CN211896765U - 一种单层石墨烯铜箔复合带 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种金属复合带，具体涉及一种单层石墨烯铜箔复合带。包括铜箔基材层、石墨烯基材层、粘合剂层和离型材料层，所述石墨烯基材层通过CVD化学气相沉积法生长在所述铜箔基材层一表面，所述石墨烯基材层通过粘合剂层粘附有离型材料层。本实用新型石墨烯基材层通过CVD生长在铜箔表面，相比较原有单层铜箔有更好的屏蔽效果，而且石墨烯基材层可以快速的散热，增加了产品的适用性，同时可以提高复合带整体的弹性和抗老化性，相同厚度的铜箔的屏蔽效果好于铝箔，所以单层石墨烯铜箔复合带可以做的更薄，屏蔽效果更好。

Description

一种单层石墨烯铜箔复合带

技术领域

本实用新型涉及一种金属复合带，具体涉及一种单层石墨烯铜箔复合带。

背景技术

复合带常用于光缆和电缆中，作为电磁波屏蔽层，但是现有铜箔复合带采用单层铜箔通过粘合剂层粘贴离型材料层，这种铜箔复合带蔽效果不是很理想，如果想要理想的屏蔽电磁波，就需要增加铜箔厚度，这样就会限制复合带的使用范围。而且，光电缆遇到高温会影响产品的性能。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题是提供一种适合光电缆用的复合带，屏蔽效果更好，且耐高温、耐腐蚀、不易老化的铜箔复合带。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种耐高温铜箔复合带，包括铜箔基材层、石墨烯基材层、粘合剂层和离型材料层，所述石墨烯基材层通过CVD化学气相沉积法生长在所述铜箔基材层一表面，所述石墨烯基材层通过粘合剂层粘附有离型材料层。

优选的，所述铜箔基材层的厚度为0.008mm～0.2mm。

优选的，所述石墨烯基材层的厚度为0.008～0.1mm。

优选的，所述粘合剂层为聚氨酯粘合剂，所述石墨烯基材层通过所述聚氨酯粘合剂干式复合所述离型材料层。

本实用新型的有益效果是：

1.石墨烯基材层通过CVD生长在铜箔表面，相比较单层铜箔而言，厚度相差无几，但是有更好的电磁屏蔽效果。

2.石墨烯作为优良的散热材料，相比较单层铜箔而言，有更好的耐热耐寒效果。

3.石墨烯生长在铜箔表面，一方面具备优良的散热功能，另外一方面可以增强电磁屏蔽效果，而且，可以提高复合带整体的弹性和抗老化性。

4.铜箔相比较铝箔而言，相同厚度的铜箔的屏蔽效果好于铝箔，所以复合带整体可以做的更薄，屏蔽效果更好。

附图说明

图1为本实用新型的结构图

图中标记为：

1、铜箔基材层，2、石墨烯基材层，3、粘合剂层，4、离型材料层。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，一种单层石墨烯铜箔复合带，包括铜箔基材层1、石墨烯基材层2、粘合剂层3和离型材料层4，所述石墨烯基材层2通过CVD化学气相沉积法生长在所述铜箔基材层1一表面，所述石墨烯基材层通过粘合剂层3粘附有离型材料层4。

石墨烯基材层2优良的散热功能，一方面可以作为散热层，另外一方面可以作为屏蔽层，增强电磁波的屏蔽效果，而且可以提高整体复合带的弹性和抗老化性。

实施例1：

铜箔基材层1厚度为0.008mm，石墨烯基材层2厚度为0.008mm，粘合剂层3的厚度为0.005mm，复合带整体厚度保持在0.016±0.005mm。

实施例2：

铜箔基材层1厚度为0.05mm，石墨烯基材层2厚度为0.05mm，粘合剂层3的厚度为0.005，复合带整体厚度保持在0.1±0.005mm。

实施例3：

铜箔基材层1厚度为0.1mm，石墨烯基材层2厚度为0.1mm，粘合剂层3的厚度为0.01，复合带整体厚度保持在0.2±0.01mm。

实施例4：

铜箔基材层1厚度为0.2mm，石墨烯基材层2厚度为0.1mm，粘合剂层3的厚度为0.01，复合带整体厚度保持在0.3±0.01mm。

下表为实施例的试验数据。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种单层石墨烯铜箔复合带，其特征在于：包括铜箔基材层(1)、石墨烯基材层(2)、粘合剂层(3)和离型材料层(4)，所述石墨烯基材层(2)通过CVD化学气相沉积法生长在所述铜箔基材层(1)一表面，所述石墨烯基材层通过粘合剂层(3)粘附有离型材料层(4)。

2.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯铜箔复合带，其特征在于：所述铜箔基材层(1)的厚度为0.008mm～0.2mm。

3.根据权利要求2所述的一种单层石墨烯铜箔复合带，其特征在于：所述石墨烯基材层(2)的厚度为0.008～0.1mm。

4.根据权利要求1所述的一种单层石墨烯铜箔复合带，其特征在于：所述粘合剂层(3)为聚氨酯粘合剂，所述石墨烯基材层(2)通过所述聚氨酯粘合剂干式复合所述离型材料层(4)。

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