CN211428316U - 一种容性耦合装置及滤波器 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种容性耦合装置及滤波器。它包括相互连接的两个介质谐振器，两个介质谐振器的顶面分别设有调谐盲孔，两个介质谐振器之间设有第一隔断层，两个调谐盲孔分别位于所述第一隔断层的两侧，至少一个介质谐振器上设有负耦合区域，所述负耦合区域上设有贯穿该介质谐振器的负耦合孔，所述负耦合孔内壁设有导电层，一个介质谐振器上的负耦合孔与另一个介质谐振器上的调谐盲孔之间设有连接段。本实用新型在通过负耦合孔与相邻的另一介质谐振器上的调谐盲孔实现两个介质谐振器之间的负耦合，负耦合孔设置在单独的一个介质谐振器上，布置位置可以在介质谐振器上自由选择，不受整体结构的限制，加工更方便。

Description

一种容性耦合装置及滤波器

技术领域

本实用新型属于通信技术领域，具体涉及一种容性耦合装置及滤波器。

背景技术

在通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的性能要求越来越高。随着要求的提高，基站端大功率微波滤波器呈现出指标高，体积小，低成本的特征。在实现这些高性能滤波器的时候，受限于腔体尺寸，滤波器需要使用新的材料或技术实现。

受限于介质滤波器的材料特性，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而介质滤波器，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更加困难。现有设计中，专利号201310688407.3公开了三种可行的方案，其一为零腔设计实现容性交叉耦合的方案；其二为采用两个腔进行180度相位翻转实现容性交叉耦合的方案；其三为在介质耦合窗口上打孔(孔内不设置电磁屏蔽层)，螺杆深入孔中距离孔底约2mm以内，然后采用盖板或螺杆套方式固定，从而实现容性交叉耦合的方案。容性耦合装置对于方案一和方案二，每实现一个容性交叉耦合，就需要在水平方向多占用一个腔的空间；对于方案三，为了使极性翻转，需要增加螺杆套或盖板，也需要在垂直方向增加高度空间，从而不利于空间比较严苛的介质滤波器设计，为此需要对现有技术进行改进。现有设计中，专利号201811036762.1公开了一种可行的方案，一种容性耦合装置，包括多个实心的介质单体，所述相邻的介质单体之间拼接连接，至少一个相邻介质单体的拼接面上设置有容性耦合结构，所述容性耦合结构包括第一盲孔和表面未金属化的第一空气耦合窗口，所述相邻介质单体的拼接面的一侧沿竖向对应位置处设有相匹配的半凹槽，两个相匹配的半凹槽拼接后形成所述第一盲孔，所述第一盲孔的深度大于等于所述空气耦合窗口深度的1/2且小于第一空气耦合窗口深度，所述第一盲孔的内壁和底部上设置有金属屏蔽层，所述第一空气耦合窗口设置于第一盲孔的两侧及底部。多个介质单体需拼接连接，生产难度大，需进一步优化改进设计。

也有是在两个谐振器之间设置一个通孔或者盲孔形式的负耦合孔实现两个谐振器之间的负耦合，受布置位置的限制，这种形式的负耦合引起的二次谐波距离滤波器通带较近，带外抑制有一定影响。

实用新型内容

本实用新型的目的就是为了解决上述背景技术存在的不足，提供一种结构简单、耦合强度高的容性耦合装置及滤波器。

本实用新型采用的技术方案是：一种容性耦合装置，包括相互连接的两个介质谐振器，两个介质谐振器的顶面分别设有调谐盲孔，所述两个介质谐振器的表面及调谐盲孔的内壁均设有导电层，两个介质谐振器之间设有第一隔断层，两个调谐盲孔分别位于所述第一隔断层的两侧，至少一个介质谐振器上设有负耦合区域，所述负耦合区域上设有贯穿该介质谐振器的负耦合孔，所述负耦合孔内壁设有导电层，一个介质谐振器上的负耦合孔与另一个介质谐振器上的调谐盲孔之间设有连接段。

进一步地，所述第一隔断层为设置于两个介质谐振器之间的通槽或通孔。

进一步地，所述第一隔断层为设置于两个介质谐振器之间衔接面上的屏蔽层。

进一步地，所述负耦合孔包括形状不同的两段。

进一步地，所述负耦合孔为直径相同的通孔。

进一步地，设有负耦合孔的质谐振器的表面设有第二隔断层，所述第二隔断层围绕所述负耦合孔布置。

更进一步地，所述负耦合孔的内壁设有第二隔断层。

一种滤波器，所述滤波器至少包含一个如上述的任意一项容性耦合装置。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型在一个介质谐振器上设置负耦合孔，负耦合孔为贯穿该介质谐振器的通孔，通过该负耦合孔与相邻的另一介质谐振器上的调谐盲孔实现两个介质谐振器之间的负耦合，负耦合孔设置在单独的一个介质谐振器上，布置位置可以在介质谐振器上自由选择，不受整体结构的限制，加工更方便。该结构用于滤波器中，可以在滤波器的通带低端形成传输零点，增加了滤波器的矩形系数，从而提高滤波器性能，降低滤波器的体积；同时通过调节两个盲孔内导电层面积及隔断层的宽度，可以使得负耦合的耦合量范围更宽，使二次谐波位置会往更远处推移，并降低二次谐波的幅度。

附图说明

图1为本实用新型实施例1的立体示意图。

图2为本实用新型实施例1的正面示意图。

图3为图2中A-A剖面图。

图4为图2中B-B剖面图。

图5为本实用新型实施例1的反面示意图。

图6为本实用新型实施例2的立体示意图。

图7为本实用新型实施例2的正面示意图。

图8为图7中C-C剖面图。

图9为图7中D-D剖面图。

图10为本实用新型实施例2的反面示意图。

图中：1-第一介质谐振器；2-第二介质谐振器；3-调谐盲孔；4-负耦合孔；5-第一隔断层；6-第二隔断层；7-连接段；8-顶面；9-底面。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以互相结合。

本实用新型提供一种容性耦合装置，包括相互连接的两个介质谐振器，两个介质谐振器的顶面分别设有调谐盲孔3，两个介质谐振器均为固态介电材料制成，所述两个介质谐振器的表面及调谐盲孔3的内壁均设有导电层，两个介质谐振器之间设有第一隔断层5，两个调谐盲孔3分别位于所述第一隔断层5的两侧，至少一个介质谐振器上设有负耦合区域，所述负耦合区域上设有贯穿该介质谐振器的负耦合孔4，所述负耦合孔4内壁设有导电层，一个介质谐振器上的负耦合孔与另一个介质谐振器上的调谐盲孔之间设有连接段7。负耦合孔和其周边的本体形成一个类似于谐振器的结构作为负耦合区域，与相邻介质谐振器上的调谐孔配合形成负耦合。

两个介质谐振器的表面及调谐盲孔内壁的导电层可以为金属化层，具体可以通过对本体表面进行电镀金属来形成。金属可以为银，也可以为其他满足实际需要的金属。在制造时，通过一体化成形来获得带有调谐盲孔和负耦合孔的本体，再对本体、调谐盲孔和负耦合盲孔进行表面金属化，比如表面电镀，来获得上述介质谐振器。这样，该介质谐振器所包括的介质谐振器的本体是连续的。采用一体化成形的方式来获得介质谐振器，可以使得其加工工艺更简单。

上述方案中，第一隔断层5为设置于两个介质谐振器之间的通槽或通孔，或第一隔断层5为设置于两个介质谐振器之间衔接面上的屏蔽层(导电层)，通过第一隔断层来降低两个调谐盲孔之间的正耦合量。

上述方案中，负耦合孔4包括形状不同或直径、宽度不同的两段，或负耦合孔为直径相同的通孔。具体的，负耦合孔的直径或宽度大小可以根据实际需要，比如传输零点的频率，进行设计，在此不予限定。

上述方案中，设有负耦合孔4的质谐振器的表面设有第二隔断层6，所述第二隔断层6围绕所述负耦合孔4布置，或负耦合孔4的内壁设有第二隔断层。该隔断层为介质谐振器表面未覆盖导电层的部分，负耦合孔表面未被导电层覆盖的部分的面积与所述负耦合孔所处位置相接的两个介质谐振器之间的电容耦合的耦合量相关。也就是，可以通过去除负耦合孔端面或内壁的部分导电层，来调节该负耦合孔和其周边的本体形成的类似于谐振器的结构的谐振频率，进而调节其两侧的谐振器之间的耦合量。通过调整负耦合孔端面或内壁的导电层被去除的面积的大小，可以改变介质谐振器和介质谐振之间的电容耦合的耦合量的大小。具体的，可以通过打磨的方式调整负耦合孔端面或内壁的导电层被去除的部分的面积，在本发明实施例中可以不予限定。

介质谐振器中所使用的介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数，硬度及耐高温的性能也都较好，因此成为射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然，介电材料也可以选用本领域技术人员所知的其它材料，如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。

本发明还提供一种滤波器，所述滤波器至少包含一个如上述的任意一个容性耦合装置。

实施例1

如图1-5所示，本实施例提供一种容性耦合装置，包括相互连接的第一介质谐振器1和第二介质谐振器2，第一介质谐振器1和第二介质谐振器2的顶面分别设有调谐盲孔3，第一介质谐振器1和第二介质谐振器2的表面及调谐盲孔3的内壁均设有导电层，第一介质谐振器1上设有负耦合孔4，所述负耦合孔4内壁设有导电层，所述负耦合孔4为贯穿第一介质谐振器1的通孔，第一介质谐振器1和第二介质谐振器2之间设有第一隔断层5，负耦合孔4与第二介质谐振器2上的调谐盲孔3之间设有连接段7，第一介质谐振器1和第二介质谐振器2之间通过所述负耦合孔4、第二介质谐振器2上的调谐盲孔3和连接段7及其周边的本体实现负耦合。

第一隔断层5为设置于第一介质谐振器1和第二介质谐振器2之间的通槽。负耦合孔4包括形状不同的两段，第一段4.1截面形状为圆腰型，第二段4.2截面形状为圆形。设有负耦合孔4的第一质谐振器1的表面设有第二隔断层6，所述第二隔断层6围绕所述负耦合孔4的第二段4.2端面布置。

实施例2

如图6-10所示，本实施例提供一种容性耦合装置，其与实施例1中的耦合装置结构基本类似，区别在于本实施例中负耦合孔4的不同形状两段的位置与实施例1中相反。

以上仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本领域的技术人员在本实用新型所揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (8)

1.一种容性耦合装置，包括相互连接的两个介质谐振器，两个介质谐振器的顶面分别设有调谐盲孔(3)，所述两个介质谐振器的表面及调谐盲孔(3)的内壁均设有导电层，其特征在于：两个介质谐振器之间设有第一隔断层(5)，两个调谐盲孔(3)分别位于所述第一隔断层(5)的两侧，至少一个介质谐振器上设有负耦合区域，所述负耦合区域上设有贯穿该介质谐振器的负耦合孔(4)，所述负耦合孔(4)内壁设有导电层，一个介质谐振器上的负耦合孔与另一个介质谐振器上的调谐盲孔之间设有连接段(7)。

2.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述第一隔断层(5)为设置于两个介质谐振器之间的通槽或通孔。

3.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述第一隔断层(5)为设置于两个介质谐振器之间衔接面上的屏蔽层。

4.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述负耦合孔(4)包括形状不同的两段。

5.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述负耦合孔(4)为直径相同的通孔。

6.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：设有负耦合孔的介质谐振器的表面设有第二隔断层(6)，所述第二隔断层(6)围绕所述负耦合孔(4)布置。

7.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述负耦合孔(4)的内壁设有第二隔断层(6)。

8.一种滤波器，其特征在于：所述滤波器至少包含一个如权利要求1-7所述的任意一项容性耦合装置。

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