CN212343375U - 一种新型bms控负极充放电驱动控制电路 - Google Patents

一种新型bms控负极充放电驱动控制电路 Download PDF

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谢志强
于崇江
刘启辉
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Abstract

本实用新型公开一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路,包括电池模块、与电池模块连接的AFE模拟前端模块、与AFE模拟前端模块连接的主控MCU和充放电控制模块、依次与电池模块正极连接的充电驱动模块和放电驱动模块,以及依次与电池模块负极连接的充电MOS管开关模块和放电MOS管开关模块;所述充放电控制模块还分别与充电驱动模块、放电驱动模块连接,充电驱动模块还与充电MOS管开关模块连接,放电驱动模块还与放电MOS管开关模块连接。本实用新型既可以支持同口,也可以支持异口,使得其通用性好、兼容性强、功耗控制佳,且设计合理、原理简单、安全可靠,实用性强。

Description

一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路
技术领域
本实用新型涉及锂电池BMS技术领域,尤其涉及一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路。
背景技术
随着锂电池制造技术的不断发展,锂电池已经广泛应用在我们生活的各个领域,如电动汽车、储能以及UPS后备电源系统。但是,锂电池有个至命的缺点就是安全问题,为了提高锂电池的安全性能,人们发明了锂电池保护板,即BMS(锂电池管理系统),BMS可通过关闭放电MOS管对电池的各种异常进行保护,如短路保护、充电过流保护、放电过流保护、充电过压保护、电芯过温保护、温度过低保护、MOS管过温保护等。
目前,市面上的BMS通常使用控负极MOS管的方案来激活电路,其激活电路简单,且驱动电路易实现,但存在一个问题,即其通常采取充放电电路的同口设计,而在充电和放电端口同口设计过程中,由于一般情况下电池放电电流要比充电电流大很多,所以同口的缺点是要求充电控制MOS管和放电控制MOS管一摸一样,放电时,电流会经过充电控制MOS管,这样就增加了成本、内阻和热量,且存在通用性欠佳、功耗大、可靠性差等不足之处。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路,该电路既可以支持同口,也可以支持异口,使得其通用性好、兼容性强、功耗控制佳,且设计合理、原理简单、安全可靠,同时,采用分立的半导体器件,进而无需外接按键开关,可减小PCB板的布局面积、降低成本、实用性强。
为实现上述目的,采用以下技术方案:
一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路,包括电池模块、与电池模块连接的AFE模拟前端模块、与AFE模拟前端模块连接的主控MCU和充放电控制模块、依次与电池模块正极连接的充电驱动模块和放电驱动模块,以及依次与电池模块负极连接的充电MOS管开关模块和放电MOS管开关模块;所述充放电控制模块还分别与充电驱动模块、放电驱动模块连接,充电驱动模块还与充电MOS管开关模块连接,放电驱动模块还与放电MOS管开关模块连接。
进一步地,所述充放电控制模块包括两充放电控制单元,且其中一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块的DFET引脚与放电驱动模块之间,另一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块的CFET引脚与充电驱动模块之间。
进一步地,每一充放电控制单元包括相互串联的第一电阻Rpu和第一电容C1,以及与第一电阻Rpu和第一电容C1并联的第二电阻Rpu。
进一步地,所述充电驱动模块包括电阻R1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4;所述三极管Q3的发射极经电阻R1与电池模块的正极连接,三极管Q3的基极与三极管Q4的基极连接,三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极连接;所述三极管Q2的基极与AFE模拟前端模块的VDD引脚连接,三极管Q2的发射极与一充放电控制单元连接;所述三极管Q4的发射极与电池模块的正极连接,三极管Q4的集电极与充电MOS管开关模块连接。
进一步地,所述放电驱动模块包括电阻R2、三极管Q5、三极管Q6以及三极管Q7;所述三极管Q6的发射极经电阻R2与电池模块的正极连接,三极管Q6的基极与三极管Q7的基极连接,三极管Q6的集电极与三极管Q5的集电极连接;所述三极管Q5的基极与AFE模拟前端模块的VDD引脚连接,三极管Q5的发射极与另一充放电控制单元连接;所述三极管Q7的发射极与电池模块的正极连接,三极管Q7的集电极与放电MOS管开关模块连接。
进一步地,所述新型BMS控负极充放电驱动控制电路还包括三极管Q1;所述三极管Q1的集电极与电池模块的正极连接,三极管Q1的基极与AFE模拟前端模块的BASE引脚连接,三极管Q1的发射极连接于三极管Q2与AFE模拟前端模块的公共连接端。
采用上述方案,本实用新型的有益效果是:
该电路既可以支持同口,也可以支持异口,使得其通用性好、兼容性强、功耗控制佳,且设计合理、原理简单、安全可靠,同时,采用分立的半导体器件,进而无需外接按键开关,可减小PCB板的布局面积、降低成本、实用性强。
附图说明
图1为本实用新型的原理性框图;
图2为本实用新型的电路图;
其中,附图标识说明:
1—电池模块; 2—AFE模拟前端模块;
3—主控MCU; 4—充放电控制模块;
5—充电驱动模块; 6—放电驱动模块;
7—充电MOS管开关模块; 8—放电MOS管开关模块。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例,对本实用新型进行详细说明。
参照图1至2所示,本实用新型提供一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路,包括电池模块1、与电池模块1连接的AFE模拟前端模块2、与AFE模拟前端模块2连接的主控MCU3和充放电控制模块4、依次与电池模块1正极连接的充电驱动模块5和放电驱动模块6,以及依次与电池模块1负极连接的充电MOS 管开关模块7和放电MOS管开关模块8;所述充放电控制模块4还分别与充电驱动模块5、放电驱动模块6连接,充电驱动模块5还与充电MOS管开关模块7连接,放电驱动模块6还与放电MOS管开关模块8连接。
其中,所述充放电控制模块4包括两充放电控制单元,且其中一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块2的DFET引脚与放电驱动模块6之间,另一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块2的CFET引脚与充电驱动模块5之间;每一充放电控制单元包括相互串联的第一电阻Rpu和第一电容C1,以及与第一电阻 Rpu和第一电容C1并联的第二电阻Rpu。
所述充电驱动模块5包括电阻R1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4;所述三极管Q3的发射极经电阻R1与电池模块1的正极连接,三极管Q3的基极与三极管Q4的基极连接,三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极连接;所述三极管Q2的基极与AFE模拟前端模块2的VDD引脚连接,三极管Q2的发射极与一充放电控制单元连接;所述三极管Q4的发射极与电池模块1的正极连接,三极管Q4的集电极与充电MOS管开关模块7连接;所述放电驱动模块6包括电阻 R2、三极管Q5、三极管Q6以及三极管Q7;所述三极管Q6的发射极经电阻R2 与电池模块1的正极连接,三极管Q6的基极与三极管Q7的基极连接,三极管Q6 的集电极与三极管Q5的集电极连接;所述三极管Q5的基极与AFE模拟前端模块 2的VDD引脚连接,三极管Q5的发射极与另一充放电控制单元连接;所述三极管Q7的发射极与电池模块1的正极连接,三极管Q7的集电极与放电MOS管开关模块8连接;所述新型BMS控负极充放电驱动控制电路还包括三极管Q1;所述三极管Q1的集电极与电池模块1的正极连接,三极管Q1的基极与AFE模拟前端模块2的BASE引脚连接,三极管Q1的发射极连接于三极管Q2与AFE模拟前端模块2的公共连接端。
本实用新型工作原理:
充电驱动模块5:包括三极管Q3、三极管Q4(采用的是MMBTA06三极管),其构成电流镜,负责产生参考电流源;与三极管Q2发射极连接的第二电阻Rpu 的电阻值,用来设置电流镜的电流值;三极管Q2的基极,被连接到3.3V电源,这个3.3V电源一般都是通过线性调节器产生的;电流镜的电流为:
(Vreg-0.6V)/Rpu,
其中,Vreg=3.3V,Rpu一般取10kΩ,即可得到275uA的基准电流;流过三极管 Q3的参考电流和流过三极管Q4的输出电流,满足
Figure DEST_PATH_GDA0002808029100000041
如果选择驱动电流是1mA,那么可计算得到R1=200Ω。
充电MOS管开关模块7:包括一个10V的稳压二极管,自放电NMOS管和一个自放电电阻;稳压二极管用于设置导通驱动电压值(大部分是10V);自放电 NMOS管和串联的自放电电阻构成一个FET(包含于AFE模拟前端模块2里面的场效应晶体管)的源、漏极的放电回路,在FET没有正式的偏置电压驱动时候,这个放电回路也决定了FET的关断时间;电流镜给稳压二极管供电,流过自放电电阻的电流是(Vzener/Rgs),随着自放电NMOS管的Vgs电压变负,消耗自放电NMOS管的消耗作用变弱;当自放电NMOS管处于导通状态的时候,自放电NMOS管本身的损耗小,随着主功率FET上通过的电压减少,自放电NMOS管的阻抗变小,会导致主FET的快速关断。
充放电控制模块4:当主功率FET(AFE模拟前端模块2的场效应晶体管)从关断到导通状态转换时,电流镜电路负责给稳压二极管,电流采样电阻和主功率 FET的门极容抗提供电流;1mA的驱动电流是比较小的,用来驱动主功率FET,会导致比较慢的开通时间;这里设计了一个加速电路,和第二电阻Rpu并联使用,由一个第一电阻Rpu和一个第一电容C1串联组成,可以加速主功率FET的导通时间;这个加速电路是临时作用,增加了主功率FET的驱动电流;增加驱动电流的时间,由加速电路的RC时间常数决定,通常选择500pF的加速电容,电阻选择从1k到10kΩ。
AFE模拟前端模块2:驱动信号可以来源于AFE模拟前端模块2或者MCU 的GPIO端口,把GPIO端口分别配置成DFET和CFET的逻辑控制口;高阻的 GPIO口状态,等同于在扫描模式和空闲模式,DFET连接到LDMON,CFET连接到VBAT+;而在运输和低功耗模式下,高阻的GPIO口状态,也代表了DFET 和CFET也是处于高阻状态;故障状态时候,也控制这两个GPIO脚,在短线故障发生的时候,功率FET的GPIO脚也是处于高阻状态。
当GPIO端口,被配置成功率FET的控制时候,当FET关断的时候,GPIO 口被第二电阻Rpu和NPN三极管拉高到3.3V,进而没有电流流过三级管Q2;当没有电流流过三极管Q4的时候,功率FET的门极电压,接近源极电压,这个时候,功率FET被认为是关断的,自放电消耗FET同一个串联电阻,连接功率FET 的门极和源极,保持功率FET处于OFF状态。
当功率FET开通的时候,GPIO端口是驱动低电平的,电流流经三极管Q2和三极管Q3,流经三极管Q4的电流是流经三极管Q2和三极管Q3的电流合;三极管Q4的电流源给10V稳压二极管提供偏置,给FET的门源极驱动电压提供稳定的驱动电压;自放电NMOS管的阻抗变大,NMOS的门源极驱动电压倾向负向;当功率FET由开通变成关断的时候,电流停止流向稳压二极管,门源极电压减少,导致自放电NMOS管阻抗变小,这导致功率FET的关断速度加快提速。
以上仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,包括电池模块、与电池模块连接的AFE模拟前端模块、与AFE模拟前端模块连接的主控MCU和充放电控制模块、依次与电池模块正极连接的充电驱动模块和放电驱动模块,以及依次与电池模块负极连接的充电MOS管开关模块和放电MOS管开关模块;所述充放电控制模块还分别与充电驱动模块、放电驱动模块连接,充电驱动模块还与充电MOS管开关模块连接,放电驱动模块还与放电MOS管开关模块连接。
2.根据权利要求1所述的新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,所述充放电控制模块包括两充放电控制单元,且其中一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块的DFET引脚与放电驱动模块之间,另一充放电控制单元连接于AFE模拟前端模块的CFET引脚与充电驱动模块之间。
3.根据权利要求2所述的新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,每一充放电控制单元包括相互串联的第一电阻Rpu和第一电容C1,以及与第一电阻Rpu和第一电容C1并联的第二电阻Rpu。
4.根据权利要求2所述的新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,所述充电驱动模块包括电阻R1、三极管Q2、三极管Q3以及三极管Q4;所述三极管Q3的发射极经电阻R1与电池模块的正极连接,三极管Q3的基极与三极管Q4的基极连接,三极管Q3的集电极与三极管Q2的集电极连接;所述三极管Q2的基极与AFE模拟前端模块的VDD引脚连接,三极管Q2的发射极与一充放电控制单元连接;所述三极管Q4的发射极与电池模块的正极连接,三极管Q4的集电极与充电MOS管开关模块连接。
5.根据权利要求4所述的新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,所述放电驱动模块包括电阻R2、三极管Q5、三极管Q6以及三极管Q7;所述三极管Q6的发射极经电阻R2与电池模块的正极连接,三极管Q6的基极与三极管Q7的基极连接,三极管Q6的集电极与三极管Q5的集电极连接;所述三极管Q5的基极与AFE模拟前端模块的VDD引脚连接,三极管Q5的发射极与另一充放电控制单元连接;所述三极管Q7的发射极与电池模块的正极连接,三极管Q7的集电极与放电MOS管开关模块连接。
6.根据权利要求5所述的新型BMS控负极充放电驱动控制电路,其特征在于,所述新型BMS控负极充放电驱动控制电路还包括三极管Q1;所述三极管Q1的集电极与电池模块的正极连接,三极管Q1的基极与AFE模拟前端模块的BASE引脚连接,三极管Q1的发射极连接于三极管Q2与AFE模拟前端模块的公共连接端。
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