CN212588089U - 一种电磁离合器电路和汽车 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种电磁离合器电路和汽车，该电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，离合器半桥工作单元的正极接入端通过防反接单元与外部电源连接；防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，MOS管根据控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。本实用新型中的电磁离合器电路使用极少的器件实现了电路的防反接和防反向电压过冲功能，有效避免了电源电压反接故障以及反向电压过冲故障。

Description

一种电磁离合器电路和汽车

技术领域

本实用新型属于电磁离合器技术领域，特别涉及一种电磁离合器电路和汽车。

背景技术

电磁离合器系统以其优异的可操作性能正逐渐被市场所认可，但在市场实际使用推广过程中一直存在输入电压反接和内部电路反向过冲电压过高的问题，导致电磁离合器系统频繁出现故障报警，然而现有的电磁离合器电路设计结构复杂，使用器件繁多，并且无法同时实现防反接和防反向过冲的功能。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型公开了一种电磁离合器电路和汽车，以克服上述问题或者至少部分地解决上述问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

本实用新型一方面公开一种电磁离合器电路，所述电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，所述离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，所述离合器半桥工作单元的正极接入端通过所述防反接单元与外部电源连接；

所述防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，所述MOS管根据所述控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现所述离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制。

进一步地，所述防反接单元的MOS管为P-MOS管，所述P-MOS管的漏极与所述外部电源连接；所述P-MOS管的源极与所述离合器半桥工作单元的正极接入端连接；所述P-MOS管的栅极与所述控制信号接入端连接。

进一步地，所述防反接单元还包括：第一电阻、第二电阻和晶体管；

所述晶体管的集电极通过所述第二电阻分别连接所述P-MOS管的栅极和所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述P-MOS管的源极连接，所述晶体管的基极连接所述控制信号接入端，所述晶体管的发射极与所述离合器半桥工作单元的负极接入端连接。

进一步地，当所述外部电源极性正确地连接到所述电磁离合器电路时，所述外部电源通过所述P-MOS管的体二极管为所述离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，所述脉冲控制信号为高电平，所述晶体管导通，所述离合器半桥工作单元正极接入端的电压通过所述第一电阻和所述第二电阻分压后为所述P-MOS管提供驱动电压，驱动所述P-MOS管导通，实现所述外部电源为所述离合器半桥工作单元供电；

当所述外部电源极性错误地连接到所述电磁离合器电路时，所述外部电源不能通过所述P-MOS管的体二极管为所述离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，所述脉冲控制信号为低电平，所述晶体管截止，所述P-MOS 管不导通，阻隔所述外部电源为所述离合器半桥工作单元供电。

进一步地，所述离合器半桥工作单元包括：电磁离合器线圈、第一N-MOS 管、第二N-MOS管、第一二极管和第二二极管；

所述第一N-MOS管的源极、所述第二二极管的负极和所述电磁离合器线圈的一端连接，所述第一二极管的正极、所述第二N-MOS管的漏极和所述电磁离合器线圈的另一端连接；所述第一N-MOS管的漏极与所述第一二极管的负极连接形成所述正极接入端，所述第二二极管的正极和所述第二 N-MOS管的源极连接形成所述负极接入端。

进一步地，所述第一二极管和所述第二二极管为续流二极管。

进一步地，所述离合器半桥工作单元从通电状态切换为断电状态时，所述防反接单元的MOS管将所述正极接入端和外部电源导通，所述电磁离合器线圈、所述第一二极管、所述第二二极管与所述外部电源形成回路，将所述电磁离合器线圈产生的电动势反馈至外部电源，限制所述正极接入端的电压值在安全范围内。

本实用新型另一方面公开一种汽车，该汽车上安装有如上述所述的电磁离合器电路。

本实用新型的优点及有益效果是：

本实用新型中的电磁离合器电路使用极少的器件实现了电路的防反接和防反向电压过冲功能，且电路结构简单，可有效避免电源电压反接故障以及反向电压过冲故障。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本实用新型的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本实用新型的一个实施例中电磁离合器电路的连接关系示意图；

图2为本实用新型的一个实施例中电磁离合器电路的电路原理图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型具体实施例及相应的附图对本实用新型技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

以下结合附图，详细说明本实用新型各实施例提供的技术方案。

实施例1

本实用新型一个实施例中公开一种电磁离合器电路，如图1所示，该电磁离合器电路包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，离合器半桥工作单元的正极接入端通过防反接单元与外部电源连接，实现对离合器半桥工作单元的防反接。

防反接单元包括MOS管Q1和控制信号接入端POWER_ON，MOS管 Q1根据控制信号接入端POWER_ON接收的脉冲控制信号实现离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。

综上，本实施例中的电磁离合器电路使用极少的器件实现了电路的防反接和防反向电压过冲功能，且电路结构简单，可有效避免电源电压反接故障以及反向电压过冲故障。

在一个实施例中，如图2所示，防反接单元的MOS管Q1为P-MOS管 Q1，P-MOS管Q1的漏极与外部电源连接；P-MOS管Q1的源极与离合器半桥工作单元的正极接入端连接，外部电源通过P-MOS管Q1为离合器半桥工作单元提供驱动电压；P-MOS管Q1的栅极与控制信号接入端POWER_ON 连接，通过控制信号接入端POWER_ON接收的脉冲控制信号来调控P-MOS 管Q1的通断。

在一个实施例中，如图2所示，防反接单元还包括：第一电阻R1、第二电阻R2和晶体管Q3，其中第一电阻R1和第二电阻R2起到分压的作用。

晶体管Q3的集电极通过第二电阻R2分别连接P-MOS管Q1的栅极和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端与P-MOS管Q1的源极连接，晶体管Q3的基极连接控制信号接入端POWER_ON，晶体管Q3的发射极与离合器半桥工作单元的负极接入端连接。当控制信号接入端POWER_ON接收到高电平脉冲控制信号时，晶体管Q3导通，外部电源的电流依次流经 P-MOS管Q1的体二极管、第一电阻R1、第二电阻R2和晶体管Q3，进而为P-MOS管Q1提供驱动电压，驱动P-MOS管Q1导通；当控制信号接入端POWER_ON接收到低电平脉冲控制信号时，晶体管Q3截止，无法为 P-MOS管Q1提供驱动电压，P-MOS管Q1不导通。

在一个实施例中，当外部电源极性正确地连接到电磁离合器电路时，外部电源通过P-MOS管Q1的体二极管为离合器半桥工作单元的正极接入端供电，外部电源的电压只能通过P-MOS管Q1的体二极管短时供电，由于其体二极管的电阻大，电流长时间经过体二极管二极管会导致其温度升高；此时，脉冲控制信号为高电平，晶体管Q3导通，离合器半桥工作单元正极接入端的电压通过第一电阻R1和第二电阻R2分压后为P-MOS管Q1提供驱动电压，驱动P-MOS管Q1导通，实现外部电源为离合器半桥工作单元供电。

当外部电源极性错误地连接到电磁离合器电路时，外部电源不能通过 P-MOS管Q1的体二极管为离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，脉冲控制信号为低电平，晶体管Q3截止，不能为P-MOS管Q1提供驱动电压，P-MOS管Q1不导通，阻隔外部电源为离合器半桥工作单元供电。

在一个实施例中，如图2所示，离合器半桥工作单元包括：电磁离合器线圈L1、第一N-MOS管Q2、第二N-MOS管Q4、第一二极管D1和第二二极管D2。

第一N-MOS管Q2的源极、第二二极管D2的负极和电磁离合器线圈 L1的一端连接，第一二极管D1的正极、第二N-MOS管Q4的漏极和电磁离合器线圈L1的另一端连接，其中，第一N-MOS管Q2的源极与电磁离合器线圈L1的正极输入端连接，第二N-MOS管Q4的漏极与电磁离合器线圈 L1的负极输入端连接；第一N-MOS管Q2的漏极与第一二极管D1的负极连接形成正极接入端，第二二极管D2的正极和第二N-MOS管Q4的源极连接形成负极接入端。

在一个优选实施例中，第一二极管D1和第二二极管D2为续流二极管。

在一个优选实施例中，离合器半桥工作单元从通电状态切换为断电状态时，防反接单元的MOS管Q1将正极接入端和外部电源导通，电磁离合器线圈L1、第一二极管D1、第二二极管D2与外部电源形成回路，电流依次通过第二二极管D2、电磁离合器线圈L1和第一二极管D1，将电磁离合器线圈L1产生的电动势反馈至外部电源，限制正极接入端的电压值在安全范围内，实现电路的防反向电压过冲。

实施例2

本实用新型一个实施例中公开一种汽车，该汽车上安装有上述的电磁离合器电路。

综上所述，本实用新型公开了一种电磁离合器电路和汽车，该电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，离合器半桥工作单元的正极接入端通过防反接单元与外部电源连接；防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，MOS管根据控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制，从而实现电磁离合器电路的防反接和防反向电压过冲功能。本实用新型中的电磁离合器电路使用极少的器件实现了电路的防反接和防反向电压过冲功能，有效避免了电源电压反接故障以及反向电压过冲故障。

以上所述仅为本实用新型的实施方式，并非用于限定本实用新型的保护范围。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进、扩展等，均包含在本实用新型的保护范围内。

Claims (8)

1.一种电磁离合器电路，其特征在于，所述电磁离合器包括：防反接单元和离合器半桥工作单元；其中，所述离合器半桥工作单元包括负极接入端与正极接入端，所述离合器半桥工作单元的正极接入端通过所述防反接单元与外部电源连接；

所述防反接单元包括MOS管和控制信号接入端，所述MOS管根据所述控制信号接入端接收的脉冲控制信号实现所述离合器半桥工作单元的正极接入端与外部电源之间通断控制。

2.根据权利要求1所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述防反接单元的MOS管为P-MOS管，所述P-MOS管的漏极与所述外部电源连接；所述P-MOS管的源极与所述离合器半桥工作单元的正极接入端连接；所述P-MOS管的栅极与所述控制信号接入端连接。

3.根据权利要求2所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述防反接单元还包括：第一电阻、第二电阻和晶体管；

所述晶体管的集电极通过所述第二电阻分别连接所述P-MOS管的栅极和所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端与所述P-MOS管的源极连接，所述晶体管的基极连接所述控制信号接入端，所述晶体管的发射极与所述离合器半桥工作单元的负极接入端连接。

4.根据权利要求3所述的电磁离合器电路，其特征在于，

当所述外部电源极性正确地连接到所述电磁离合器电路时，所述外部电源通过所述P-MOS管的体二极管为所述离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，所述脉冲控制信号为高电平，所述晶体管导通，所述离合器半桥工作单元正极接入端的电压通过所述第一电阻和所述第二电阻分压后为所述P-MOS管提供驱动电压，驱动所述P-MOS管导通，实现所述外部电源为所述离合器半桥工作单元供电；

当所述外部电源极性错误地连接到所述电磁离合器电路时，所述外部电源不能通过所述P-MOS管的体二极管为所述离合器半桥工作单元的正极接入端供电；此时，所述脉冲控制信号为低电平，所述晶体管截止，所述P-MOS管不导通，阻隔所述外部电源为所述离合器半桥工作单元供电。

5.根据权利要求1所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述离合器半桥工作单元包括：电磁离合器线圈、第一N-MOS管、第二N-MOS管、第一二极管和第二二极管；

所述第一N-MOS管的源极、所述第二二极管的负极和所述电磁离合器线圈的一端连接，所述第一二极管的正极、所述第二N-MOS管的漏极和所述电磁离合器线圈的另一端连接；所述第一N-MOS管的漏极与所述第一二极管的负极连接形成所述正极接入端，所述第二二极管的正极和所述第二N-MOS管的源极连接形成所述负极接入端。

6.根据权利要求5所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管为续流二极管。

7.根据权利要求5所述的电磁离合器电路，其特征在于，所述离合器半桥工作单元从通电状态切换为断电状态时，所述防反接单元的MOS管将所述正极接入端和外部电源导通，所述电磁离合器线圈、所述第一二极管、所述第二二极管与所述外部电源形成回路，将所述电磁离合器线圈产生的电动势反馈至外部电源，限制所述正极接入端的电压值在安全范围内。

8.一种汽车，其特征在于，该汽车上安装有如权利要求1-7任一项所述的电磁离合器电路。

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