CN211791489U - 一种mbus水表接收电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种MBUS水表接收电路，该电路主要由三极管VT1、二极管VD1、稳压二极管VD2、电容C1、C2、电阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管VT2、整流桥BR1组成，通过对MBUS调制信号的解调，转换为TTL电平，输出给MCU，满足MBUS总线的通讯要求，且作为一种从机接收电路，能够以较低成本实现MBUS主、从机的通讯交互。
Description
技术领域
本实用新型涉及电路领域，具体公开了一种MBUS水表接收电路。
背景技术
MBUS作为仪表产品应用很广泛的二线制总线通讯，在保持给仪表供电的情况下，同时又可以作为通信的通道，而且传输距离比较长，回码采用电流环回码，具有很好的抗干扰能力；针对MBUS的规范标准，目前市场上推出了相应的主机、从机通讯芯片，然而由于MBUS 集成电路的生产厂家较少，因此MBUS主机、从机的成本相对较高，本实用新型提出一种MBUS水表接收电路作为从机接收电路，以较低成本实现MBUS主、从机的通讯交互，可以满足目前MBUS通讯的要求。
实用新型内容
本实用新型提供一种MBUS水表接收电路，其特征在于，该电路主要由三极管VT1、二极管VD1、稳压二极管VD2、电容C1、瓷片电容C2、电阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS 管VT2、整流桥BR1组成；
整流桥电路BR1的整流作用保证MBUS总线的接线没有极性；
二极管VD1，当电容C1、瓷片电容C2电量较低时，二极管VD1导通，为电容C1、瓷片电容C2充电提供通路，当MBUS发送“0”时，MBUS电压会降低10V左右，此时二极管VD1截止，防止电容电量倒流MBUS总线，确保三极管VT1射极电压稳定；
稳压二极管VD2通过稳压作用保持三极管射极电压稳定，通过自身压降保持MBUS静态不通讯时三极管射极电压低于MBUS电压；
电阻R2在电容C1、瓷片电容C2充满电后限制二极管VD1、稳压二极管VD2流经的电流；
三极管VT1，在MBUS总线进行电平调制时实现开关切换；
电阻R1，对三极管VT1的射极与基极进行限流；
电阻R3，对MOS管VT2栅极限压；
电阻R4接地，保证VT2栅极有确定的电压；
电阻R5，实现MOS管VT2导通时限流；
MOS管VT2，实现TTL电平的输出；
所述MBUS主机发送“1”时，总线电压为高电平，三极管VT1截止，MOS管VT2截止，RXD信号为“1”；MBUS总线发送“0”时，总线电压为低电压，三极管VT1的射极电压高于基极，三极管VT1导通，MOS管VT2导通，RXD为低电平，解调为“0”。
其连接情况为，MBUS总线连接整流桥BR1的输入端，整流桥BR1的“V+”输出端连接到电阻R1，同时连接到二极管VD1；整流桥BR1的“V—”输出端接GND；电阻R1一端连接整流桥BR1，另一端连接三极管VT1的基极，二极管VD1连接稳压二极管VD2，稳压二极管连接电阻R2、电容C1、瓷片电容C2、三极管VT1射极，三极管VT1集电极连接至电阻R3，电阻R3连接电阻R4、MOS管VT2栅极，电阻R4另一端接GND，MOS管VT2 连接电阻R5，电阻R5另一端连接VDD，MOS管VT2漏级接GND。
本实用新型的有益效果为：一种MBUS水表接收电路作为从机接收电路相对于集成芯片的方案在成本方面比较有优势，而且满足MBUS总线的通讯要求。
附图说明
图1为本实用新型一种MBUS水表接收电路图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示，一种MBUS水表接收电路主要由三极管VT1、二极管VD1、稳压二极管VD2、电容C1、瓷片电容C2、电阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管VT2、整流桥BR1组成；MBUS总线连接整流桥BR1的输入端，整流桥BR1的“V+”输出端连接到电阻R1，同时连接到二极管VD1；整流桥BR1的“V—”输出端接GND；电阻R1一端连接整流桥BR1，另一端连接三极管VT1的基极，二极管VD1连接稳压二极管VD2，稳压二极管连接电阻R2、电容C1、瓷片电容C2、三极管VT1射极，三极管VT1集电极连接至电阻R3，电阻R3连接电阻R4、MOS管VT2栅极，电阻R4另一端接GND，MOS管VT2连接电阻R5，电阻R5 另一端连接VDD，MOS管VT2漏级接GND。
整流桥电路BR1的整流作用保证MBUS总线的接线没有极性；
二极管VD1，当电容C1、瓷片电容C2电量较低时，二极管VD1导通，为电容C1、瓷片电容C2充电提供通路，当MBUS发送“0”时，MBUS电压会降低10V左右，此时二极管VD1截止，防止电容电量倒流MBUS总线，确保三极管VT1射极电压稳定；
稳压二极管VD2通过稳压作用保持三极管射极电压稳定，通过自身压降保持MBUS静态不通讯时三极管射极电压低于MBUS电压；
电阻R2在电容C1、瓷片电容C2充满电后限制二极管VD1、稳压二极管VD2流经的电流；
三极管VT1在MBUS总线进行电平调制时实现开关切换；
电阻R1对三极管VT1的射极与基极进行限流；
电阻R3对MOS管VT2栅极限压；
电阻R4接地，保证VT2栅极有确定的电压；
电阻R5实现MOS管VT2导通时限流；
MOS管VT2实现TTL电平的输出；
MBUS主机发送“1”时，总线电压为高电平，三极管VT1截止，MOS管VT2截止， RXD信号为“1”；MBUS总线发送“0”时，总线电压为低电压，三极管VT1的射极电压高于基极，三极管VT1导通，MOS管VT2导通，RXD为低电平，解调为“0”。
Claims (3)
1.一种MBUS水表接收电路，其特征在于，包括整流桥BR1、二极管VD1、稳压二极管VD2、电容C1、瓷片电容C2、电阻R1、R2、R3、R4、R5、三极管VT1、MOS管VT2,其中：
整流桥BR1，其整流作用保证MBUS总线的接线没有极性；
二极管VD1，当电容C1、C2电量较低时为其提供充电通路；当MBUS发送“0”时，二极管VD1截止，防止电容电量倒流MBUS总线，确保三极管VT1射极电压稳定；
稳压二极管VD2，通过稳压作用保持三极管射极电压稳定，通过自身压降保持MBUS静态不通讯时三极管射极电压低于MBUS电压；
三极管VT1，在MBUS总线进行电平调制时实现开关切换；
电阻R1，限制三极管VT1射极与基极电压在MBUS总线输出“0”时不超过三极管Vbe极限值；
电阻R2，在电容C1、C2充满电后限制二极管VD1、稳压二极管VD2流经的电流；
电阻R3，对MOS管VT2的栅极限压；
电阻R4接地，保证MOS管VT2栅极有确定的电压；
MOS管VT2，实现TTL电平的输出。
2.根据权利要求1所述的一种MBUS水表接收电路，其特征在于，MBUS主机发送“1”时，总线电压为高电平，三极管VT1截止，MOS管VT2截止，RXD信号为“1”；MBUS总线发送“0”时，总线电压为低电压，三极管VT1的射极电压高于基极，三极管VT1导通，MOS管VT2导通，RXD为低电平，解调为“0”。
3.根据权利要求1或2所述的一种MBUS水表接收电路，其特征在于，MBUS总线连接整流桥BR1的输入端，整流桥BR1的“V+”输出端连接到电阻R1，同时连接到二极管VD1；整流桥BR1的“V—”输出端接GND；电阻R1一端连接整流桥BR1，另一端连接三极管VT1的基极，二极管VD1连接稳压二极管VD2，稳压二极管连接电阻R2、电容C1、电容C2、三极管VT1射极，三极管VT1集电极连接至电阻R3，电阻R3连接电阻R4、MOS管VT2栅极，电阻R4另一端接GND，MOS管VT2连接电阻R5，电阻R5另一端连接VDD，MOS管VT2漏级接GND。
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