CN212064011U - 电口模块 - Google Patents

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杨德瑞
鲁光辉
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Abstract

本实用新型涉及电子电路,公开了一种电口模块。所述电口模块包括金手指接口模块、物理层收发模块及以太网接口模块;金手指接口模块接收上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将以太网电信号发送至物理层收发模块;物理层收发模块根据以太网电信号确定电口模块支持的最高连接速率信号,并将最高连接速率信号输出至以太网接口模块;以太网接口模块输出最高连接速率信号至待连接设备,以使待连接设备通过最高连接速率信号与上位机连接。通过电口模块中的物理层收发模块能支持不同速率实现待连接设备通过最高连接速率信号与上位机连接,使电口模块应用范围更广,解决了现有电口模块仅支持低速应用,无法满足更高速率的技术问题。

Description

电口模块
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种电口模块。
背景技术
目前,大多数数据中心内设备间的链路距离在10m到100m之间,使用SFP+电口模块能弥补这区间的不足。电口是服务器和网络中对RJ45等各种双绞线接口的统称,主要指铜缆,包括普通的网线和射频同轴电缆,是处理电信号的。由于这些端口都使用电作为信息的承载介质,故统称为电口。使用普遍的网络接口有百兆电口和千兆电口等。因为SFP+电口模块采用RJ45接口,通常与超六类或七类网线一起使用,而铜缆布线比光缆布线的成本低。SFP+电口模块可以直接用在现有的铜缆布线系统中实现10G传输,而使用SFP+光模块则需要用光缆进行布线,会增加部署成本。IEEE 802.3、NBASE-T和MGBASE-T是指着手在双绞线以太网上实现2.5Gbit/s和5Gbit/s传输速度的标准。这将在千兆以太网与万兆以太网两个现有标准下的创建一种中间速度。由此产生的标准被命名为2.5GBASE-T和5GBASE-T。
传统电口模块仅支持10M/100M/1000M低速应用,随着数据业务增多,在10G光模块普及的情况下,对10G电口模块的需求逐渐增多,但10G电口模块需要采用7类或者超6类双绞线传输信号,成本高制线难度大,且现有固定布线系统多为5类线不支持10G速率,为此行业联盟推动制定2.5G和5G的以太网速率标准,通过减少原始信号速率到1/4或1/2,传输速率分别下降到2.5或5Gbit/s,信号的带宽也相对减少,降低了布线的要求,以便2.5GBASE-T和5GBASE-T可以分别部署在长度为100米的超5类线和6类线非屏蔽双绞线上,因此可以运用现有超5类线布线系统来支持更多的无线设备和应用,比如通过Wi-Fi进行视频流传输等。但是2.5GBASE-T和5GBASE-T速率规范在光模块中并不存在,属于针对电口模块定制的速率规范,行业内缺少支持此标准的电口模块。
上述内容仅用于辅助理解本实用新型的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提出一种电口模块,旨在解决现有电口模块仅支持低速应用,无法满足更高速率的技术问题。
为实现上述目的,本实用新型提出一种电口模块,所述电口模块包括金手指接口模块、物理层收发模块以及以太网接口模块,所述金手指接口模块与上位机连接,所述金手指接口模块与所述物理层收发模块连接,所述物理层收发模块与所述以太网接口模块连接;其中,
所述金手指接口模块,用于接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块;
所述物理层收发模块,用于根据所述以太网电信号确定所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块;
所述以太网接口模块,用于输出所述最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接。
可选地,所述物理层收发模块包括物理层收发芯片,所述物理层收发芯片与所述金手指接口模块连接,所述物理层收发芯片与所述以太网接口模块连接;其中,
所述物理层收发芯片,用于接收所述金手指接口模块传输的以太网电信号;
所述物理层收发芯片,用于对所述以太网电信号进行解码,获得所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块。
可选地,所述物理层收发模块还包括微处理器,所述微处理器与所述金手指接口模块连接,所述微处理器与所述物理层收发芯片连接;
所述微处理器,用于通过所述金手指接口模块接收所述上位机下发的调整信号;
所述微处理器,还用于根据所述调整信号对所述物理层收发芯片的配置参数进行调整。
可选地,所述物理层收发模块还包括时钟电路,所述时钟电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述时钟电路,用于为所述物理层收发芯片提供外部同步时钟。
可选地,所述时钟电路包括晶振、第一电容以及第二电容;其中,
所述第一电容的第一端与所述物理层收发芯片连接,所述第一电容的第二端接地,所述第二电容的第一端与所述物理层收发芯片连接,所述第二电容的第二端接地,所述晶振的第一端与所述第一电容的第一端连接,所述晶振的第二端与所述第二电容的第一端连接。
可选地,所述物理层收发模块还包括上电缓启动电路,所述上电缓启动电路与所述金手指接口模块连接,所述上电缓启动电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述上电缓启动电路,用于在所述金手指接口模块热插拔时,避免所述电口模块被浪涌损伤。
可选地,所述上电缓启动电路包括第一MOS管;其中,
所述第一MOS管的源极与所述金手指接口模块连接,所述第一MOS管的漏极与所述物理层收发芯片连接,所述第一MOS管的栅极与所述物理层收发芯片连接
可选地,所述物理层收发模块还包括直流转换电路,所述直流转换电路与所述金手指接口模块连接,所述直流转换电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述直流转换电路,用于在所述电口模块上电后,接收所述金手指接口模块输入的外部电压,并对所述外部电压进行电压转换,输出若干工作电压至所述物理层收发芯片。
可选地,所述直流转换电路包括直流转换器;其中,
所述金手指接口模块与所述直流转换器的输入端连接,所述直流转换器的输出端与所述物理层收发芯片连接。
可选地,所述以太网接口模块包括以太网变压器以及RJ45接口,所述以太网变压器分别与所述物理层收发模块以及所述RJ45接口连接,所述RJ45接口与所述待连接设备连接;其中,
所述以太网变压器,用于接收所述最高连接速率信号并放大所述最高连接速率信号,获得放大最高连接速率信号;
所述RJ45接口,用于输出所述放大最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述放大最高连接速率信号与所述上位机连接。
本实用新型技术方案提出一种电口模块,所述电口模块包括金手指接口模块、物理层收发模块以及以太网接口模块,所述金手指接口模块与上位机连接,所述金手指接口模块与所述物理层收发模块连接,所述物理层收发模块与所述以太网接口模块连接;其中,所述金手指接口模块,用于接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块;所述物理层收发模块,用于根据所述以太网电信号确定所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块;所述以太网接口模块,用于输出所述最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接。通过所述电口模块中的所述物理层收发模块实现待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接,所述物理层收发模块能支持不同速率,使所述电口模块应用范围更广,解决了现有电口模块仅支持低速应用,无法满足更高速率的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本实用新型电口模块一实施例的功能模块图;
图2为本实用新型电口模块一实施例的电路结构示意图;
图3为本实用新型电口模块一实施例的物理层外围电路结构示意图;
图4为本实用新型电口模块一实施例的时钟电路结构示意图;
图5为本实用新型电口模块一实施例的上电缓启动电路结构示意图;
图6为本实用新型电口模块一实施例的直流转换电路结构示意图。
附图标号说明:
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
本实用新型提出一种电口模块。
参照图1,在本实用新型实施例中,所述电口模块包括金手指接口模块100、物理层收发模块200以及以太网接口模块300,所述金手指接口模块100与上位机连接,所述金手指接口模块100与所述物理层收发模块200连接,所述物理层收发模块200与所述以太网接口模块300连接;其中,
所述金手指接口模块100,用于接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块200。本实施例中,金手指,指的是插槽插口的接触部分,该接触部分存在排列的金黄色金属接口,该接触部分因为要提高接触面的导电性,一般用铜合金或者用黄金合金制成获得金黄色金属接口,金黄色金属接口极大的提高导电性能,所以称为金手指。所述金手指接口模块100为所述电口模块上的金黄色金属接口,金黄色金属接口用于所述金手指接口模块100与上位机连接。所述金手指接口模块100接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块200,其中,不同速率的以太网电信号可以包括10M、100M、1000M、10G和以太网新增速率标准2.5GBASE-T以及5GBASE-T。
所述物理层收发模块200,用于根据所述以太网电信号确定所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块300。本实施例中,所述物理层收发模块200可以包括微处理器以及物理层收发芯片,所述物理层收发模块200还可以包括物理层外围电路,所述物理层外围电路包括物理层编码子层、物理层介质连接设备、双绞线物理媒介相关子层、双绞线媒介访问单元;所述物理层收发模块200是所述电口模块数据交换的主体部分,通过所述电口模块的所述金手指接口模块100和上位机以太网MAC进行通信,并进行数据串并转换和编解码操作,所述物理层收发模块200再通过所述以太网接口模块300中的RJ45接口将数据送到网线传输。
具体地,所述电口模块支持自动协商功能,所述电口模块接入上位机以太网MAC和待连接设备的时候,所述物理层收发模块200中的物理层收发芯片可以不断发出脉冲信号,根据该脉冲信号检测对端是否有待连接设备,上位机以太网MAC通过所述电口模块与待连接设备通过标准的“语言”交流,显示出所述电口模块目前的连接状态和工作状态,互相协商并确定连接速率、双工模式以及是否采用流控等,协商结果是上位机以太网MAC与待连接设备能同时支持的最高连接速率信号和最好的双工模式。
所述以太网接口模块300,用于输出所述最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接。本实施例中,所述电口模块可以向下兼容最低10M速率的10G SFP+电口模块,所述电口模块的封装类型可以与千兆SFP电口模块兼容,在支持10G速率的待连接设备上所述电口模块与同类型电口模块互连可以实现10G速率传输,所述电口模块与低速千兆SFP电口模块互连可以实现10M/100M/1000M速率传输,在支持2.5GBASE-T和5GBASE-T标准的待连接设备上可以实现2.5G和5G速率传输。本实施例中所述电口模块体积小,功耗低,支持不同速率规范,应用范围广,使用灵活。
需要说明的是,所述电口模块支持多速率以太网传输,所述电口模块采用SFP+封装,所述电口模块可以支持10M、100M、1000M和10G传统以太网速率,还可以支持以太网新增速率标准2.5GBASE-T和5GBASE-T,实现2.5G和5G速率下以太网传输,所述电口模块配合不同标准的双绞线可以实现不同速率下30m~100m的传输距离。例如,2.5GBASE-T和5GBASE-T可以分别部署在长度为100米的Cat 5e和Cat 6非屏蔽双绞线上,其中,Cat 5e为超5类线,超五类网线有非屏蔽双绞线UTP和屏蔽双绞线STP。Cat 6为六类线,六类线的传输频率为1MHz~250MHz,六类布线系统在200MHz时综合衰减串扰比应该有较大的余量,六类布线系统提供2倍于五类线的带宽,五类线为100M、超五类线为155M、六类线为200M。在短距离传输中五类线、超五类线、六类线都可以达到1Gbps,六类布线系统的传输性能高于五类线、超五类线标准,适用于传输速率高于1Gbps的待连接设备或应用。
易于理解的是,所述物理层收发模块200还可以包括微处理器,所述电口模块通过微处理器还可以支持数字诊断监控即DDM检测功能,方便了解所述电口模块的工作状态,上位机以太网MAC可以通过I2C总线与微处理器连接,通过微处理器对所述物理层收发模块200中的物理层收发芯片进行在线配置调节,调整所述电口模块的工作状态,以适应不同网络环境。
本实施例提出一种电口模块,所述电口模块包括金手指接口模块100、物理层收发模块200以及以太网接口模块300,所述金手指接口模块100与上位机连接,所述金手指接口模块100与所述物理层收发模块200连接,所述物理层收发模块200与所述以太网接口模块300连接;其中,所述金手指接口模块100,用于接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块200;所述物理层收发模块200,用于根据所述以太网电信号确定所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块300;所述以太网接口模块300,用于输出所述最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接。通过所述电口模块中的所述物理层收发模块200实现待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接,所述物理层收发模块200能支持不同速率,使所述电口模块应用范围更广,解决了现有电口模块仅支持低速应用,无法满足更高速率的技术问题。
进一步地,参照图2,所述物理层收发模块200包括物理层收发芯片U1,所述物理层收发芯片U1与所述金手指接口模块100连接,所述物理层收发芯片U1与所述以太网接口模块300连接;其中,
所述物理层收发芯片U1,用于接收所述金手指接口模块100传输的以太网电信号;
所述物理层收发芯片U1,用于对所述以太网电信号进行解码,获得所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块300。
需要说明的是,所述物理层收发芯片U1可以包括媒体独立接口MII和串行网络接口SNI,所述微处理器MCU包括双线串行接口MDIO和联合测试工作组接口JTAG,所述金手指接口模块100包括I2C总线接口I2C;其中,所述微处理器MCU的双线串行接口MDIO与所述物理层收发芯片U1的媒体独立接口MII连接,所述微处理器MCU的联合测试工作组接口JTAG与所述金手指接口模块100的I2C总线接口I2C连接,所述物理层收发芯片U1的串行网络接口SNI与所述金手指接口模块100连接。
需要说明的是,所述物理层收发芯片U1可以为PHY芯片(Port Physical Layer,PHY),PHY芯片可称之为端口物理层,是对OSI模型物理层的共同简称。PHY芯片连接一个数据链路层的设备(例如上位机以太网MAC)到一个物理媒介,如光纤或铜缆线,本实施例中可以为铜缆线。
进一步地,参照图2,所述物理层收发模块还包括微处理器MCU,所述微处理器MCU与所述金手指接口模块100连接,所述微处理器MCU与所述物理层收发芯片U1连接;
所述微处理器MCU,用于通过所述金手指接口模块100接收所述上位机下发的调整信号;
所述微处理器MCU,还用于根据所述调整信号对所述物理层收发芯片U1的配置参数进行调整。
易于理解的是,所述物理层收发模块200还可以包括微处理器MCU,所述电口模块通过所述微处理器MCU还可以支持DDM检测功能即数字诊断监控功能,方便了解所述电口模块的工作状态,上位机以太网MAC可以通过I2C总线与所述微处理器MCU连接,通过所述微处理器MCU对所述物理层收发模块200中的物理层收发芯片U1进行在线配置调节,调整所述电口模块的工作状态,以适应不同网络环境。具体地,所述微处理器MCU可以通过双线串行接口MDIO接口读取所述物理层收发芯片U1的寄存器数据。
需要说明的是,参照图2和图3,所述物理层收发模块200还可以包括物理层外围电路201,所述物理层外围电路201包括物理层编码子层2011、物理层介质连接设备2012、双绞线物理媒介相关子层2013、双绞线媒介访问单元2014;其中,所述物理层编码子层2011与所述物理层收发芯片U1连接,所述物理层介质连接设备2012与所述物理层编码子层2011连接,所述双绞线物理媒介相关子层2013与所述物理层收发芯片U1连接,所述双绞线媒介访问单元2014与所述双绞线物理媒介相关子层2013连接。
易于理解的是,所述物理层收发模块200还包括物理层外围电路201,所述物理层外围电路201为物理层收发芯片U1的外围电路,所述物理层收发芯片U1可以为PHY芯片,典型的PHY芯片可以包括物理编码子层和物理介质相关子层,物理编码子层对被发送和接受的信息编码和解码。
具体地,物理层收发芯片U1的型号可以为RTL8201CP,RTL8201CP是一个单端口的物理层收发器,具有一个媒体独立接口MII和串行网络接口SNI,通过网络变压器YL18-2050S或YT37-1107S接RJ45,来实现全部的10/100M以太网物理层功能,RTL8201CP的外围电路可以包括物理层编码子层、物理层介质连接设备、双绞线物理媒介相关子层、10Base-Tx编解码和双绞线媒介访问单元。物理层编码子层与物理层介质连接设备连接,双绞线物理媒介相关子层与10Base-Tx编解码和双绞线媒介访问单元连接。所述双绞线媒介访问单元2014可以为10Base-Tx编解码和双绞线媒介访问单元。
需要说明的是,参照图2,所述物理层收发模块200还可以包括SPI非易失性存储器SPI FLASH,所述SPI非易失性存储器SPI FLASH与所述物理层收发芯片U1连接,所述SPI非易失性存储器SPI FLASH存储有所述物理层收发芯片U1的初始配置参数;其中,所述SPI非易失性存储器SPI FLASH,用于在所述电口模块上电后,根据所述初始配置参数对所述物理层收发芯片U1进行配置。所述SPI非易失性存储器SPI FLASH存储有所述物理层收发芯片U1的初始配置参数,在所述电口模块上电后,所述SPI非易失性存储器SPI FLASH通过SPI接口对所述物理层收发芯片U1进行配置,实现数据传输功能。
进一步地,参照图2,所述物理层收发模块200包括时钟电路202,所述时钟电路202与所述物理层收发芯片U1连接;其中,
所述时钟电路202,用于为所述物理层收发芯片U1提供外部同步时钟。
易于理解的是,所述时钟电路202可以包括晶振X、第一电容C1以及第二电容C2,所述时钟电路202还可以为其他晶振电路,本实施例对此不加以限制。
进一步地,参照图4,所述时钟电路202包括晶振X、第一电容C1以及第二电容C2;其中,
所述第一电容C1的第一端与所述物理层收发芯片U1连接,所述第一电容C1的第二端接地,所述第二电容C2的第一端与所述物理层收发芯片U1连接,所述第二电容C2的第二端接地,所述晶振X的第一端与所述第一电容C1的第一端连接,所述晶振X的第二端与所述第二电容C2的第一端连接。
需要说明的是,所述晶振X、所述第一电容C1以及所述第二电容C2构成时钟电路,为所述物理层收发芯片U1提供外部同步时钟频率,保证所述物理层收发芯片U1正常工作。
进一步地,参照图2和图5,所述物理层收发模块200还包括上电缓启动电路2031,所述上电缓启动电路2031与所述金手指接口模块100连接,所述上电缓启动电路2031与所述物理层收发芯片U1连接;其中,
所述上电缓启动电路2031,用于在所述金手指接口模块100热插拔时,避免所述电口模块被浪涌损伤。
需要说明的是,参照图2和图5,所述物理层收发模块200还包括所述电源管理模块203,所述电源管理模块203可以包括上电缓启动电路2031,上电缓启动电路2031保护所述电口模块免于被金手指接口模块100热插拔时浪涌损伤所述电口模块的元件。
进一步地,参照图5,所述上电缓启动电路2031包括第一MOS管Q1;其中,
所述第一MOS管Q1的源极与所述金手指接口模块100连接,所述第一MOS管Q1的漏极与所述物理层收发芯片U1连接,所述第一MOS管Q1的栅极与所述物理层收发芯片U1连接。
需要说明的是,所述上电缓启动电路2031可以通过MOS管实现,所述上电缓启动电路2031还可以包括其他元件,本实施例对此不加以限制。
进一步地,参照图2和图6,所述物理层收发模块200还包括所述直流转换电路2032,所述直流转换电路2032与所述金手指接口模块100连接,所述直流转换电路2032与所述物理层收发芯片U1连接;其中,
所述直流转换电路2032,用于在所述电口模块上电后,接收所述金手指接口模块100输入的外部电压,并对所述外部电压进行电压转换,输出若干工作电压至所述物理层收发芯片U1。
易于理解的是,参照图2和图6,所述物理层收发模块200还包括所述电源管理模块203,所述电源管理模块203可以包括直流转换电路2032,直流转换电路2032对外部电压进行电压转换,为所述电口模块的各个元件提供合适的工作电压,降低所述电口模块的整体功耗。
进一步地,参照图6,所述直流转换电路2032包括所述直流转换电路包括直流转换器DC-DC;其中,
所述金手指接口模块100与所述直流转换器DC-DC的输入端连接,所述直流转换器DC-DC的输出端与所述物理层收发芯片U1连接。
易于理解的是,所述直流转换电路2032接收外部电压可以为3.3V直流电源,通过所述DC-DC转换器可以输出+3.3V、+1.5V、+0.8V以及+2V,所述物理层收发模块200中的元件可以接入+3.3V,所述物理层收发芯片U1可以接入+3.3V电压,具体工作电压可以根据实际情况设置,所述直流转换电路2032也可以采用其他元件实现电压转换,本实施例对此不加以限制。
进一步地,参照图2,所述以太网接口模块300包括以太网变压器T1以及RJ45接口,所述以太网变压器T1分别与所述物理层收发模块200以及所述RJ45接口连接,所述RJ45接口与所述待连接设备连接;其中,
所述以太网变压器T1,用于接收所述最高连接速率信号并放大所述最高连接速率信号,获得放大最高连接速率信号;
所述RJ45接口,用于输出所述放大最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述放大最高连接速率信号与所述上位机连接。
需要说明的是,参照图2,所述以太网接口模块300可以包括以太网变压器T1和RJ45接口,所述直流转换器DC-DC的输出端还可以与所述以太网变压器T1连接,用于供电至所述以太网变压器T1。所述以太网变压器T1与所述物理层收发芯片U1连接,所述以太网变压器T1与所述RJ45接口连接,所述以太网变压器T1可以在所述电口模块连接到待连接设备的不同电平网口时,保护所述电口模块的内部元件不被干扰和损伤,增强所述电口模块的抗干扰能力,所述以太网变压器T1还可以增强所述最高连接速率信号,使所述最高连接速率信号的传输距离更远。所述以太网变压器T1的型号可以为YL18-2050S、YT37-1107S或其他型号,本实施例对此不加以限制。
值得注意的是,在本实用新型的实际应用中,不可避免的会应用到软件程序,但申请人在此声明,该技术方案在具体实施时所应用的软件程序皆为现有技术,在本申请中,不涉及到软件程序的更改及保护,只是对为实现本实用新型的发明目的而设计的硬件架构的保护。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的发明构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种电口模块,其特征在于,所述电口模块包括金手指接口模块、物理层收发模块以及以太网接口模块,所述金手指接口模块与上位机连接,所述金手指接口模块与所述物理层收发模块连接,所述物理层收发模块与所述以太网接口模块连接;其中,
所述金手指接口模块,用于接收所述上位机下发的不同速率的以太网电信号,并将所述以太网电信号发送至所述物理层收发模块;
所述物理层收发模块,用于根据所述以太网电信号确定所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块;
所述以太网接口模块,用于输出所述最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述最高连接速率信号与所述上位机连接。
2.如权利要求1所述的电口模块,其特征在于,所述物理层收发模块包括物理层收发芯片,所述物理层收发芯片与所述金手指接口模块连接,所述物理层收发芯片与所述以太网接口模块连接;其中,
所述物理层收发芯片,用于接收所述金手指接口模块传输的以太网电信号;
所述物理层收发芯片,用于对所述以太网电信号进行解码,获得所述电口模块支持的最高连接速率信号,并将所述最高连接速率信号输出至所述以太网接口模块。
3.如权利要求2所述的电口模块,其特征在于,所述物理层收发模块还包括微处理器,所述微处理器与所述金手指接口模块连接,所述微处理器与所述物理层收发芯片连接;
所述微处理器,用于通过所述金手指接口模块接收所述上位机下发的调整信号;
所述微处理器,还用于根据所述调整信号对所述物理层收发芯片的配置参数进行调整。
4.如权利要求2所述的电口模块,其特征在于,所述物理层收发模块还包括时钟电路,所述时钟电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述时钟电路,用于为所述物理层收发芯片提供外部同步时钟。
5.如权利要求4所述的电口模块,其特征在于,所述时钟电路包括晶振、第一电容以及第二电容;其中,
所述第一电容的第一端与所述物理层收发芯片连接,所述第一电容的第二端接地,所述第二电容的第一端与所述物理层收发芯片连接,所述第二电容的第二端接地,所述晶振的第一端与所述第一电容的第一端连接,所述晶振的第二端与所述第二电容的第一端连接。
6.如权利要求2所述的电口模块,其特征在于,所述物理层收发模块还包括上电缓启动电路,所述上电缓启动电路与所述金手指接口模块连接,所述上电缓启动电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述上电缓启动电路,用于在所述金手指接口模块热插拔时,避免所述电口模块被浪涌损伤。
7.如权利要求6所述的电口模块,其特征在于,所述上电缓启动电路包括第一MOS管;其中,
所述第一MOS管的源极与所述金手指接口模块连接,所述第一MOS管的漏极与所述物理层收发芯片连接,所述第一MOS管的栅极与所述物理层收发芯片连接。
8.如权利要求2所述的电口模块,其特征在于,所述物理层收发模块还包括直流转换电路,所述直流转换电路与所述金手指接口模块连接,所述直流转换电路与所述物理层收发芯片连接;其中,
所述直流转换电路,用于在所述电口模块上电后,接收所述金手指接口模块输入的外部电压,并对所述外部电压进行电压转换,输出若干工作电压至所述物理层收发芯片。
9.如权利要求8所述的电口模块,其特征在于,所述直流转换电路包括直流转换器;其中,
所述金手指接口模块与所述直流转换器的输入端连接,所述直流转换器的输出端与所述物理层收发芯片连接。
10.如权利要求1~9任一项所述的电口模块,其特征在于,所述以太网接口模块包括以太网变压器以及RJ45接口,所述以太网变压器分别与所述物理层收发模块以及所述RJ45接口连接,所述RJ45接口与所述待连接设备连接;其中,
所述以太网变压器,用于接收所述最高连接速率信号并放大所述最高连接速率信号,获得放大最高连接速率信号;
所述RJ45接口,用于输出所述放大最高连接速率信号至待连接设备,以使所述待连接设备通过所述放大最高连接速率信号与所述上位机连接。
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