述腔室12；

控制单元3，所述控制单元3的输入端与所述温度传感器电性连接，所述控制单元3的输出端与所述温控盘4、所述真空单元以及所述降温单元电性连接，所述控制单元3根据所述温度传感器检测的温度分别控制所述温控盘4以及所述降温单元。

本实施例中的退火设备100能够模拟半导体镀膜设备的工作状态。所述控制单元3控制所述真空泵11启动将所述腔室12的内部抽成真空，形成所述半导体镀膜设备的真空工作环境。在形成真空环境后，所述控制单元3能够控制所述半导体镀膜设备中的所述温控盘4加热，同时所述温度传感器用于检测所述腔室12的温度。所述控制单元3将所述温度传感器检测的温度与预设加热温度相比较，若所述温度传感器检测的温度小于预设加热温度，则所述温控盘4继续加热使得所述腔室12的温度升高直至达到所述预设加热温度；若所述温度传感器检测的温度大于预设加热温度，则所述控制单元3关闭所述温控盘4并启动所述降温单元，以达到降温的效果；最终使得所述腔室12的温度维持在所述预设加热温度。

在所述半导体镀膜设备出厂前利用该退火设备100进行检测其性能，能够确保半导体镀膜设备是否符合生产需求。

所述腔室12包括形成其内部空间的腔体和设置在所述腔体上方的端盖，所述腔体与所述端盖之间设置有密封圈，所述密封圈用于所述腔体和所述端盖之间密封从而使得所述腔室12的内部能够形成真空。

所述冷水管22沿所述腔体或者端盖周圈排布，冷水经过所述冷水管22对所述密封圈进行降温冷却。

所述降温单元能够对所述腔室12和所述密封圈进行降温，其一能够退火减少应力，其二能够避免所述密封圈失效，防止所述腔室12的真空环境被破坏。

在本实施例中，所述控制单元3与所述冷水泵21电性连接，用于控制所述冷水泵21的开闭。在其他实施例中，在所述冷水管22的其中一端设置阀门，所述阀门与所述控制单元3电性连接，通过控制阀门的开闭来控制所述降温单元的开闭。

在本实施例中，所述温度传感器采用热电偶或者感温棒。

所述温控盘4包括加热盘，所述加热盘通过加热器加热，所述加热器与所述控制单元3电性连接，所述控制单元3控制所述加热器的开闭。

具体的，所述加热盘设置有加热槽，所述加热槽内设置有加热管道，所述加热器形成加热介质，所述加热介质通过所述加热管道对所述加热盘进行升温加热。

本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。

Claims (7)

1.一种用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，包括：

真空单元，包括真空泵和至少一个腔室，所述腔室用于容纳所述温控盘，所述真空泵通过真空管道与各个所述腔室连接，所述真空泵用于将所述腔室的内部形成真空；

温度传感器，所述温度传感器分别设置在每个所述腔室上，用于检测所述腔室的温度；

降温单元，包括冷水泵和冷水管，所述冷水管连接所述冷水泵与所述腔室；

控制单元，所述控制单元的输入端与所述温度传感器电性连接，所述控制单元的输出端与所述温控盘、所述真空单元以及所述降温单元电性连接，所述控制单元根据所述温度传感器检测的温度分别控制所述温控盘以及所述降温单元。

2.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述腔室包括形成其内部空间的腔体和设置在所述腔体上方的端盖，所述腔体与所述端盖之间设置有密封圈，所述密封圈用于所述腔体和所述端盖之间密封从而使得所述腔室的内部能够形成真空。

3.根据权利要求2所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述冷水管沿所述腔体或者端盖周圈排布，冷水经过所述冷水管对所述密封圈进行降温冷却。

4.根据权利要求3所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述控制单元与所述冷水泵电性连接，用于控制所述冷水泵的开闭。

5.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述温度传感器采用热电偶或者感温棒。

6.根据权利要求1所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述温控盘包括加热盘，所述加热盘通过加热器加热，所述加热器与所述控制单元电性连接，所述控制单元控制所述加热器的开闭。

7.根据权利要求6所述的用于半导体镀膜设备温控盘的退火设备，其特征在于，所述加热盘设置有加热槽，所述加热槽内设置有加热管道，所述加热器形成加热介质，所述加热介质通过所述加热管道对所述加热盘进行升温加热。

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