CN211555936U - 一种可转换颜色的倒装led芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种可转换颜色的倒装LED芯片,包括衬底和设置在衬底正面的发光结构,其特征在于,所述衬底的背面设有凹槽,所述凹槽内填充有量子点,所述凹槽上设有滤波层,所述滤波层将所述量子点覆盖,并对经过量子点的光波进行过滤;经过对应量子点形成的光从滤波层出射,该量子点以外颜色的光被所述滤波层反射回发光结构一侧,使其对应量子点无杂色光混入。本实用新型在同一个芯片上,通过在凹槽内填充不同颜色的量子点,可以实现全彩显示,也可实现单色显示,其中,本实用新型的芯片只需要形成一个发光结构即可,同一个发光结构发出的光经过不同颜色的量子点,可以发出不同颜色的光,有效减少显示屏的体积。
Description
技术领域
本实用新型涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种可转换颜色的倒装 LED芯片。
背景技术
LED全彩屏采用红、绿、蓝三色发光管,每种管各256级灰度构成了 16,777,216种颜色。全彩屏LED显示屏系统,采用了当今最新LED技术和控制技术,使全彩色LED显示屏价格更低、性能更稳定、功耗更低、单位解析度更高、色彩更逼真丰富、组成系统时电子组件更少、使得故障率降低。
将红色和绿色LED放在一起作为一个像素制作的显示屏叫双色屏或彩色屏;将红、绿、蓝三种LED管放在一起作为一个像素的显示屏叫三色屏或全彩屏。
现有用于显示屏的倒装LED芯片,其出光面为衬底背面,现有的封装方法需要在衬底的背面涂覆荧光胶来进行封装,封装后的芯片体积较大。若显示屏要实现全彩显示,则需要红蓝绿三种颜色的倒装LED芯片或者更多颜色的倒装 LED芯片来进行搭配封装,封装体积就更大,难以满足市场对小型全彩显示屏的需求。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种可转换颜色的倒装LED芯片,可实现单色和全彩的转换,且封装体积小。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种可转换颜色的倒装LED芯片,包括衬底和设置在衬底正面的发光结构,所述衬底的背面设有凹槽,所述凹槽内填充有量子点,所述凹槽上设有滤波层,所述滤波层将所述量子点覆盖,并对经过量子点的光波进行过滤;
经过对应量子点形成的光从滤波层出射,该量子点以外颜色的光被所述滤波层反射回发光结构一侧,使其对应量子点无杂色光混入。
作为上述方案的改进,所述衬底的背面设有至少3个凹槽,所述凹槽内分别填充有蓝色量子点、绿色量子点和红色量子点,所述蓝色量子点上覆盖有第一滤波层,所述绿色量子点上覆盖有第二滤波层,所述红色量子点上覆盖有第三滤波层;
经过蓝色量子点形成的蓝光从第一滤波层出射,蓝色以外颜色的光被第一滤波层反射回发光结构一侧;
经过绿色量子点形成的绿光从第二滤波层出射,绿色以外颜色的光被第二滤波层反射回发光结构一侧;
经过红色量子点形成的红光从第三滤波层出射,红色以外颜色的光被第三滤波层反射回发光结构一侧。
作为上述方案的改进,蓝色量子点的面积:绿色量子点的面积:红色量子点的面积=3:6:1。
作为上述方案的改进,所述滤波层为叠层结构,由Ti2O5和SiO2交替形成;其中,第一滤波层的厚度<第二滤波层的厚度<第三滤波层的厚度。
作为上述方案的改进,所述量子点由CdSe、ZnS、CdTe、ZnSe、CuInS 和InP中的一种制成,所述量子点的粒径为5~50μm。
作为上述方案的改进,还包括挡光层,所述挡光层设置在衬底侧壁,以阻挡发光结构发出的光从衬底的侧面出射。
作为上述方案的改进,所述挡光层还设置在凹槽与凹槽之间,以防止经过量子点的形成的光从凹槽的侧壁出射,避免不同颜色的光发生混色。
作为上述方案的改进,所述挡光层由挡光材料或反射材料制成;
所述挡光材料为TiO2或CrO2;
所述反射材料为铝或银。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
本实用新型对衬底的背面进行刻蚀,以形成凹槽,其中,量子点填充在凹槽内,这样不会增加芯片的体积,有效降低芯片与芯片之间的间隙,提高显示屏的显示效果。
本实用新型在同一个芯片上,通过在凹槽内填充不同颜色的量子点,可以实现全彩显示,也可实现单色显示,其中,本实用新型的芯片只需要形成一个发光结构即可,同一个发光结构发出的光经过不同颜色的量子点,可以发出不同颜色的光,有效减少显示屏的体积。
进一步地,本实用新型在量子点上设置对应的滤波层,该滤波层只能让该颜色量子点的光通过,其他颜色的光被反射回发光结构一侧,使其量子点无杂色光混入,保证芯片出光的纯正。
附图说明
图1是本实用新型可转换颜色的倒装LED芯片的第一方案结构示意图;
图2是本实用新型可转换颜色的倒装LED芯片的第二方案结构示意图;
图3是本实用新型凹槽的第一种示意图;
图4是本实用新型凹槽的第二种示意图;
图5是本实用新型凹槽的第三种示意图;
图6是本实用新型凹槽的第四种示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
参见图1,本实用新型提供的一种可转换颜色的倒装LED芯片,包括衬底 10和设置在衬底10正面的发光结构。
本实用新型的发光结构包括设于在衬底10上的第一半导体层21,设置在第一半导体层21上的有源层22和第一电极25,设于有源层22上的第二半导体层 23,设于第二半导体层24上的反射层24和第二电极26。需要说明的是,本实用新型的反射层24将有源层22发出的光反射到衬底10的背面出射,即衬底10 的背面为出光面。为了提到芯片的电流扩展性能,所述第二半导体层23和反射层24之间还设有一层透明导电层27,所述第二电极26与所述透明导电层27连接。
上述的发光结构只是本实用新型的优选方案,现有的发光结构也适用于本实用新型。此外,本实用新型的芯片还包括绝缘层60,所述绝缘层60覆盖在发光结构的侧壁。以保护发光结构。
本实用新型衬底10的背面设有凹槽,所述凹槽内填充有量子点30,所述凹槽上设有滤波层40,所述滤波层40将所述量子点30覆盖,并对经过量子点30 的光波进行过滤;经过对应量子点30形成的光从滤波层40出射,该量子点30 以外颜色的光被所述滤波层40反射回发光结构一侧,使其对应量子点30无杂色光混入。
参见图2,本实用新型衬底10的背面设有至少3个凹槽,所述凹槽内分别填充有蓝色量子点31、绿色量子点32和红色量子点33,所述蓝色量子点31上覆盖有第一滤波层41,所述绿色量子点32上覆盖有第二滤波层42,所述红色量子点33上覆盖有第三滤波层43。
具体的,经过蓝色量子点31形成的蓝光从第一滤波层41出射,蓝色以外颜色的光被第一滤波层41反射回发光结构一侧;经过绿色量子点32形成的绿光从第二滤波层42出射,绿色以外颜色的光被第二滤波层42反射回发光结构一侧;经过红色量子点33形成的红光从第三滤波层43出射,红色以外颜色的光被第三滤波层43反射回发光结构一侧。
需要说明的是,本实用新型可以通过调整凹槽的开口尺寸比例来调整色温。若要发出白光,优选的,蓝色量子点的面积:绿色量子点的面积:红色量子点的面积=3:6:1。
参见图3,本实用新型凹槽的形状可以为椭圆形。参见图4,本实用新型凹槽的形状可以为六边形。参见图5,本实用新型凹槽的形状可以为长条形。此外,本实用新型凹槽的形状还可以为三角形、圆形、正方形等。此外,所述凹槽成阵列分布。
本实用新型对衬底的背面进行刻蚀,以形成凹槽,其中,量子点填充在凹槽内,这样不会增加芯片的体积,有效降低芯片与芯片之间的间隙,提高显示屏的显示效果。
本实用新型在同一个芯片上,通过在凹槽内填充不同颜色的量子点,可以实现全彩显示,也可实现单色显示,其中,本实用新型的芯片只需要形成一个发光结构即可,同一个发光结构发出的光经过不同颜色的量子点,可以发出不同颜色的光。
进一步地,本实用新型在量子点上设置对应的滤波层,该滤波层只能让该颜色量子点的光通过,其他颜色的光被反射回发光结构一侧,使其量子点无杂色光混入,保证芯片出光的纯正。
需要说明单是,本实用新型的滤波层为叠层结构,由Ti2O5和SiO2交替形成。不同颜色的量子点,其对应的滤波层厚度比例不同。具体的,可以通过软件模拟计算出Ti2O5和SiO2的厚度比例,从而限定滤波层反射限定的光谱。
具体的,滤波层的厚度为a,Ti3O5的总厚度为a1,SiO2的总厚度为a2,经过滤波层的光的波长为b,Ti3O5的折射率为k1,SiO2的折射率为k2,其中, a1=b/(4*k1),a2=b/(4*k2),即,a=b/(4*k1)+b/(4*k2)。
例如,Ti3O5的折射率为2.35,SiO2的折射率为1.457,蓝光的波长为450nm,则第一滤波层的厚度=450/(4*2.35)+450/(4*1.457)=125.1(nm),第二滤波层的厚度=520/(4*2.35)+520/(4*1.457)=144.5(nm),第三滤波层的厚度=620/(4*2.35)+ 620/(4*1.457)=172.4(nm)。
具体的,本实用新型量子点由CdSe、ZnS、CdTe、ZnSe、CuInS和InP 中的一种或几种制成,所述量子点的粒径为5~50μm。
本实用新型量子点的粒径与凹槽的大小存在一定的关系。具体的,为了便于将量子点填充到凹槽内,所述凹槽的深度为10~30μm。
为了进一步提高芯片出光颜色的纯度,本实用新型的芯片还包括挡光层50,所述挡光层50设置在衬底10侧壁,以阻挡发光结构发出的光从衬底10的侧面出射。
此外,所述挡光层50还设置在凹槽与凹槽之间,以防止经过量子点40的形成的光从凹槽的侧壁出射,避免不同颜色的光发生混色。
优选的,所述挡光层由挡光材料或反射材料制成。所述挡光材料为TiO2或 CrO2;所述反射材料为铝或银。
相应地,本实用新型还提供了一种可转换颜色的倒装LED芯片的制作方法,包括:
一、在衬底的正面形成发光结构;
本实用新型的发光结构包括设于在衬底上的第一半导体层,设置在第一半导体层上的有源层和第一电极,设于有源层上的第二半导体层,设于第二半导体层上的反射层和第二电极。需要说明的是,本实用新型的反射层将有源层发出的光反射到衬底的背面出射,即衬底的背面为出光面。为了提到芯片的电流扩展性能,所述第二半导体层和反射层之间还设有一层透明导电层,所述第二电极与所述透明导电层连接。
二、对衬底的背面进行刻蚀,形成凹槽;
采用黄光开图,ICP蚀刻工艺对衬底的背面进行刻蚀,刻蚀10~30μm,以形成阵列排布的凹槽。本实用新型凹槽的排列方式可为单槽、双槽或是多槽体排列。
三、将量子点填充到凹槽内;
本实用新型的凹槽尺寸很小,如何将量子点精准地填充到凹槽内,并确保量子点不会溢出凹槽,需要一定的工艺技术。具体的,本实用新型采用毛细管将胶态量子点溶液滴入凹槽内,在170~250℃下烤干。
具体的,本实用新型量子点由CdSe、ZnS、CdTe、ZnSe、CuInS和InP 中的一种或几种制成。本实用新型量子点的粒径与凹槽的大小存在一定的关系。具体的,为了便于将量子点填充到凹槽内,所述量子点的粒径为5~50μm。
四、在量子点上形成一层滤波层;
本实用新型采用蒸镀的方式在量子点上形成一层滤波层,其中,经过对应量子点形成的光从滤波层出射,该量子点以外颜色的光被所述滤波层反射回发光结构一侧,使其对应量子点无杂色光混入。
本实用新型的滤波层为叠层结构,由Ti2O5和SiO2交替形成。不同颜色的量子点,其对应的滤波层厚度比例不同。具体的,可以通过软件模拟计算出Ti2O5和SiO2的厚度比例,从而限定滤波层反射限定的光谱。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种可转换颜色的倒装LED芯片,包括衬底和设置在衬底正面的发光结构,其特征在于,所述衬底的背面设有凹槽,所述凹槽内填充有量子点,所述凹槽上设有滤波层,所述滤波层将所述量子点覆盖,并对经过量子点的光波进行过滤;
经过对应量子点形成的光从滤波层出射,该量子点以外颜色的光被所述滤波层反射回发光结构一侧,使其对应量子点无杂色光混入。
2.如权利要求1所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,所述衬底的背面设有至少3个凹槽,所述凹槽内分别填充有蓝色量子点、绿色量子点和红色量子点,所述蓝色量子点上覆盖有第一滤波层,所述绿色量子点上覆盖有第二滤波层,所述红色量子点上覆盖有第三滤波层;
经过蓝色量子点形成的蓝光从第一滤波层出射,蓝色以外颜色的光被第一滤波层反射回发光结构一侧;
经过绿色量子点形成的绿光从第二滤波层出射,绿色以外颜色的光被第二滤波层反射回发光结构一侧;
经过红色量子点形成的红光从第三滤波层出射,红色以外颜色的光被第三滤波层反射回发光结构一侧。
3.如权利要求2所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,蓝色量子点的面积:绿色量子点的面积:红色量子点的面积=3:6:1。
4.如权利要求2所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,所述滤波层为叠层结构,由Ti2O5和SiO2交替形成;其中,第一滤波层的厚度<第二滤波层的厚度<第三滤波层的厚度。
5.如权利要求1所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,所述量子点由CdSe、ZnS、CdTe、ZnSe、CuInS和InP中的一种制成,所述量子点的粒径为5~50μm。
6.如权利要求1所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,还包括挡光层,所述挡光层设置在衬底侧壁,以阻挡发光结构发出的光从衬底的侧面出射。
7.如权利要求6所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,所述挡光层还设置在凹槽与凹槽之间,以防止经过量子点的形成的光从凹槽的侧壁出射,避免不同颜色的光发生混色。
8.如权利要求6所述的可转换颜色的倒装LED芯片,其特征在于,所述挡光层由挡光材料或反射材料制成;
所述挡光材料为TiO2或CrO2;
所述反射材料为铝或银。
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CN201922247535.XU CN211555936U (zh) | 2019-12-12 | 2019-12-12 | 一种可转换颜色的倒装led芯片 |
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CN110854257A (zh) * | 2019-12-12 | 2020-02-28 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种可转换颜色的倒装led芯片及其制作方法 |
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