CN212675513U - 一种lin芯片休眠电源管理电路及装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种LIN芯片休眠电源管理电路，所述电路包括LIN芯片、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、微控制单元MCU和VPP用电模块，其中：所述LIN芯片的引脚2连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚5连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R7的另一端还连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电容C7的一端，所述电容C7的另一端接地，所述LIN芯片的引脚6连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚9接地。本实用新型能够实现低功耗，使低压侧的功耗仅限于TVS管、低压输入电路电容、LIN芯片的漏电流，且为微安级，能够完全满足整车低功耗要求。
Description
技术领域
本实用新型属于电路设备技术领域，特别涉及一种LIN芯片休眠电源管理电路及装置。
背景技术
随着汽车制造行业的发展，尤其是新能源汽车行业的发展，使得汽车越来越智能化，新能源汽车整车低压供电是由低压蓄电池进行供电，低压蓄电池的电量来自于高压电池包通过DC/DC转换器转换而来(EV)，或来自整车发电机对其进行充电(PHEV)，无论低压能量来自哪里，低压供电控制器的低功耗对于整车低压供电来说具有很重要的意义。
低压控制器和整车的通信有LIN/CAN，在LIN_BUS上无信号或整车端发送休眠指令给低压控制器时，低压控制器需要休眠以节约电能消耗，需要将除LIN 芯片以外的其他用电设备从低压电路切断，同时在LIN_BUS有正常请求信号或整车发送唤醒指令时，需要唤醒低压控制器接收整车指令正常工作。故此，设计一种LIN的休眠电源管理电路对于整车低压能耗意义重大。
实用新型内容
针对上述问题，本实用新型提供了一种LIN芯片休眠电源管理电路，所述电路包括LIN芯片、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、微控制单元MCU和 VPP用电模块，其中：
所述LIN芯片的引脚2连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚5连接电阻R7的一端，所述电阻R7 的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R7的另一端还连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电容C7的一端，所述电容C7的另一端接地，所述LIN芯片的引脚6连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚9接地；
所述微控制单元MCU的接地端接地，所述微控制单元MCU的电源端接入电压；
所述NPN三极管Q2的基极连接电阻R3的一端，所述NPN三极管Q2的基极还连接电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R4的另一端接地，所述NPN三极管Q2的发射极接地；
所述PNP三极管Q1的基极分别连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，所述电阻R1的另一端分别接入电压和连接PNP三极管Q1的发射极，所述电阻 R2的另一端连接NPN三极管Q2的集电极，所述PNP三极管Q1的集电极分别接入控制电压和连接VPP用电模块。
进一步地，所述电容C7的两端并联有电容C10，所述电容C10的正极连接LIN芯片的引脚9，所述电容C10的负极连接LIN芯片的引脚8，所述LIN 芯片的引脚8接入电压。
进一步地，所述LIN芯片的引脚3分别接地和连接电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端连接电阻R8的一端。
进一步地，所述LIN芯片的引脚4分别连接总线和电容C8的一端，所述电容C8的另一端接地。
进一步地，所述LIN芯片的引脚1分别接入电压和连接电容C6的一端，所述电容C6的另一端接地。
进一步地，所述PNP三极管Q1的发射极分别连接电容C5的一端和电感 L1的一端，所述电容C5的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述电感L1 的另一端连接二极管D1的负极，所述二极管D1的正极连接外接电源正极。
进一步地，所述电容C5并联有电容C9，所述电容C9的正极与电容C5 的一端连接，所述电容C9的负极分别接地和连接外接电源负极，所述电容C9 并联有电容C3和电容C4，所述电容C3与电容C4串联。
进一步地，所述二极管D1与电感L1之间设置有TVS管，所述TVS管的一端分别连接二极管D1的负极和电感L1的另一端，所述TVS管的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述TVS管并联有电容C1和电容C2，所述电容 C1与电容C2串联。
本实用新型还提供了一种LIN芯片休眠电源管理装置，所述装置包括上述的LIN芯片休眠电源管理电路。
本实用新型中当LIN_BUS无信号或LIN主节点发送休眠指令时，微控制单元MCU发送LIN_EN低电平信号给LIN芯片，LIN芯片关闭5V输出，微控制单元MCU断电，实现了低功耗，同时微控制单元MCU断电后，NPN三级管Q2关断，PNP三级管Q1基极为高电平，PNP三级管Q1关断，切断后面 VPP_CTL用电器，实现了低功耗。本实用新型电路中低压侧的功耗仅限于TVS管、低压输入电路电容、LIN芯片的漏电流，且为微安级，能够完全满足整车低功耗要求。
本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本实用新型实施例的LIN芯片休眠电源管理电路示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供了一种LIN芯片休眠电源管理电路，示例性的，图1示出了本实用新型实施例的LIN芯片休眠电源管理电路示意图，如图1所示，所述电路包括LIN芯片、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、微控制单元MCU和 VPP用电模块，其中：
所述LIN芯片的引脚2连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚5连接电阻R7的一端，所述电阻R7 的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R7的另一端还连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电容C7的一端，所述电容C7的另一端接地。所述电容C7的两端并联有电容C10，所述电容C10的正极连接LIN芯片的引脚9，所述电容C10的负极连接LIN芯片的引脚8，所述LIN芯片的引脚8接入电压，本实施例中接入5V低压。所述LIN芯片的引脚6连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚9 接地。所述LIN芯片的引脚3分别接地和连接电阻R9的一端，所述电阻R9 的另一端连接电阻R8的一端。所述LIN芯片的引脚4分别连接总线和电容C8 的一端，所述电容C8的另一端接地。所述LIN芯片的引脚1分别接入电压VPP 和连接电容C6的一端，所述电容C6的另一端接地。
所述微控制单元MCU的接地端接地，所述微控制单元MCU的电源端接入电压，本实施例中接入5V低压。
所述NPN三极管Q2的基极连接电阻R3的一端，所述NPN三极管Q2的基极还连接电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R4的另一端接地，所述NPN三极管Q2的发射极接地。
所述PNP三极管Q1的基极分别连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，所述电阻R1的另一端分别接入电压VPP和连接PNP三极管Q1的发射极，所述电阻R2的另一端连接NPN三极管Q2的集电极，所述PNP三极管Q1的集电极分别接入控制电压VPP_CTL和连接VPP用电模块。所述PNP三极管Q1的发射极分别连接电容C5的一端和电感L1的一端，所述电容C5的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述电感L1的另一端连接二极管D1的负极，所述二极管D1的正极连接外接电源正极。所述电容C5并联有电容C9，所述电容 C9的正极与电容C5的一端连接，所述电容C9的负极分别接地和连接外接电源负极，所述电容C9并联有电容C3和电容C4，所述电容C3与电容C4串联。所述二极管D1与电感L1之间设置有TVS管，所述TVS管的一端分别连接二极管D1的负极和电感L1的另一端，所述TVS管的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述TVS管并联有电容C1和电容C2，所述电容C1与电容C2 串联。
本实用新型还提供了一种LIN芯片休眠电源管理装置，所述装置包括上述的LIN芯片休眠电源管理电路。
如图1所示，本实用新型实施例正常工作时，LIN_BUS总线信号正常，LIN 芯片输出5V给微控制单元MCU供电，微控制单元MCU发送LIN_EN高电平信号给LIN芯片告知LIN芯片可以正常通信，同时微控制单元MCU发送 PWR_EN高电平信号开通NPN型三级管Q2，NPN三级管Q2开通后拉低PNP 三级管Q1基极，使得PNP三级管Q1开通，低压侧电压VPP通过PNP三级管Q1转换成VPP_CTL给后级VPP用电模块进行供电。
当LIN_BUS无信号或LIN主节点发送休眠指令时，微控制单元MCU发送LIN_EN低电平信号给LIN芯片，LIN芯片关闭5V输出，微控制单元MCU 断电，实现低功耗，同时微控制单元MCU断电后，NPN三级管Q2关断，PNP 三级管Q1基极为高电平，PNP三级管Q1关断，切断后面VPP_CTL用电器，实现低功耗。此时低压侧的功耗仅限于TVS管、低压输入电路电容、LIN芯片的漏电流，为微安级，能够完全满足整车低功耗要求。
尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述电路包括LIN芯片、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2、微控制单元MCU和VPP用电模块，其中：
所述LIN芯片的引脚2连接电阻R8的一端，所述电阻R8的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚5连接电阻R7的一端，所述电阻R7的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R7的另一端还连接电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接电容C7的一端，所述电容C7的另一端接地，所述LIN芯片的引脚6连接电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端与微控制单元MCU连接，所述LIN芯片的引脚9接地；
所述微控制单元MCU的接地端接地，所述微控制单元MCU的电源端接入电压；
所述NPN三极管Q2的基极连接电阻R3的一端，所述NPN三极管Q2的基极还连接电阻R4的一端，所述电阻R3的另一端与微控制单元MCU连接，所述电阻R4的另一端接地，所述NPN三极管Q2的发射极接地；
所述PNP三极管Q1的基极分别连接电阻R1的一端和电阻R2的一端，所述电阻R1的另一端分别接入电压和连接PNP三极管Q1的发射极，所述电阻R2的另一端连接NPN三极管Q2的集电极，所述PNP三极管Q1的集电极分别接入控制电压和连接VPP用电模块。
2.根据权利要求1所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述电容C7的两端并联有电容C10，所述电容C10的正极连接LIN芯片的引脚9，所述电容C10的负极连接LIN芯片的引脚8，所述LIN芯片的引脚8接入电压。
3.根据权利要求2所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述LIN芯片的引脚3分别接地和连接电阻R9的一端，所述电阻R9的另一端连接电阻R8的一端。
4.根据权利要求3所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述LIN芯片的引脚4分别连接总线和电容C8的一端，所述电容C8的另一端接地。
5.根据权利要求4所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述LIN芯片的引脚1分别接入电压和连接电容C6的一端，所述电容C6的另一端接地。
6.根据权利要求5所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述PNP三极管Q1的发射极分别连接电容C5的一端和电感L1的一端，所述电容C5的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述电感L1的另一端连接二极管D1的负极，所述二极管D1的正极连接外接电源正极。
7.根据权利要求6所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述电容C5并联有电容C9，所述电容C9的正极与电容C5的一端连接，所述电容C9的负极分别接地和连接外接电源负极，所述电容C9并联有电容C3和电容C4，所述电容C3与电容C4串联。
8.根据权利要求7所述的LIN芯片休眠电源管理电路，其特征在于，所述二极管D1与电感L1之间设置有TVS管，所述TVS管的一端分别连接二极管D1的负极和电感L1的另一端，所述TVS管的另一端分别接地和连接外接电源负极，所述TVS管并联有电容C1和电容C2，所述电容C1与电容C2串联。
9.一种LIN芯片休眠电源管理装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1-8任一项所述的LIN芯片休眠电源管理电路。
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| CN212675513U true CN212675513U (zh) | 2021-03-09 |
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