CN212158891U - 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备 - Google Patents

压力传感器芯片、压力传感器及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN212158891U
CN212158891U CN202020659907.XU CN202020659907U CN212158891U CN 212158891 U CN212158891 U CN 212158891U CN 202020659907 U CN202020659907 U CN 202020659907U CN 212158891 U CN212158891 U CN 212158891U
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
pressure sensor
substrate
electrodes
mounting groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN202020659907.XU
Other languages
English (en)
Inventor
李向光
方华斌
付博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd filed Critical Weifang Goertek Microelectronics Co Ltd
Priority to CN202020659907.XU priority Critical patent/CN212158891U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN212158891U publication Critical patent/CN212158891U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种压力传感器芯片、压力传感器及电子设备。其中,所述压力传感器芯片包括基底和设于所述基底表面的至少两个压力传感器单元,至少两个所述压力传感器单元沿所述基底的厚度方向层叠。本实用新型的技术方案能够增大压力测量范围。

Description

压力传感器芯片、压力传感器及电子设备
技术领域
本实用新型涉及传感器技术领域,特别涉及一种压力传感器芯片、压力传感器及电子设备。
背景技术
压力传感器广泛应用于手机和可穿戴消费类电子终端,通过探测垂直方向的高度变化来进行运动监测、室内导航或辅助气相预报等。但是,相关技术中,压力传感器通常只能测量某一有限范围的压力值,当压力较小时,无法测量其压力值;当压力较大时,会使得压力传感器满量程输出,无法测量其压力值。
上述内容仅用于辅助理解本实用新型的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是提供一种压力传感器芯片、压力传感器及电子设备,旨在增大压力测量范围。
为实现上述目的,本实用新型提出的压力传感器芯片,包括基底和设于所述基底表面的至少两个压力传感器单元,至少两个所述压力传感器单元沿所述基底的厚度方向层叠设置。
可选地,每一所述压力传感器单元均包括两个电极和一个感应膜,两个所述电极相对设置,且两个所述电极之间形成感应腔,所述感应膜设于一所述电极背向所述感应腔的表面;在设于所述基底表面的压力传感器单元中,其中未设有所述感应膜的电极设于所述基底的表面。
可选地,同一所述压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿所述基底厚度方向的投影面积相同;至少两个所述压力传感器单元之电极的投影面积沿背离所述基底的方向依次减小。
可选地,同一所述压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿所述基底厚度方向的投影面积相同;至少两个所述压力传感器单元之两所述电极的间距沿背离所述基底的方向依次减小。
可选地,所述基底朝向所述压力传感器单元的表面开设有第一安装槽,在其中的两个所述压力传感器单元中,设于所述基底表面的压力传感器单元安装于所述第一安装槽内。
可选地,定义设于所述基底表面的压力传感器单元的两个电极为第一电极和第二电极,该压力传感器单元的感应膜为第一感应膜,该压力传感器单元的感应腔为第一感应腔;
所述第一电极安装于所述第一安装槽的底壁,所述第二电极封堵所述第一安装槽的开口,并与所述第一电极和所述第一安装槽的侧壁共同围合形成所述第一感应腔,所述第一感应膜设于所述第二电极背向所述第一感应腔的表面。
可选地,所述第一电极和所述第二电极平行设置,且所述第一电极与所述第二电极的间距范围为2μm至4μm;和/或,所述第一电极和所述第二电极沿所述基底厚度方向的投影外轮廓均为长方形,所述第一电极和所述第二电极的长度范围均为800μm至1000μm,所述第一电极和所述第二电极的宽度范围均为800μm至1000μm。
可选地,所述第一感应膜背向所述第二电极的表面开设有第二安装槽,未设于所述基底表面的压力传感器单元安装于所述第二安装槽内。
可选地,定义未设于所述基底表面的压力传感器单元的两个电极为第三电极和第四电极,该压力传感器单元的感应膜为第二感应膜,该压力传感器单元的感应腔为第二感应腔;所述第三电极安装于所述第二安装槽的底壁,所述第四电极封堵所述第二安装槽的开口,并与所述第三电极和所述第二安装槽的侧壁共同围合形成所述第二感应腔,所述第二感应膜设于所述第四电极背向所述第二感应腔的表面。
可选地,所述第三电极和所述第四电极平行设置,且所述第三电极和所述第四电极的间距范围为0.15μm至0.2μm;和/或,所述第三电极和所述第四电极沿所述基底厚度方向的投影外轮廓均为长方形,所述第三电极和所述第四电极的长度范围均为400μm至600μm,所述第三电极和所述第四电极的宽度范围均为400μm至600μm。
可选地,在所述基底的厚度方向上,所述第二电极背向所述第一电极的表面与所述第三电极朝向所述第一感应膜的表面之间的距离范围为8μm至12μm;和/或,在所述基底的厚度方向上,所述第四电极背向所述第三电极的表面与所述第二感应膜背向所述第四电极的表面之间的距离范围为0.8μm至1.2μm。
可选地,所述基底为硅基底,所述基底和至少两个所述压力传感器单元为一体结构。
本实用新型还提出了一种压力传感器,所述压力传感器包括压力传感器芯片,所述压力传感器芯片包括基底和设于所述基底表面的至少两个压力传感器单元,至少两个所述压力传感器单元沿所述基底的厚度方向层叠设置。
本实用新型还提出了一种电子设备,所述电子设备包括压力传感器,所述压力传感器包括压力传感器芯片,所述压力传感器芯片包括基底和设于所述基底表面的至少两个压力传感器单元,至少两个所述压力传感器单元沿所述基底的厚度方向层叠设置。
本实用新型的技术方案,通过将至少两个压力传感器单元沿基底的厚度方向层叠设置在基底的表面,得到压力传感器芯片。这样在测量外界压力时,由于位于不同厚度的压力传感器单元的灵敏度不同,则可以用来测量不同量程范围的压力值,如此增大了压力测量范围,扩大了其适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型压力传感器芯片一实施例的剖视结构示意图;
图2为图1中基底的剖视结构示意图;
图3为图1中基底与一个压力传感器单元装配后的剖视结构示意图。
附图标号说明:
标号 名称 标号 名称
100 压力传感器芯片 231 第二安装槽
10 基底 24 第一感应腔
11 第一安装槽 30 第二压力传感器单元
20 第一压力传感器单元 31 第三电极
21 第一电极 32 第四电极
22 第二电极 33 第二感应膜
23 第一感应膜 34 第二感应腔
本实用新型目的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定”等应做广义理解,例如,“固定”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
另外,本实用新型各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
本实用新型提出一种压力传感器芯片100,应用于压力传感器,这里压力传感器可以为气压传感器和液压传感器,相应地,压力传感器芯片100为气压传感器芯片和液压传感器芯片。
请参阅图1,在本实用新型压力传感器芯片100一实施例中,压力传感器芯片100包括基底10和设于基底10的表面的至少两个压力传感器单元,至少两个压力传感器单元沿基底10的厚度方向层叠设置。
基底10的厚度方向即为图1中的上下方向,下面以此进行描述说明。
这里压力传感器单元为两个或两个以上,其中的至少两个压力传感器单元沿基底10的厚度方向层叠设置,这样在进行测量外界压力时,由于位于不同厚度的压力传感器单元的灵敏度不同,则其测量压力的量程不同,可以用来测量不同范围的压力,增大了压力测量范围,从而扩大了适用范围。通常情况下,上面的压力传感器单元用来检测压力变化范围较小的压力值,下面的压力传感器用来检测压力变化范围较大的压力值。当然地,多个压力传感器单元中,除了至少两个压力传感器单元上下层叠设置外,也可以有至少两个压力传感器单元位于同一厚度,均在本实用新型的保护范围之内。
因此,可以理解的,本实用新型的技术方案,通过将至少两个压力传感器单元沿基底10的厚度方向层叠设置在基底10的表面,得到压力传感器芯片100。这样在测量外界压力时,由于位于不同厚度的压力传感器单元的灵敏度不同,则可以用来测量不同量程范围的压力值,如此增大了压力测量范围,扩大了其适用范围。
请再次参阅图1,每一压力传感器单元均包括两个电极和一个感应膜,两个电极相对设置,且两个电极之间形成感应腔,感应膜设于一电极背向感应腔的表面;在设于基底10表面的压力传感器单元中,其中未设有感应膜的电极设于基底10的表面。
具体地,每一压力传感器单元均为电容器结构,即包括两个相对的电极和感应膜,一个电极为可移动电极,另外一个为固定电极,并且二者围合形成感应腔,感应腔即为真空腔,感应膜设于可移动电极的表面。层叠设置的多个压力传感器单元中,最下面的压力传感器单元设于基底10的表面,且最下面的压力传感器单元中的固定电极设于基底10的表面。这样在进行测量压力时,外界压力首先作用在最上面的压力传感器单元上,由于内外压力差的作用下,最上面的压力传感器单元中的感应膜和可移动电极会发生变形,改变与相对固定电极之间的距离,进而改变其电容值,这样可以根据检测的电容值变化来获取得到外界压力值。随着外界压力的增大,最上面的压力传感器单元中两个电极相接触,此时,可由下面的压力传感器单元进行压力测试。下面压力传感器单元的作用原理与最上面的压力传感器单元的作用原理相同。
可选地,同一压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿基底10厚度方向的投影面积相同;至少两个压力传感器单元之电极的投影面积沿背离基底10的方向依次减小。
对于同一个压力传感器单元,其中的两个电极相互平行,且沿上下方向的投影面积相同,也即两个电极尺寸相同。而对于不同的压力传感器单元,由下往上,其电极的投影面积呈现依次减小的趋势,这样可以有效地实现增大压力测量范围的效果。
可选地,同一所述压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿基底10厚度方向的投影面积相同;至少两个压力传感器单元之两电极的间距沿背离所述基底10的方向依次减小。
当然地,对于不同的压力传感器单元,由下往上,两电极之间的间距也呈现依次减小的趋势,同样也可以有效地实现增大压力测量范围的效果。
请参阅图1至图3,基底10朝向压力传感器单元的表面开设有第一安装槽11,在其中的两个压力传感器单元中,设于基底10表面的压力传感器单元安装于第一安装槽11内。
本实施中,压力传感器单元设置有两个,以下描述可以针对具有两个压力传感器单元的结构进行。
基底10的上表面开设有第一安装槽11,第一安装槽11一般为方形槽,在其中的两个压力传感器单元中,最下面的压力传感器单元安装于该第一安装槽11内。
定义设于基底10表面的压力传感器单元的两个电极为第一电极21和第二电极22,该压力传感器单元的感应膜为第一感应膜23,该压力传感器单元的感应腔为第一感应腔24;第一电极21安装于第一安装槽11的底壁,第二电极22封堵第一安装槽11的开口,并与第一电极21和第一安装槽11的侧壁共同围合形成第一感应腔24,第一感应膜23设于第二电极22背向第一感应腔24的表面。
这里可以定义最下面的压力传感器单元为第一压力传感器单元20,其中的两个电极为第一电极21和第二电极22,感应膜为第一感应膜23,感应腔为第一感应腔24。第一电极21设置于第一安装槽11的底壁,第二电极22封堵第一安装槽11的开口,这样第一电极21、第二电极22及第一安装槽11的侧壁便共同围合形成了第一感应腔24。第一感应膜23感应膜设于第二电极22的上表面,可以与基底10表面相连接,也可以与基底10表面断开。
可选地,第一感应膜23与基底10表面相连接,这样可以保证第一感应膜23的稳固性,进而保证第一压力传感器单元20的稳固性,保证其压力测量过程的稳定性和可靠性。
需要说明的是,一般地,基底10和第一压力传感器单元20由以下制作工艺步骤制作得到:首先提供一个基板,刻蚀基板的一表面,得到具有第一安装槽11的基底10;然后在第一安装槽11的底壁面沉积一层掺杂导电粒子,形成第一电极21。接着在弹性材质板的表面刻蚀并沉积一层掺杂导电粒子,形成第二电极22,一般地,第一电极21和第二电极22的尺寸相同。之后将基板和弹性材质板进行阳极键合,使得第二电极22封堵第一安装槽11的开口,这样便制作得到了第一压力传感器单元20。这里基板和弹性材质板可以为相同材质,比如硅材质,而且二者通常均为晶圆级,有利于压力传感器单元的微型化,从而有利于气压传感器芯片的微型化。
可选地,第一电极21和第二电极22平行设置,且第一电极21与第二电极22的间距范围为2μm至4μm。比如,第一电极21与第二电极22的间距为2μm、3μm或4μm。
可选地,第一电极21和第二电极22沿基底10厚度方向的投影外轮廓均为长方形,第一电极21和第二电极22的长度范围均为800μm至1000μm,第一电极21和第二电极22的宽度范围均为800μm至1000μm。
第一电极21和第二电极22的尺寸相同,二者长度均在800μm至1000μm范围内,且二者宽度也均在800μm至1000μm范围内。
进一步地,请再次参阅图1和图3,第一感应膜23背向第二电极22的表面开设有第二安装槽231,未设于基底10表面的压力传感器单元安装于第二安装槽231内。
这里第一感应膜23的上表面开设有第二安装槽231,第二安装槽231一般为方形槽,在其中的两个压力传感器单元中,上面的压力传感器单元安装于该第二安装槽231内。
定义未设于基底10表面的压力传感器单元的两个电极为第三电极31和第四电极32,感应膜为第二感应膜33,感应腔为第二感应腔34;第三电极31安装于第二安装槽231的底壁,第四电极32封堵第二安装槽231的开口,并与第三电极31和第二安装槽231的侧壁共同围合形成第二感应腔34,第二感应膜33设于第四电极32背向第二感应腔34的表面。
这里可以定义上面的压力传感器单元为第二压力传感器单元30,其中的两个电极为第三电极31和第四电极32,该压力传感器单元的感应膜为第二感应膜33,该压力传感器单元的感应腔为第二感应腔34。第三电极31设置于第二安装槽231的底壁,第四电极32封堵第二安装槽231的开口,这样第三电极31、第四电极32及第二安装槽231的侧壁便共同围合形成了第二感应腔34。第二感应膜33设置于第四电极32的上表面,可以与第一感应膜23相连接,也可与第一感应膜23断开设置。
可选地,第二感应膜33与第一感应膜23相连接,这样可以保证第二压力传感器单元30的稳固性,保证其压力测量过程的稳定性和可靠性。
通常情况下,第二压力传感器单元30可以由以下制作工艺步骤制作得到:首先对弹性材质板背向第二电极22的表面进行研磨蚀刻,得到第二安装槽231,在第二安装槽231的底壁面沉积一层掺杂导电粒子,形成第三电极31;接着在另一弹性材质板的表面刻蚀并沉积一层掺杂导电粒子,形成第四电极32,一般地,第三电极31和第四电极32的尺寸相同。之后将两个弹性材质板进行阳极键合,使得第四电极32封堵第二安装槽231的开口,这样便制作得到了第二压力传感器单元30。这里弹性材质板也为晶圆级,这样有利于压力传感器单元的微型化,从而有利于压力传感器芯片的微型化。
可以理解的,当外界低压作用于第二感应膜33的表面时,第二感应膜33和第四电极32发生形变,并朝向第三电极31移动,改变第四电极32与第三电极31的距离,进而改变其电容值,这样可以根据检测第二压力传感器单元30的电容值变化来获取外界压力值。随着外界压力的增大,第四电极32与第三电极31接触,进而第一感应膜23和第二电极22发生形变,并朝向第一电极21移动,改变第二电极22与第一电极21的距离,进而改变其电容值,这样可以根据检测第一压力传感器单元20的电容值变化来获取外界压力值,进而增大了压力测量的范围。
需要说明的是,第一压力传感器单元20设置于下面,灵敏度低,可用来检测高压环境的压力值,比如水中的压力值;第二压力传感器单元30设置于上面,灵敏度高,用来检测低压环境的压力值,比如大气环境中的压力值。
可选地,第三电极31和第四电极32平行设置,且第三电极31和第四电极32的间距范围为0.15μm至0.2μm。比如第三电极31和第四电极32的间距为0.15μm、0.18μm或0.2μm。
可选地,第三电极31和第四电极32沿基底10厚度方向的投影外轮廓均为长方形,第三电极31和第四电极32的长度范围均为400μm至600μm,第三电极31和第四电极32的宽度范围均为400μm至600μm。
这里第三电极31和第四电极32的尺寸相同,二者的长度均在400μm至600μm范围内,且二者的宽度也均在400μm至600μm范围内。需要说明的是,第三电极31的尺寸比第一电极21的尺寸要小。
可选地,在基底10的厚度方向上,第二电极22背向第一电极21的表面与第三电极31朝向第一感应膜23的表面之间的距离范围为8μm至12μm。这里第二电极22的上表面与第三电极31的下表面之间的距离可以为8μm、9μm、10μm、11μm或12μm。
可选地,在基底10的厚度方向上,第四电极32背向第三电极31的表面与第二感应膜33背向第四电极32的表面之间的距离范围为0.8μm至1.2μm。这里第四电极32的上表面与第二感应膜33的上表面之间的距离可以为0.8μm、0.9μm、1μm、1.1μm或12μm。
可选地,基底10为硅基底,基底10和至少两个压力传感器单元为一体结构。这里基底10采用硅基底10具有一定的弹性,压力传感器单元中的感应膜也可以采用硅基底10,这里基底10和至少两个压力传感器单元可通过阳极键合工艺制作成一体结构,这样可以保证每一个压力传感器单元的安装稳固性,进而保证压力传感器芯片100的整体稳固性,从而提高其测量压力过程的可靠性和稳定性。
本实用新型还提出一种压力传感器,所述压力传感器包括如前所述的压力传感器芯片100,该压力传感器芯片100的具体结构参照前述实施例。由于压力传感器采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
一般地,压力传感器还包括线路板和集成电路芯片,压力传感器与集成电路芯片和线路板电性连接,可以是压力传感器与集成电路芯片均采用芯片胶贴装在线路板的表面,并通过引线连接实现其电性连接;也或者是,集成电路芯片埋入线路板内设置,压力传感器芯片100采用芯片胶贴装在线路板的表面,通过引线和线路板内的金属走线来实现其电性连接;也或者是其他合理的方式来实现其电性连接,在此不作限制。当然地,压力传感器还包括罩壳或模套,当包括罩壳时,罩壳贴装于线路板的表面并围合形成容置腔,压力传感器和集成电路芯片均位于该容置腔内;当包括模套时,模套封装在线路板的表面并封装固定压力传感器和集成电路芯片。
本实用新型还提出一种电子设备,所述电子设备包括如前所述的压力传感器,该压力传感器的具体结构参照前述实施例。由于电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
这里电子设备可以为手机、手表、耳机、手环等,电子设备一般包括壳体,压力传感器通常安装于壳体内,其安装方式可以是胶接、卡扣连接或其他合理且有效的安装方式。当然地,电子产品内还可以包括其他传感器,比如温度传感器、湿度传感器或麦克风传感器,这样可以实现更多的功能。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的发明构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (14)

1.一种压力传感器芯片,其特征在于,所述压力传感器芯片包括基底和设于所述基底表面的至少两个压力传感器单元,至少两个所述压力传感器单元沿所述基底的厚度方向层叠设置。
2.如权利要求1所述的压力传感器芯片,其特征在于,每一所述压力传感器单元均包括两个电极和一个感应膜,两个所述电极相对设置,且两个所述电极之间形成感应腔,所述感应膜设于一所述电极背向所述感应腔的表面;
在设于所述基底表面的压力传感器单元中,其中未设有所述感应膜的电极设于所述基底的表面。
3.如权利要求2所述的压力传感器芯片,其特征在于,同一所述压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿所述基底厚度方向的投影面积相同;
至少两个所述压力传感器单元之电极的投影面积沿背离所述基底的方向依次减小。
4.如权利要求2所述的压力传感器芯片,其特征在于,同一所述压力传感器单元的两个电极平行设置,且二者沿所述基底厚度方向的投影面积相同;
至少两个所述压力传感器单元之两所述电极的间距沿背离所述基底的方向依次减小。
5.如权利要求2至4中任一项所述的压力传感器芯片,其特征在于,所述基底朝向所述压力传感器单元的表面开设有第一安装槽,在其中的两个所述压力传感器单元中,设于所述基底表面的压力传感器单元安装于所述第一安装槽内。
6.如权利要求5所述的压力传感器芯片,其特征在于,定义设于所述基底表面的压力传感器单元的两个电极为第一电极和第二电极,该压力传感单元的感应膜为第一感应膜,该压力传感单元的感应腔为第一感应腔;
所述第一电极安装于所述第一安装槽的底壁,所述第二电极封堵所述第一安装槽的开口,并与所述第一电极和所述第一安装槽的侧壁共同围合形成所述第一感应腔,所述第一感应膜设于所述第二电极背向所述第一感应腔的表面。
7.如权利要求6所述的压力传感器芯片,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极平行设置,且所述第一电极与所述第二电极的间距范围为2μm至4μm;和/或,
所述第一电极和所述第二电极沿所述基底厚度方向的投影外轮廓均为长方形,所述第一电极和所述第二电极的长度范围均为800μm至1000μm,所述第一电极和所述第二电极的宽度范围均为800μm至1000μm。
8.如权利要求6所述的压力传感器芯片,其特征在于,所述第一感应膜背向所述第二电极的表面开设有第二安装槽,未设于所述基底表面的压力传感器单元安装于所述第二安装槽内。
9.如权利要求8所述的压力传感器芯片,其特征在于,定义未设于所述基底表面的压力传感器单元的两个电极为第三电极和第四电极,该压力传感器单元的感应膜为第二感应膜,该压力传感器单元的感应腔为第二感应腔;
所述第三电极安装于所述第二安装槽的底壁,所述第四电极封堵所述第二安装槽的开口,并与所述第三电极和所述第二安装槽的侧壁共同围合形成所述第二感应腔,所述第二感应膜设于所述第四电极背向所述第二感应腔的表面。
10.如权利要求9所述的压力传感器芯片,其特征在于,所述第三电极和所述第四电极平行设置,且所述第三电极和所述第四电极的间距范围为0.15μm至0.2μm;和/或,
所述第三电极和所述第四电极沿所述基底厚度方向的投影外轮廓均为长方形,所述第三电极和所述第四电极的长度范围均为400μm至600μm,所述第三电极和所述第四电极的宽度范围均为400μm至600μm。
11.如权利要求9所述的压力传感器芯片,其特征在于,在所述基底的厚度方向上,所述第二电极背向所述第一电极的表面与所述第三电极朝向所述第一感应膜的表面之间的距离范围为8μm至12μm;和/或,
在所述基底的厚度方向上,所述第四电极背向所述第三电极的表面与所述第二感应膜背向所述第四电极的表面之间的距离范围为0.8μm至1.2μm。
12.如权利要求1至4任一项所述的压力传感器芯片,其特征在于,所述基底为硅基底,所述基底和至少两个所述压力传感器单元为一体结构。
13.一种压力传感器,其特征在于,所述压力传感器包括如权利要求1至12中任一项所述压力传感器芯片。
14.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求13所述的压力传感器。
CN202020659907.XU 2020-04-26 2020-04-26 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备 Expired - Fee Related CN212158891U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020659907.XU CN212158891U (zh) 2020-04-26 2020-04-26 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202020659907.XU CN212158891U (zh) 2020-04-26 2020-04-26 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN212158891U true CN212158891U (zh) 2020-12-15

Family

ID=73724180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202020659907.XU Expired - Fee Related CN212158891U (zh) 2020-04-26 2020-04-26 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN212158891U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114323408A (zh) * 2021-11-15 2022-04-12 歌尔微电子股份有限公司 多量程多灵敏度压力mems芯片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114323408A (zh) * 2021-11-15 2022-04-12 歌尔微电子股份有限公司 多量程多灵敏度压力mems芯片

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5483834A (en) Suspended diaphragm pressure sensor
US7051595B2 (en) Monolithic multi-functional integrated sensor and method for fabricating the same
KR101975131B1 (ko) Mems 압력 센서, mems 관성 센서 집적 구조
US10349187B2 (en) Acoustic sensor integrated MEMS microphone structure and fabrication method thereof
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
TWI648527B (zh) 改良的壓力感測器結構
KR20180080705A (ko) 풍속계를 위한 시스템 및 방법
EP1359402A1 (en) Pressure sensor
US7114397B2 (en) Microelectromechanical system pressure sensor and method for making and using
US9790086B2 (en) Micromechanical semiconductor sensing device
CN106535071B (zh) Mems麦克风与环境传感器的集成装置及其制造方法
WO2003095963A2 (en) Barometric pressure sensor
JPH0381635A (ja) 線形応答性を有する容量型センサ及び線形応答性を得るための方法
CN111982383B (zh) 一种差压接触式mems电容薄膜真空规
US20160209344A1 (en) Complex sensor and method of manufacturing the same
US20190242772A1 (en) Mems pressure sensor with multiple sensitivity and small dimensions
CN112763129A (zh) 一种绝压接触式mems电容薄膜真空计
CN212158891U (zh) 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备
US20140131821A1 (en) Pressure sensing device having contacts opposite a membrane
CN217520622U (zh) 竖置极板电容式敏感芯片结构
JPH07174652A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法並びに圧力検出方法
CN213924036U (zh) 新型mems芯片结构和电子设备
JP4540775B2 (ja) サーボ式静電容量型真空センサ
JP3172953B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
RU207048U1 (ru) Тепловой датчик давления

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20201215

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee