CN212389829U - 电磁控制阀 - Google Patents
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Abstract
本实用新型具体涉及一种电磁控制阀,包括绕组线圈，其中：还包括如下：晶体管Q1，晶体管Q1与单绕组线圈连接，并且控制单绕组线圈的工作状态；微处理器MCU，微处理器MCU与晶体管Q1相连接，并且微处理器MCU输出脉冲信号，晶体管Q1与微处理器MCU之间串联有电容C1；电容C3，电容C3并联于单绕组线圈，用于维持电磁阀吸合。本实用新型的有益效果是：本结构通过所述单绕组线圈、微处理器MCU和晶体管Q1组成，实施单向控制关闭气路，起到整体的成本更低。2、本结构通过增设了隔直流电路，可以极大程度的保障了微处理器MUU，失效时电磁控制阀处于关闭状态，实施更安全。
Description
技术领域
本实用新型具体涉及一种电磁控制阀。
背景技术
传统的电磁铁，一类是交流电供电，工作时需要持续供电才能保持相应的工作状态，但此类电磁铁工作时线圈功耗大，容易造成线圈的发热大，故障率高；另一类是脉冲供电，电磁铁在脉冲电的驱动下启动工作状态，同时通过永磁铁来实现工作状态的磁保持和电磁铁的持续工作，工作时间完成后，再通过反向脉冲电来实现电磁铁执行部件的复位关闭，但此类电磁铁对相应控制端的脉冲信号要求具有反向功能，当微处理器出现故障或失效的时候，输出的状态是不确定(高电平或低电平)，不能保证电磁控制阀是处于关闭状态的。
从电磁控制阀的结构上看：常规的电磁控制阀是由两组绕组组成的，其引线分别是黄线、黑线和红线，该种电磁阀开启吸合时是黄线和黑线连通，吸合维持时是黄线和红线连通，当微处理器出现故障或失效的时候，不能保证气路是关闭的。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种实施更安全和成本更低的电磁控制阀。
本实用新型描述的一种电磁控制阀，包括单绕组线圈，其中：还包括如下：
晶体管Q1，晶体管Q1与单绕组线圈连接，并且控制单绕组线圈的工作状态；
微处理器MCU，微处理器MCU与晶体管Q1相连接，并且微处理器MCU输出脉冲信号，晶体管Q1与微处理器MCU之间串联有电容C1；
电容C3，电容C3并联于单绕组线圈，用于维持电磁阀吸合。
具体进一步，所述电容C1的一端还连接有电阻R1，电容C1另一端连接有电阻R2，电阻R2一端连接地线端，电容C1、电阻R1和电阻R2构成隔离电路。
具体进一步，所述晶体管Q1连接于单绕组线圈的A端或B端处。
具体进一步，所述晶体管Q1的集电极连接有二极管D1。
具体进一步，所述晶体管Q1的集电极连接有电容C2。
具体进一步，所述单绕组线圈的一端连接有直流电源DC。
本实用新型的有益效果是：
1、本结构通过所述单绕组线圈、微处理器MCU和晶体管Q1组成，实施单向控制关闭气路，起到整体的成本更低；
2、本结构通过增设了隔直流电路，该隔直流电路只能通过脉动的信号；由于当微处理器MUU出现故障或失效的时候，输出的状态是不确定(高电平或低电平)，可以极大程度的保障了微处理器MUU，失效时电磁控制阀处于关闭状态，实施更安全。
附图说明
图1是本实用新型的第一实施例电路图。
图2是第一实施例的输出脉冲信号状态图。
图3是本实用新型的第二实施例电路图。
图4是第二实施例的输出脉冲信号状态图。
图5是本实用新型的第三实施例电路图。
图6是第三实施例的输出脉冲信号状态图。
图7是本实用新型的第四实施例电路图。
图8是第四实施例的输出脉冲信号状态图。
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
如图1至图8所示，本实用新型描述的一种电磁控制阀，包括单绕组线圈，其中：还包括如下：
晶体管Q1，晶体管Q1与单绕组线圈1连接，并且控制单绕组线圈的工作状态；
微处理器MCU，微处理器MCU与晶体管Q1相连接，并且微处理器MCU输出脉冲信号，晶体管Q1与微处理器MCU之间串联有电容C1；
电容C3，电容C3并联于单绕组线圈，用于维持电磁阀吸合。
本结构通过所述单绕组线圈、微处理器MCU和晶体管Q1组成，实施单向控制关闭气路，起到整体的成本更低；
本实用新型所述电容C1的一端还连接有电阻R1，电容C1另一端连接有电阻R2，电阻R2一端连接地线端，电容C1、电阻R1和电阻R2构成隔离电路。本结构通过增设了隔直流电路，该隔直流电路只能通过脉动的信号；由于当微处理器MUU出现故障或失效的时候，输出的状态是不确定(高电平或低电平)，可以极大程度的保障了微处理器MUU，失效时电磁控制阀处于关闭状态，实施更安全。
所述晶体管Q1连接于单绕组线圈的A端或B端处。所述晶体管Q1的集电极连接有二极管D1。所述晶体管Q1的集电极连接有电容C2。所述单绕组线圈的一端连接有直流电源DC。
其中，直流电源供给微处理器MCU处，微处理器MCU输出高电平时，使晶体管Q1处于导通，使单绕组线圈1得电，使电磁阀处于打开状态。当无电或微处理器MCU异常时，该晶体管Q1的关闭状态，单绕组线圈1处于断电状态，使电磁控制阀直接关闭。
更具体地说：
当微处理器MCU输出低电平时，晶体管Q1处于截止状态，这时，电源正极到线圈到电源负极之间构成回路，单绕组线圈因没有电流通过而使电磁阀静止状态；
当微处理器MCU输出高电平时晶体管Q1导通，电流通过单绕组线圈而产生磁力，使电磁阀动作实施吸合；其中一般电磁阀要保证在没有电流的情况下活动铁芯处于一种稳定的状态，需要借助一个外力来实行(比如利用弹簧、弹片等外力来保证活动铁芯处于一个稳定的状态)，所以电磁阀要一个相对够大的电流才能产生一个相应的磁力来推动电磁阀的活动铁芯动作；但当电磁阀动作以后只要给一个够小的电流，活动铁芯就可以稳定在动作后的状态；这种驱动方式的好处可以减少电磁阀动作后的驱动电流，从而减少电磁阀的线圈发热量、延长线圈的使用寿命、减低功耗和节能环保。
结构本电路，当电磁阀动作时，微处理器MCU先输出0.5秒的高电平，该 0.5秒足够是电磁阀动作，实施打开状态，电磁阀动作之后，微处理器MCU接着输出一个占空比约十分一的脉冲电平，使晶体管Q1处于一个不断导通截止的状态，再经过电容c3的充放电作用，使线圈得到一个相对平稳的低电压来维持活动铁芯的状态，其中电阻R1防止驱动电流过大而损坏晶体管Q1；电容C1可在电阻R2(电阻R2可以使用晶体管Q1的回路代替)的配合下只通过脉冲电平，当微处理器MCU损坏或出现故障时持续高电平不能通过电阻C1而不能驱动晶体管Q1。
另外，图1和图3所示，晶体管Q1与单绕组线圈1的B端相连接。图5 和图7所示，晶体管Q1和与单绕组线圈1的A端相连接。
该本电磁控制阀可应用在多个方面：
(一)火焰检测-离子(现有技术，成熟)：发送脉冲信号，控制该新型电磁控制阀。
(二)火焰检测-热电偶(暂没使用)：发送脉冲信号，控制该新型电磁控制阀。
(三)火焰检测-点火针(单针，感应点火一体)：发送脉冲信号，控制该新型电磁控制阀。
(四)火焰检测-普通温度传感器：发送脉冲信号，控制该新型电磁控制阀。综上所述，就是所有能发出脉冲信号的零部件都能够与该新型电磁控制阀配合使用，防止他人使用。
上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.电磁控制阀，包括单绕组线圈（1），其特征在于：还包括如下：
晶体管Q1，晶体管Q1与单绕组线圈(1)连接，并且控制单绕组线圈(1)的工作状态；
微处理器MCU，微处理器MCU与晶体管Q1相连接，并且微处理器MCU输出脉冲信号，晶体管Q1与微处理器MCU之间串联有电容C1；
电容C3，电容C3并联于单绕组线圈(1)，用于维持电磁阀吸合。
2.根据权利要求1所述的电磁控制阀，其特征在于：所述电容C1的一端还连接有电阻R1，电容C1另一端连接有电阻R2，电阻R2一端连接地线端，电容C1、电阻R1和电阻R2构成隔离电路。
3.根据权利要求1所述的电磁控制阀，其特征在于：所述晶体管Q1连接于单绕组线圈(1)的A端或B端处。
4.根据权利要求1所述的电磁控制阀，其特征在于：所述晶体管Q1的集电极连接有二极管D1。
5.根据权利要求1所述的电磁控制阀，其特征在于：所述晶体管Q1的集电极连接有电容C2。
6.根据权利要求1所述的电磁控制阀，其特征在于：所述单绕组线圈(1)的一端连接有直流电源DC。
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