CN211674642U - 一种用于上颌磨牙的人工牙冠 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于上颌磨牙的人工牙冠，该牙冠包含联冠修复体，所述联冠修复体的龈端设有排溢道，所述的排溢道用于对所述联冠修复体的龈端的清洁；使用状态下，所述的排溢道与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。所述的排溢道优选为近远中向；使用状态下，排溢道位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道的近端和远端均偏向腭侧。本实用新型的用于上颌磨牙的人工牙冠通过在龈端设计排溢道，有利于牙齿自洁，可去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高了上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。

Description

一种用于上颌磨牙的人工牙冠

技术领域

本实用新型涉及医疗技术领域，具体涉及一种用于上颌磨牙的人工牙冠。

背景技术

下颌磨牙分根术用于治疗Ⅲ度或Ⅳ度根分叉病变、折裂牙，是将下颌磨牙牙冠及牙根沿颊舌沟进行颊舌向分割，形成两个独立的牙根。待刮净根分叉区牙石、肉芽组织，或行根管治疗术后，再对两个“单根牙”进行桩核、联冠修复，均匀分配咀嚼力，充分调动牙周组织潜力。分根术暴露了病变组织，便于彻底去除病原刺激物、消除牙周袋，促进健康牙周组织附着，不仅避免了牙根拔除后废用性牙槽骨萎缩，还保留了根部牙周膜的感觉作用，因此在临床上被广泛应用。

然而，目前分根术多用于下颌磨牙，而上颌磨牙行分根术远期效果不佳，临床使用较少，原因是上颌磨牙有三个牙根，成三角形排列，牙根之间距离较小，行分根术后，修复体龈端易积塞食物残渣，加剧菌斑附着、牙石形成，该区域自洁作用差，且间隙过小，难于清洁维护，最终导致根面龋、牙周袋加深、甚至冠脱落等。

上颌磨牙半切术是切除颊侧牙根，仅保留腭侧牙根，其与牙长轴存在角度，使咬合力转变为侧向力，单根负担加重，远期效果不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于上颌磨牙的人工牙冠，以解决上颌磨牙分根术后联冠修复体因龈端不易清洁，远期治疗效果不佳的问题。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种用于上颌磨牙的人工牙冠，该牙冠包含联冠修复体，所述联冠修复体的龈端设有排溢道；使用状态下，所述的排溢道与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。

较佳地，所述的排溢道为近远中向；使用状态下，排溢道位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道的近端和远端均偏向腭侧。

较佳地，所述的排溢道长7～8mm，宽1.5～2mm，高1.5～2mm。

较佳地，所述联冠修复体在所述排溢道的两侧分别设有颊侧凹槽和腭侧凹槽，用于将所述联冠修复体安装到牙备后的基牙上。

较佳地，采用洁牙工具对所述的排溢道进行清洁，所述的洁牙工具包含冲牙器和牙间刷。

较佳地，所述的人工牙冠为上颌磨牙行分根术后采用的人工牙冠。

较佳地，所述的人工牙冠为根分叉病变、折裂牙和龋病的治疗中采用的人工牙冠。

有益效果：

(1)联冠修复体龈端设计有排溢道，有利于牙齿自洁，并且可用冲牙器或牙间刷维护该部位清洁，去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。

(2)排溢道采用近远中的方向而非位于近远颊根之间的颊舌向设计，避免了在颊侧和腭侧直接暴露通道影响美观。

(3)排溢道偏腭侧而非偏颊侧，可为患者后期清洁提供便利。

(4)相比上颌磨牙半切术，采用本实用新型的人工牙冠可以保留颊侧牙根，增大了牙周膜面积，有利于分担牙合力，避免单根负担过重。

(5)采用本实用新型的人工牙冠并结合上颌磨牙分根术，保留了口腔生理辨别能力，辨别食物硬度，感知咀嚼力的大小方向，减轻颌创伤，防止牙槽骨吸收。

(6)采用本实用新型的人工牙冠并结合上颌磨牙分根术，无需将牙拔除，避免了牙拔除术后牙槽骨废用性萎缩。

(7)对于患有心脏病、高血压等系统性疾病，而不宜行牙种植术的患者，本实用新型设计可提高联冠修复体的远期治疗效果，恢复患者咀嚼功能。

附图说明

图1为本实用新型的用于上颌磨牙的人工牙冠的主视图。

图2为图1所示人工牙冠的俯视图。

图3为分根术的流程图。

图4为排溢道的清洁原理的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例对本实用新型的技术方案做进一步的说明。

术语解释

(1)牙冠：牙齿露在口腔中的部分。

(2)人工牙冠也叫牙套，是用于修复牙齿的一种方法，当牙齿损坏后且难于通过补牙的方式修复时，可用不同的材料制成人工牙冠，套在改小了的天然牙冠上。

(3)牙根：牙齿埋在牙槽骨当中的部分。

(4)基牙：天然牙磨去一部分后，剩下的用于安装人工牙冠的牙。

(5)牙备：全称为牙体预备，俗语为磨牙，指安装人工牙冠前对天然牙的手术处理过程。

(6)近中/远中：牙齿靠近中线方向为近中，反之为远中；中线是将颅面部平分为左右两等份的一条假想垂直线，中线通过左右两眼之间、鼻尖和左右两中切牙的接触区。

(7)腭侧牙根/近远颊根：上颌磨牙具有三个牙根，分别是近中颊根、远中颊根和腭根；腭侧牙根为腭根，近远颊根为近中颊根和远中颊根。

(8)腭/颊：口腔的前壁为上、下唇，侧壁为颊，上壁为腭，下壁为口底。

(9)龈端：靠近牙龈的一端。

本实用新型提供一种用于上颌磨牙的人工牙冠。图1为本实用新型的用于上颌磨牙的人工牙冠的主视图，图2为图1所示人工牙冠的俯视图。如图1和图2所示，该牙冠包含联冠修复体10，所述联冠修复体10的龈端设有排溢道11，使用状态下，所述的排溢道11与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。排溢道11的设计有利于牙齿自洁，并且可用冲牙器或牙间刷维护该部位清洁，去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。如图2所示，排溢道11的两侧分别设有颊侧凹槽103和腭侧凹槽102，用于将联冠修复体10安装到牙备后的基牙上。

所述的排溢道11优选为近远中向；使用状态下，排溢道11位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道11的近端和远端均偏向腭侧。排溢道11采用近远中的方向而非位于近远颊根之间的颊舌向设计，避免了颊侧暴露通道影响美观；偏腭侧而非偏颊侧，可为患者后期清洁提供便利。

本实用新型的人工牙冠可以用于上颌磨牙分根术。如图3所示，为分根术的流程图。S2中，将S1的上颌磨牙的牙冠及牙根截开，使其分离为S3所示的颊侧和腭侧的两半，其中颊侧包括近远颊根，即近中颊根和远中颊根，腭侧包括腭侧牙根。牙备后形成S4所示的两个独立的类似单根牙的基牙。S5中，被切割后暴露的牙本质和牙骨质部分，可用本实用新型的人工牙冠覆盖，颊侧凹槽安装到颊侧牙根上，腭侧凹槽安装到腭侧牙根上。颊侧凹槽部分和腭侧凹槽部分就是两个单冠，本实用新型的人工牙冠包括了颊侧凹槽部分和腭侧凹槽部分，因此为联冠修复体。

如图4所示，为排溢道11的清洁原理的示意图。在牙齿2、3之间为上颌磨牙1，排溢道11位于人工牙冠的龈端，即排溢道11为位于人工牙冠和牙龈之间的通道。上颌磨行分根术后，修复体龈端易积塞食物残渣，因此需要设计排溢道11。排溢道11位于腭侧牙根12与近远颊根13之间，自近中方向朝远中方向延伸，并且，排溢道11的两端均偏向腭侧。排溢道11采用近远中的方向而非位于近远颊根之间的颊舌向设计，避免了在颊侧和腭侧直接暴露通道影响美观；偏腭侧而非偏颊侧，可从腭侧对排溢道11进行清洁，为患者后期清洁提供便利。可采用冲牙器或牙间刷沿图4中箭头所指的方向维护排溢道11内的清洁。

一些实施例中，所述的排溢道长7～8mm，宽1.5～2mm，高1.5～2mm。

本实用新型适用于：(1)患牙牙根无明显松动，周围有足量骨质支持。(2)Ⅲ度或Ⅳ度根分叉病变，局部深牙周袋无法消除。(3)牙种植术禁忌患者。(4)生活可自理人群。

上颌磨牙分根术戴冠前及戴冠后8个月的临床结果表明，本实用新型的用于上颌磨牙的人工牙冠通过在龈端设计排溢道，有利于牙齿自洁，可去除隐匿的菌斑及牙石，控制牙周炎，预防根面龋，提高了上颌磨牙分根术后联冠修复的远期疗效。

尽管本实用新型的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本实用新型的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本实用新型的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本实用新型的保护范围应由所附的权利要求来限定。

Claims (4)

1.一种用于上颌磨牙的人工牙冠，其特征在于，该牙冠包含联冠修复体，所述联冠修复体的龈端设有排溢道；使用状态下，所述的排溢道与牙龈之间形成两端均与口腔连通的通道。

2.根据权利要求1所述的用于上颌磨牙的人工牙冠，其特征在于，所述的排溢道为近远中向；使用状态下，排溢道位于腭侧牙根与近远颊根之间，并且排溢道的近端和远端均偏向腭侧。

3.根据权利要求2所述的用于上颌磨牙的人工牙冠，其特征在于，所述的排溢道长7～8mm，宽1.5～2mm，高1.5～2mm。

4.根据权利要求1所述的用于上颌磨牙的人工牙冠，其特征在于，所述联冠修复体在所述排溢道的两侧分别设有颊侧凹槽和腭侧凹槽，用于将所述联冠修复体安装到牙备后的基牙上。

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