CN212723183U

CN212723183U - 压接型igbt局部放电模拟装置

Info

Publication number: CN212723183U
Application number: CN202020931837.9U
Authority: CN
Inventors: 祝令瑜; 刘琛硕; 汲胜昌; 占草; 刘占磊; 侯婷
Original assignee: Xian Jiaotong University; Research Institute of Southern Power Grid Co Ltd
Current assignee: Xian Jiaotong University; CSG Electric Power Research Institute; Research Institute of Southern Power Grid Co Ltd
Priority date: 2020-05-28
Filing date: 2020-05-28
Publication date: 2021-03-16
Anticipated expiration: 2030-05-28

Abstract

本申请涉及一种压接型IGBT局部放电模拟装置。所述压接型IGBT局部放电模拟装置包括：箱体，具有一容纳腔；模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；高压电极，设置于所述容纳腔；接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，高压电极和接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。本申请提供的压接型IGBT局部放电模拟装置能够实现压接型IGBT局部放电的模拟。

Description

压接型IGBT局部放电模拟装置

技术领域

本申请涉及电路领域，特别是涉及压接型IGBT局部放电模拟装置。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)是由 BJT((Bipolar Junction Transistor，双极结晶晶体管)和MOS(Metal Oxide Semiconductor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域的电力设备。

IGBT分为焊接型IGBT和压接型IGBT。IGBT内部电气绝缘缺陷会导致局部放电，局部放电会对电力设备造成损害，因此，对于IGBT局部放电特性的研究至关重要。然而，传统技术中缺乏对IGBT局部放电进行模拟的装置，尤其是缺乏压接型IGBT局部放电模拟装置。

实用新型内容

基于此，提供一种压接型IGBT局部放电模拟装置。

一种压接型IGBT局部放电模拟装置，包括：

箱体，具有一容纳腔；

模拟样件，设置于所述容纳腔，所述模拟样件的材料与待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；

高压电极，设置于所述容纳腔；

接地电极，设置于所述容纳腔，与所述高压电极间隔设置，所述高压电极和所述接地电极中的至少一个与所述模拟样件接触；

高压电源，与所述高压电极电连接，用于向所述高压电极提供高压电。

在其中一个实施例中，所述模拟样件具有第一表面，所述高压电极和所述接地电极均与所述第一表面接触，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

横向调节组件，设置于所述箱体，与所述高压电极和/或所述接地电极连接，用于调节所述高压电极与所述接地电极之间的距离。

在其中一个实施例中，所述横向调节组件包括：

第一调节块，设置于所述容纳腔，位于所述高压电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述高压电极连接；

第一调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第一调节块连接。

在其中一个实施例中，所述横向调节组件还包括：

第二调节块，设置于所述容纳腔，位于所述接地电极远离所述模拟样件的一侧，并与所述接地电极连接；

第二调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第二调节块连接。

在其中一个实施例中，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

第一压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第一压紧组件穿过所述第一调节块抵接于所述高压电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述高压电极；

第二压紧组件，设置于所述容纳腔，所述第二压紧组件穿过所述第二调节块抵接于所述接地电极，并朝所述模拟样件的方向挤压所述接地电极。

在其中一个实施例中，所述高压电极为针状电极或球状电极，所述接地电极为板状电极；

或，所述高压电极为板状电极，所述接地电极为针状电极或球状电极。

在其中一个实施例中，所述高压电极和所述接地电极均为板状电极。

在其中一个实施例中，所述高压电极和所述接地电极均为针状电极。

盖板，盖设于所述箱体，用于密封所述容纳腔。

在其中一个实施例中，所述箱体和所述盖板均为透明材料制成。

本申请实施例提供的所述压接型IGBT局部放电模拟装置通过所述模拟样件模拟所述待模拟IGBT的绝缘层；通过所述高压电源向所述高压电极提供高压电，从而使得所述高压电极和所述接地电极之间形成电场，以模拟所述待模拟IGBT 的电场；通过模拟的电场引发所述模拟样件局部放电，从而实现对所述待模拟 IGBT局部放电的模拟。本申请实施例中的所述压接型IGBT局部放电模拟装置能够实现对压接型IGBT局部放电的模拟，填补了此方面的空白。同时，通过模拟压接型IGBT局部放电，便于精确的研究压接型IGBT的局部放电特性，为压接型IGBT模块的研发和改进提供有效依据。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一个实施例提供的压接型IGBT局部放电模拟装置的结构示意图；

图2为本申请一个实施例提供的压接型IGBT局部放电模拟方法流程示意图；

图3为本申请一个实施例提供的压接型IGBT局部放电模拟方法流程示意图。

附图标记说明：

压接型IGBT局部放电模拟装置 10

箱体 110

容纳腔 111

模拟样件 120

第一表面 121

高压电极 130

接地电极 140

高压电源 150

盖板 160

连接杆 161

横向调节组件 170

第一调节块 171

第一调节杆 172

第二调节块 173

第二调节杆 174

第一压紧组件 181

第二压紧组件 182

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请的压接型IGBT局部放电模拟装置进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

请参见图1，本申请一个实施例提供一种压接型IGBT局部放电模拟装置10，其用于模拟压接型IGBT的局部放电。被模拟的压接型IGBT命名为待模拟IGBT。所述压接型IGBT局部放电模拟装置10包括箱体110、模拟样件120、高压电极 130、接地电极140和高压电源150。其中，所述箱体110具有一容纳腔111，所述模拟样件120、所述高压电极130和所述接地电极140均设置于所述容纳腔 111。

所述箱体110的形状、结构和材料等可以根据实际需求选择，其可以为立方体结构，可以为球形结构，也可以为其他不规则形状的结构。所述箱体110 的材料可以为金属，可以为玻璃，也可以为塑料等。在一个实施例中，所述箱体110的材料为透明材料，如玻璃，以便于观察局部放电过程。所述箱体110 可以为开口结构，也可以为封闭结构。在一个实施例中，所述箱体110为开口结构，所述压接型IGBT局部放电模拟装置10进一步还包括盖板160。所述盖板 160盖设于所述箱体110的开口部，用于封闭所述容纳腔111，以防止局部放电过程中对实验人员的安全造成危害，提高安全性。在一个实施例中，所述盖板 160可以通过连接杆161固定于所述箱体110，所述连接杆161可以为螺纹杆。所述盖板160的材料也可以为透明材料，以便于观察局部放电过程。

所述模拟样件120是指实验中用于模拟所述待模拟IGBT中发生局部放电的结构层的样件。压接型IGBT局部放电由绝缘缺陷导致，因此，所述模拟样件120 的材料与所述待模拟IGBT的绝缘层的材料相同。如，当所述待模拟IGBT的绝缘层的材料为PEEK(聚醚醚酮)时，所述模拟样件120的材料为PEEK。所述模拟样件120可以为板状结构，也可以为块状结构等。

所述高压电极130和所述接地电极140间隔设置，且二者中至少一个与所述模拟样件120接触。通过向所述高压电极130施加高压电，使得所述高压电极130和所述接地电极140之间产生电场，从而模拟所述待模拟IGBT的电场。所述待模拟IGBT的类型不同，所述高压电极130和所述接地电极140的结构和类型不同。实际应用中，压接型IGBT在长期运行使用过程中，在电和热的多物理场作用下绝缘材料层会发生老化，可能在表面形成裂纹等缺陷。这些存在于材料表面的缺陷会对局部放电的特性有一定影响，比如局部放电的起始电压，波形，重复率等等方面，从而形成不同的电场。

在一个实施例中，所述高压电极130和所述接地电极140的类型可以所述待模拟IGBT的电场的均匀度进行选择。具体的，所述待模拟IGBT的类型(材料、尺寸等)不同，产生的电场强度不同，电场均匀性不同(电场的不均匀系数f不同)。不同的均匀性的电场，可以通过不同的类型的电极模拟。当所述待模拟IGBT的电场为均匀电场(f＝1)时，可以通过板-板电极模拟所述待模拟IGBT 的电场；当所述待模拟IGBT的电场为稍不均匀电场(1＜f≤4)时，可以通过球-板电极或球-球电极模拟所述待模拟IGBT的电场；当所述待模拟IGBT的电场为极不均匀电场(f＞4)时，可以通过针-板电极模拟所述待模拟IGBT的电场。

所述高压电极130和所述接地电极140的具体布置方式，也即设置位置可以根据所模拟的局部放电类型不同而不同。在一个实施例中，如图1所示，所述模拟样件120具有第一表面121，所述高压电极130和所述接地电极140均与所述第一表面121接触，以模拟沿面电场。也就是说，所述高压电极130和所述接地电极140沿所述模拟样件12的一个表面布设，从而产生沿面电场，模拟压接型IGBT的沿面局部放电。

在另一个实施例中，所述高压电极130可以悬挂于所述模拟样件120上方，与所述模拟样件120的所述第一表面121间隔设置，即与所述第一表面121之间具有一定的距离。所述接地电极140与所述第一表面121接触，且所述接地电极140与所述第一表面121的接触的表面的面积大于所述第一表面121的面积，保证所述第一表面121整个表面完全与所述接地电极140接触，从而产生电晕放电电场，模拟压接型IGBT的电晕局部放电。

在另一些实施例中，所述高压电极130和所述接地电极140的类型也可以所述待模拟IGBT的电场集中形式进行选择。当所述待模拟IGBT的电场为尖端电场集中时，可以通过针-板电极或球-板电极模拟所述待模拟IGBT的电场；当所述待模拟IGBT的电场为沿面电场集中时，可以通过板-板电极模拟所述待模拟IGBT的电场；当所述待模拟IGBT的电场为悬浮金属粒子电场集中时，可以通过针-针电极模拟所述待模拟IGBT的电场。

在一些实施例中，所述高压电极130和所述接地电极140的类型也可以综合考虑所述待模拟IGBT的电场均匀性和集中形式进行选择。

所述高压电源150与所述高压电极130电连接。所述高压电源150可以设置于所述箱体110外部，通过连接线与所述高压电极130电连接。所述高压电源150用于产生高压电，并提供给所述高压电极130，以使所述模拟样件发生局部放电。其中，高压电是指电压高于1000V。所述高压电源150可以产生直流高压电。在一个实施例中，所述高压电源150也可以用于模拟所述待模拟IGBT的实际运行方式中的高压电。所述待模拟IGBT在不同的运行方式下，引发局部放电的直流电压可能为具有突变的电压，而非稳定直流高压电。可以根据所述待模拟IGBT的实际运行方式，调整所述高压电源的输出电压，以模拟实际的运行方式，提高局部放电模拟的真实性。

使用时，将所述模拟样件120放入所述容纳腔111。所述模拟样件120可以置于所述容纳腔111底部，所述高压电极130和所述接地电极140间隔设置于所述模拟样件120上方。通过所述高压电源150向所述高压电极130施加高电压，使所述高压电极130和所述接地电极140之间产生电场，以模拟所述待模拟IGBT的电场。由于所述模拟样件120与所述高压电极130和所述接地电极140 均接触，所述模拟样件120存在绝缘缺陷，因此，在所述高压电极130和所述接地电极140产生的电场下，所述模拟样件120会产生局部放电。由于所述模拟样件120与所述待模拟IGBT的绝缘层的材料相同，因此所述模拟样件120的局部放电现象即能代表所述待模拟IGBT的局部放电现象。

通过所述压接型IGBT局部放电模拟装置10模拟所述待模拟IGBT的局部放电现象后，可以进一步采用脉冲电流法，特高频法等方法对局部放电信号进行提取。进而可以对局部放电的波形，直流电压的局放重复率等等方面进行分析。可以对局部放电发生的微观机理进行研究，也可以根据以上方面提取出该种局部放电的特征参量，与压接型IGBT出现的其他局部放电类型进行区分，实现不同局放类型的识别。

本实施例中，所述IGBT局部放电模拟装置10包括所述箱体110、所述模拟样件120、所述高压电极130、所述接地电极140和所述高压电源150。所述模拟样件120的材料与所述待模拟IGBT的绝缘层的材料相同。本实施例中，通过所述模拟样件120模拟所述待模拟IGBT的绝缘层；通过所述高压电源150向所述高压电极130提供高压电，从而使得所述高压电极130和所述接地电极140 之间形成电场，以模拟所述待模拟IGBT的电场；通过模拟的电场引发所述模拟样件120局部放电，从而实现对所述待模拟IGBT局部放电的模拟。本实施例中的所述压接型IGBT局部放电模拟装置10能够实现对压接型IGBT局部放电的模拟，填补了此方面的空白。同时，通过模拟压接型IGBT局部放电，便于精确的研究压接型IGBT的局部放电特性，为IGBT模块的研发和改进提供有效依据。

在一个实施例中，模拟沿面电场时，所述IGBT局部放电模拟装置10还包括横向调节组件170，所述横向调节组件170设置于所述箱体110，且与所述高压电极130和所述接地电极140中的至少一个连接。所述横向调节组件170用于调节所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离。所述横向调节组件 170可以全部设置于所述箱体110内，即设置于所述容纳腔111；所述横向调节组件170也可以部分设置于所述箱体110内，部分设置于所述箱体110外。所述横向调节组件170与所述高压电极130和所述接地电极140中的至少一个连接，通过所述横向调节组件170能够调节所述高压电极130和所述接地电极140 中的至少一个移动，从而改变所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离，以模拟不同程度的局部放电。当所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离较大时，电弧发生的长度比较短，局部放电较不严重；当所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离较小时，电弧发生的长度比较短，局部放电较严重。

本实施例中，通过所述横向调节组件170实现所述高压电极130和所述接地电极140之间距离的调节，从而模拟不同程度的局部放电，使得模拟更加贴近真实情况，灵活性高，实用性强。

在一个实施例中，所述横向调节组件170包括第一调节块171和第一调节杆172。所述第一调节块171设置于所述容纳腔111，且所述第一调节块171位于所述高压电极130远离所述模拟样件120的一侧。所述第一调节块171与所述高压电极130连接。所述第一调节杆172穿设于所述箱体110，并与所述第一调节块171连接。在一个实施例中，所述第一调节杆172为螺纹杆。通过旋转所述第一调节杆172，推进所述第一调节块171移动，所述第一调节块171移动带动所述高压电极130移动，从而实现改变所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离，以模拟不同程度的局部放电。

在一个实施例中，所述横向调节组件170还进一步包括第二调节块173和第二调节杆174。所述第二调节块173设置于所述容纳腔111。所述第二调节块 173位于所述接地电极140远离所述模拟样件120的一侧，并与所述接地电极 140连接。所述第二调节杆174穿设于所述箱体110，并与所述第二调节块173 连接。在一个实施例中，所述第二调节杆174为螺纹杆。通过旋转所述第二调节杆174，推进所述第二调节块173移动，所述第二调节块171移动带动所述接地电极140移动，从而实现改变所述高压电极130和所述接地电极140之间的距离，以模拟不同程度的局部放电。使用时，可以调节所述第一调节杆172和所述第二调节杆174中的任一个来实现所述高压电极130和所述接地电极140 两者之间距离的调节，也可以同时调节所述第一调节杆172和所述第二调节杆 174。

在一个实施例中，所述压接型IGBT局部放电模拟装置10还包括第一压紧组件181和第二压紧组件182。所述第一压紧组件181和所述第二压紧组件182 均设置于所述容纳腔111。所述第一压紧组件181穿过所述第一调节块171抵接于所述高压电极130，并朝所述模拟样件120所在的方向挤压所述高压电极130，以使所述高压电极130和所述模拟样件120充分接触。所述第二压紧组件182 穿过所述第二调节块173抵接于所述接地电极140，并朝所述模拟样件120所在的方向挤压所述接地电极140，以使所述接地电极140和所述模拟样件120之间充分接触。本实施例中，通过设置所述第一压紧组件181来实现所述高压电极 130与所述模拟样件120之间的充分接触，通过所述第二压紧组件182来实现所述接地电极140与所述模拟样件120之间的充分接触，从而保证了局部放电的完整性，保证了模拟的准确性。

在一个实施例中，当所述待模拟IGBT的电场为尖端电场集中时，所述高压电极130为针状电极或球状电极，所述接地电极140为板状电极；或，所述高压电极130为板状电极，所述接地电极140为针状电极或球状电极，以形成针- 板电极或球-板电极模拟所述待模拟IGBT的尖端电场集中的电场。所述高压电极130具体为板状电极，还是为电极或球状电极，主要根据所述待模拟IGBT的电场方向确定。若所述待模拟IGBT的电场由尖端发出，则所述高压电极130为针状电极或球状电极，所述接地电极140为板状电极；若所述待模拟IGBT的电场指向尖端方向，则所述高压电极130为板状电极，所述接地电极140为针状电极或球状电极。

在一个实施例中，当所述待模拟IGBT的电场为沿面电场集中时，所述高压电极130和所述接地电极140均为板状电极，以形成板-板电极模拟所述待模拟 IGBT的沿面电场集中的电场。

在一个实施例中，当所述待模拟IGBT的电场为悬浮金属粒子电场集中时，所述高压电极130和所述接地电极140均为针状电极，以模拟针-针电极模拟所述待模拟IGBT的悬浮金属粒子电场集中的电场。

请参见图2，本申请一个实施例还提供一种压接型IGBT局部放电模拟方法，该方法与如上实施例所述的压接型IGBT局部放电模拟装置10对应，为对所述压接型IGBT局部放电模拟装置10的制备及利用所述压接型IGBT局部放电模拟装置10进行局部放电模拟的方法，所述方法包括：

S10，提供一箱体110，所述箱体110具有一容纳腔111；

S20，提供一模拟样件120，所述模拟样件120的材料与所述待模拟IGBT的绝缘层的材料相同；

S30，根据所述待模拟IGBT的类型选定高压电极130和接地电极140的类型，并确定高压电极130和接地电极140的布置方式；

S40，根据选定的类型提供高压电极130和接地电极140；

S50，将所述模拟样件120、所述高压电极130和所述接地电极140按照确定的布置方式置入所述容纳腔111，并使所述高压电极130和所述接地电极140 间隔设置，所述高压电极130和所述接地电极140中的至少一个与所述模拟样件120接触；

S60，通过高压电源150向所述高压电极130提供高压电，以使所述模拟样件120发生局部放电。

本实施例提供的所述压接型IGBT局部放电模拟方法的具体原理以及实现的有益效果与上述实施例所述，在此不再赘述。

请参见图3，在一个实施例中，S30包括：

S310，根据所述待模拟IGBT的类型搭建仿真模型；

S320，对所述仿真模型进行仿真计算，得到所述仿真模型的电场强度分布；

S330，根据所述电场强度分布确定所述待模拟IGBT的电场集中形式和/或电场均匀性；

S340，根据所述电场集中形式和/或电场均匀性确定所述高压电极130和所述接地电极140的类型；

S350，根据所述电场集中形式确定所述高压电极130和所述接地电极140 的布置方式。

根据所述待模拟IGBT的类型(材料、尺寸等)搭建有限元仿真模型，所述仿真模型用以模拟所述待模拟IGBT。对所述仿真模型进行仿真计算，得到所述仿真模型的电场强度分布。所述电场强度分布用于表征所述仿真模型的电场的强度分布，可以包括电场方向、电场的强度大小的、电场的分布情况等。所述电场强度分布可以通过图像表示，也可以通过数据等表示。

在一个实施例中，根据电场强度分布确定所述待模拟IGBT的电场集中形式时，若电场线与绝缘材料表面平行，则为沿面电场集中；若电场线由尖端部位发出，则为尖端电场集中；若电场强度分布显示有金属离子悬浮，则为悬浮金属粒子电场集中。

在一个实施例中，S340中，根据电场集中形式确定所述高压电极130和所述接地电极140的类型，包括：

若所述电场集中形式为尖端电场集中，则确定所述高压电极130为针状电极或球状电极，所述接地电极140为板状电极，或，确定所述高压电极130为板状电极，所述接地电极140为针状电极或球状电极；

若所述电场集中形式为沿面电场集中，则确定所述高压电极130和所述接地电极140均为板状电极；

若所述电场集中形式为悬浮金属粒子电场集中，则确定所述高压电极130 和所述接地电极140均为针状电极。

根据电场均匀性确定所述高压电极130和所述接地电极140的类型的具体方法参见上述实施例，在此不再赘述。

在一个实施例中，所述方法还包括：

S70，调整所述高压电极和所述接地电极之间的距离，以模拟不同程度的局部放电；

S80，根据所述待模拟IGBT的实际运行方式，调整所述高压电源的输出电压。

以上实施例提供的IGBT局部放电模拟方法的具体原理、有益效果等均可参考上述IGBT局部放电模拟装置中相关描述，在此不再一一赘述。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

1.一种压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，包括：

箱体，具有一容纳腔；

高压电极，设置于所述容纳腔；

2.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述模拟样件具有第一表面，所述高压电极和所述接地电极均与所述第一表面接触，所述压接型IGBT局部放电模拟装置还包括：

3.根据权利要求2所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述横向调节组件包括：

第一调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第一调节块连接。

4.根据权利要求3所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述横向调节组件还包括：

第二调节杆，穿设于所述箱体，并与所述第二调节块连接。

5.根据权利要求4所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述高压电极为针状电极或球状电极，所述接地电极为板状电极；

7.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述高压电极和所述接地电极均为板状电极。

8.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述高压电极和所述接地电极均为针状电极。

9.根据权利要求1所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，还包括：

盖板，盖设于所述箱体，用于密封所述容纳腔。

10.根据权利要求9所述的压接型IGBT局部放电模拟装置，其特征在于，所述箱体和所述盖板均为透明材料制成。