CN211507583U

CN211507583U - 一种晶圆后处理系统

Info

Publication number: CN211507583U
Application number: CN202021343441.9U
Authority: CN
Inventors: 李长坤; 赵德文; 申兵兵; 曹自立; 路新春
Original assignee: Tsinghua University; Huahaiqingke Co Ltd
Current assignee: Tsinghua University; Huahaiqingke Co Ltd
Priority date: 2020-07-10
Filing date: 2020-07-10
Publication date: 2020-09-15
Anticipated expiration: 2030-07-10

Abstract

本实用新型公开了一种晶圆后处理系统，包括：清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；液体喷淋装置，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；马兰戈尼干燥装置，用于在晶圆从液体中提升的过程中向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体以进行马兰戈尼干燥；晶圆支撑装置，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收沿第一定向进入清洗槽内的晶圆并使晶圆沿第二定向移出清洗槽；晶圆提升装置，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆；晶圆限位装置，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位。

Description

一种晶圆后处理系统

技术领域

本实用新型涉及化学机械抛光后处理技术领域，尤其涉及一种晶圆后处理系统。

背景技术

化学机械抛光（Chemical Mechanical Planarization, CMP）是集成电路（Integrated Circuit，IC）制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。随着集成电路制造技术的发展，对晶圆表面缺陷的控制越来越严格。在晶圆制造过程中，晶圆表面会吸附颗粒或有机物等污染物而产生大量缺陷，需要后处理工艺去除这些缺陷。

特别是在化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成晶圆表面的污染，所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除晶圆表面的污染物，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。

清洗的目的是去除晶圆表面颗粒和各种化学物质，并在清洗过程中避免对表面和内部结构的腐蚀和破坏，目前常见的湿法清洗是在溶液环境下清洗晶圆，比如清洗剂浸泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。

经过清洗后，晶圆表面会留存很多水或清洗液的残留物。由于这些水或清洗液的残留物中溶有杂质，如果让这些残留液体自行蒸发干燥，这些杂质就会重新粘结到晶圆的表面上，造成污染，甚至破坏晶圆的结构。为此，需要对晶圆表面进行干燥处理，以除去这些残留液体。传统的旋转干燥方式，由于干燥后残留的水膜厚度很大，可达微米级及以上，极易造成水痕缺陷。

综上，现有技术中存在晶圆干燥效果差，容易残留液体的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种晶圆后处理系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本实用新型实施例提供了一种晶圆后处理系统，包括：

清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；

液体喷淋装置，设置在清洗槽上部并位于清洗槽内的液面之下，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；

马兰戈尼干燥装置，与液体喷淋装置平行、设置在清洗槽上部并位于清洗槽内的液面之上，用于在晶圆从液体中提升的过程中向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体以进行马兰戈尼干燥；

晶圆支撑装置，安装在清洗槽内部下方，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收沿第一定向进入清洗槽内的晶圆并使晶圆沿第二定向移出清洗槽；

晶圆提升装置，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆；

晶圆限位装置，设置在清洗槽内部，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位。

在一个实施例中，晶圆限位装置包括设于所述清洗槽内侧壁的分别位于两端的两个向下延伸的垫块，所述垫块与晶圆接触的边缘处沿垫块长度方向设有缺口部，所述缺口部用于在晶圆沿第二定向倾斜时使晶圆边缘搭在其上，所述缺口部的用于搭载晶圆的底面宽度由下往上减小。

在一个实施例中，所述垫块与所述清洗槽的侧壁一体成型。

在一个实施例中，所述缺口部的位于上侧的底面宽度最窄处不超过3mm，位于下侧的底面宽度最宽处不小于5mm。

在一个实施例中，所述晶圆提升装置包括：

顶升机构，用于支撑位于液体中的晶圆底端进行提升；

随动机构，用于在顶升机构将晶圆提升至第一位置时抵接位于液面上的晶圆干燥边缘并随同晶圆移动以进行晶圆定位；

夹紧机构，用于在顶升机构与随动机构协同将晶圆提升至第二位置时夹紧位于液面以上的晶圆干燥边缘两侧继续提升晶圆直至脱离液面；

其中，在夹紧机构夹紧晶圆后顶升机构停止上升以脱离晶圆，第二位置高于第一位置。

在一个实施例中，顶升机构包括一抵接晶圆底端的顶升件、固持顶升件的顶升杆以及与顶升杆连接的顶升直线模组。

在一个实施例中，顶升件包括设于其上表面的用于容纳晶圆底端边缘的凹槽、以及用于贯穿凹槽与顶升件底面的通孔以避免凹槽沉积杂质。

在一个实施例中，随动机构包括导轨、U型随动杆、定位座和限位缓冲器；其中，所述U型随动杆连接在所述导轨上且其两端分别设有用于抵接晶圆的所述定位座，所述限位缓冲器设置在所述导轨底端。

在一个实施例中，夹紧机构包括第一夹紧件、第二夹紧件、夹紧驱动模块和提拉直线模组，所述第一夹紧件和所述第二夹紧件相对设置以夹持晶圆，所述夹紧驱动模块分别与所述第一夹紧件和所述第二夹紧件连接以同步驱动所述第一夹紧件和所述第二夹紧件相向运动或背向运动，所述夹紧驱动模块与所述提拉直线模组连接。

本实用新型实施例的有益效果包括：实现了清洗干燥一体的晶圆后处理系统，提高了集成度，降低了设备体积和成本。

附图说明

通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本实用新型的保护范围，其中：

图1中示出了本实用新型一实施例提供的晶圆后处理系统的结构示意图；

图2中示出了本实用新型一实施例提供的马兰戈尼干燥装置的干燥原理示意图；

图3中示出了本实用新型一实施例提供的喷气杆的结构示意图；

图4中示出了本实用新型另一实施例提供的喷气杆的结构示意图；

图5中示出了晶圆提升装置将晶圆提升至第一位置；

图6中示出了晶圆提升装置将晶圆提升至第二位置；

图7中示出了晶圆提升装置将晶圆提升至脱离液面；

图8中示出了本实用新型一实施例提供的顶升机构的结构示意图；

图9中示出了本实用新型一实施例提供的随动机构的结构示意图；

图10中示出了本实用新型一实施例提供的夹紧机构的结构示意图；

图11中示出了本实用新型一实施例提供的晶圆限位装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例及其附图，对本实用新型所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本实用新型的特定的具体实施方式，用于说明本实用新型的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本实用新型实施方式及本实用新型保护范围的限制。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本实用新型具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。

此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。

首先，参照图1介绍根据本实用新型实施例的晶圆后处理系统。如图1所示，晶圆后处理系统包括清洗槽1、液体喷淋装置2、马兰戈尼干燥装置3、晶圆支撑装置4、晶圆提升装置5和晶圆限位装置。

清洗槽1，用于容纳清洗晶圆的液体。该液体可以为去离子水。

液体喷淋装置2，设置在清洗槽1上部并位于清洗槽1内的液面之下，用于在晶圆向下移动浸入液体的过程中向晶圆表面喷淋液体以对晶圆进行冲洗；具体地，液体喷淋装置2包括一对相对的喷淋水管，该对喷淋水管之间限定了第一端口11。

马兰戈尼干燥装置3，与液体喷淋装置2平行、设置在清洗槽1上部并位于清洗槽1内的液面之上，用于在晶圆从液体中提升的过程中，向晶圆表面附着的弯液面区域喷射干燥气体，以利用马兰戈尼（Marangoni）效应使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离从而实现晶圆表面干燥。具体地，马兰戈尼干燥装置3包括一对相对的喷气杆，该对喷气杆之间限定了第二端口12。

晶圆支撑装置4，安装在清洗槽1内部下方，用于支撑晶圆并在第一定向和第二定向之间摆动以接收通过第一端口11沿第一定向进入清洗槽1内的晶圆并使晶圆通过第二端口12沿第二定向移出清洗槽1。

晶圆提升装置5，用于从液体中沿第二定向提升浸没于其中的晶圆。

晶圆限位装置（图1未示出），安装在清洗槽1内部，用于在晶圆沿第二定向上升的过程中在液面下对晶圆两侧进行限位。

如图1所示，在一个实施例中，液体喷淋装置2中的一对喷淋水管设置在清洗槽1上部并位于清洗槽1内的液面之下，每个喷淋水管上均设置有多个喷嘴成为一组。当机械手通过第一端口11沿第一定向下放晶圆至清洗槽1内时，两个喷淋水管的两组喷嘴相对向晶圆两个表面喷水，以对晶圆进行冲洗。

如图2所示，在一个实施例中，马兰戈尼干燥装置3包括：

用于在晶圆从清洗液面倾斜升起的过程中向晶圆第一表面附着的弯液面喷射干燥气体的第一喷气杆31、以及向晶圆第二表面附着的弯液面喷射干燥气体的第二喷气杆32，其中，所述弯液面为气液固三相交界区域；

所述第一喷气杆31和所述第二喷气杆32位于不同高度以使第一喷气杆31喷射到晶圆第一表面的弯液面处的干燥气体浓度与第二喷气杆32喷射到晶圆第二表面的弯液面处的干燥气体浓度相差比例不超过20% 。

在另一个实施例中，马兰戈尼干燥装置3还包括：用于驱动所述第一喷气杆31绕其轴线方向旋转的第一旋转驱动模块（未示出）和用于驱动所述第二喷气杆32绕其轴线方向旋转的第二旋转驱动模块（未示出）。

如图2所示，由于液体的浸润作用致使液体沿晶圆表面上升，在液体表面张力的作用下，在气体（空气）、液体（清洗液）和固体（晶圆）三相交界处的接触液面呈现凹月面形的一弯曲液面，即弯液面。在晶圆以恒定速度从液面提拉出的同时，马兰戈尼干燥装置3向晶圆表面附着液体的弯液面区域喷射干燥气体，诱导产生马兰戈尼效应而使液体向下剥离晶圆表面同时带走污染物，从而实现晶圆表面干燥。其中干燥气体可以为诸如IPA蒸汽之类的具有表面活性的有机物蒸汽。

如图2所示，第一喷气杆31和第二喷气杆32位于晶圆两侧，第一表面和第二表面分别为晶圆的两个相对面，具体地，第一表面为形成有电子电路器件的晶圆正面，第二表面为未铺设有器件的晶圆背面，在晶圆倾斜升起时第一表面朝上、第二表面朝下。第一喷气杆31和第二喷气杆32同时工作，以在晶圆从液体中提升的过程中同时向晶圆两个相对表面的弯液面区域喷射干燥气体，从而使晶圆两个表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离。本实施例通过第一喷气杆31和第二喷气杆32实现了在晶圆提拉的过程中同时干燥晶圆的两个相对表面。

可以理解的是，在干燥装置的结构参数配置不合理时，可能导致干燥气体在三相接触线附近的浓度分布不均匀，例如在喷气孔附件的气体浓度极高而较远处浓度极低，从而造成晶圆表面不同区域处干燥效果不一致；或者，还可能导致喷射至晶圆表面的干燥气体浓度偏低，而使干燥效果下降。本实施例通过合理的结构布局和参数设置，使一定浓度的干燥气体均匀分布在三相接触线附近，提高了三相接触线附近的干燥气体浓度，同时提高了对晶圆两个表面进行干燥的对称性，增强了晶圆两面的干燥效果。

第一喷气杆31连接有第一旋转驱动模块使其可绕自身轴线方向以预设角速度自转，第二喷气杆32连接有第二旋转驱动模块使其可绕自身轴线方向以预设角速度自转，从而使喷射的气体跟随弯液面移动。第一喷气杆31的气体喷射方向与水平方向的夹角为10°至80°。第二喷气杆32的气体喷射方向与水平方向的夹角为10°至70°。

如图2所示，由于晶圆在上升过程中处于倾斜状态，为了使第一喷气杆31和第二喷气杆32相对晶圆近似对称而使二者喷射到晶圆两相对面的气流浓度接近，需要使第一喷气杆31的位置高度高于第二喷气杆32。具体地，第一喷气杆31的轴心和第二喷气杆32的轴心之间的连线方向与水平方向的夹角θ满足0°<θ≤40°，优选为0°<θ≤20°。

可以理解的是，在晶圆上升时，由于顶升机构51和夹紧机构53的交接过程会使晶圆发生轻微抖动，为了避免因晶圆抖动产生的晶圆碰撞喷气杆而造成晶圆碎片的风险，第一喷气杆31和第二喷气杆32之间需保持一定的安全距离，另外，由于晶圆在上升过程中是倾斜的，而且喷气杆距离晶圆的喷气距离也需保证在一定范围内，所以两个喷气杆之间也应当具有一定空间以使晶圆从两个喷气杆之间通过。具体地，第一喷气杆31的外侧面距第二喷气杆32的外侧面的距离应当不小于3mm。

在一个实施例中，第一喷气杆31外侧面最接近晶圆处距晶圆第一表面的垂直距离l₁满足1mm ≤l₁≤ 15mm，优选为1.5mm ≤l₁≤ 6mm 。

在一个实施例中，第二喷气杆32外侧面最接近晶圆处距晶圆第二表面的垂直距离l₂ 满足1mm ≤l₂≤ 15mm，优选为1.5mm≤l₂≤ 6mm 。

由于当喷气杆距离晶圆过远时会导致喷气杆喷射到晶圆表面的气体浓度过低而无法产生马兰戈尼效应，故l₁和l₂均不大于15mm以提高晶圆干燥效果。

在一个实施例中，第一喷气杆31和第二喷气杆32为结构相同的中空的喷气杆。第一喷气杆31和第二喷气杆32分别与提供干燥气体的气体供给源通过管路连接，干燥气体通过喷气杆的进气口流入喷气杆的中空部分，流入第一喷气杆31和第二喷气杆32内的气流大小基本相同。

如图3所示，在一个实施例中，喷气杆上沿长度方向间隔设置有多个与中空部分连通的用于同时喷射干燥气体的喷气孔33，干燥气体通过喷气孔33向外喷射。多个喷气孔33同时喷射干燥气体时形成一层风幕，以通过所述风幕喷射所述弯液面区域从而对晶圆进行干燥。

其中，喷气杆的长度大于晶圆的直径。喷气杆的直径为12mm，喷气杆的底端距液面的垂直距离为5至15mm，距晶圆最近的端点与晶圆的水平距离为5至10mm。通入两根喷气杆的气体总流量为5至50L/min。喷气孔33与水平面的夹角范围为10°至50°。喷气孔33的直径d₁不超过2mm，相邻的两个喷气孔33之间的间距l₃不大于30mm。

具体地，喷气孔33可以采用直径d₁为0.1至0.5mm的圆孔，优选为0.1mm。相邻两个喷气孔33之间的距离为2至10mm，优选为5mm。

如图4所示，在另一个实施例中，喷气杆上设有与中空部分连通的细长狭缝34，干燥气体通过细长狭缝34向外喷射。细长狭缝34喷射干燥气体时形成一层风幕，以通过所述风幕喷射所述弯液面区域从而对晶圆进行干燥。

其中，细长狭缝34的长度l₄为300mm至400mm，其宽度d₂不超过1mm。具体地，细长狭缝34沿水平方向延伸，其长度l₄可以大于晶圆直径，宽度d₂可以为0.1至0.5mm，优选为0.1mm。

如图5所示，在一个实施例中，晶圆支撑装置4包括晶圆托架41和用于驱动晶圆托架41在第一定向和第二定向之间摆动的偏转驱动机构42。在图5所示示例中，至少晶圆托架41安装在清洗槽1中，偏转驱动机构42至少部分地安装在清洗槽1外部。晶圆托架41可以具有至少两个定向（alignment），即第一定向和第二定向，其中第一定向与清洗槽1的第一端口11对准，第二定向与第二端口12对准。晶圆托架41可以包括弓形托臂，并且弓形托臂的轮廓优选形成90°~180°的圆弧。偏转驱动机构42包括摆动轴，摆动轴在晶圆倾斜驱动电机的驱动下旋转，弓形托臂与摆动轴连接以随摆动轴摆动。

当机械手沿第一定向把晶圆放在弓形托臂上之后，通过晶圆倾斜驱动电机控制摆动轴、弓形托臂和晶圆摆动至第二定向以使晶圆朝向第二端口12。

如图5至图7所示，在一个实施例中，晶圆提升装置5包括：

顶升机构51，用于支撑位于液体中的晶圆底端进行提升；

随动机构52，用于在顶升机构51将晶圆提升至第一位置时抵接位于液面上的晶圆干燥边缘并随同晶圆移动以进行晶圆定位；

夹紧机构53，用于在顶升机构51与随动机构52协同将晶圆提升至第二位置时夹紧位于液面以上的晶圆干燥边缘两侧继续提升晶圆直至脱离液面；

其中，在夹紧机构53夹紧晶圆后顶升机构51停止上升以脱离晶圆，第二位置高于第一位置。

如图5所示，顶升机构51沿第二定向提升晶圆，在晶圆通过第二端口12时马兰戈尼干燥装置3的两个干燥杆对晶圆表面进行干燥。当顶升机构51将晶圆提升至第一位置时晶圆上侧的干燥边缘抵住随动机构52，以使随动机构52和顶升机构51分别在上下方与晶圆形成多个支撑点从而实现这两个机构配合夹持晶圆上升，提高了稳定性。如图5所示，第一位置为晶圆部分位于喷气杆上方并且至少占其直径2/3的区域位于喷气杆下方。

如图6所示，在顶升机构51与随动机构52的协同移动下将晶圆提升至第二位置时，夹紧机构53夹紧位于液面以上的晶圆干燥边缘两侧以继续提升晶圆直至晶圆脱离液面。如图6所示，第二位置为晶圆至少占其直径1/2以上的区域位于喷气杆上方。

如图7所示，在夹紧机构53夹紧晶圆后，顶升机构51停止上升从而脱离晶圆，夹紧机构53与随动机构52协同移动带动晶圆继续上升。

如图8所示，顶升机构51包括一抵接晶圆底端的顶升件511、固持顶升件511的顶升杆512以及与顶升杆512连接的顶升直线模组513。

在一个实施例中，顶升件511包括设于其上表面的用于容纳晶圆底端边缘的凹槽、以及用于贯穿凹槽与顶升件511底面的通孔以避免凹槽沉积杂质。

如图9所示，随动机构52包括导轨521、U型随动杆522、定位座523和限位缓冲器524；其中，所述U型随动杆522连接在所述导轨521上且其两端分别设有用于抵接晶圆的所述定位座523，所述限位缓冲器524设置在所述导轨521底端。随动机构52至少部分设置于清洗槽1上方。

如图10所示，夹紧机构53包括第一夹紧件531、第二夹紧件532、夹紧驱动模块533和提拉直线模组534，所述第一夹紧件531和所述第二夹紧件532相对设置以夹持晶圆，所述夹紧驱动模块533分别与所述第一夹紧件531和所述第二夹紧件532连接以同步驱动所述第一夹紧件531和所述第二夹紧件532相向运动或背向运动，所述夹紧驱动模块533与所述提拉直线模组534连接。

图11为清洗槽1去掉前面板的内部立体图。如图11所示，晶圆限位装置用于在晶圆托架41载着晶圆摆动至第二定向时晶圆倾斜搭在其上。晶圆限位装置包括固定于所述清洗槽1内侧壁的分别位于两端的两个向下延伸的垫块61，两个垫块61分别位于左右两端以在晶圆倾斜时分别卡合晶圆的左右两侧边缘。所述垫块61与晶圆接触的边缘处沿垫块61长度方向设有缺口部62，所述缺口部62用于在晶圆沿第二定向倾斜时使晶圆边缘搭在其上。

在一个实施例中，如图11所示，晶圆限位装置与清洗槽1一体成型。具体地，所述垫块61与清洗槽1的侧壁一体成型。

所述缺口部62的用于搭载晶圆的底面宽度由下往上减小。由于在晶圆位于晶圆托架41上摆动倾斜时晶圆落在缺口部62的位置不固定可能会有偏移，所以本实施例设置缺口部62下方的底面宽度较大以接住从不同位置落下的晶圆。当顶升机构51带动晶圆上升后，由下往上逐渐变窄的缺口部62又可以将晶圆逐渐调整至中间位置以使随动机构52和夹紧机构53准确固定晶圆，避免由于夹持错位而导致晶圆受力不均出现碎片的现象，提高了整体稳定性。

所述缺口部62的位于上侧的底面宽度最窄处不超过3mm，位于下侧的底面宽度最宽处不小于5mm。

本说明书的附图为示意图，辅助说明本实用新型的构思，示意性地表示各部分的形状及其相互关系。应当理解的是，为了便于清楚地表现出本实用新型实施例的各部件的结构，各附图之间并未按照相同的比例绘制，相同的参考标记用于表示附图中相同的部分。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种晶圆后处理系统，其特征在于，包括：

清洗槽，用于容纳清洗晶圆的液体；

2.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述晶圆限位装置包括设于所述清洗槽内侧壁的分别位于两端的两个向下延伸的垫块，所述垫块与晶圆接触的边缘处沿垫块长度方向设有缺口部，所述缺口部用于在晶圆沿第二定向倾斜时使晶圆边缘搭在其上，所述缺口部的用于搭载晶圆的底面宽度由下往上减小。

3.如权利要求2所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述垫块与所述清洗槽的侧壁一体成型。

4.如权利要求2所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述缺口部的位于上侧的底面宽度最窄处不大于3mm，位于下侧的底面宽度最宽处不小于5mm。

5.如权利要求1所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述晶圆提升装置包括：

顶升机构，用于支撑位于液体中的晶圆底端进行提升；

6.如权利要求5所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述顶升机构包括一抵接晶圆底端的顶升件、固持所述顶升件的顶升杆以及与顶升杆连接的顶升直线模组。

7.如权利要求6所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述顶升件包括设于其上表面的用于容纳晶圆底端边缘的凹槽、以及用于贯穿凹槽与顶升件底面的通孔以避免凹槽沉积杂质。

8.如权利要求5所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述随动机构包括导轨、U型随动杆、定位座和限位缓冲器；其中，所述U型随动杆连接在所述导轨上且其两端分别设有用于抵接晶圆的所述定位座，所述限位缓冲器设置在所述导轨底端。

9.如权利要求5所述的晶圆后处理系统，其特征在于，所述夹紧机构包括第一夹紧件、第二夹紧件、夹紧驱动模块和提拉直线模组，所述第一夹紧件和所述第二夹紧件相对设置以夹持晶圆，所述夹紧驱动模块分别与所述第一夹紧件和所述第二夹紧件连接以同步驱动所述第一夹紧件和所述第二夹紧件相向运动或背向运动，所述夹紧驱动模块与所述提拉直线模组连接。