CN212732476U

CN212732476U - 硅块破碎装置

Info

Publication number: CN212732476U
Application number: CN202020358560.5U
Authority: CN
Inventors: 魏富增; 张天雨; 田新; 李嘉佩; 闫家强; 孙志东
Original assignee: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
Current assignee: Jiangsu Xinhua Semiconductor Technology Co.,Ltd.
Priority date: 2020-03-19
Filing date: 2020-03-19
Publication date: 2021-03-19
Anticipated expiration: 2030-03-19

Abstract

本实用新型公开了一种硅块破碎装置。该破碎装置包括：传动装置；加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区，加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区沿传动装置的长度方向依次布置，加热区内设有加热设备和进料口，冷冻区内设有冷冻设备，重锤区上方设有重锤。采用该破碎装置对硅块进行破碎处理，硅块经过加热区和冷冻区的加热‑冷冻预处理，脆度显著提升。进而经过预处理的硅块进入重锤区，在重锤的作用下可以被轻易震碎，得到粒度均匀的碎料。由此，采用该硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，有效避免了破碎处理中二次污染的问题，且无需人工破碎，具有破碎效率高、劳动强度低、设备成本低及使用寿命长等优点。

Description

硅块破碎装置

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体而言，本实用新型涉及硅块破碎装置。

背景技术

在多晶硅行业中，经还原生产的硅棒组织致密，硬度很高，很难破碎。国内外厂家大部分采用锤锻破碎、鄂式破碎等机械破碎大块硅料的方法，并人工用硬质合金锤进一步破碎。采用这种方法进行破碎硅料的方法，有以下缺点：(1)用锤锻破碎、鄂式破碎和硬质合金锤破碎，料损失较大，很容易二次引入Fe等金属杂质，降低硅料的纯度。(2)因为硅料硬度很高，破碎难度大，使用人工破碎，劳动强度高，产量低。(3)破碎工具使用寿命短，造成生产维护及成本上升。

为了降低二次污染硅料、提高破碎效率、降低生产及维护成本等，国内外厂家近年来都在进行硅料破碎的改进。专利CN200820182364.6中提出了一种多晶硅破碎台，在破碎台面上铺放多晶硅碎料，用气锤锻碎上面的硅锭。专利201721810171.6中提出一种自由落体式硅块破碎机，根据硅块的热、硬、脆的特性，利用所述破碎锤提升机构将所述破碎锤提升，以自由落体式下落将硅块进行破碎，实现了自动化破碎。但以上各专利全部是采用机械破碎的方法，没有对硅料进行前期处理，这样破碎不可避免地在破碎时引入Fe等金属杂质，污染硅料，同时由于硅料硬度高，设备破碎机构使用寿命短，维护成本增高。综上所述，现有的硅块破碎方法仍有待改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出硅块破碎装置。该破碎装置可以显著提高硅块破碎效率，且具有无二次污染、能耗低、生产快等优点。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种硅块破碎装置。根据本实用新型的实施例，该硅块破碎装置包括：传动装置；加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区，所述加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区沿所述传动装置的长度方向依次布置，所述加热区内设有加热设备和进料口，所述冷冻区内设有冷冻设备，所述重锤区设有仓体，所述仓体具有破碎空间和出料口，所述破碎空间上方设有重锤。

采用根据本实用新型上述实施例的硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，硅块经过加热区和冷冻区的加热-冷冻预处理，脆度显著提升。进而经过预处理的硅块进入重锤区，在重锤的作用下可以被轻易震碎，得到粒度均匀的碎料。由此，采用该硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，有效避免了破碎处理中二次污染的问题，且无需人工破碎，具有破碎效率高、劳动强度低、设备成本低及使用寿命长等优点。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：第一隔离门，所述第一隔离门设在所述加热区和所述缓冲区之间。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：第二隔离门，所述第二隔离门设在所述缓冲区和所述冷冻区之间。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：第三隔离门，所述第三隔离门设在所述冷冻区和所述重锤区之间。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：速度控制模块，所述速度控制模块与所述传动装置相连，且被配置为控制所述传动装置使物料在所述加热区的停留时间为2～4h，在所述冷冻区的停留时间为15～30min。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：第一温度控制模块，所述第一温度控制模块与所述加热设备相连，且被配置为控制所述加热设备使所述加热区的温度为600～700℃。

任选的，所述硅块破碎装置进一步包括：第二温度控制模块，所述第二温度控制模块与所述冷冻设备相连，且被配置为控制所述冷冻设备使所述冷冻区的温度为0～30℃。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本实用新型一个实施例的硅块破碎装置的结构示意图；

图2是根据本实用新型一个实施例的硅块破碎装置中重锤区的结构示意图。

附图标记：

100：传动装置；

210：加热区；211：进料口；220：缓冲区；230：冷冻区；240：仓体；241：破碎空间；242：出料口；243：重锤；244：底衬；

310：第一隔离门；320：第二隔离门；330：第三隔离门。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种硅块破碎装置。参考图1和2，根据本实用新型的实施例，该硅块破碎装置包括：传动装置100；加热区210、缓冲区220、冷冻区230和重锤区，加热区210、缓冲区220、冷冻区230和重锤区240沿传动装置100 的长度方向依次布置，加热区210内设有加热设备(附图中未示出)和进料口211，冷冻区220内设有冷冻设备(附图中未示出)，重锤区设有仓体240，仓体240具有破碎空间241 和出料口242，破碎空间上方设有重锤243。

上游硅块产品可置于非金属篮筐内送至本实用新型的硅块破碎装置，采用根据本实用新型的硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，硅块经过加热区和冷冻区的加热-冷冻预处理，脆度显著提升。进而经过预处理的硅块进入重锤区，在重锤的作用下可以被轻易震碎，得到粒度均匀的碎料。由此，采用该硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，有效避免了破碎处理中二次污染的问题，且无需人工破碎，具有破碎效率高、劳动强度低、设备成本低及使用寿命长等优点。

另外，发明人在研究中发现，如果在加热-冷冻工序之后，将经过预处理的硅块进行人工破碎，硅料中仍会不可避免地在人工破碎的过程中被污染，纯度无法满足电子级多晶硅对硅料纯度的要求。如果不经加热-冷冻工序对硅料进行预处理而直接进行重锤破碎，由于硅料材质致密、破碎难度大，对重锤的功率和强度要求高，会导致重锤破碎所需时间过长、成本过高。而通过将加热-冷冻预处理工序与重锤破碎工序联用，既可以有效提高生产效率、降低生产成本，又可以避免人工操作对硅料的二次污染。

下面进一步对根据本实用新型实施例的硅块破碎装置进行详细描述。

根据本实用新型的实施例，上述传动装置、加热设备、冷冻设备的具体种类并不受特别限制，可以采用本领域的常见设备。

根据本实用新型的实施例，本实用新型的硅块破碎装置进一步包括：第一隔离门310、第二隔离门320和第三隔离门330。第一隔离门310设在加热区210和缓冲区220之间。第二隔离门320设在缓冲区220和冷冻区230之间。第三隔离门330设在冷冻区230和重锤区240之间。由此，可利用第一至第三隔离门将破碎装置的各区域间隔开来，以保证各区域温度稳定，避免各区域之间温度相互影响，进一步提高硅料的预处理效果和破碎效果。

根据本实用新型的实施例，本实用新型的硅块破碎装置进一步包括：速度控制模块(附图中未示出)，该速度控制模块与传动装置相连，且被配置为控制传动装置使物料在加热区的停留时间为2～4h，在冷冻区的停留时间为15～30min。由此，可以进一步提高加热-冷冻预处理所得硅料的脆度，从而便于后续重锤处理破碎得到粒度均匀的碎料。

根据本实用新型的实施例，本实用新型的硅块破碎装置进一步包括：第一温度控制模块(附图中未示出)，所述第一温度控制模块与所述加热设备相连，且被配置为控制所述加热设备使所述加热区的温度为600～700℃。由此，可以进一步提高加热-冷冻预处理所得硅料的脆度，从而便于后续重锤处理破碎得到粒度均匀的碎料。在一些实施例中，加热设备可通过程序升温，以控制加热区温度稳定。

根据本实用新型的实施例，本实用新型的硅块破碎装置进一步包括：第二温度控制模块(附图中未示出)，该第二温度控制模块与冷冻设备相连，且被配置为控制冷冻设备使冷冻区的温度为0～30℃。由此，可以进一步提高加热-冷冻预处理所得硅料的脆度，从而便于后续重锤处理破碎得到粒度均匀的碎料。

根据本实用新型的实施例，重锤区仓体240为外壳为高强度金属，其内填充有洁净硅料，破碎空间241通过挖出洁净硅料形成。由此，在重锤破碎阶段，待破碎硅料只有顶部和底部与非硅物质接触，从而可以极大减少硅料的金属污染。

根据本实用新型的实施例，破碎空间241可以为圆柱形，重锤243为非金属材质。在一些实施例中，破碎空间241底部还设有底衬244，以缓冲上方重锤243的冲击。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims

1.一种硅块破碎装置，其特征在于，包括：

传动装置；

加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区，所述加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区沿所述传动装置的长度方向依次布置，所述加热区内设有加热设备和进料口，所述冷冻区内设有冷冻设备，所述重锤区设有仓体，所述仓体内具有破碎空间和出料口，所述破碎空间上方设有重锤。

2.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

第一隔离门，所述第一隔离门设在所述加热区和所述缓冲区之间。

3.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

第二隔离门，所述第二隔离门设在所述缓冲区和所述冷冻区之间。

4.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

第三隔离门，所述第三隔离门设在所述冷冻区和所述重锤区之间。

5.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

速度控制模块，所述速度控制模块与所述传动装置相连，且被配置为控制所述传动装置使物料在所述加热区的停留时间为2～4h，在所述冷冻区的停留时间为15～30min。

6.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

第一温度控制模块，所述第一温度控制模块与所述加热设备相连，且被配置为控制所述加热设备使所述加热区的温度为600～700℃。

7.根据权利要求1所述的硅块破碎装置，其特征在于，进一步包括：

第二温度控制模块，所述第二温度控制模块与所述冷冻设备相连，且被配置为控制所述冷冻设备使所述冷冻区的温度为0～30℃。