CN211507564U - 用于静电过滤器的电极 - Google Patents

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CN211507564U CN202020170300.5U CN202020170300U CN211507564U CN 211507564 U CN211507564 U CN 211507564U CN 202020170300 U CN202020170300 U CN 202020170300U CN 211507564 U CN211507564 U CN 211507564U
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Abstract

本实用新型提供一种用于静电过滤器的电极。在一些实施例中，系统可包含接收离子束的静电过滤器，静电过滤器包含安置在离子束线的相对侧的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极中的每一个具有位于第一端与第二端之间的中心区域，其中第一电极的第一外表面与第二电极的第二外表面之间的距离沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴变化。系统可进一步包含与静电过滤器连通的电源，电源可操作以向第一电极和第二电极供应电压和电流，其中第一外表面与第二外表面之间的可变距离引起离子束会聚或发散。

Description

用于静电过滤器的电极
技术领域
本实用新型大体上涉及用于制造电子装置的技术，尤其涉及用于使用具有成形电极的静电过滤器来控制离子束的技术。
背景技术
离子植入为经由轰击将掺杂剂或杂质引入到衬底内的工艺。在半导体制造中，引入掺杂剂以更改电学、光学或机械特性。举例来说，可将掺杂剂引入到本征半导体衬底中以更改衬底的传导率的类型和等级。在制造集成电路 (integrated circuit，IC)过程中，精确的掺杂分布提供改善的IC性能。为了达成所需的掺杂分布，可以离子的形式按各种剂量和各种能级植入一种或多种掺杂剂。
离子植入系统可包括离子源和一系列束线组件。离子源可包括产生所需离子的腔室。离子源也可包括安置在腔室附近的电源和提取电极组合件。束线组件可包含例如质量分析器、一个或多个分析磁体、第一加速或减速级、准直器以及第二加速或减速级。分析磁体选择所需离子物质，滤出污染物质和具有非所需能量的离子，并且在目标晶片处调节离子束质量。适当成形的电极可修改离子束的能量和形状。与用于操控光束的一系列光学透镜十分相似，束线组件能够过滤、聚焦、加速、减速以及操控离子或离子束以具有所需物质、形状、能量和/或其它质量。离子束穿过束线组件且可朝向安装于压板或夹钳上的衬底引导。衬底可在光束中以一个或多个维度(例如平移、旋转以及倾斜)移动，从而达成所需工艺结果。
发生在束线组件的光学元件中的离子能量中的重要改变可对离子束的形状具有实质的影响。举例来说，减速透镜可面临与偏转角和光束聚焦的控制相关联的挑战(特别当电流在离子植入系统中增大时)。在一些情况下，穿过带形离子束的线性场趋向于水平发散。一种减少光束发散的方法为调节边缘聚焦电极以试图重新引导外光束射线。然而，无法恰当地控制边缘聚焦电极内侧的光束射线。
实用新型内容
提供此实用新型内容以按简化形式引入下文在具体实施方式中进一步描述的概念选择。此实用新型内容并不意图识别所要求主题的关键特征或基本特征，也不为意图作为辅助以确定所要求主题的范围的概述。
在一个实施例中，离子植入系统可包含接收离子束的静电过滤器，静电过滤器包含沿离子束线的一个侧安置的第一电极和沿离子束线的第二侧安置的第二电极，第一电极和第二电极中的每一个具有位于第一端与第二端之间的中心区域，其中第一电极的第一外表面与第二电极的第二外表面之间的距离沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴或沿着沿离子束线延伸的第二轴变化。离子植入系统可进一步包含与静电过滤器连通的电源，电源可操作以向第一电极和第二电极供应电压和电流，其中第一外表面与第二外表面之间的可变距离引起离子束响应于电压和电流而会聚或发散。
在另一实施例中，静电透镜可包含沿离子束线的一个侧安置的第一电极和沿离子束线的第二侧安置的第二电极，第一电极和第二电极中的每一个具有第一端与第二端之间的中心区域，其中第一电极的第一外表面与第二电极的第二外表面之间的距离沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴或沿着沿离子束线延伸的第二轴变化，且其中第一外表面和第二外表面的形状引起离子束响应于供应到第一电极或第二电极的电压和电流而会聚或发散。
在又一实施例中，方法可包含在静电过滤器处接收离子束，静电过滤器包括沿离子束线的第一侧安置的第一多个电极和沿离子束线的第二侧安置的第二多个电极，第一多个电极和第二多个电极中的每一电极具有第一端与第二端之间的中心区域，其中第一多个电极的第一抑制电极的第一外表面与第二多个电极的第二抑制电极的第二外表面沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴变化。方法可进一步包含通过将电压和电流供应到第一抑制电极和第二抑制电极来引起离子束在穿过第一抑制电极和第二抑制电极时会聚或发散。
在再一实施例中，静电过滤器的电极可包含第一端及第二端，其中第一端与第二端相对，以及第一端与第二端之间的中心区域，其中中心区域的中心直径与第一端的第一端直径和第二端的第二端直径不同。
附图说明
图1为说明依照本实用新型的实施例的离子植入系统的示意图。
图2为依照本实用新型的实施例的图1中所示出的离子植入系统的静电过滤器的侧横截面图。
图3为依照本实用新型的实施例的图2的静电过滤器的电极集合的透视图。
图4为说明依照本实用新型的实施例的静电过滤器的示意图。
图5为依照本实用新型的实施例的图2的静电过滤器的电极集合的透视图。
图6为依照本实用新型的实施例的多个电极的侧横截面图。
图7为说明依照本实用新型的示范性方法的流程图。
附图并不一定按比例绘制。附图仅为表示，并不意欲描绘本实用新型的具体参数。附图意欲描绘本实用新型的示范性实施例，且因此不应被视为在范围上受到限制。在附图中，相似标号表示相似元件。
此外，出于图示清楚的目的，可省略或不按比例示出一些附图中的一些元件。出于图示清楚的目的，横截面图可呈“图块”或“近视的”横截面图的形式，省略在“真实”截面图中另外可见的某些背景线条。此外，为了清晰起见，可在特定附图中省略一些附图标号。
附图标号说明
2：收纳气流；
10：离子植入系统；
14：离子源；
16：束线组件；
18：离子束；
24：气体流；
28：馈入源；
30：流动速率控制器；
32：淹没式等离子体枪；
34：质量分析器；
35：晶片；
36：第一加速或减速台；
37：开口；
38：准直器；
40：静电过滤器；
46：处理腔室；
50：EF腔室；
52：腔室壳体；
56：电源；
58：离子束线/轨迹；
64：中心；
65：第一光束边沿；
66：第二光束边沿；
70A、70B、70C、70D、70E、70F、70G、70H、70I、70J、70K、70L、 70M、70N：电极；
72：中心区域；
73：第一端；
74：第二端；
78：第一外表面；
79：第二外表面；
81：四极场；
85：上游侧；
86：下游侧；
90：静电场；
100：方法；
101、103：框；
D1、D2：距离；
ELA：电极纵轴；
W1、W2、W3：宽度；
X、Y、Z：轴；
β：角度。
具体实施方式
现将在下文中参考示出本实用新型的实施例的附图更全面地描述依照本实用新型的离子植入系统、静电透镜以及方法。离子植入系统、静电过滤器以及方法可以许多不同形式实施，且不应解释为受限于本文中所阐明的实施例。替代地，提供这些实施例是为了使得本实用新型透彻且完整，且将向所属领域的技术人员充分传达系统和方法的范围。
鉴于由现有技术鉴别出的前述不足，本文提供离子植入系统、静电透镜以及方法，其允许具有改进性能的高电流植入机的操作。在高离子束电流下，可存在控制水平光束发散的问题。为了补偿所述问题，本文中的实施例提供成形电极以控制光束发散，同时例如在与偏转、偏转减速和/或其它带状光束设备一起使用时还提高光束电流利用率。
本文中的实施例包含用于带状光束的静电透镜，其引入静电四极场来在偏转和减速期间控制光束发散。在一个实施例中，可通过增大透镜的一个或多个电极的电压来控制离子束发散。在另一实施例中，光束输入宽度可在使用固定电极电压时变化。随着光束变宽，四极场更加坚固，其为高导流系数的光束提供更多水平聚焦。在两种情况下，本实用新型的静电透镜可采用大体上平行输入带状光束且产生具有所关注区域上的改进的x/x'特征和均一性 J(x)的平行输出带状光束。
如将在本文中描述，本实用新型的实施例实现至少以下技术优势。首先，通过增大电极电压来控制离子束发散引起离子束竖直地聚焦，这可最大限度地减少过扫描(over-scan)且提高吞吐量。第二，随着电压增大，离子束可水平地会聚或发散到所需光束角展度，这既改进晶片上的可使用的光束电流，又实现更高产率或更低源电流。第三，通过优化用于固定电极电压的光束角度分布，可使用更低电压。第四，通过调变控制离子束输入宽度的参数，光束角可由会聚(即宽光束)、发散(即窄光束)调谐到平行光束。此外，通过调变控制离子束输入宽度和电极电压的两个参数，可在保持所需电流和水平光束角度发散的同时调变光束高度。第五，较窄带状光束可在光束线中传输而水平表面上的撞击较少，因此产生更少的颗粒物质且降低拥有成本。
现参看图1，示出依照本实用新型的示范性系统。离子植入系统(下文中称为“系统”)10表示处理腔室，除其它组件外，所述处理腔室含有用于产生离子束18的离子源14、离子植入机以及一系列束线组件16。离子源14 可包括用于容纳气体流24并于其中产生离子的腔室。离子源14还可包括安置在腔室附近的电源和提取电极组合件。束线组件16可包含例如质量分析器 34、第一加速或减速台36、准直器38以及静电过滤器(electrostaticfilter， EF)40，在本文中也可将所述静电过滤器称为静电透镜。EF 40可对应于偏转和/或减速台。尽管未示出，但束线组件16可进一步包含EF 40下游的淹没式等离子体枪(plasmaflood gun，PFG)。
在示范性实施例中，束线组件16可过滤、聚焦、加速、减速以及以其它方式操控离子束18以具有所需物质、形状、能量以及其它质量。穿过束线组件16的离子束18可朝向安装于处理腔室46内的压板或夹钳上的衬底引导。如所理解，衬底可以一个或多个维度(例如平移、旋转以及倾斜)移动。
如所示出，可存在一个或多个馈入源28，其可与离子源14的腔室一起操作。在一些实施例中，从馈入源28提供的材料可包含源材料和/或额外材料。源材料可含有以离子形式引入到衬底中的掺杂物质。同时，额外材料可包含稀释剂，其与源材料一起引入到离子源14的离子源腔室中以稀释离子源 14的腔室中的源材料的浓度。额外材料还可包含清洁剂(例如蚀刻剂气体)，其引入到离子源14的腔室中并在系统10内传输以清洁束线组件16中的一个或多个。
在各种实施例中，可将不同物质用作源材料和/或额外材料。源材料和/ 或额外材料的实例可包含原子或分子物质，所述原子或分子物质含有硼(B)、碳(C)、氧(O)、锗(Ge)、磷(P)、砷(As)、硅(Si)、氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氮(N)、氢(H)、氟(F)、氯(Cl)、铝(Al)、锑(Sb)、铟(In)、碳硼烷(Carborane)以及萘。所属领域的一般技术人员将认识到，以上列举的物质为非限制性的，且也可使用其它原子或分子物质。取决于应用，物质可用作掺杂剂或额外材料。具体来说，可将在一个应用中用作掺杂剂的一种物质用作另一应用中的额外材料，或反之亦然。
在示范性实施例中，将源材料和/或额外材料以气态或蒸气形式提供到离子源14的离子源腔室中。如果源材料和/或额外材料处于非气态或非蒸气形式，那么可在馈入源28附近提供气化器(未示出)以将材料转换成气态或蒸气形式。为了控制将源材料和/或额外材料提供到系统10内的量和速率，可提供流动速率控制器30。
EF 40可配置成独立地控制离子束18的偏转、减速、加速以及聚焦。在一个实施例中，EF 40为竖向静电能量过滤器(vertical electrostatic energy filter，VEEF)。如下文将更详细地描述，EF 40可包含电极配置，其包括安置在离子束18上方的上部电极集合和安置在离子束18下方的下部电极集合。上部电极集合和下部电极集合可为静止的，且具有固定位置。上部电极集合与下部电极集合之间的电势差也可沿着中心离子束轨迹变化，以反映在沿着中心离子束轨迹的每个点处的离子束18的能量，以用于独立地控制离子束 18的偏转、减速、加速和/或聚焦。
尽管未限制，但离子源14可包含发电机、等离子体激励器、等离子体腔室以及等离子体自身。等离子体源可为电感耦合的等离子体 (inductively-coupled plasma，ICP)源、环形耦合的等离子体源(toroidal coupled plasma source，TCP)、电容耦合的等离子体(capacitively coupled plasma，CCP) 源、螺旋形(helicon)源、电子回旋共振(electroncyclotron resonance，ECR) 源、间热式阴极(indirectly heated cathode，IHC)源、辉光放电(glow discharge) 源、产生电子光束的离子源或所属领域的技术人员已知的其它等离子体源。
离子源14可产生用于处理衬底的离子束18。在各种实施例中，离子束 (在横截面中)可具有靶向形状，例如本领域中已知的点状光束或带状光束。在所示出的笛卡尔坐标系统(Cartesian coordinate system)中，离子束18的传播方向可表示为平行于Z轴，而离子的实际轨迹可随离子束18变化。为处理衬底，可加速离子束18以通过建立离子源14与晶片之间的电压(电势) 差来获取目标能量。
现参看图2，将更详细地描述依照示范性实施例的EF 40。如所示出，EF 40包含由腔室壳体52定义的EF腔室50。EF 40可与一个或多个真空泵(未示出)一起操作以调整EF腔室50的压强。EF 40的一端可毗邻PFG 32，其具有开口37以准许离子束18从其中穿过到达晶片35。如所示出，PFG 32位于EF 40与晶片35之间，且PFG 32和晶片35相对于离子束线/轨迹58以角度β定向。尽管未限制，但角度β可在5°到30°之间。由于EF腔室50中的多个电极70A到电极70N的布置，且由于EF 40相对于PFG 32和晶片35的定向，可将EF 40视为“曲形”的。
在一些实施例中，电极70A到电极70N可以是沿离子束线/轨迹58安置的石墨电极棒。尽管未限制，但多个电极70A到电极70N可包含入口电极集合(即，一个或多个)、抑制电极集合、一个或多个聚焦电极以及出口电极集合。如所示出，电极对的每一集合提供空间/开口以允许离子束(例如带状光束)18从其中穿过。
在示范性实施例中，电极70A到电极70N包含彼此电耦合的导电段对。替代地，电极70A到电极70N可以是一系列单式结构，其每一个包含孔口以用于离子束18从其中穿过。在所示出的实施例中，每一电极对的上部部分和下部部分可具有不同电势(例如在单独的导电段中)，以便偏转、减速、加速、会聚或发散从其中穿过的离子束18。
在一些实施例中，沿着离子束线58穿过电极70A到电极70N的离子束 18可包含硼或其它元素。可通过使用若干薄电极(例如抑制/聚焦电极)控制沿着离子束线58的电势的分级来实现离子束的静电聚焦。
在一些实施例中，电源56(例如DC电源)将电压和电流供应到EF 40。电压/电流可供应到电极70A到电极70N以在EF腔室50内产生等离子体。在各种实施例中，由电源56提供的电压和电流可为恒定的或变化的。电极 70A到电极70N可并行(例如单独地)或串行地电驱动以实现电极70A到电极70N中的每一个的统一和/或独立操作。举例来说，用于一个或多个抑制电极的电压可相对EF 40的其余电极增大，以管理离子束18的会聚和发散。在其它实施例中，电极70A到电极70N中的每一个具有不同电压。
如所示出，电极70A到电极70N可在Z方向上处于不同角位置。效应为顶部电极与底部电极之间的不同场曲率，其可以一个或多个电极的不同成形分布来补偿。在Z方向上的不同位置使光束粒子在X方向上偏转所需的电力可由以下等式表示：
Figure BDA0002384441620000081
其中U为光束能量，Δz＝R·(θgnd-θFOCUS)，α＝X中的光束发散；且
Figure BDA0002384441620000082
其中k为局部场曲率。
现转而参看图3，将更详细地描述抑制电极70C到抑制电极70D。如所示出，沿离子束18的第一侧(例如离子束18的上方)安置电极70C，同时沿离子束18的第二侧(例如离子束18的下方)安置电极70D。电极70C到电极70D中的每一个可具有第一端73与第二端74之间的中心区域72。如所示出，电极70C的第一外表面78与电极70D的第二外表面79之间的距离(例如沿Y轴)可沿着在第一端73与第二端74之间延伸的电极纵轴(electrode length axis)‘ELA’(例如X轴)变化。举例来说，第一端73和第二端74的相应第一外表面78与第二外表面79之间的距离‘D1’可大于中心区域72 处的距离‘D2’。尽管未示出，但相应的第一外表面78与第二外表面79之间的距离‘D1’不同于第一端73与第二端74之间的距离。在另外其它实施例中，电极70C到电极70D的任一个或两个的直径可在第一端73与第二端 74之间变化。换句话说，电极70C到电极70D的一端可相对于中心区域72 发散(例如变宽)，而电极70C到电极70D的另一端可相对于中心区域72会聚(变窄)以引起离子束18沿电极纵轴会聚和发散。本文中的实施例在这一上下文中并不受限。
如所示出，电极70C到电极70D可为弯曲的、曲形的、成形的等，以使得中心区域72此在第一端73和第二端74处更接近于彼此。尽管在本实施例中仅将电极70C到电极70D描绘为成形的，但应了解，其它电极70A到电极 70B以及电极70E到电极70N在替代实施例中可类似地成形。
应了解，偏置电极70C到电极70D在电极70C到电极70D之间产生静电场。更具体地，静电场为形成在电极70C到电极70D之间的间隙中的四极场81。尽管未示出，但类似的四极场可形成在电极70A到电极70N的一对或多对之间。通过在X方向和Z方向上使电极70C到电极70D定形，且于其上施加电势，可例如在由离子束18交叉的X-Y平面中修改四极场81。四极场81中的这些改变继而引起带状光束发散改变，从而影响离子束18的中心 64以及第一光束边沿65和第二光束边沿66。
此外，光束发散控制可用于达成沿X方向的实质平行离子束18且引起离子束18根据由条形曲率、间隙以及电压定义的四极场81强度而发散或会聚。这将在极小地影响Y方向上的离子束18的情况下有利地获得。
图4表明使用EF 40中的曲形电极的实例离子束会聚，所述曲形电极例如本文中所描述的电极70C到电极70D。如所示出，离子束18为具有由第一光束边沿65和其相对侧上的第二光束边沿66定义的光束宽度的带状光束。离子束18在其进入EF 40时具有宽度‘W1’。如所示出，离子束18为初始地平行的，不具有边沿效应。当离子束18穿过电极70C到电极70D，离子束 18会聚或聚焦在第二光束宽度‘W2’，其中W1大于W2。在其它实施例中，离子束18可在其穿过EF 40时发散。由于离子束18平行进入EF 40，因此可利用抑制电压和一个或多个聚焦电极调谐离子束18。有利的是，离子束18 保持足够宽以均一地调谐且符合光束角度规格。最终，离子束18可离开EF 40 且以第三光束宽度‘W3’朝向晶片35行进。在一些实施例中，W1>W2>W3。如所示出，离开EF 40的离子束18为大致平行的。换句话说，第一光束边沿 65和第二光束边沿66可在离子束18离开EF 40时彼此平行地延伸。
现转而参看图5，将更详细地描述依照本实用新型的实施例的抑制电极 70C到抑制电极70D的另一实例。如所示出，沿离子束18的第一侧(例如离子束18的上方)安置电极70C，同时沿离子束18的第二侧(例如离子束18 的下方)安置电极70D。电极70C到电极70D中的每一个可包含第一端73 与第二端74之间的中心区域72。如所示出，电极70C的第一外表面78与电极70D的第二外表面79之间的距离(例如沿Y轴)可沿着在第一端73与第二端74之间延伸的电极纵轴‘ELA’(例如X轴)变化。更具体地，电极70C 到电极70D可朝向中心区域72各自变宽。换句话说，电极70C到电极70D 可成形以使得第一电极70C和第二电极70D的中心区域72中的第一直径‘D1’可大于第一端73和/或第二端74处的第二直径‘D2’。
如图6中更好地示出，多个电极70A到电极70E中的一个或多个可具有沿Z轴的变化的形状。举例来说，电极70C到电极70F可大致具有椭圆形横截面。尽管未限制，但电极70C到电极70D可具有长椭圆形形状，其中沿Y 轴的高度大于沿Z轴的宽度。电极70E到电极70F可具有长椭圆形形状，其中沿Y轴的高度小于沿Z轴的宽度。此外，尽管未表明，但电极70A到电极 70F中的一个或多个还可具有沿X轴和/或Y轴的变化的形状，如上文所描述。
在所示出的实施例中，电极70A到电极70F中的每一个包含相对于沿离子束线58的行进方向(例如由左向右)的上游侧85和下游侧86。如所示出，电极70A、电极70C以及电极70E的外表面与电极70B、电极70D以及电极70F的外表面之间的距离分别地在上游侧85与下游侧86之间变化。电极70A 到电极70F的形状可选定为沿Z方向上的离子束线58改变形成在其间的静电场90。
现参看图7，示出说明依照本实用新型的示范性方法100的流程图。可结合图1到图6中所示出的表示来描述方法100。
在框101处，方法100可包含在静电过滤器处接收离子束，静电过滤器包括沿离子束线的第一侧安置的第一多个电极和沿离子束线的第二侧安置的第二多个电极，第一多个电极和第二多个电极中的每一电极具有第一端与第二端之间的中心区域，其中第一多个电极的第一抑制电极的第一外表面与第二多个电极的第二抑制电极的第二外表面之间的距离沿着在第一端与第二端之间延伸的电极纵轴变化。
在框103处，方法100可包含通过将电压和电流供应到第一抑制电极和第二抑制电极来引起离子束在穿过第一抑制电极和第二抑制电极时会聚或发散。在一些实施例中，离子束可通过以下来会聚或发散：调节初始离子束宽度以达成期望的光束角展度，以及在调节初始离子束宽度之后将恒定电压供应到第一抑制电极和第二抑制电极。在一些实施例中，离子束可通过以下来会聚或发散：例如相对于第一多个电极和第二多个电极的其余电极增大到第一抑制电极和第二抑制电极的电压。
已出于说明和描述的目的呈现以上论述，且以上论述并不意欲将本实用新型限于本文中所公开的形式。举例来说，出于简化本实用新型的目的，实用新型的多种特征可在一个或多个方面、实施例或配置中集合在一起。然而，应理解，本实用新型的某些方面、实施例或配置的多种特征可在替代性方面、实施例或配置中组合。此外，以下权利要求以引用的方式并入本具体实施方式中，其中每一权利要求本身作为本实用新型的一个单独的实施例。
如本文中所使用，以单数形式叙述并以词语“一(a/an)”进行的元件或步骤应理解为不排除多个元件或步骤，除非明确地叙述此排除。此外，参考本实用新型的“一个实施例”并不意图解释为不包含同样并入叙述特征的额外实施例的存在。
本文中“包含”、“包括”或“具有”以及其变体的使用意在涵盖其后所列的项目和其等效物以及额外项目。因此，术语“包含”、“包括”或“具有”以及其变体为开放式表述并且可在本文中可互换地使用。
如本文中所使用，短语“至少一个”、“一个或多个”以及“和/或”是在操作中具有连接性和分离性的开放式表述。举例来说，表述“A、B以及C 中的至少一个”、“A、B或C中的至少一个”、“A、B以及C中的一个或多个”、“A、B或C中的一个或多个”以及“A、B和/或C”意指仅A、仅B、仅C、 A与B一起、A与C一起、B与C一起，或A、B与C一起。
所有定向参考(例如接近、末端、上部、下部、朝上、朝下、左侧、右侧、横向、纵向、正面、背面、顶部、底部、上方、下方、竖直、水平、径向、轴向、顺时针以及逆时针)仅用于辨识目的来辅助读者对本实用新型的理解，且并不产生局限性(特别关于本实用新型的位置、定向或使用)。除非另有指示，否则连接参考(例如附接、耦合、连接以及接合)应在广义上解释，且可包含一系列元件之间的中间构件以及元件之间的相对移动。因而，连接参考不一定推断两个元件直接连接且彼此成固定关系。
此外，辨识参考(例如初级、次级、第一、第二、第三、第四等)并不意欲暗示重要性或优先级，但用于区分一个特征与另一特征。附图仅出于说明目的，且本实用新型的附图中反映的尺寸、位置、次序以及相对大小可变化。
再此外，术语“实质”或“实质上”以及术语“大致”或“大致地”可在一些实施例中互换使用，并且可使用由所属领域的一般技术人员可接受的任何相对度量描述。举例来说，这些术语能够充当与参考参数的比较，以指示能够提供期望函数的偏差。尽管未限制，但与参考参数的偏差可例如处于小于1％、小于3％、小于5％、小于10％、小于15％、小于20％等的量中。
虽然已在本文中描述了本实用新型的某些实施例，但本实用新型不限于此，因为本实用新型在范围上与所属领域将允许的一样宽泛，且可同样地来理解本说明书。因此，不应将以上描述解释为限制性。所属领域的技术人员将设想在本文所附的权利要求的范围和精神内的其它修改。

Claims (8)

1.一种用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述电极包括：
第一端及第二端，所述第一端与所述第二端相对；以及
中心区域，位于所述第一端与所述第二端之间，其中所述中心区域的中心直径与所述第一端的第一端直径和所述第二端的第二端直径不同。
2.根据权利要求1所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述中心区域中的所述中心直径大于或小于所述第一端的所述第一端直径以及所述第二端直径。
3.根据权利要求1所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述第一端的所述第一端直径与所述第二端的所述第二端直径不同。
4.根据权利要求1所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述电极为抑制电极。
5.根据权利要求1所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述中心区域的所述中心直径大于所述第一端直径和所述第二端直径。
6.根据权利要求1所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，所述电极具有椭圆形横截面。
7.根据权利要求6所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，沿所述电极的Y轴的高度小于沿所述电极的Z轴的宽度。
8.根据权利要求6所述的用于静电过滤器的电极，其特征在于，沿所述电极的Y轴的高度大于沿所述电极的Z轴的宽度。
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