CN212811642U - 功率放大电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种能够对比控制端子的数目多的放大器进行控制的功率放大电路。功率放大电路具备：第1放大器、第2放大器以及第3放大器；第1偏置电路，基于第1控制信号对是否向第1放大器供给偏置电流进行切换；第2偏置电路，基于第2控制信号对是否向第2放大器以及第3放大器供给偏置电流进行切换；以及开关电路，基于第1控制信号，提取从第2偏置电路对第2放大器供给的偏置电流的至少一部分。

Description

功率放大电路

技术领域

本实用新型涉及功率放大电路。

背景技术

在便携式电话等移动通信机中，为了将向基站发送的发送信号的功率放大而使用功率放大电路。在功率放大电路中，已知有如下结构，即，根据发送所需的功率电平，以不同的动作模式对功率进行放大。例如，在下述专利文献1公开了如下的功率放大电路，即，能够对以比较低的功率电平进行动作的低功率模式、和以比较高的功率电平进行动作的高功率模式进行切换。在该功率放大电路中，通过根据动作模式对是否对晶体管供给偏置电压或偏置电流进行切换，从而使进行动作的晶体管的总数变化并切换功率电平。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-112588号公报

近年来，为了应对发送所需的功率电平范围的扩大，需要更加细致地对动作模式进行分类。在这样的情况下，若像在专利文献1公开的那样设为按每个放大器对是否供给偏置电压或偏置电流进行切换的结构，则每当放大器的数目增加，偏置电路以及输入对该偏置电路进行控制的控制信号的控制端子的数目就会增加，可能导致电路规模的增大。

实用新型内容

实用新型要解决的课题

本实用新型是鉴于这样的情形而完成的，其目的在于，提供一种能够对比控制端子的数目多的放大器进行控制的功率放大电路。

用于解决课题的技术方案

为了达到这样的目的，本实用新型的一个方面涉及的功率放大电路具备：第1放大器、第2放大器以及第3放大器；第1偏置电路，基于第1控制信号对是否向第1放大器供给偏置电流进行切换；第2偏置电路，基于第2控制信号对是否向第2放大器以及第3放大器供给偏置电流进行切换；以及开关电路，基于第1控制信号，提取从第2偏置电路对第2放大器供给的偏置电流的至少一部分。

实用新型效果

根据本实用新型，能够提供一种能够对比控制端子的数目多的放大器进行控制的功率放大电路。

附图说明

图1是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路的整体结构的图。

图2是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路的电路结构的图。

图3A是示出比较例涉及的功率放大电路中的偏置电流Ibias4的仿真结果的图。

图3B是示出比较例涉及的功率放大电路中的晶体管T4的集电极电流Ic的仿真结果的图。

图4A是示出在本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中从路径B1提取的电流的仿真结果的图。

图4B是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中的偏置电流Ibias4的仿真结果的图。

图4C是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中的晶体管T4的集电极电流Ic的仿真结果的图。

图5是示出本实用新型的第2实施方式涉及的功率放大电路的电路结构的图。

附图标记说明

100、100A、100B：功率放大电路，110～112、110A～112A：偏置电路，120～124：匹配电路，130、131、131A、131B：开关电路，Q1～Q4：放大器，T1～T4、T5a～T5c、T6a～T6c、T7a～T7c、T8～T12：晶体管，A1：输入端子，A2：输出端子，A3～A5：控制端子，C1～C4、C5a～C5c：电容器，R1～R4、R5a～R5c：电阻元件，L1、L2：电感器。

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的实施方式进行详细说明。另外，对同一要素标注同一附图标记并省略重复的说明。

图1是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路的整体结构的图。图1所示的功率放大电路100例如搭载在便携式电话等移动通信机，用于对发送到基站的无线频率(RF：Radio-Frequency，射频)信号的功率进行放大。功率放大电路100例如对2G(第2代移动通信系统)、3G(第3代移动通信系统)、4G(第4代移动通信系统)、5G(第5代移动通信系统)、LTE(Long Term Evolution，长期演进)-FDD(Frequency Division Duplex，频分双工)、LTE-TDD(Time Division Duplex，时分双工)、LTE-Advanced、以及LTE-Advanced Pro等通信标准的发送信号进行放大。RF信号的频率例如为几百MHz～几十GHz程度。另外，功率放大电路100进行放大的信号的通信标准以及频率并不限于这些。

功率放大电路100按照至少3个动作模式进行动作。3个动作模式包含：以比较小的功率电平进行动作的低功率模式(LPM)(第1功率模式)；以比低功率模式大的功率电平进行动作的中功率模式(MPM)(第2功率模式)；以及以比中功率模式大的功率电平进行动作的高功率模式(HPM)(第3功率模式)。

功率放大电路100例如具备放大器Q1～Q4、偏置电路110～112、匹配电路120～124、以及开关电路130、131。

放大器Q1～Q4分别将输入的RF信号的功率放大并输出。放大器Q1与放大器Q4相互并联连接，构成初级(驱动级)的放大器。放大器Q2与放大器Q3相互并联连接，构成后级(功率级)的放大器。即，功率放大电路100经两个阶段对功率进行放大。

放大器Q1(第4放大器)将从输入端子A1经由了开关130电路以及匹配电路120的RF信号的功率放大并输出。放大器Q4(第2放大器)将从输入端子经由了开关电路130以及匹配电路121的RF信号的功率放大并输出。放大器Q2(第1放大器)以及放大器Q3(第3放大器)将从放大器Q1输出并经由了匹配电路122的RF信号的功率、或从放大器Q4输出并经由了匹配电路124、122的RF信号的功率放大并输出。从放大器Q2以及放大器Q3输出的RF信号经由匹配电路123从输出端子A2输出。

放大器Q1～Q4分别例如包含多个单位晶体管而构成。在本说明书中，所谓“单位晶体管”，设为发挥作为晶体管的功能的最小限度的结构。放大器Q1包含的单位晶体管的总数比放大器Q4包含的单位晶体管的总数多。放大器Q2包含的单位晶体管的总数比放大器Q3包含的单位晶体管的总数多。在以下的说明中，也将单位晶体管的总数多(换言之，晶体管的“指”数多)的情况称为晶体管尺寸大。关于与动作模式相应的放大器Q1～Q4的动作以及具体的电路结构将在后面叙述。

偏置电路110(第3偏置电路)基于从控制端子A3输入的控制电流IB1(第3控制信号)，对放大器Q1供给偏置电压或偏置电流。偏置电路111(第1偏置电路)基于从控制端子A4输入的控制电流IB2(第1控制信号)，对放大器Q2供给偏置电压或偏置电流。偏置电路112(第2偏置电路)基于从控制端子A5输入的控制电流IB3(第2控制信号)，分别对放大器Q3以及放大器Q4供给偏置电压或偏置电流。

偏置电路110～112通过对是否供给偏置电压或偏置电流、或供给电平进行调整，从而对放大器Q1～Q4的动作状态进行控制。另外，控制电流IB1～IB3是对偏置电路110～112的动作进行控制的控制信号的一个例子。关于控制信号，也可以代替控制电流而为控制电压。

在控制电流IB1～IB3为高电平(High)的情况下，偏置电路110～112输出对放大器Q1～Q4的放大动作而言充分的偏置电流Ibias1～Ibias4。另一方面，在控制电流IB1～IB3为低电平(Low)的情况下，偏置电路110～112不输出偏置电流。低电平的控制电流IB1～IB3例如可以是0mA，高电平的控制电流IB1～IB3为比低电平多的电流值，具体地，是偏置电路包含的晶体管变得接通那样的电流值。另外，将从偏置电路112对放大器Q4供给偏置电流Ibias4的路径称为路径B1。

匹配电路(MN：Matching Network，匹配网络)120～124使设置在前级的电路的阻抗与设置在后级的电路的阻抗匹配。另外，图1所示的匹配电路的配置是一个例子，并不限定于此。例如，功率放大电路100也可以不具备放大器Q4的后级的匹配电路124。

开关电路130根据动作模式在放大器Q1与放大器Q4之间切换RF信号的供给目的地。RF信号的供给目的地例如也可以根据来自控制电路(未图示)的控制信号进行切换。在本实施方式中，在功率放大电路100以低功率模式进行动作的情况下，开关电路130将RF信号供给到放大器Q4，在功率放大电路100以中功率模式或高功率模式进行动作的情况下，开关电路130将RF信号供给到放大器Q1。另外，功率放大电路100也可以是如下的结构，即，不具备开关电路130，将RF信号供给到放大器Q1以及放大器Q4中的每一者。

开关电路131的一端与偏置电路111的一部分连接，另一端与路径B1连接。在控制电流IB2为高电平且偏置电路111为动作状态的情况下，开关电路131接通，使流过路径B1的电流的一部分流到地(ground)。另一方面，在控制电流IB2为低电平且偏置电路111为不进行动作的状态的情况下，开关电路131断开，不对流过路径B1的电流造成影响。关于开关电路131的效果，将在后面叙述。

在本实施方式中，放大器Q1以及放大器Q2在高功率模式以及中功率模式的情况下接通，在低功率模式的情况下断开。放大器Q3在高功率模式以及低功率模式的情况下接通，在中功率模式的情况下断开。放大器Q4在高功率模式以及中功率模式的情况下断开，在低功率模式的情况下接通。

将与动作模式相应的放大器的状态的一个例子示于以下的表1。如表1所示，在功率放大电路100中，在高功率模式的情况下，由放大器Q1、Q2、Q3进行放大，在中功率模式的情况下，由放大器Q1、Q2进行放大，在低功率模式的情况下，由放大器Q3、Q4进行放大。在此，如上所述，放大器Q1的晶体管尺寸比放大器Q4大，放大器Q2的晶体管尺寸比放大器Q3大。由此，通过适合于各动作模式的晶体管尺寸的放大器对RF信号进行放大，因此与不根据动作模式来切换晶体管尺寸的结构相比，例如能够降低低功率模式中的消耗功率。另外，表1所示的放大器的控制的组合是一个例子，并不限定于此。

[表1]

模式	Q1	Q2	Q3	Q4
					HPM	接通	接通	按通	断开
MPM	接通	接通	断开	断开
					LPM	断开	断开	接通	接通

若着眼于放大器Q3与放大器Q4的组合，则在中功率模式以及低功率模式的情况下接通或断开为相同的状态，但是在高功率模式的情况下，放大器Q3接通，放大器Q4断开。为了由一个控制端子A5来满足该条件，功率放大电路100具备开关电路131。

将满足表1所示的放大器的动作条件的控制电流IB1～IB3以及开关电路131的组合的一个例子示于以下的表2。

[表2]

模式	IB1	IB2	IB3	开关电路131
					HPM	高	高	高	接通
MPM	高	高	低	接通
					LPM	低	低	高	断开

即，在高功率模式的情况下，控制电流1B2为高电平，因此开关电路131接通。由此，本应从偏置电路112供给到放大器Q4的偏置电流的一部分流向地，由此从偏置电路112对放大器Q4供给的偏置电流Ibias4的一部分被提取。若偏置电流Ibias4的一部分被提取，则供给到放大器Q4的偏置电流或偏置电压会不足，放大器Q4变成接近于断开的状态。换言之，放大器Q4变得不作为放大器而进行动作。

在中功率模式的情况下，控制电流IB2为高电平，因此开关电路131接通。然而，在该情况下，因为控制电流IB3为低电平，因此原本就不供给偏置电流Ibias4，开关电路131不会造成影响。

在低功率模式的情况下，控制电流IB2为低电平，因此开关电路131断开。在该情况下，偏置电流Ibias4在不被提取的情况下供给到放大器Q4，因此放大器Q4接通。

像这样，在功率放大电路100中，通过具备开关电路131，从而能够通过3个偏置电路110～112以及3个控制端子A3～A5对4个放大器Q1～Q4的状态进行控制。根据功率放大电路100，与具备对4个放大器分别进行控制的4个偏置电路以及4个控制端子的结构相比，能够在抑制电路规模的增大的同时按照3个以上的不同的动作模式进行动作。

接着，参照图2，对功率放大电路100的具体的电路结构的一个例子进行说明。

图2是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路的电路结构的一个例子的图。功率放大电路100A与图1所示的功率放大电路100相比，示出了放大器Q1～Q4、偏置电路110～112、以及开关电路131的具体的结构，并且还具备电感器L1、L2。

放大器Q1～Q4分别包含晶体管T1～T4、电感器C1～C4、以及电阻元件R1～R4而构成。晶体管T1～T4相当于上述的“单位晶体管”，在本实施方式中设为异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction BipolarTransistor)等双极晶体管而进行说明。另外，关于晶体管T1～T4，也可以代替HBT而为场效应晶体管(MOSFET：Metal-oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等FET。在该情况下，只要将后述的集电极、基极、发射极分别改读为漏极、栅极、源极即可。

在晶体管T1、T4中，分别在集电极经由电感器L1被供给电源电压Vcc，在基极被供给RF信号，发射极与地连接。在晶体管T1的基极，从偏置电路110A经由电阻元件R1被供给偏置电流Ibias1。在晶体管T4的基极，从偏置电路112A经由电阻元件R4被供给偏置电流Ibias4。

在晶体管T2、T3中，分别在集电极经由电感器L2被供给电源电压Vcc，在基极被供给RF信号，发射极与地连接。在晶体管T2的基极，从偏置电路111A经由电阻元件R2被供给偏置电流Ibias2。在晶体管T3的基极，从偏置电路112A经由电阻元件R3被供给偏置电流Ibias3。

电容器C1～C4分别与晶体管T1～T4的基极串联连接。电容器C1～C4阻断RF信号包含的直流分量，并使交流分量通过。

在电阻元件R1、R2中，分别是，一端与晶体管T1、T2的基极连接，另一端与偏置电路110A、111A的输出端连接。在电阻元件R3、R4中，分别是，一端与晶体管T3、T4的基极连接，另一端与偏置电路112A的两个输出端连接。电阻元件R1～R4是抑制与晶体管T1～T4的温度上升相伴的集电极电流的过度的增加的、所谓基级镇流电阻。

电感器L1在一端被供给电源电压Vcc，另一端与晶体管T1、T4的集电极连接。电感器L2在一端被供给电源电压Vcc，另一端与晶体管T2、T3的集电极连接。电感器L1、L2抑制交流分量泄漏到电源电路(未图示)。另外，电源电压Vcc例如可以是基于功率放大电路的平均输出功率变动的电压，也可以是基于RF信号的包络线变动的电压。这些电压例如可以由DC-DC转换器等升降压电源电路生成。

另外，例如在放大器Q1中，晶体管T1、电容器C1、以及电阻元件R1也可以汇总而形成为一个单元。在图2中，为使说明简单，分别图示了一个元件，但是放大器Q1包含相互并联连接的多个单元而构成。在其它放大器Q2～Q4中也是同样的。放大器Q1的单元数目比放大器Q4的单元数目多，放大器Q2的单元数目比放大器Q3的单元数目多。

偏置电路110A具备晶体管T5a～T7a、电阻元件R5a以及电容器C5a。在晶体管T5a中，集电极与基极连接(以下，也称为“二极管连接”。)，在集电极经由电阻元件R5a被供给控制电流IB1，发射极与晶体管T6a的集电极连接。晶体管T6a进行二极管连接，集电极与晶体管T5a的发射极连接，发射极与地连接。由此，在晶体管T5a的集电极生成给定电平的电压(例如，2.6V左右)。

在晶体管T7a中，在集电极被供给电池电压Vbat，基级与晶体管T5a的集电极连接，发射极经由电阻元件R1与晶体管T1的基极连接。在晶体管T7a的基极，经由电阻元件R5a被供给控制电流IB1。

电容器C5a的一端与晶体管T7a的基极连接，另一端与地连接。电容器C5a通过使交流分量流到地，从而抑制晶体管T7a的基极电压的变动。

电阻元件R5a在一端被供给控制电流IB1，另一端与晶体管T5a的集电极连接。

在偏置电路110A中，在控制电流IB1为高电平的情况下，晶体管T7a接通，从晶体管T7a的发射极输出偏置电流Ibiasl。在偏置电路110A中，在控制电流IB1为低电平的情况下，晶体管T7a断开，不输出偏置电流。

偏置电路111A具备晶体管T5b～T7b、电阻元件R5b以及电容器C5b。偏置电路111A的结构与偏置电路110A相同，因此省略详细的说明。在偏置电路111A中，在控制电流IB2为高电平的情况下，晶体管T7b接通，从晶体管T7b的发射极输出偏置电流Ibias2。在偏置电路111A中，在控制电流IB2为低电平的情况下，晶体管T7b断开，不输出偏置电流。

偏置电路112A具备晶体管T5c～T7c、T8、电阻元件R5c以及电容器C5c。关于晶体管T5c～T7c、电阻元件R5c以及电容器C5c的结构，与上述的偏置电路110A相同，因此省略详细的说明。晶体管T8与晶体管T7c并联连接。在晶体管T8中，在集电极被供给电池电压Vbat，基极与晶体管T5c的集电极连接，发射极经由电阻元件R4与晶体管T4的基极连接。

在偏置电路112A中，在控制电流IB3为高电平的情况下，晶体管T7c、T8均接通，从各自的发射极输出偏置电流Ibias3、Ibias4。在偏置电路112A中，在控制电流IB3为低电平的情况下，晶体管T7c、T8均断开，不输出偏置电流。

开关电路131A具备晶体管T9、T10。晶体管T9、T10进行达林顿连接。以下，设晶体管T9、T10为HBT而进行说明，但是晶体管T9、T10并不限于HBT。

在晶体管T9(第1晶体管)中，在集电极被供给电池电压Vbat，基极(输入端)与偏置电路111A中的晶体管T5b的基极连接，发射极(输出端)与晶体管T10的基极连接。在晶体管T10(第2晶体管)中，集电极与路径B1连接，基极(输入端)与晶体管T9的发射极连接，发射极与地连接。

在控制电流IB2为高电平的情况下，在晶体管T9的基极经由电阻元件R5b被供给高电平的控制电流IB2，因此晶体管T9接通。在晶体管T9接通的情况下，在晶体管T10的基极被供给给定的电流，由此晶体管T10也接通，使电流从集电极流到基级。由此，从流过路径B1的偏置电流Ibias4提取电流的一部分并使其流到地。因此，晶体管T4的偏置电流不足，晶体管T4断开。

另一方面，在控制电流IB2为低电平的情况下，在晶体管T9的基极经由电阻元件R5b被供给低电平的控制电流IB2，因此晶体管T9断开。在晶体管T9断开的情况下，晶体管T10也断开。在该情况下，不从偏置电流Ibias4提取电流，晶体管T4按照控制电流IB3进行动作。另外，晶体管T9、T10与作为放大器使用的晶体管T1～T4相比，晶体管尺寸小。由此，能够减少开关电路131A的消耗电流。

像以上那样，开关电路131A满足上述表2所示的开关动作，基于控制电流IB2的电平对晶体管T4的接通以及断开进行切换。另外，开关电路的结构是一个例子，并不限定于此。

图3A是示出比较例涉及的功率放大电路中的偏置电流Ibias4的仿真结果的图。图3B是示出比较例涉及的功率放大电路中的晶体管T4的集电极电流Ic的仿真结果的图。所谓比较例涉及的功率放大电路，是不具备功率放大电路100A中的开关电路131A的结构。图3A以及图3B的横轴示出控制电流IB3(mA)。

图4A是示出在本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中从路径B1提取的电流的仿真结果的图。图4B是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中的偏置电流Ibias4的仿真结果的图。图4C是示出本实用新型的第1实施方式涉及的功率放大电路中的晶体管T4的集电极电流Ic的仿真结果的图。在本仿真中，设控制电流IB2与控制电流IB3同样地进行动作。图4A至图4C的横轴示出控制电流IB2、IB3(mA)。

如图3A以及图3B所示，在功率放大电路不具备开关电路131A的情况下，伴随着控制电流IB3的增加，偏置电流Ibias4增加，晶体管T4的集电极电流Ic也增加。另外，晶体管T3的集电极电流也增加。

另一方面，如图4A至图4C所示，在功率放大电路100A中，伴随着控制电流IB2的增加，流到开关电路131A的晶体管T10的电流(即，从路径B1提取的电流)增加。由此，偏置电流Ibias4大幅减少，因此晶体管T4的集电极电流Ic也大幅减少。另外，因为偏置电流Ibias3不被提取，所以晶体管T3的集电极电流随着控制电流IB3的增加而增加。

根据本仿真结果可知，通过开关电路131A的作用，偏置电流Ibias4的一部分被提取，晶体管T4进行接近于断开的动作。

另外，虽然在上述的功率放大电路100A中，示出了开关电路131A的一端(即，晶体管T9的基极)与偏置电路111A的一部分连接的例子，但是连接开关电路131A的一端的偏置电路并不限于此，也可以像后述的那样是偏置电路110A。

此外，虽然在功率放大电路100A中，示出了偏置电路110A、111A分别对放大器Q1和放大器Q2供给偏置电流的例子，但是也可以代替于此，是一个偏置电路对放大器Q1以及放大器Q2供给偏置电流的结构。在该情况下，能够进一步减少偏置电路以及控制端子的数目。

图5是示出本实用新型的第2实施方式涉及的功率放大电路的电路结构的图。另外，在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

图5所示的功率放大电路100B与图2所示的功率放大电路100A相比，不同点在于，代替开关电路131A而具备开关电路131B。开关电路131B具备晶体管T11、T12。

在晶体管T11(第1晶体管)中，在集电极被供给电池电压Vbat，基极(输入端)与偏置电路110A中的晶体管T5a的基极连接，发射极(输出端)与晶体管T12的基极连接。在晶体管T12(第2晶体管)中，集电极与路径B1连接，基极(输入端)与晶体管T11的发射极连接，发射极与地连接。另外，晶体管T11、T12与作为放大器使用的晶体管T1～T4相比，晶体管尺寸小。

在本实施方式中，若控制电流IB1成为高电平，则晶体管T11、T12接通，从路径B1提取偏置电流Ibias4的一部分。此外，如上述表2所示，关于控制电流IB1(第1控制信号)和控制电流IB2(第3控制信号)，与动作模式相应的电平的变化相同，偏置电路110A(第1偏置电路)和偏置电路111A(第3偏置电路)相同地进行动作。因此，在第2实施方式中，也能够得到与第1实施方式相同的效果。

另外，虽然在上述实施方式中以功率放大电路100、100A、100B具有两组并联连接的两个放大器并按照3个动作模式进行动作的情况为例进行了说明，但是应用开关电路131的放大器的结构并不限定于此。例如，也可以是将相当于第1放大器至第3放大器的3个放大器并联连接的结构，还可以是将该3个放大器串联连接的结构。

以上，对本实用新型的例示性的实施方式进行了说明。功率放大电路100、100A、100B具备：第1放大器、第2放大器以及第3放大器；第1偏置电路，基于第1控制信号对是否向第1放大器供给偏置电流进行切换；第2偏置电路，基于第2控制信号对是否向第2放大器以及第3放大器供给偏置电流进行切换；以及开关电路，基于第1控制信号，提取从第2偏置电路对第2放大器供给的偏置电流的至少一部分。由此，能够通过两个偏置电路以及两个控制端子对3个放大器的状态进行控制。

此外，在功率放大电路100、100A、100B中，开关电路131A、131B包含进行了达林顿连接的第1晶体管以及第2晶体管，第1晶体管在输入端被供给第1控制信号，并从输出端对第2晶体管的输入端供给电流，第2晶体管基于从第1晶体管对输入端供给的电流，从由第2偏置电路对第2放大器供给偏置电流的路径使电流的一部分流到地。由此，如上所述，能够实现提取偏置电流的至少一部分的开关电路。

此外，功率放大电路100A还具备：第4放大器，与第2放大器并联连接；以及第3偏置电路，基于第3控制信号对是否向第4放大器供给偏置电流进行切换，第1放大器以及第3放大器相互并联连接，并且设置在比第2放大器以及第4放大器靠后级，第4放大器的晶体管尺寸比第2放大器的晶体管尺寸大，第1放大器的晶体管尺寸比第3放大器的晶体管尺寸大，功率放大电路按照包含第1功率模式、以比第1功率模式大的功率电平进行动作的第2功率模式、以及以比第2功率模式大的功率电平进行动作的第3功率模式的动作模式进行动作，在第1功率模式的情况下，第2放大器以及第3放大器接通，在第2功率模式的情况下，第1放大器以及第4放大器接通，在第3功率模式的情况下，第1控制信号至第3控制信号被供给到第1偏置电路至第3偏置电路，使得第1放大器、第3放大器、以及第4放大器接通。由此，与具备对4个放大器分别进行控制的4个控制端子的结构相比，能够在抑制电路规模的增大的同时按照3个以上的不同的动作模式使功率放大电路进行动作。

此外，功率放大电路100B还具备：第4放大器，与第3放大器并联连接；以及第3偏置电路，基于第3控制信号对是否向第4放大器供给偏置电流进行切换，第1放大器以及第2放大器相互并联连接，并且设置在比第3放大器以及第4放大器靠前级，第1放大器的晶体管尺寸比第2放大器的晶体管尺寸大，第4放大器的晶体管尺寸比第3放大器的晶体管尺寸大，功率放大电路按照包含第1功率模式、以比第1功率模式大的功率电平进行动作的第2功率模式、以及以比第2功率模式大的功率电平进行动作的第3功率模式的动作模式进行动作，在第1功率模式的情况下，第2放大器以及第3放大器接通，在第2功率模式的情况下，第1放大器以及第4放大器接通，在第3功率模式的情况下，第1控制信号至第3控制信号被供给到第1偏置电路至第3偏置电路，使得第1放大器、第3放大器、以及第4放大器接通。由此，与具备对4个放大器分别进行控制的4个控制端子的结构相比，能够在抑制电路规模的增大的同时按照3个以上的不同的动作模式使功率放大电路进行动作。

以上说明的各实施方式用于使本实用新型容易理解，并非用于对本实用新型进行限定解释。本实用新型能够在不脱离其主旨的情况下进行变更或改良，并且本实用新型还包含其等价物。即，本领域技术人员对各实施方式适当地施加了设计变更的实施方式，只要具备本实用新型的特征，就包含于本实用新型的范围。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等并不限定于例示的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸，能够适当地进行变更。此外，只要在技术上可行，各实施方式具备的各要素就能够进行组合，将它们进行了组合的实施方式只要包含本实用新型的特征，就包含于本实用新型的范围。

Claims (4)

1.一种功率放大电路，其特征在于，具备：

第1放大器、第2放大器以及第3放大器；

第1偏置电路，基于第1控制信号对是否向所述第1放大器供给偏置电流进行切换；

第2偏置电路，基于第2控制信号对是否向所述第2放大器以及所述第3放大器供给偏置电流进行切换；以及

开关电路，基于所述第1控制信号，提取从所述第2偏置电路对所述第2放大器供给的偏置电流的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，

所述开关电路包含进行了达林顿连接的第1晶体管以及第2晶体管，

所述第1晶体管在输入端被供给所述第1控制信号，并从输出端对所述第2晶体管的输入端供给电流，

所述第2晶体管基于从所述第1晶体管对输入端供给的电流，从由所述第2偏置电路对所述第2放大器供给偏置电流的路径使电流的一部分流到地。

3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，

所述功率放大电路还具备：

第4放大器，与所述第2放大器并联连接；以及

第3偏置电路，基于第3控制信号对是否向所述第4放大器供给偏置电流进行切换，

所述第1放大器以及所述第3放大器相互并联连接，并且设置在比所述第2放大器以及所述第4放大器靠后级，

所述第4放大器的晶体管尺寸比所述第2放大器的晶体管尺寸大，

所述第1放大器的晶体管尺寸比所述第3放大器的晶体管尺寸大，

所述功率放大电路按照包含第1功率模式、以比所述第1功率模式大的功率电平进行动作的第2功率模式、以及以比所述第2功率模式大的功率电平进行动作的第3功率模式的动作模式进行动作，

在所述第1功率模式的情况下，所述第2放大器以及所述第3放大器接通，

在所述第2功率模式的情况下，所述第1放大器以及所述第4放大器接通，

在所述第3功率模式的情况下，所述第1控制信号至所述第3控制信号被供给到所述第1偏置电路至所述第3偏置电路，使得所述第1放大器、所述第3放大器、以及所述第4放大器接通。

4.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其特征在于，

所述功率放大电路还具备：

第4放大器，与所述第3放大器并联连接；以及

第3偏置电路，基于第3控制信号对是否向所述第4放大器供给偏置电流进行切换，

所述第1放大器以及所述第2放大器相互并联连接，并且设置在比所述第3放大器以及所述第4放大器靠前级，

所述第1放大器的晶体管尺寸比所述第2放大器的晶体管尺寸大，

所述第4放大器的晶体管尺寸比所述第3放大器的晶体管尺寸大，

所述功率放大电路按照包含第1功率模式、以比所述第1功率模式大的功率电平进行动作的第2功率模式、以及以比所述第2功率模式大的功率电平进行动作的第3功率模式的动作模式进行动作，

在所述第1功率模式的情况下，所述第2放大器以及所述第3放大器接通，

在所述第2功率模式的情况下，所述第1放大器以及所述第4放大器接通，

在所述第3功率模式的情况下，所述第1控制信号至所述第3控制信号被供给到所述第1偏置电路至所述第3偏置电路，使得所述第1放大器、所述第3放大器、以及所述第4放大器接通。

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