CN212229004U - 低功耗宽电压的光耦隔离检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉一种低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，三极管Q1和三极管Q2相连，所述三极管Q2的和所述三端稳压器的两个端口相连，所述三极管Q2的与所述三端稳压器相连后与电阻R4一端相连，所述电阻R4的另一端与三端稳压器的另一个端口一起连接于第一稳压二极管D1，所述第一稳压二极管D1连接于三极管Q3，所述三极管Q3连接于光耦，所述三极管Q3与所述第二稳压二极管D2相连，所述第二稳压二极管D2在连接电阻R3后与三极管Q1相连，所述第二稳压二极管D2与信号电压输入端相连，所述光耦分别与所述信号电压输入端、输出端相连，电路简单，使用器件少，功耗低，可输入直流电压变化范围大。
Description
技术领域
本实用新型涉及光耦隔离检测技术领域，具体涉及一种低功耗宽电压的光耦隔离检测电路。
背景技术
隔离电压检测通常使用隔离变压器或者光耦，变压器不适合直流输入。直流宽电压输入隔离检测当前使用两种方式：一种是在电阻分压后用运放进行放大再使用光耦隔离，这种电路功耗低，检测电压范围广，但是需要额外运放电源，电路复杂，成本高；另一种则是在大功率电阻限流后接光耦，这种电路简单，响应速度快，缺点是不能适应大范围的电压变化，光耦本身的电流转换率较低，功率电阻值取大后光耦无法导通，功率电阻值取小后则会导致光耦过流及加快老化。
型号为TL431的三端稳压器是德州仪器公司(TI)生产的具有良好的热稳定性能的三端可度调分流基准电源，稳压值在2.5V-36V连续可调，具有较大输出电流。
实用新型内容
有鉴于此，有必要提供一种输入直流电压变化范围很大的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路。
一种低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其包括信号电压输入端、输出端、光耦、镜像恒流源电路、三极管Q3、第二稳压二极管D2和多个电阻，所述镜像恒流源电路包括三端稳压器、三极管Q1、三极管Q2、第一稳压二极管D1、电阻R4，多个所述电阻包括电阻R3，所述三极管Q1和三极管Q2相连，所述三极管Q2的基极和发射极分别和所述三端稳压器的两个端口相连以驱动所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极与所述三端稳压器相连后与电阻R4一端相连，所述电阻R4的另一端与所述三端稳压器的另一个端口一起连接于第一稳压二极管D1的负极，所述第一稳压二极管D1的正极连接于三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接于所述光耦的阴极，所述三极管Q3的发射级与所述第二稳压二极管D2的正极相连，所述第二稳压二极管D2的负极在连接电阻R3后与三极管Q1相连，所述第二稳压二极管D2与信号电压输入端相连，所述光耦分别与所述信号电压输入端、输出端相连。
优选地，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q1的的集电极与所述三极管Q2的基极相连。
优选地，多个所述电阻还包括电阻R1和电阻R2，多个所述二极管还包括二极管D3，所述电阻R1一端连接于信号电压输入端，另一端并联有电阻R2和电阻R3，所述电阻R2与二极管D3的正极相连，所述电阻R3与三极管Q1的发射极相连。
优选地，所述二极管D3的负极与所述三极管Q1的基极相连。
优选地，多个所述电阻还包括电阻R5，所述电阻R5一端连接于信号电压输入端，一端连接于光耦的阳极。
优选地，所述低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还具有供电电压输入端，多个所述电阻还包括电阻R6，所述电阻R6一端连接于所述供电电压输入端，另一端连接于光耦的集电极和输出端。
优选地，低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还包括电容，所述光耦的发射极连接于电容一端，所述电容另一端连接于输出端。
优选地，所述光耦的发射极还设有接地保护。
上述低功耗宽电压的光耦隔离检测电路中，包括两个相连的三极管Q1和三极管Q2，和三极管Q2、第一稳压二极管D1分别相连的三端稳压器，三极管Q3和光耦、第二稳压二极管D2分别相连，利用三端稳压器自身具备的精密恒流源作为基极电流，不需要额外的运放电源，同时控制电路功耗，第一稳压二极管D1作为电压高电平阈值，输入电压达到Uz(D1)+1.4V电压时(Uz(D1)为第一稳压二极管D1的额定稳压值，1.4V为三极管Q3和二极管D3的导通电压之和)，三极管Q1、三极管Q2和光耦导通，电压检测输出发生变化。所述电路结构简单可靠，低功耗，可以适应大范围的电压变化。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路的电路示意图。
具体实施方式
以下将结合具体实施例和附图对本实用新型进行详细说明。
请参阅图1，示出本实用新型实施例的一种低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其包括信号电压输入端1、输出端2、光耦3、镜像恒流源电路、三极管Q3、第二稳压二极管D2和多个电阻，所述镜像恒流源电路包括三端稳压器4、三极管Q1、三极管Q2、第一稳压二极管D1、电阻R4，多个所述电阻包括电阻R3，所述三极管Q1和三极管Q2相连，所述三极管Q2的基极和发射极分别和所述三端稳压器4的两个端口相连，以通过所述三端稳压器4组成的恒流源电源提供电流驱动所述三极管Q2的基极，控制功耗，所述三极管Q2的发射极与所述三端稳压器4相连后与电阻R4一端相连，所述电阻R4的另一端与所述三端稳压器4的另一个端口一起连接于第一稳压二极管D1的负极，所述第一稳压二极管D1的正极连接于三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接于所述光耦3的阴极，所述三极管Q3的发射级与所述第二稳压二极管D2的正极相连，所述第二稳压二极管D2的负极在连接电阻R3后与三极管Q1相连，所述第二稳压二极管D2与信号电压输入端相连，所述光耦3分别与所述信号电压输入端1、输出端2相连，当三极管Q1、三极管Q2和光耦3导通时，电压检测输出发生变化。
优选地，本实用新型实施例中，所述三端稳压器4的型号为TL431，是本身具有良好的热稳定性能的三端可度调分流基准电源，不需要增加额外运放电源，电路更简单；稳压值在2.5V-36V连续可调，具有较大输出电流，以保证所述检测电路的电压变化可以有很大的范围变化。
优选地，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q1的的集电极与所述三极管Q2的基极相连。
优选地，多个所述二极管还包括二极管D3，多个所述电阻还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1一端连接于信号电压输入端1，另一端并联有电阻R2和电阻R3，所述电阻R2与二极管D3的正极相连，所述电阻R3与三极管Q1的发射极相连。
优选地，所述二极管D3的负极与所述三极管Q1的基极相连。
优选地，多个所述电阻还包括电阻R5，所述电阻R5一端连接于信号电压输入端1，一端连接于光耦3的阳极。
优选地，所述低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还具有供电电压输入端5，多个所述电阻还包括电阻R6，所述电阻R6一端连接于所述供电电压输入端5，另一端连接于光耦3的集电极和输出端2。
优选地，低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还包括电容C1，所述光耦3的发射极连接于电容C1一端，所述电容C1另一端连接于输出端2。
优选地，所述光耦3的发射极还设有接地保护。
上述低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，可以有效检测输入直流电压的高低状态，简化电路结构及成本，电路结构简单可靠，低功耗；具备现有两种隔离检测电路的优点，可使用于输入直流电压变化范围很大的信号隔离检测，同时改善输入直流电压变化较大对光耦电流的影响，延长光耦的使用寿命。
需要说明的是，本实用新型并不局限于上述实施方式，根据本实用新型的创造精神，本领域技术人员还可以做出其他变化，这些依据本实用新型的创造精神所做的变化，都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。
Claims (8)
1.一种低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，包括信号电压输入端和输出端，其特征在于，所述检测电路还包括光耦、镜像恒流源电路、三极管Q3、第二稳压二极管D2和多个电阻，所述镜像恒流源电路包括三端稳压器、三极管Q1、三极管Q2、第一稳压二极管D1和电阻R4，多个所述电阻包括电阻R3，所述三极管Q1和三极管Q2相连，所述三极管Q2的基极和发射极分别和所述三端稳压器的两个端口相连以驱动所述三极管Q2的基极，所述三极管Q2的发射极与所述三端稳压器相连后与电阻R4一端相连，所述电阻R4的另一端与所述三端稳压器的另一个端口一起连接于第一稳压二极管D1的负极，所述第一稳压二极管D1的正极连接于三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极连接于所述光耦的阴极，所述三极管Q3的发射级与所述第二稳压二极管D2的正极相连，所述第二稳压二极管D2的负极在连接电阻R3后与三极管Q1相连，所述第二稳压二极管D2与信号电压输入端相连，所述光耦分别与所述信号电压输入端、输出端相连。
2.如权利要求1所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的集电极相连，所述三极管Q1的集电极与所述三极管Q2的基极相连。
3.如权利要求1所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，多个所述二极管还包括二极管D3，多个所述电阻还包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1一端连接于信号电压输入端，另一端并联有电阻R2和电阻R3，所述电阻R2与二极管D3的正极相连，所述电阻R3与三极管Q1的发射极相连。
4.如权利要求3所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，所述二极管D3的负极与所述三极管Q1的基极相连。
5.如权利要求1所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，多个所述电阻还包括电阻R5，所述电阻R5一端连接于信号电压输入端，一端连接于光耦的阳极。
6.如权利要求5所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，所述低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还具有供电电压输入端，多个所述电阻还包括电阻R6，所述电阻R6一端连接于所述供电电压输入端，另一端连接于光耦的集电极和输出端。
7.如权利要求6所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，低功耗宽电压的光耦隔离检测电路还包括电容，所述光耦的发射极连接于电容一端，所述电容另一端连接于输出端。
8.如权利要求7所述的低功耗宽电压的光耦隔离检测电路，其特征在于，所述光耦的发射极还设有接地保护。
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| CN202020752415.5U CN212229004U (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 低功耗宽电压的光耦隔离检测电路 |
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| CN202020752415.5U Active CN212229004U (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 低功耗宽电压的光耦隔离检测电路 |
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| CN (1) | CN212229004U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115395928A (zh) * | 2022-08-30 | 2022-11-25 | 迈思普电子股份有限公司 | 一种基于监控输入输出电压的信号检测电路 |
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2020
- 2020-05-08 CN CN202020752415.5U patent/CN212229004U/zh active Active
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