CN211654833U - 一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构。它包括电池片，所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折射率氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括下层氮化硅膜、中层氮化硅膜、上层氮化硅膜，其中，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚；各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。本实用新型通过改进正面膜层结构以及优化镀膜工艺，优化太阳光的陷光效果，使所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑背板组件的难题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池的正膜结构，尤其是涉及一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构。
背景技术
太阳能作为一种高效、无污染的可再生资源，目前已逐渐被各行各业所利用，国家也正在大力支持光伏扶贫等项目。近几年，分布式光伏系统得到迅速发展，由于人们对屋顶外观的要求，黑色组件在分布式光伏系统占有重要的位置，亦有不少地方政府为维护观光景点的历史建筑、整体景观完整性而推行了景观条例，规定只能使用黑色的太阳能组件。
目前主流的晶硅电池制造工艺所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发蓝，无法满足人们对组件美学外观的要求，急迫需要改变现有的电池片膜色结构，满足市场需求。
发明内容
本实用新型提供了一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构；解决现有技术中存在太阳能电池膜色发蓝的问题。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，包括电池片，所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折射率氮氧化硅膜、氧化硅膜，氮化硅膜包括下层氮化硅膜、中层氮化硅膜、上层氮化硅膜，其中，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚；各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。相同厚度内，折射率越高，光通过的路径越长，越有利于光电吸收。
所述氮化硅膜的总膜厚为26至38纳米，所述氮化硅膜的总折射率为2.10至2.20。
高折射率氮氧化硅膜层的厚度为3至7纳米、折射率为2.5至2.3。
低折射率氮氧化硅膜层的厚度为20至30纳米、折射率为1.9至2.1。
氧化硅膜层的厚度的厚度为13至20纳米、折射率为1.4至1.6。
高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜相加的总膜厚为62纳米至95纳米，折射率为1.85至2.10，膜色为暗蓝色。
通过本实用新型的正面形成有包含高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜的复合膜层结构，每层介质膜的膜厚和折射率进行匹配性设计，折射率由上至下逐步增大，很好的增加太阳光的吸收，达到理想的陷光效果，而且底层的氮氧化硅膜折射率较大，具有优异的钝化作用，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。
因此，本实用新型相比现有技术具有以下特点：1.通过改进正面膜层结构以及优化镀膜工艺，优化太阳光的陷光效果，使所制备的太阳能电池在组件层压后膜色发黑，解决现有电池片层压后膜色发蓝无法用于黑背板组件的难题；2.底层的氮氧化硅膜折射率较大，具有优异的钝化作用，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。
附图说明
附图1是本实用新型的剖视图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例1：见图1，一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，包括电池片1，电池片1的背面依次沉积有高折氮氧化硅膜2、氮化硅膜3、低折氮氧化硅膜4、氧化硅膜5。
高折氮氧化硅膜2的厚度为5纳米、折射率为2.4。
氮化硅膜3包括下层氮化硅膜31、中层氮化硅膜32、上层氮化硅膜33，下层氮化硅膜31的厚度小于中层氮化硅膜32的厚度，中层氮化硅膜32的厚度小于上层氮化硅膜33的厚度，下层氮化硅膜31的折射率大于中层氮化硅膜32的折射率，中层氮化硅膜32的折射率大于上层氮化硅膜33的折射率，氮化硅膜3的总膜厚为32纳米，氮化硅膜3的总折射率为2.15。
低折氮氧化硅膜4的厚度为25纳米、折射率为1.95。
氧化硅膜5的厚度18纳米、折射率1.5。
高折氮氧化硅膜、氮化硅膜、低折氮氧化硅膜和氧化硅膜相加的总膜厚为80nm，折射率为1.98，膜色为暗蓝色。
本实用新型可改变为多种方式对本领域的技术人员是显而易见的，这样的改变不认为脱离本实用新型的范围。所有这样的对所述领域技术人员显而易见的修改将包括在本权利要求的范围之内。
Claims (6)
1.一种用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，包括电池片（1），所述电池片的正面依次沉积有高折射率氮氧化硅膜（2）、氮化硅膜（3）、低折射率氮氧化硅膜（4）、氧化硅膜（5），其特征在于：所述氮化硅膜（3）包括下层氮化硅膜（31）、中层氮化硅膜（32）、上层氮化硅膜（33），其中，各层膜的厚度关系为由内向外逐渐增厚；各层膜的折射率关系为由内向外逐渐降低。
2.根据权利要求1所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：所述氮化硅膜（3）的总膜厚为26至38纳米，所述氮化硅膜（3）的总折射率为2.10至2.20。
3.根据权利要求1或2所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：高折射率氮氧化硅膜层（2）的厚度为3至7纳米、折射率为2.5至2.3。
4.根据权利要求3所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：低折射率氮氧化硅膜层（4）的厚度为20至30纳米、折射率为1.9至2.1。
5.根据权利要求4所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：氧化硅膜（5）的厚度的厚度为13至20纳米、折射率为1.4至1.6。
6.根据权利要求5所述的用于制备黑组件太阳能电池的正膜结构，其特征在于：高折氮氧化硅膜（2）、氮化硅膜（3）、低折氮氧化硅膜（4）和氧化硅膜（5）相加的总膜厚为62纳米至95纳米，折射率为1.85至2.10，膜色为暗蓝色。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN114899247A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-12 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法 |
| US11605748B2 (en) | 2021-02-23 | 2023-03-14 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell, method for producing same and solar module |
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| CN114899247A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-12 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种适用黑组件的晶硅太阳能电池正膜膜层结构及其制备方法 |
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