CN212392208U - 半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，包括固定环形框架，所述固定环形框架的内侧面开设有台阶槽，所述台阶槽的内侧设置有聚光环本体，所述台阶槽的内侧面且位于聚光环本体的下方固定连接有内侧板，所述内侧板的外侧面与台阶槽的侧面组成一个开口的密封室，所述密封室的内部且靠近开口处设置有环形堵盖，所述聚光环本体的底面固定连接有多个连接杆。本实用新型，通过设置有两组框架结构，且在两组框架结构之间设置有伸缩和连接件结构，能够便于调节聚光环本体的高度，通过在聚光环本体的底面固定连接有连接杆，连接杆的底部延伸至密封室的内部固定连接有悬浮的浮球，能够保证调节的时候聚光环本体水平。

Description

半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环

技术领域

本实用新型涉及等离子刻蚀领域，尤其涉及半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环。

背景技术

等离子体聚焦装置是一种利用氘气和氚气在在高温下发生聚变反应从而产生中子的一种装置，利用不同电极形状、不同绝缘气体的场崎变开关可以很好地提高等离子体聚焦装置的运行性能，为了使等离子体均匀化而设置于晶片的外周部的聚焦环有时离等离子体较近，消耗速度较快，聚焦环的消耗程度对晶片上的处理结果有较大影响，例如，当在聚焦环上的等离子体鞘与晶片上的等离子体鞘的高度位置产生偏差时，晶片的外周附近的蚀刻特性降低，影响均匀性。

传统的聚光环结构不具有自动调节高度的功能，且调节的时候聚光环的水平位置不易保持。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，包括固定环形框架，所述固定环形框架的内侧面开设有台阶槽，所述台阶槽的内侧设置有聚光环本体，所述台阶槽的内侧面且位于聚光环本体的下方固定连接有内侧板，所述内侧板的外侧面与台阶槽的侧面组成一个开口的密封室，所述密封室的内部且靠近开口处设置有环形堵盖，所述聚光环本体的底面固定连接有多个连接杆，所述连接杆的另一端均贯穿内侧板的顶部延伸至密封室的内部固定连接有浮球，所述固定环形框架的外侧面设置有外侧框架，所述外侧框架的内侧面开设有环形槽，所述环形槽的内底部设置有伸缩杆，所述伸缩杆的活动端固定连接有固定连接块，所述固定连接块的内侧面与固定环形框架的外表面固定连接，所述外侧框架的外侧面固定连接有连接件。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述台阶槽的内侧顶部且位于聚光环本体的上方固定连接有缓冲垫片，所述缓冲垫片的形状设置为环形。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述连接杆和浮球的数量为多个，多个所述连接杆和浮球环形阵列排布。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述环形堵盖与密封室的内侧面之间密封连接，所述密封室的内部设置有流动的液体。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述内侧板的形状为环形，且截面形状为L型。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述连接件的数量为两个，两个所述连接件对称分布。

作为上述技术方案的进一步描述：

所述固定环形框架和内侧板的材料均采用反光材料。

本实用新型具有如下有益效果：

1、与现有技术相比，该半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，通过设置有两组框架结构，且在两组框架结构之间设置有伸缩和连接件结构，能够便于调节聚光环本体的高度。

2、与现有技术相比，该半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，通过在聚光环本体的底面固定连接有连接杆，连接杆的底部延伸至密封室的内部固定连接有浮球，密封室的内部设置有流动的液体，通过浮球结构能够保证聚光环本体的水平，移动的时候，也能够保证调节的时候聚光环本体水平。

附图说明

图1为本实用新型提出的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环的刨视图；

图2为本实用新型提出的图1中A处放大图；

图3为本实用新型提出的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环的俯视图。

图例说明：

1、固定环形框架；2、台阶槽；3、聚光环本体；4、内侧板；5、环形堵盖；6、密封室；7、连接杆；8、浮球；9、外侧框架；10、环形槽；11、伸缩杆；12、固定连接块；13、连接件；14、缓冲垫片。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制；术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，此外，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

参照图1-3，本实用新型提供的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环：包括固定环形框架1，固定环形框架1的内侧面开设有台阶槽2，台阶槽2的作用是便于进行安装聚光环本体3，台阶槽2的内侧设置有聚光环本体3，台阶槽2的内侧面且位于聚光环本体3的下方固定连接有内侧板4，内侧板4的外侧面与台阶槽2的侧面组成一个开口的密封室6，用于盛放悬浮液体，密封室6的内部且靠近开口处设置有环形堵盖5，聚光环本体3的底面固定连接有多个连接杆7，连接杆7的另一端均贯穿内侧板的顶部延伸至密封室6的内部固定连接有浮球8，浮球8悬浮于流动液体中，固定环形框架1的外侧面设置有外侧框架9，外侧框架9的作用是便于进行设置调节高度的伸缩杆11结构，外侧框架9的内侧面开设有环形槽10，环形槽10的内底部设置有伸缩杆11，伸缩杆11的活动端固定连接有固定连接块12，固定连接块12的内侧面与固定环形框架1的外表面固定连接，外侧框架9的外侧面固定连接有连接件13，便于安装该装置。

台阶槽2的内侧顶部且位于聚光环本体3的上方固定连接有缓冲垫片14，缓冲垫片14的形状设置为环形，避免安装的时候聚光环本体3与台阶槽2的侧面相撞，连接杆7和浮球8的数量为多个，多个连接杆7和浮球8环形阵列排布，有利于保证聚光环本体3的水平，环形堵盖5与密封室6的内侧面之间密封连接，避免液体渗出，从而破坏聚光环本体3的使用功能，密封室6 的内部设置有流动的液体，用于悬浮浮球8，内侧板4的形状为环形，且截面形状为L型，连接件13的数量为两个，两个连接件13对称分布，固定环形框架1和内侧板4的材料均采用反光材料，避免影响聚光环本体3的使用功能。

工作原理：使用时，通过连接件13把聚光环结构安装在等离子处理装置中，然后根据具体的需求调节固定环形框架1的高度，以实现调节聚光环本体3高度的目的，由于内部是由悬浮的浮球8和连接杆7结构进行支撑聚光环本体3，能够保证在使用的调节使用时聚光环本体3不会产生局部的倾斜，保证聚光环本体3的水平。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，包括固定环形框架(1)，其特征在于：所述固定环形框架(1)的内侧面开设有台阶槽(2)，所述台阶槽(2)的内侧设置有聚光环本体(3)，所述台阶槽(2)的内侧面且位于聚光环本体(3)的下方固定连接有内侧板(4)，所述内侧板(4)的外侧面与台阶槽(2)的侧面组成一个开口的密封室(6)，所述密封室(6)的内部且靠近开口处设置有环形堵盖(5)，所述聚光环本体(3)的底面固定连接有多个连接杆(7)，所述连接杆(7)的另一端均贯穿内侧板的顶部延伸至密封室(6)的内部固定连接有浮球(8)，所述固定环形框架(1)的外侧面设置有外侧框架(9)，所述外侧框架(9)的内侧面开设有环形槽(10)，所述环形槽(10)的内底部设置有伸缩杆(11)，所述伸缩杆(11)的活动端固定连接有固定连接块(12)，所述固定连接块(12)的内侧面与固定环形框架(1)的外表面固定连接，所述外侧框架(9)的外侧面固定连接有连接件(13)。

2.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述台阶槽(2)的内侧顶部且位于聚光环本体(3)的上方固定连接有缓冲垫片(14)，所述缓冲垫片(14)的形状设置为环形。

3.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述连接杆(7)和浮球(8)的数量为多个，多个所述连接杆(7)和浮球(8)环形阵列排布。

4.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述环形堵盖(5)与密封室(6)的内侧面之间密封连接，所述密封室(6)的内部设置有流动的液体。

5.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述内侧板(4)的形状为环形，且截面形状为L型。

6.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述连接件(13)的数量为两个，两个所述连接件(13)对称分布。

7.根据权利要求1所述的半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环，其特征在于：所述固定环形框架(1)和内侧板(4)的材料均采用反光材料。

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