CN213091896U - 特氟龙膜闪烁晶体阵列 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了特氟龙膜闪烁晶体阵列，包括闪烁晶体阵列主体，所述闪烁晶体阵列主体上均匀设有晶体，且闪烁晶体阵列主体上包覆有单面特氟龙胶带，所述晶体内设有晶条，且晶条上包覆有特氟龙膜。该特氟龙膜闪烁晶体阵列使用特氟龙膜作为高效率反射层，不需要使用光学胶粘接，不存在反射层开裂问题，同时有效减少晶体材料的浪费，且晶条与晶条中心距能控制在固定尺寸，便于组装加工，使数据读取更加精确，便于闪烁晶体阵列的使用。

Description

特氟龙膜闪烁晶体阵列

技术领域

本实用新型涉及闪烁晶体阵列技术领域，具体为特氟龙膜闪烁晶体阵列。

背景技术

PET/CT是目前有效检测及追踪癌症肿瘤细胞的医疗设备之一，闪烁晶体阵列作为PET/CT的关键零组件，主要用于接收γ辐射并转换成可读取的光讯号，透过光电倍增管(PMT)以及高速计算软件分析结果，最终得到检测结果。一般来说，闪烁晶体阵列可使用碘化钠(NaI)、硅酸钇镥(LYSO)、锗酸铋(BGO)等作为接收材料，其中LYSO具备高光输出、快发光衰减、有效原子序数多、密度大等特性，并且物化性质稳定、不潮解、对γ射线探测效率高，被认为是综合性能最好的无机闪烁晶体材料。闪烁晶体需要加工成晶体条，晶体条与晶体条之间使用高效率反射层隔开，最后将晶体条组装成NxM(多数情况下N＝M)等不同维度的闪烁晶体阵列，目前常见的反射层有高效能反射膜、硫酸钡。良好的闪烁晶体阵列要求具备良好的光输出(light output)，良好的放光一致性，较快的反应时间，且晶条与晶条中心距(pitch值)相等，否则无法与硅基光电倍增管(SiPMT)良好结合。

现有的高效率反射膜需要另外使用光学胶粘接，导致反射效率较低，需要使用较佳的晶体材料才能达到合格的光输出值，造成晶体材料的浪费，而硫酸钡虽然具有较高的反射效率，但是组装过程太过繁琐，需要将硫酸钡与胶水按照适当比例调配，否则造成胶层开裂漏光、粘接强度不足的问题，此外硫酸钡胶水很难控制晶条与晶条之间的中心距，影响数据读取的精度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供特氟龙膜闪烁晶体阵列，以解决上述背景技术提出的目前市场上闪烁晶体阵列的高效率反射膜需要使用光学胶粘接，导致反射效率较低，需要使用较佳的晶体材料才能达到合格的光输出值，造成晶体材料的浪费，而硫酸钡虽然具有较高的反射效率，但是组装过程太过繁琐，需要将硫酸钡与胶水按照适当比例调配，否则造成胶层开裂漏光、粘接强度不足的问题，此外硫酸钡胶水很难控制晶条与晶条之间的中心距，影响数据读取的精度的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：特氟龙膜闪烁晶体阵列，包括闪烁晶体阵列主体，所述闪烁晶体阵列主体上均匀设有晶体，且闪烁晶体阵列主体上包覆有单面特氟龙胶带，所述晶体内设有晶条，且晶条上包覆有特氟龙膜。

优选的，所述晶体之间呈方形结构阵列分布，且晶体上的特氟龙膜之间相互贴合。

优选的，所述特氟龙膜处于晶条的侧面四周，且特氟龙膜完整覆盖晶条侧面。

优选的，所述特氟龙膜(4)为反射层，且特氟龙膜(4)的膜厚范围为0.05mm-0.2mm。

优选的，所述单面特氟龙胶带的宽度与晶体的高度相等，且单面特氟龙胶带完整覆盖闪烁晶体阵列主体侧面四周。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该特氟龙膜闪烁晶体阵列使用特氟龙膜作为高效率反射层，不需要使用光学胶粘接，不存在反射层开裂问题，同时有效减少晶体材料的浪费，且晶条与晶条中心距能控制在固定尺寸，便于组装加工，使数据读取更加精确，便于闪烁晶体阵列的使用。该特氟龙膜闪烁晶体阵列的晶条四周用裁切好的特氟龙膜完整覆盖，特氟龙膜易吸附于晶体表面，不需要再使用光学胶粘结特氟龙膜与晶条，闪烁晶体阵列外侧四周通过特氟龙胶带或其他光学单面胶带固定，有效保证阵列结构的稳定。

附图说明

图1为本实用新型特氟龙膜闪烁晶体阵列立体结构示意图；

图2为本实用新型特氟龙膜闪烁晶体阵列图1中A处放大结构示意图；

图3为本实用新型特氟龙膜闪烁晶体阵列的晶体阵列立体结构示意图；

图4为本实用新型特氟龙膜闪烁晶体阵列的晶条与特氟龙膜连接立体结构示意图。

图中：1、闪烁晶体阵列主体，2、晶体，3、晶条，4、特氟龙膜，5、单面特氟龙胶带。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，本实用新型提供技术方案：特氟龙膜闪烁晶体阵列，包括闪烁晶体阵列主体1，闪烁晶体阵列主体1上均匀设有晶体2，且闪烁晶体阵列主体1上包覆有单面特氟龙胶带5，单面特氟龙胶带5的宽度与晶体2的高度相等，且单面特氟龙胶带5完整覆盖闪烁晶体阵列主体1侧面四周，此结构使得闪烁晶体阵列主体1侧面可以在晶体2阵列好后，通过单面特氟龙胶带5进行四周的固定，留出两端的空间，也可以通过其他光学单面胶带固定阵列四周，从而使闪烁晶体阵列主体1的结构稳定，若闪烁晶体阵列主体1为两端面出光的阵列则无需再做其他加工，若闪烁晶体阵列主体1为单面出光的阵列，在闪烁晶体阵列主体1底面再贴上特氟龙膜4，晶体2内设有晶条3，且晶条3上包覆有特氟龙膜4，特氟龙膜4为反射层，且特氟龙膜4的膜厚范围为0.05mm-0.2mm，在优选实施例中，特氟龙膜4的膜厚可以设置为0.05mm、0.075mm、0.1mm、0.125或者0.2mm，此结构特氟龙膜4易吸附于晶体表面，避免出现传统闪烁晶体阵列主体1反射层通过光学胶粘结而导致反射效率降低，需要使用较佳的晶体材料才能达到合格光输出值的情况，避免造成晶体2的浪费，特氟龙膜4的膜厚设置为不同厚度可使得闪烁晶体阵列主体1可以配合不同产品设计方案使用不同厚度的特氟龙膜4，特氟龙膜4为现有的工业特氟龙膜材质，易于尺寸加工，晶体2之间呈方形结构阵列分布，且晶体2上的特氟龙膜4之间相互贴合，此结构晶体2之间可以方便的构成维度为NxM的阵列，特氟龙膜4之间通过贴合，使得晶体2的阵列易于成型，从而便于闪烁晶体阵列主体1的组装，同时特氟龙膜4的厚度相较于光学胶粘结可以方便的进行控制，不会造成晶体中心距的尺寸误差，便于提高闪烁晶体阵列主体1数据的精确度，特氟龙膜4处于晶条3的侧面四周，且特氟龙膜4完整覆盖晶条3侧面，此结构特氟龙膜4可以裁剪成适合完整覆盖晶条3的大小，使得晶条3侧面的特氟龙膜4之间没有缝隙，特氟龙膜4处于晶条3的侧面四周，使得晶体2的两端能够保留阵列出光面，从而便于闪烁晶体阵列主体1的使用。

工作原理：在使用该特氟龙膜闪烁晶体阵列时，首先根据晶条3的形状大小对特氟龙膜4进行裁剪，使特氟龙膜4裁剪成能够完全覆盖晶条3四周的形状大小，当特氟龙膜4裁剪好后，将特氟龙膜4依次包覆在晶条3四周形成晶体2，特氟龙膜4易吸附于晶条3表面，不需要使用光学胶粘结特氟龙膜4与晶条3，包覆好的晶体2备用，在组装闪烁晶体阵列主体1时，将晶体2依序排列成阵列，晶体2与晶体2之间通过特氟龙膜4进行粘接，无需使用光学胶粘结，接着使用阵列尺寸控制工装对排列好的晶体2四周进行固定，保留闪烁晶体阵列主体1的出光面不包覆，再通过单面特氟龙胶带5或其他光学单面胶带固定闪烁晶体阵列主体1的四周，使闪烁晶体阵列主体1结构稳定，两端面出光的闪烁晶体阵列主体1无需再做其他加工，若闪烁晶体阵列主体1为单面出光的阵列，在闪烁晶体阵列主体1底面贴上特氟龙膜4，再次进行闪烁晶体阵列主体1的组装时重复以上步骤即可，从而完成一系列工作。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.特氟龙膜闪烁晶体阵列，包括闪烁晶体阵列主体(1)，其特征在于：所述闪烁晶体阵列主体(1)上均匀设有晶体(2)，且闪烁晶体阵列主体(1)上包覆有单面特氟龙胶带(5)，所述晶体(2)内设有晶条(3)，且晶条(3)上包覆有特氟龙膜(4)。

2.根据权利要求1所述的特氟龙膜闪烁晶体阵列，其特征在于：所述晶体(2)之间呈方形结构阵列分布，且晶体(2)上的特氟龙膜(4)之间相互贴合。

3.根据权利要求1所述的特氟龙膜闪烁晶体阵列，其特征在于：所述特氟龙膜(4)处于晶条(3)的侧面四周，且特氟龙膜(4)完整覆盖晶条(3)侧面。

4.根据权利要求1所述的特氟龙膜闪烁晶体阵列，其特征在于：所述特氟龙膜(4)为反射层，且特氟龙膜(4)的膜厚范围为0.05mm-0.2mm。

5.根据权利要求1所述的特氟龙膜闪烁晶体阵列，其特征在于：所述单面特氟龙胶带(5)的宽度与晶体(2)的高度相等，且单面特氟龙胶带(5)完整覆盖闪烁晶体阵列主体(1)侧面四周。

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